奥田貴史 Okuda Takafumi

研究者番号	00783036
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2019年度: 京都大学, 工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者回路シミュレーション / デバイスモデリング / 高周波動作 / 電力変換回路 / パワープロセッシング / 炭化珪素トランジスタ / パワーエレクトロニクス / 高周波電力変換回路 / 寄生インダクタンス / 駆動回路 … もっと見る / デバイスモデル / SiCデバイス / SiC / スイッチング特性 / ベース駆動回路 / バイポーラトランジスタ / 炭化珪素隠す

研究課題
(2件)
研究成果
(25件)

炭化珪素デバイスの高速スイッチング特性に注目したMHz級高周波電力変換器研究代表者
- 研究代表者
  
  奥田貴史
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  京都大学
炭化珪素バイポーラトランジスタのデバイス特性モデル化と高周波電力変換回路の製作研究代表者
- 研究代表者
  
  奥田貴史
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  京都大学

すべて 2020 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Measurement of internal magnetic flux density distribution in air-core toroidal transformer under high-frequency excitation2020
- 著者名/発表者名
  K. Hashimoto, T. Okuda, T. Hikihara
- 雑誌名
  
  Review of Scientific Instruments
  
  巻: 91 ページ: 044703-044703
- NAID
  120006865715
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[雑誌論文] A comparative study on electrical characteristics of 1-kV pnp and npn SiC bipolar junction transistors2018
- 著者名/発表者名
  Okuda Takafumi、Kimoto Tsunenobu、Suda Jun
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FR04-04FR04
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fr04
- NAID
  210000149010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[雑誌論文] Stabilization of mode in imbalanced operation of matrix converter by time-delayed feedback control2018
- 著者名/発表者名
  Sanchez Manuel、Okuda Takafumi、Hikihara Takashi
- 雑誌名
  
  International Journal of Circuit Theory and Applications
  
  巻: 46 号: 12 ページ: 2420-2433
- DOI
  10.1002/cta.2556
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[雑誌論文] 大電力高速パルス生成器によるオシロスコープのスキュー補正2018
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda and Takashi Hikihara
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
  
  巻: 138 号: 1 ページ: 37-40
- DOI
  10.1541/ieejeiss.138.37
- NAID
  130006301480
- ISSN
  0385-4221, 1348-8155
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[雑誌論文] Analysis of dynamic characteristics of SiC Schottky barrier diodes at high switching frequency based on junction capacitance2018
- 著者名/発表者名
  Maeda Ryosuke、Okuda Takafumi、Hikihara Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FF01-04FF01
- DOI
  10.7567/jjap.57.04ff01
- NAID
  210000148915
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] SiC MOSFETを用いた高周波直流昇圧回路に関する検討2019
- 著者名/発表者名
  奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第14回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[学会発表] MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバに関する一検討2019
- 著者名/発表者名
  高山創，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  2019年電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[学会発表] 空芯トランスの内部磁束密度分布測定系の開発2019
- 著者名/発表者名
  橋本和樹，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第14回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[学会発表] Enhancement of Driving Capability of Gate Driver Using GaN HEMTs for High-Speed Hard Switching of SiC Power MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda and Takashi Hikihara
- 学会等名
  The 2018 International Power Electronics Conference -ECCE- Asia
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[学会発表] 表面電位に基づくSiC MOSFETのデバイスモデル作成と高周波スイッチング回路への応用2018
- 著者名/発表者名
  前田凌佑，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[学会発表] 漏れインダクタンス低減によるSiC MOSFETを用いたフライバックコンバータの10 MHz 駆動2018
- 著者名/発表者名
  橋本和樹，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  電気学会全国大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] A Flyback Converter with SiC Power MOSFET Operating at 10 MHz: Reducing Leakage Inductance for Improvement of Switching Behaviors2018
- 著者名/発表者名
  Kazuki Hashimoto, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara
- 学会等名
  The 2018 International Power Electronics Conference -ECCE- Asia
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13802
[学会発表] SiCバイポーラトランジスタの1 MHzスイッチング特性2017
- 著者名/発表者名
  奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] GaN FET搭載ゲートドライバによるSiC MOSFETの20 MHz駆動2017
- 著者名/発表者名
  奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  電気学会全国大会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] 高温環境下におけるSiC SBDの動特性のモデリング2017
- 著者名/発表者名
  前田凌佑，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  電気学会産業応用部門大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] SiC SBD接合容量モデルの高周波領域における精度検証2017
- 著者名/発表者名
  前田凌佑，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  電気学会全国大会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] A Study on Origin of Oscillation of Voltage Waveforms in Flyback Converter2017
- 著者名/発表者名
  Kazuki Hashimoto, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara
- 学会等名
  2017 Taiwan and Japan Conference on Circuits and Systems
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] フライバックコンバータの電圧波形の振動に関する一検討2017
- 著者名/発表者名
  橋本和樹，奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  電気学会産業応用部門大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] Investigations on Electrical Characteristics of 1-kV pnp SiC BJTs Compared with npn SiC BJT2017
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] Direct Drive of a Buck Converter by Delta-Sigma Modulation at 13.56-MHz Sampling2017
- 著者名/発表者名
  Yuhei Sadanda, Takafumi Okuda, Takashi Hikihara
- 学会等名
  IEEE Workshop on Control and Modeling for Power Electronics, Stanford, California
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] Analysis of Dynamic Characteristics of SiC SBD at High Switching Frequency Based on Junction Capacitance2017
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Maeda, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] Analysis of Transient Behavior of SiC Power MOSFETs Based on Surface Potential Model and Its Application to Boost Converter2016
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda, Yohei Nakamura, Michihiro Shintani, Takashi Sato, and Takashi Hikihara
- 学会等名
  4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
- 発表場所
  Arkansas, United States of America
- 年月日
  2016-11-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] 大電力高速パルス生成器によるオシロスコープのスキュー補正2016
- 著者名/発表者名
  奥田貴史，引原隆士
- 学会等名
  電気学会電子回路研究会
- 発表場所
  東京理科大学
- 年月日
  2016-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing2016
- 著者名/発表者名
  Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda
- 学会等名
  4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
- 発表場所
  Arkansas, United States of America
- 年月日
  2016-11-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890
[学会発表] 表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析および昇圧回路への応用2016
- 著者名/発表者名
  奥田貴史, 中村洋平, 新谷道広, 佐藤高史, 引原隆士
- 学会等名
  平成28年電気学会産業応用部門大会
- 発表場所
  群馬大学
- 年月日
  2016-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06890

奥田 貴史 Okuda Takafumi

研究課題

研究成果

炭化珪素デバイスの高速スイッチング特性に注目したMHz級高周波電力変換器研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化珪素バイポーラトランジスタのデバイス特性モデル化と高周波電力変換回路の製作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Measurement of internal magnetic flux density distribution in air-core toroidal transformer under high-frequency excitation2020

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] A comparative study on electrical characteristics of 1-kV pnp and npn SiC bipolar junction transistors2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Stabilization of mode in imbalanced operation of matrix converter by time-delayed feedback control2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 大電力高速パルス生成器によるオシロスコープのスキュー補正2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

言語

データソース

[雑誌論文] Analysis of dynamic characteristics of SiC Schottky barrier diodes at high switching frequency based on junction capacitance2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[学会発表] SiC MOSFETを用いた高周波直流昇圧回路に関する検討2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバに関する一検討2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 空芯トランスの内部磁束密度分布測定系の開発2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Enhancement of Driving Capability of Gate Driver Using GaN HEMTs for High-Speed Hard Switching of SiC Power MOSFETs2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 表面電位に基づくSiC MOSFETのデバイスモデル作成と高周波スイッチング回路への応用2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 漏れインダクタンス低減によるSiC MOSFETを用いたフライバックコンバータの10 MHz 駆動2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] A Flyback Converter with SiC Power MOSFET Operating at 10 MHz: Reducing Leakage Inductance for Improvement of Switching Behaviors2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SiCバイポーラトランジスタの1 MHzスイッチング特性2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] GaN FET搭載ゲートドライバによるSiC MOSFETの20 MHz駆動2017

著者名/発表者名

学会等名

奥田貴史 Okuda Takafumi