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田村 進  TAMURA Susumu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10067754
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1993年度: 関西大学, 工学部, 助教授
1991年度 – 1992年度: 関西大学, 工学部, 専任講師
1986年度 – 1987年度: 関西大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子材料工学
キーワード
研究代表者以外
Impurity / 電気特性 / 不純物 / Compound Semiconductors / 微小元素分析 / 電気的特性 / 化合物半導体 / Silicon / Electrical Activity / Diffusion … もっと見る / Ion Implantation / 転位 / 注入不純物の電気的活性化制御 / 二次イオン質量分析 / ラザフォ-ド後方散乱 / ボロン / ひ素 / 拡散 / XPS / RBS / 半導体 / シリコン / 活性化抑制 / 拡散抑制 / イオン注入 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  ボロンイオン注入によるシリコンにイオン注入されたひ素の活性化と拡散の抑制の研究

    • 研究代表者
      横田 勝弘
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      関西大学
  •  ブリジマン法による半絶縁性カドミテルライドの大型結晶の成長に関する研究

    • 研究代表者
      横田 勝弘
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      関西大学
  • 1.  横田 勝弘 (50067617)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  片山 佐一 (90067398)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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