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虫明 克彦  MUSHIAKE Katsuhiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10092347
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1999年度: 東大, 生産技術研究所, 助手
1996年度 – 1999年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
1998年度: 生産技術研究所, 助手
1992年度 – 1993年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
材料加工・処理 / 金属材料
研究代表者以外
材料加工・処理 / 構造・機能材料
キーワード
研究代表者
Extended service life / Electrocatalyst / Gradient concentration / Colloidal silica / IrO_2 electrode / 表面処理 / 高耐久性 / 不陽性陽極 / 寿命 / 電極触媒 … もっと見る / 濃度傾斜 / シリカ / 酸化イリジウム電極 / Glass Coating / Titanium Substrate / Iridium Dioxide / Electroplating / Acidic Sulfate Bath / Durability / Insoluble Anode / ガラスコート / 導電性セラミクス / 耐食性 / 酸性硫酸電解浴 / 鋼板の電気亜鉛めっき / 不溶性電極 / 導電性ガラスコート / 電極基体 / 酸化イリジウム / 電気亜鉛めっき / 酸性硫酸浴 / 耐久性 / 不溶性陽極 … もっと見る
研究代表者以外
CVD / ダイヤモンド / マイクロ波プラズマ / 二段階成長 / ADHESION / SUPER HARD SUBSTRATE / RELIABILITY / MICROWAVE PLASMA / TWO-STEP GROWTH / CUTTING TOOL / DIAMOND / 密着性 / 超硬基盤材料 / 高信頼性 / 切削工具 / LARGE AREA DEPOSITION / MICROWAVE / BIAS PRETREATMENT / HIGH ORIENTED GROWTH / EPITAXIAL GROWTH / DIAMOND THIN FILM / 大面積堆積 / バイアス印加前処理 / 高配向成長 / エピタキシャル成長 / ダイヤモンド薄膜 / OHラジカル / 発光分光分析 / 走査トンネル分光解析 / 表面増感ラマン分光法 / 窒化ホウ素中間層 / 核生成 / 高過飽和 / 原子間力顕微鏡 / ラマン散乱分光分析 / 核生成サイト炭素質微細粒 / 過飽和度 / 核生成現象 / カーボンアロイ / 比誘電率 / 低温結晶化 / 高周波基板バイアス / チタン酸バリウム / バイアススパッタリング / 強誘電体薄膜 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  皮膜内に自然形成するシリカの濃度傾斜構造−表面処理用金属電極の長寿命化への応用−研究代表者

    • 研究代表者
      虫明 克彦
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      東京大学
  •  ダイヤモンドCVD成長における核生成サイト炭素質材料の周定

    • 研究代表者
      光田 好孝
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東京大学
  •  ダイヤモンド膜の二段階CVD成長法による切削工具の高信頼化

    • 研究代表者
      光田 好孝
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      東京大学
  •  ダイヤモンド膜のCVD成長における核生成サイトとなる炭素質材料の探索

    • 研究代表者
      光田 好孝
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  CVDダイヤモンド薄膜のヘテロエピタキシャル成長における大面積化

    • 研究代表者
      光田 好孝
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      東京大学
  •  高周波バイアススパッタリング法による強誘電体薄膜の低温成長

    • 研究代表者
      光田 好孝
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      東京大学
  •  シリカゾルによってもたらされる表面処理用金属電極の寿命拡大作用に関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      虫明 克彦
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      材料加工・処理
    • 研究機関
      東京大学
  •  鋼板の電気めっきにおける陽極機能損傷に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      虫明 克彦
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      金属材料
    • 研究機関
      東京大学
  • 1.  光田 好孝 (20212235)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件

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