今西正幸 Imanishi Masayuki

研究者番号	00795487
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 2020年度 – 2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 准教授 2018年度 – 2019年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連
キーワード	研究代表者 OVPE / GaN / 低転位 / 気相法 / 高純度 / 熱力学計算 / 酸化ガリウム / 気相成長 / 格子定数 / 欠陥評価 … もっと見る / 低抵抗 / Ga連続供給 / 無転位 / 薄液 / 薄液成長 / Naフラックス法 / 高速成長 / ポイントシード / 高純度化 … もっと見る研究代表者以外口径維持・拡大 / 気相成長 / インゴット / GaN / 口径制御 / OVPE法 / 高速成長 / GaNバルク成長 / 半導体 / リモートエピタキシー / 転位低減 / グラフェン / ヘテロエピタキシャル成長隠す

Naフラックス法における三次元成長モードを活用したデバイスキラー欠陥抑制技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪大学
グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
- 研究代表者
  
  成塚重弥
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  名城大学
OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術
- 研究代表者
  
  森勇介
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術研究代表者
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪大学
Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN2022
- 著者名/発表者名
  Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Tomoaki Sumi, and Junichi Takino
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 ページ: 061004-061004
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] "Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method"2022
- 著者名/発表者名
  Hyoga Yamauchi, Ricksen Tandryo, Takumi Yamada, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura and Yusuke Mori,
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 5 ページ: 055505-055505
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac5787
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] High-rate OVPE-GaN crystal growth at a very high temperature of 1300℃2022
- 著者名/発表者名
  Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Itsuki Kawanami, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 3 ページ: 035503-035503
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac4fa8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] Effect of additional N2O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method2022
- 著者名/発表者名
  Ayumu Shimizu, Akira Kitamoto, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 581 ページ: 126495-126495
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt2021
- 著者名/発表者名
  Kawamura Takahiro、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada
- 雑誌名
  
  Computational Materials Science
  
  巻: 194 ページ: 110366-110366
- DOI
  10.1016/j.commatsci.2021.110366
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-18K04957, KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] Terahertz time-domain ellipsometry with high precision for the evaluation of GaN crystals with carrier densities up to 1020?cm?32021
- 著者名/発表者名
  Agulto Verdad C.、Iwamoto Toshiyuki、Kitahara Hideaki、Toya Kazuhiro、Mag-usara Valynn Katrine、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Yoshimura Masashi、Nakajima Makoto
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 18129-18129
- DOI
  10.1038/s41598-021-97253-z
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02206, KAKENHI-PROJECT-20H02639
[雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation2021
- 著者名/発表者名
  Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 570 ページ: 126219-126219
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126219
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639, KAKENHI-PROJECT-21K18812, KAKENHI-PROJECT-23K21082
[産業財産権] 金属酸化物結晶の製造方法、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基板の製造方法、半導体装置の製造方法、金属酸化物結晶、金属酸化物エピタキシャル結晶積層基板、半導体装置、及び金属酸化物結晶製造装置2021
- 発明者名
  今西正幸、森勇介、荒木理恵、秦雅彦
- 権利者名
  今西正幸、森勇介、荒木理恵、秦雅彦
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-152705
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] 炭素ドープしたOVPE-GaNの電気特性評価2024
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳, 東山律子, 今西正幸, 滝野淳一, 隅智亮, 岡山芳央, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00275
[学会発表] OVPE-GaN成長における異なるGa酸化剤の変換効率調査2024
- 著者名/発表者名
  中園翼, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00275
[学会発表] OVPE法を用いたGaNのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用2023
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳，東山律子, 滝野淳一, 太田博, 渡邉浩崇, 今西正幸, 隅智亮, 岡山芳央, 三島友義, 新田州吾, 本田善央, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 天野浩, 森勇介
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00275
[学会発表] Effect of hydrogen partial pressure on GaN high-speed growth by OVPE2023
- 著者名/発表者名
  Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura, Yusuke Mori
- 学会等名
  International Conference on Nitride Semiconductors 14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00275
[学会発表] Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN2022
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, and Yusuke Mori
- 学会等名
  9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications　(LEDIA2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長2022
- 著者名/発表者名
  今西正幸, 小林大也, 奥村加奈子, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 秦雅彦, 森勇介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] Ga2O, H2O原料ガスを用いた高温・高速酸化ガリウム成長の熱力学的検討2022
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，鈴木明香里，石田遥夏, 宇佐美茂佳,今西正幸，秦雅彦，森勇介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響2022
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，西山稜悟，秋山亨，宇佐美茂佳，今西正幸，吉村政志，森勇介
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長2022
- 著者名/発表者名
  今西正幸, 細川敬介, 奥村加奈子, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 湊雅彦, 森勇介
- 学会等名
  第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] Effect of point and complex defects on optical properties of GaN2022
- 著者名/発表者名
  河村貴宏，大畑智嗣，場崎航平，宇佐美茂佳，今西正幸，吉村政志，森勇介
- 学会等名
  光・量子ビーム科学合同シンポジウム2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長2022
- 著者名/発表者名
  今西正幸, 小林大也, 奥村加奈子, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 秦雅彦, 森勇介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] Naフラックス法を用いたLi添加による {2021} 面GaN単結晶の平坦化2022
- 著者名/発表者名
  高橋響, Ricksen Tandryo, 濱田和真, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制2021
- 著者名/発表者名
  山内彪我, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Fabrication of OVPE-GaN substrate with low absorption coefficient by defect suppression for laser slicing2021
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Mifune, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Masahiko Hata, Masashi Isemura and Yusuke Mori
- 学会等名
  The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Ga2O, H2O原料ガスを用いたβ型酸化ガリウム成長の熱力学解析2021
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，鈴木明香里，石田　遥夏, 今西正幸，秦雅彦，森勇介
- 学会等名
  第2回半導体ナノフォトニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] レーザースライスに向けたOVPE-GaN基板の着色低減及び電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  三船浩明, 宇佐美茂佳, 神山将大, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Observation of Helical Dislocations in HVPE GaN grown on Na-Flux GaN substrate2021
- 著者名/発表者名
  havpreeta Pratap Charan, Ricksen Tandryo, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori
- 学会等名
  第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] GaN中の点欠陥が光学特性に与える影響の解明2021
- 著者名/発表者名
  大畑智嗣, 河村貴宏, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] High-rate GaN crystal growth by the suppression of polycrystal formation at a high temperature above 1250℃ using the OVPE method2021
- 著者名/発表者名
  Ayumu Shimizu, Shigeyoshi Usami, Masahiro Kamiyama, Masayuki Imanishi, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, Masashi Isemura and Yusuke Mori
- 学会等名
  The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method2021
- 著者名/発表者名
  Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
- 学会等名
  AM-FPD21
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] 1300℃高温環境下での多結晶抑制によるOVPE-GaN結晶の高速成長2021
- 著者名/発表者名
  清水歩, 宇佐美茂佳, 神山将大, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製2021
- 著者名/発表者名
  今西正幸，村上航介，宇佐美茂佳，丸山美帆子，吉村政志，森勇介
- 学会等名
  第50回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査2021
- 著者名/発表者名
  山内彪我, Ricksen Tandryo, 山田拓海, 村上航介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] In-situ monitoring of GaN crystal growth by the Na-flux method via electrical resistance measurement2021
- 著者名/発表者名
  Koichi Itozawa, Ricksen Tandryo, Kosuke Murakami, Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura and Yusuke Mori
- 学会等名
  The 40th Electronic Materials Symposium (EMS-40)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] 超低核生成頻度条件での多結晶抑制による低転位バルクOVPE-GaN結晶の高速成長2021
- 著者名/発表者名
  清水歩, 宇佐美茂佳, 櫻井悠貴, 川波一貴,今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックス法におけるLi添加による(20-21)面GaN単結晶の表面平坦化効果2021
- 著者名/発表者名
  髙橋響, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第4回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化2020
- 著者名/発表者名
  Ricksen Tandryo,村上航介,山田拓海,北村智子,今西正幸,吉村政志,森勇介
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K14138
[学会発表] N2Oガス添加によるOVPE-GaN結晶の高速厚膜化の実現2020
- 著者名/発表者名
  清水歩, 神山将大, 北本啓, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックス法における電気抵抗測定を用いた結晶成長に伴う溶液状態変化のモニタリング2020
- 著者名/発表者名
  糸澤孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,今西正幸,吉村政志,森勇介
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K14138
[学会発表] N2Oガスを三属供給源に用いたOVPE法によるGaN結晶成長2020
- 著者名/発表者名
  川波一貴, 清水歩, 神山将大, 北本啓, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 隅智亮, 滝野淳一, 岡山芳央, 秦雅彦, 伊勢村雅士, 森勇介
- 学会等名
  第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックス法における電気抵抗変化とGaN結晶成長の関連性2020
- 著者名/発表者名
  糸澤孝一、Ricksen Tandoryo、村上航介、今西正幸、丸山美帆子、吉村政志、森勇介
- 学会等名
  第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長2020
- 著者名/発表者名
  今西正幸、村上航介、宇佐美茂佳、吉村政志、森勇介
- 学会等名
  第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックスポイントシード法における GaN結晶成長形状のGa比率-気相保持時間依存性2020
- 著者名/発表者名
  藤原淳平, 糸澤孝一, Ricksen Tandryo, 村上航介, 今西正幸, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介
- 学会等名
  第3回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639
[学会発表] Naフラックス法における炭素添加のNa-Ga融液電気抵抗に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  糸澤孝一,Ricksen Tandryo,村上航介,中村幸介,今西正幸,吉村政志,森勇介
- 学会等名
  第2回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K14138
[学会発表] Naフラックス法におけるGaN結晶成長速度とＧａ-Na融液電気抵抗の関係2019
- 著者名/発表者名
  Ricksen Tandryo,糸澤孝一,村上航介, 北村智子,山田拓海,今西正幸,吉村政志,森勇介
- 学会等名
  第2回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K14138

1. 宇佐美茂佳 (30897947)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
2. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
3. 津坂佳幸 (20270473)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 河村貴宏 (80581511)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
5. 富樫理恵 (50444112)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
6. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 丸山隆浩 (30282338)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 森勇介 (90252618)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
10. 中嶋誠

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

今西 正幸 Imanishi Masayuki

研究課題

研究成果

共同研究者

Naフラックス法における三次元成長モードを活用したデバイスキラー欠陥抑制技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN2022

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[雑誌論文] "Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method"2022

著者名/発表者名

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[雑誌論文] High-rate OVPE-GaN crystal growth at a very high temperature of 1300℃2022

著者名/発表者名

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[雑誌論文] Effect of additional N2O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method2022

著者名/発表者名

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[雑誌論文] Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt2021

著者名/発表者名

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[雑誌論文] Terahertz time-domain ellipsometry with high precision for the evaluation of GaN crystals with carrier densities up to 1020?cm?32021

著者名/発表者名

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[雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation2021

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産業財産権番号

出願年月日

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今西正幸 Imanishi Masayuki