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野村 滋  NOMURA Shigeru

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10002859
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度 – 2002年度: 室蘭工業大学, 工学部, 教授
1996年度: 室蘭工業大学, 工学部, 教授
1994年度: 室蘭工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
急速熱処理 / NITROUS OXIDE GAS / DEVICE PROCESS / SILICON TECHNOLOGY / RAPID THERMAL PROCESSING / ULTRATHIN SILICON OXYNITRIDE FILM / シリコンテクノロジー / デバイスプロセス / 一酸化二窒素ガス / 極薄シリコン酸窒化膜 … もっと見る / 絶縁破壊特性 / 電子捕獲 / 極薄シリコン酸化膜 / シリコン酸窒化膜 / 酸窒化膜 / 界面準位密度 / 一酸化二窒素 / シリコン酸化膜 … もっと見る
研究代表者以外
MOS STRUCTURE / QUANTUM CONFINEMENT / QUANTUM TUNNELING / QUANTUM WELL / GERMANIUM / MOS構造 / 量子閉じ込め効果 / 量子トンネル伝導 / 量子井戸 / ナノ結晶 / ゲルマニウム / NANOCRYSTAL / NANOCRYTAL 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  ゲルマニウムナノ結晶の自己集合化と学習機能擬似ニューロデバイスへの応用

    • 研究代表者
      福田 永
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  •  ゲルマニウムナノ結晶の自己組織化と適応学習型ニューロデバイスへの応用

    • 研究代表者
      福田 永
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  •  一酸化二窒素ガスを用いた急速熱処理による高品質極薄シリコン酸窒素化膜の形成研究代表者

    • 研究代表者
      野村 滋
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  •  N_2O酸窒化急速熱処理による高性能極薄シリコン酸化膜の形成研究代表者

    • 研究代表者
      野村 滋
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  •  N_2O酸窒化急速熱処理による高性能極薄シリコン酸化膜の形成研究代表者

    • 研究代表者
      野村 滋
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  • 1.  福田 永 (10261380)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  遠藤 敏明 (60002903)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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