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中村 高遠  NAKAMURA Takato

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10022287
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度 – 2003年度: 静岡大学, 工学部, 教授
1994年度 – 1995年度: 静岡大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
構造・機能材料 / 無機材料・物性
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 無機材料・物性 / 電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
X-ray storage / UV emission / Long phosphorescence / Zinc oxide / Alkaline earth aluminate / High frequency EPR / Magnetic resonance / アルカリドルイ金属アルミネート / X線輝尽発光 / 紫外発光 … もっと見る / 長残光 / 酸化亜鉛 / アルカリ土類金属アルミネート / 高周波EPR / 磁気共鳴 / Photoluminescence / Electron spin resoance / Lattice distortion / Thin films and superlattices / II-IV compounds / EPR / 赤色発光 / 薄膜および超格子の局所歪 / 紫外線発光 / 電子スピン共鳴 / 格子歪 / 薄膜および超格子 / II-VI化合物 … もっと見る
研究代表者以外
ZnSe / ZnO / CdTe / 薄膜 / MOSFET / SiN / SiC / ワイドギャップ半導体 / Hexamethyldisilane / Rimote plasma / TEOS / プラズマCVD / 水素ラジカル反応 / ヘキサメチルジシラン / シリコンカーバイド薄膜 / リモートプラズマ / 有機シリコン / Tin nitride / Indium nitride / Iron nitride / Device / Opto-agilent / Electron spin resonance / Thin film / Interstitial-type metal nitride / 国際情報交換(英国:米国) / 大気圧ハライド気相成長 / 強磁性共鳴 / 光磁気記録 / 薄膜材料 / 窒化マンガン / 窒化スズ / 窒化インジウム / 窒化鉄 / デバイス / オプトアジレント / 電子スピン共鳴 / 侵入型金属窒化物 / Diode / heavy doping / II-VI Compound Semiconductor / Impulity doping / Excimer Laser / シミュレーション / オーム性接触 / レーザードーピング / ドーピング / ダイオード / 高濃度ドーピング / II-VI化合物半導体 / 不純物ドーピング / エキシマレーザー / thin film / hot electron / high resolution / integration / organic EL / inorganic EL / display / 硫化亜鉛(ZnS) / エレクトロルミネッセンス(EL) / MOFET / ホットエレクトロン / 高精細 / 集積化 / 有機EL / 無機EL / ディスプレイ / Surface wave / Trisdimethylaminosilane / hydrogen radical / organo-silicon / SiO2 / CVD / 表面波プラズマ / SiN薄膜 / Plasma CVD / hydrogen radical reaction / SiO2 film / Silicon carbide film / Organo-silicon / SiO_2薄膜 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  オプトアジレント機能を有する侵入型金属窒化物薄膜材料の創製とデバイスへの応用

    • 研究代表者
      高橋 直行
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      静岡大学
  •  高機能酸化物発光材料の作製と磁気共鳴による局所構造の解明研究代表者

    • 研究代表者
      中村 高遠
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      静岡大学
  •  ワイドギャップ半導体へのエキシマレーザードーピングの研究

    • 研究代表者
      畑中 義式
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  有機シリコンからの高品質ワイドギャップ半導体の創成

    • 研究代表者
      畑中 義式
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  超高精細薄膜エレクトロルミネッセント素子の集積化に関する研究

    • 研究代表者
      中西 洋一郎
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  •  マンガンでドープした金属カルコゲナイト薄膜の局所歪とその発光特性研究代表者

    • 研究代表者
      中村 高遠
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      静岡大学
  •  有機シリコン材料からの高品質ワイドギャップ半導体薄膜の作製

    • 研究代表者
      畑中 義式
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      静岡大学
  • 1.  中西 洋一郎 (00022137)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  畑中 義式 (60006278)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  青木 徹 (10283350)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  神藤 正士 (60023248)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  高橋 直行 (50242243)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  SUNIL Wickra (50252169)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  澤田 和明 (40235461)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  太田 雅壽 (60092673)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  金光 義彦 (30185954)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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