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青木 彪  AOKI Takeshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10023186
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度 – 2002年度: 東京工芸大学, 工学部, 教授
1991年度 – 1995年度: 東京工芸大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
フォトルミネッセンス / 水素エッチング / ECRプラズマCVD / CVD / TFT / アモルファス-微結晶相転移 / 光電特性 / 太陽電池 / 光電感度 / 水素ラジカル照射 … もっと見る / ゲルマニウム / ECR Plasma / Germanium / lifetime / photoluminescence / microcrystal / amorphous / nanocrystal / ECR / 優先配向 / 励起子 / エピタキシャル / ECRプラズマ / 寿命 / 微結晶 / アモルファス / ナノクリスタル / light degradation effects / surface field effect mobility / HALL mobilty / optoelectronic parameter / amorphous-microcrystalline phase transition / ECR plasma CVD / Ge films / フォトルミネッセンス特性 / 電子衝撃 / ion charge up / ゲートしきい値電圧 / ホール移動度 / プラズマ制御 / ECRプラズマ(P)CVD / 光劣化効果 / 表面電界効果移動度 / HALL移動度 / アモルファス・微結晶相転移 / ゲルマニウム膜 / Amorphous-microcrystalline transition / Hydrogen etching / Ion irradiation / Electron irradiation / Atomic hydrogen irradiation / Optoelectronic properties / ECR PCVD / Hydrogenated amorphous Ge (a-Ge : H) / 局在準位密度 / CPM / 非晶質ゲルマニウム / 水素希釈度 / 基板温度 / 微結晶化 / イオン・電子照射 / 水素化アモルファスゲルマニウム / イオン照射 / 電子照射 / 水素化非晶質Ge(a-Ge:H) / アモルファス半導体 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  高清浄ECRプラズマCVDによる高機能性ナノクリスタルGe膜の作製研究代表者

    • 研究代表者
      青木 彪
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工芸大学
  •  ECRプラズマCVDによる高品質微結晶ゲルマニウム膜の成膜法研究代表者

    • 研究代表者
      青木 彪
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工芸大学
  •  高効率太陽電池用狭バンドギャップ・アモルファス半導体の高品質成膜法研究代表者

    • 研究代表者
      青木 彪
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工芸大学
  •  太陽電池効率向上のための高品質狭バンドギャップ非晶質半導体の成膜法研究代表者

    • 研究代表者
      青木 彪
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工芸大学
  • 1.  西川 泰央 (90228172)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  飯塚 昌之 (80024280)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  小林 信一 (60277944)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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