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松山 奉史  MATSUYAMA Tomochika

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 05527463
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1995年度: 京都大学, 原子炉実験所, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
キーワード
研究代表者
Neutron activation analysis / Number-averabe molecular weight / Impurity analysis / Neutron transmutation doping / Low-dimensional silicon semiconductor / n-Type semiconductor / P-Doped polysilane / Polysilane / 低次元系半導体 / 低次元半導体 … もっと見る / 中性子放射化分析 / 数平均分子量 / 不純物分析 / 中性子転換注入法 / 低次元不純物半導体 / n型ポリシラン半導体 / リンドープポリシラン / ポリシラン量子材料 隠す
  • 研究課題

    (1件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  中性子転換注入法でリンをドープしたポリシラン量子材料の半導体物性研究代表者

    • 研究代表者
      松山 奉史, 松山 奉史
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      京都大学
  • 1.  松山 奉史 (50027463)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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