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遠山 尚武  TOYAMA Naotake

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10039117
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2004年度 – 2006年度: 九州工業大学, 工学部, 助教授
2002年度: 九州大学, 理学研究院, 教授
2001年度 – 2002年度: 九州工業大学, 工学部, 助教授
1987年度: 九州工業大学, 工学部電子工学科, 助教授
1986年度: 九工大, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学
研究代表者以外
ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 表面界面物性 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
キーワード
研究代表者
INTERFACE / SCHOTTKY DIODE / METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT / リチャードソン定数 / シリサイド / 接触界面 / ショットキーダイオード / 金属-半導体接触
研究代表者以外
self-organization / silicon carbide … もっと見る / surface modification / scanning tunneling microscopy / 表面構造 / 自己組織化 / レーザー照射 / シリコンカーバイド / 表面変性 / カーボンナノチューブ / 走査トンネル顕微鏡 / ion-beam / laser irradiation / surface structure / carbon nanotube / イオンビーム照射 / イオンビーム / carbon nanocaps / LASER / carbon nanotubes / 水素吸着 / カーボンナノキャップ / 選択成長 / nanometer-scale / polarization / transition metal oxides / nano / surface / ferroelectrics / 2次元電子系 / ナノメータースケール / 分極 / 遷移金属酸化物 / ナノ / 表面 / 強誘電体 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  高配向・高密度カーボンナノチューブの自己組織化形成とナノデバイス応用

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  強誘電体清浄表面の自発的電子層による伝導の同定

    • 研究代表者
      渡部 行男
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      九州大学
  •  SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  金属-半導体接触界面における電子物性研究代表者

    • 研究代表者
      遠山 尚武
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  • 1.  内藤 正路 (60264131)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  生地 文也 (00093419)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  渡部 行男 (40274550)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  楠 美智子 (10134818)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  碇 智徳 (40419619)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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