纐纈明伯 KOUKITU Akinori

研究者番号	10111626
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所属 (現在)	2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2016年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 理事 2012年度 – 2014年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2010年度 – 2012年度: 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 2007年度 – 2009年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 2008年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 教授 … もっと見る 2006年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 教授 2004年度: 国立大学法人東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 教授 2004年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 教授 2000年度 – 2003年度: 東京農工大学, 工学部, 教授 1990年度 – 1999年度: 東京農工大学, 工学部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 結晶工学 / 理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
キーワード	研究代表者 GaAs / 気相成長 / HVPE / 窒化物半導体 / 化合物半導体 / その場測定 / Web / エピタキシャル成長 / ALE / 熱力学解析 … もっと見る / 原料分子制御 / AlGaN / AlN / HVPE成長 / 自立基板結晶 / マイクロバランス / Internet / Thermodynamic analysis / 計算機能を有するデータベース / MOVPE / インターネット / reconstruction / In situ gravimetric monitoring / In situ monitoring / InGaN / THVPE / 窒化物 / 結晶成長 / 解離吸着 / 光 / グラヴィメトリック法 / 原子層エピタキシー / 表面光吸収法 / 原子層エピタキシ- / Thermodynamic Analysis / AlCl / AlCl_3 / Free-standing substrate / Epitaxial Growth / 基板結晶 / ナノ結晶場制御 / 厚膜エピタキシャル成長 / 一塩化アルミニューム / 三塩化アルミニューム / Compound Semiconductor / Vapor Phase Epitaxy / Data base using calculation system / 電子デバイス / 光デバイス / データーベース / 気相エピタキシャル成長 / Vapor phase epitaxy / Vapor-solid relation / Nitrides / VPE / MBE / III族窒化物 / ネットワーク / 固相組成 / 気相-固相関係 / first principle calculation / surface photo absorption / adsorption with dissociation / surface reconstruction / in situ monitoring / hydrogen-chemisorption / As脱離 / 表面反応 / 第一原理計算 / 表面光吸収 / 表面再構成 / 水素吸着 / Atomic layr epitaxy (ALE) / In situ optical monitoring / 有機金属 / III-V族半導体 / In situ gravimetric Monitoring / recorstruction / Atomic layer epitaxy / In situ optical Monitoring / 大陽電池材料 / 発光素子材料 / 太陽電池 / 発光素子 / InGaN三元混晶 / 受光材料 / 発光材料 / 三元混晶 / 窒化物結晶 / InGaN, HVPE成長,原料分子制御 / バルク結晶 / 窒化ガリウム / 結晶工学 / エピタキシャル / A1GaN / A1N / A1系窒化物 / AIGaN / AIN / HVPE成 / 原料分子制御法 / Al系窒化物 / 厚膜エピタキシー / 再構成表面 / 原子レベル / 薄膜 / 成長メカニズム / 原子・分子レベル … もっと見る研究代表者以外 InN / GaN / in situ monitoring / gravimetric monitoring / compound semiconductor / vapor phase epitaxy / III nitrides / 反応過程 / GaAs基板 / 緩衝層 / 表面光吸収法 / 原子層エキタピシー / 表面反応 / 窒化物 / その場観察 / グラヴィメトリック法 / 化合物半導体 / 気相成長 / III族窒化物 / 電子プローブ / 構造解析 / 構造評価 / 格子欠陥 / 結晶成長 / 組織制御 / デバイス材料 / 電子顕微鏡 / MOークロライド系 / エピタキシ- / GaAs 隠す

高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
InGaN窒化物三元混晶のHVPE成長は可能か?研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京農工大学
電子プローブによる光・電子デバイス材料および実装素子のナノ組織解析技術の進展
- 研究代表者
  
  桑野範之
- 研究期間 (年度)
  2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  九州大学
原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
インターネットを利用する計算機能を有する気相エピタキシャル成長データベースの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
インターネットを利用する半導体気相エプタキシャル成長用熱力学解析システムの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
III族窒化物表面反応過程のマイクロバランスと光によるその場測定
- 研究代表者
  
  関壽
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
マイクロバランスと光を用いたGaAs表面反応過程の原子・分子レベルのその場測定研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
表面再構成構造のマイクロバランスおよび光を用いたその場測定研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
有機金属原料を用いる原子層エピタキシ-のマイクロバランスによるその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京農工大学
化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京農工大学
化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京農工大学
GaAsのホトエピタキシ-とそのメカニズム
- 研究代表者
  
  関寿
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京農工大学

[図書] GaNパワーデバイスの技術展開(分担執筆)2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 総ページ数
  264
- 出版者
  サイエンス&テクノロジー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[図書] Technology of Gallium Nitride Crystal Growth Hydride Vapor Epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, Y.Kumagai
- 総ページ数
  326
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] Springer Handbook of Crystal Growth2010
- 著者名/発表者名
  Carl Hemmingsson, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] Technology of Gallium Nitride Crystal Growth Hydride Vapor Epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, Y. Kumagai
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] 室化物基板および格子整合成長とデバイス特性(天野浩編集)・室化ガリウムのハイドライド気相成長2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯、熊谷義直
- 総ページ数
  225
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長第79巻,第11号2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直
- 出版者
  金属
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[図書] 電子物性・材料の事典2006
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, (共著, 森泉豊栄, 岩本光正, 小田俊理, 山本寛, 川名明夫編)
- 総ページ数
  696
- 出版者
  朝倉書店
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Quasiequilibrium crystal shape and kinetic Wulff plot for GaN grown by trihalide vapor phase epitaxy using GaCl32017
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Hisashi Murakami ans Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Phisica Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 8
- DOI
  10.1002/pssb.201600679
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Improved thermodynamic analysis of gas reactions for compound semiconductor growth by vapor-phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 3 ページ: 038002-038002
- DOI
  10.7567/jjap.56.038002
- NAID
  210000147493
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-26246018
[雑誌論文] Growth of thick and high crystalline quality InGaN layers on GaN (000-1) substrate using tri-halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Martin Eriksson, Quang Tu Thieu, Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Per Olof Holtz, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 456 ページ: 145-150
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.08.019
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Temperature-dependent capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n-Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  M. Higashiwaki, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, S. Yamakoshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 13 ページ: 133503-133506
- DOI
  10.1063/1.4945267
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790043, KAKENHI-PROJECT-26246018
[雑誌論文] LETTER Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl3 on polar, semipolar, and nonpolar substrates2016
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Nao Takekawa, Karen Matsuda, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.7567/apex.9.105501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Growth of Thick InGaN Layers by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- NAID
  210000143862
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Growth of thick InGaN layers by tri-halide vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Kazuma Asano, Mizuki Banno, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl02
- NAID
  210000143862
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[雑誌論文] Progress in theoretical approach to InGaN and InN epitaxy: In incorporation efficiency and structural stability2014
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akinori Koukitu, and Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 10 ページ: 1-11
- DOI
  10.7567/jjap.53.100202
- NAID
  210000144512
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560025, KAKENHI-PROJECT-26246018
[雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N22013
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JB10-08JB10
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jb10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-24360006, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JD05-08JD05
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jd05
- NAID
  210000142640
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N22013
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi, Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polarInN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H. C. Cho, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: vol. 367 ページ: 122-125
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 367 ページ: 122-125
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 367 ページ: 122-125
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24656011, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides2013
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 413-416
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 472-475
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 472-475
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Influence of growth temperature on the twin formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 677-680
- DOI
  10.1002/pssc.201100383
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H_2 and N_22012
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Igi, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.350 号: 1 ページ: 60-65
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vaporphase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, K. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: vol.10 ページ: 472-475
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[雑誌論文] Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates2012
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima, Akira Hakomori, Takafumi Shimoda, Keiichiro Hironaka, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Kazuya Takada, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Hiroyuki Yanagi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中) 号: 1 ページ: 75-79
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中) ページ: 197-200
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.10.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Improvements in Optical Properties of (0001) ZnO Layers Grown on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy Using Thick Buffer Layers2012
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Chih-Wei Hsu, Martin Eriksson, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Per-Olof Holtz
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 3R ページ: 031103-031103
- DOI
  10.1143/jjap.51.031103
- NAID
  210000140324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides2012
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: vol.10 ページ: 413-416
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術-HVPE成長を中心にして-2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 雑誌名
  
  鉱山
  
  巻: 700 ページ: 25-34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Structural and optical properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  J.A.Freitas Jr., J.C.Culbertson, M.A.Mastro, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 号: 1 ページ: 479-482
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.10.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J.Tajima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 441-445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: Vol.8No.7-8 号: 7-8 ページ: 2028-2030
- DOI
  10.1002/pssc.201000954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 号: 1 ページ: 441-445
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.079
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Halide vapor phase epitaxy of ZnO studied by thermodynamic analysis and growth experiments2011
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 314 号: 1 ページ: 108-112
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1471-1474
- DOI
  10.1002/pssc.201000902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn., J.Appl.Phys. 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 479-482
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1577-1580
- DOI
  10.1002/pssc.201000867
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2025-2027
- DOI
  10.1002/pssc.201000951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, C. Echizen, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50, No.5 号: 5R ページ: 055501-055501
- DOI
  10.1143/jjap.50.055501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2267-2269
- DOI
  10.1002/pssc.201000896
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2022-2024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of (0001) and (0001)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN2010
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 651-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlNlayers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-influence of InN decomposition at the interface2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2019-2021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001) surface under a hydrogen atmosphere2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Uliana Panyukova, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2265-2267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Measurement of misorientation of AIN layer grown on (111)Si for freestanding substrate2009
- 著者名/発表者名
  K.Saito, J.Tajima, Y.Kumagai, M.Ishizuki, K.Takada, H.Morioka, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor-phase epitaxy at 1450℃2009
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2837-2839
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on(0001)and(000-1)surfaces by vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001)Si Face2009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016743032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity control and preparation of AlN nano-islands by hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima, Keiichiro Hironaka, Masanari Ishizuki, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Kazuya Takada
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of(0001)and(000-1)GaN surfaces on hydride vap or-phase epitaxy of InN2009
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 312
  
  ページ: 651-6550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3103-3105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of polarity dependent InN{0001}decomposition in N_2 and H_2 ambient2009
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, T.Kamoshita, H.Adachi, H. Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_32009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3110-3113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Controlled formation of voids at the AlN/sapphire interface by sapphire decomposition for self-separation of the AlN layer2009
- 著者名/発表者名
  J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity control and preparation of AIN nano-islands by hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, K. Hironaka, M. Ishizuki, Y. Kumagai, A. Koukitu, K. Takada
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4954-4958
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thin protective AIN layers on sapphire substrates at 1065℃ for hydride vapor phase epitaxy of AIN above 1300 ℃2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, Y. Kubota, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1515-1517
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AlN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 3434-3437
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Self-Separation of a Thick AlN Layer from a Sapphire Substrate via Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Jumpei Tajima, Masanari Ishizuki, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
- NAID
  210000013992
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AIN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 3434-3437
- NAID
  40016057214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for the decomposition process of_GaN (0001) and (000-1) surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1632-1636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111) A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, J. Torii, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1602-1606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First principles study of the decomposition processes of AIN in ahydrogen atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 3042-3044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-temperature growth of thick AIN layers on sapphire (0001) substrates by solid source halide vapor-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, T. Hiratsuka, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4016-4019
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Experimental and ab-initio studies of temperature dependent InN decomposition in various ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1518-1521
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Self-Separation of a Thick AIN Layer from a Sapphire Substratevia Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Tajima, M. Ishizuki, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Characterization of a freestanding AIN substrate prepared by hydride vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1512-1514
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-temperature Growth of Nonpolar AIN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 3434-3437
- NAID
  40016057214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, J.Torii, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 387-389
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 4
  
  ページ: 2419-2422
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of AIN crystalline quality with high epitaxial growth ratc by hydridc vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, M. Harada, A. Hakomori, H, Yanagi, H. Fukuyama, Y. Kumagai, A. Koukitu, K. Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 355-359
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical Analysis for Surface Reconstruction of AIN and InN in the Presence of Hydrogen2007
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5112-5115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen coverage on Si{111} substrate on the growth of GaN buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuo, Y. Kangawa Rie Togashi, K. Kakimoto and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 66-69
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Analyses of GaN (0001) and surfaces by highly-charged ions2007
- 著者名/発表者名
  K.Motohashi, K. Hosoya, M. Imano, S. Tsurubuchi and A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Surface Science 601
  
  ページ: 5304-5308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of AlxGa1-xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Fumitaka Satoh, Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 305
  
  ページ: 335-339
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl_3 using In metal and Cl_22007
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 57-61
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-speed epitaxial growth AIN above 1200 ºC by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, M. Harada, H. yanagi, Y. kumagai, A. Koukitu, K.Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 42-44
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analys is of Fc Doping Mcchanism for Scomi-Inaulating CaN Crowth on GaAs Substrates2007
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, F. Sato, H. Murakami, J. Iihara, K. Yamaguchi, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 244
  
  ページ: 1862-1866
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Al- and N-polar AIN laters layers on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, H. Shimizu, R.Kajitami, K. Kawasaki, T.Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y.Kumagai, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S.F.Chichibue, Y. Aoyagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 305
  
  ページ: 360-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ GraVimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AIN2007
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, T. Araki, H. Murakami, Y. kumagai, and A. koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 4
  
  ページ: 2297-2300
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl22007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H; Murakami, and A Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 57-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-speed epitaxial growth of AlN above 1200℃ by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T.Nagashima, M.Harada, H.Yanagi, Y.Kumagai, A.Koukitu, K.Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 42-44
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Properties of Fe-dopcd semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication2007
- 著者名/発表者名
  J.A. Freitas Jr., J.G. Tischler, J.-H. Kim, , Y. Kurnagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 403-407
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for the decomposition proces of GaN (0001) and (000-1) surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1632-1636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of AlxGal-xN tcrnory alloy using ALCl3 and GaCl2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Takayoshi Yamane, Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 335-339
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] MOVPE-like HVPE of AIN using solid aluminum trichloride source2007
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, H.Murakami, U.Panyukova, Y.Kumagai, S.Ohira, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 332-335
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Numerical study of the relationship between growth condition and atomic arrangement of InGaN2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kangawa, K. Kakimoto, T. Ito, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica status solide(b) 224
  
  ページ: 1784-1788
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl22007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 300
  
  ページ: 57-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity dependence of AIN {0001} decomposition in flowing H22007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Akiyama, R. Togashi, H. Murakami, M. Takeuchi, T. Kinoshita, K. Takada, Y. Aoyagi, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 366-371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen coverage on Si(111) substrate on the growth of GaN buffer layer2007
- 著者名/発表者名
  Y.Matsuo, Y.Kangawa, R.Togashi, K.Kakimoto, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 66-69
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy at 1230℃ Using (111)Si as a Starting Substrate2007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Analysis of compositional instability of InGaN by Monte Carlo simulation2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, K.Kakimoto, T.Ito, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 190-192
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thick Al_xGa_<1-x>N ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, F.Satoh, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 164-167
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thick AlxGal-xN ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamane, F. Satoh, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 164-167
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamics on hydride vapor phase epitaxy of AlN using AlCl_3 and NH_32006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Takemoto, J.Kikuchi, T.Hasegawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b) Vol.243
  
  ページ: 1431-1435
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, F.Satoh, R.Togashi, H.Murakami, K.Takemoto, J.Iihara, K.Yamaguchi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.296
  
  ページ: 11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of various types of hydride vapor phase epitaxy systems for high-speed growth of InN2006
- 著者名/発表者名
  J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45
- NAID
  10018632545
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic study on the role of hydrogen during hydride vapor phase epitaxy of Al_x Ga_<1-x>N2006
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, J.Kikuchi, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol.3
  
  ページ: 1457-1460
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of AlGaN HYPE2005
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, J.Kikuchi, Y.Kangawa, Y.Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 5月(in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE2005
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, J.Kikuchi, Y.Kangawa, Y.Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 -AlNのHVPE成長は可能か?-2004
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 纐纈明伯
- 雑誌名
  
  信学技報 ED2004-121,CPM2004-95,LQE2004-59
  
  ページ: 24-30
- NAID
  110003308838
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Study of pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN with large Indium mole fraction2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
- NAID
  10013429957
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Is it possible to grow AlN by hydride vapor phase epitaxy.2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, H.Shikauchi, J.Kikuchi, T.Yamane, Y.Kangawa, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  IPAP Conf.Series 4
  
  ページ: 9-13
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InN and In_xGa_<1-x>N MOVPE using various nitrogen sources2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Kkikuchi, Y.Matsuo, Y.Kangawa, K.Tanaka, A.koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 341-347
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Is it possible to grow AlN by vapor phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, H.Shikauchi, J.Kikuchi, T.Yamane, Y.Kanagawa, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  IPAP Conf.Series 4
  
  ページ: 9-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Trade-off between thickness and temperature ramping rate of GaN buffer layer studied for high quality GaN growth on GaAs (111)A substrate2004
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 268
  
  ページ: 1-7
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content2004
- 著者名/発表者名
  N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 201
  
  ページ: 2846-2849
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InN and In_xGa_<1-x>N MOVPE using various nitrogen sources.2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Matsuo, Y.Kangawa, K.Tanaka, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 341-347
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content.2004
- 著者名/発表者名
  N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a) 201
  
  ページ: 2846-2849
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Trade-off between thickness and temperature ramping rate of GaN buffer layer studied for high quality GaN growth on GaAs (111)A substrate.2004
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 268
  
  ページ: 1-7
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content2004
- 著者名/発表者名
  N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kanagawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 201
  
  ページ: 2846-2849
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE2004
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, J.Kikuchi, Y.Kangawa, Y.Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Is it possible to grow AlN by hydride vapor phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, H.Shikauchi, J.Kikuchi, T.Yamane, Y.Kangawa, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  IPAP Conf.Series 4
  
  ページ: 9-13
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Study of pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN with large indium mole fraction2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
- NAID
  10013429957
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Study of pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN with large indium mole fraction.2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
- NAID
  10013429957
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InN and In_xGa_<1-x>N MOVPE using various nitrogen sources2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Matsuo, Y.Kangawa, K.Tanaka, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 272
  
  ページ: 341-347
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] High growth rate HVPE of Al-related nitrides.2004
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Tushingakkai Gihou ED2004-121,CPM2004-95,LQE2004-59(in Japanese)
  
  ページ: 24-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響2003
- 著者名/発表者名
  寒川義裕, 伊藤智徳, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 30
  
  ページ: 104-110
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of AlN : thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth2003
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Yamane, T.Miyaji, H.Murakami, Y.Kangawa, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 0
  
  ページ: 2498-2501
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Influence constraint from substrate on relationship between input mole ration and solid composition of InGaN during MBE and MOVPE.2003
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, T.Itho, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Japanease Association for Crystal Growth(in Japanese) 30
  
  ページ: 104-110
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE.2003
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, T.Ito, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 453-457
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE2003
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, T.Ito, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 216
  
  ページ: 453-457
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] A quantum Approach on a stability of GaAs surface structure.2003
- 著者名/発表者名
  Y.Kangawa, T.Itho, K.Shiraishi, T.Ohihachi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Surface Science(in Japanese) 24
  
  ページ: 642-647
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of AlN : thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth.2003
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Yamane, T.Miyaji, H.Murakami, Y.Kangawa, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica status solidi(c) 0
  
  ページ: 2498-2501
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ2003
- 著者名/発表者名
  寒川義裕, 伊藤智徳, 白石賢二, 大鉢忠, 纐纈明伯
- 雑誌名
  
  表面科学 24
  
  ページ: 642-647
- NAID
  130004486109
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[雑誌論文] A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AIN
- 著者名/発表者名
  K.Akiyama, T.Araki, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar AlN layers by modified flow-modulation MOCVD growth
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, H.Shimizu, R.Kajitani, K Kawasaki, T.Kinoshita, K.Takada, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analysis of Fe Doping Mechanism for Semi-Insulating GaN Growth on GaAs Substrates
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, F.Sato, H.Murakami, J.Iihara, K.Yamaguchi, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rate by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  T.Nagashima, M.Harada, A.Hakomori, H, Yanagi, H.Fukuyama, Y.Kumagai, A.Koukitu, K.Takada
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] RF-MBE growth of 2H-AlN templates by using a mode change MEE on Si(111) for HVPE growth
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, H.Shimomura, N.Yamabe, T.Yamane, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity dependence of AlN {0001} decomposition in flowing H_2
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Akiyama, R.Togashi, H.Murakami, M.Takeuchi, T.Kinoshita, K.Takada, Y.Aoyagi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of Al_xGa_<1-x>N ternary alloy using AlCl_3 and GaCl
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, T.Yamane, F.Satoh, H.Murakami, Y.Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication
- 著者名/発表者名
  J.A.Freitas, Jr., J.G Tischler, J-H.Kim, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[産業財産権] AlGaN気相成長方法及び気相成長装置2004
- 発明者名
  纐纈明伯
- 権利者名
  国立大学法人東京農工大学
- 産業財産権番号
  2004-251810
- 出願年月日
  2004-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[産業財産権] AlGaN気相成長方法および気相成長装置
- 発明者名
  纐纈明伯
- 権利者名
  国立大学法人東京農工大学
- 産業財産権番号
  2004-251810
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360004
[学会発表] Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- 年月日
  2016-07-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, T. Hirasaki, M. Meguro, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center, Aichi，Japan
- 年月日
  2016-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN2016
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Takahide Hirasaki, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Dependence of GaN Growth on the Substrates with Various Surface Orientations by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy Using GaCl32016
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] High Temperature Growth of Thick InGaN Layers using Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  M. Meguro, T. Hirasaki, T. Hasegawa, Q. T.Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 学会等名
  International Conference on LEDs and their Industrial Applications ’16
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川県
- 年月日
  2016-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers2015
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
- 発表場所
  Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides2015
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami
- 学会等名
  14th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Akasaki Research Center
- 年月日
  2015-11-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Thick (10 μm) and High Crystalline Quality InGaN Growth on GaN(000-1) Substrate by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] 第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出2014
- 著者名/発表者名
  竹川直，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長2014
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 小島千恵，藤田直人，斉藤広伸，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯塩野杏奈，竹川直，藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic2014
- 著者名/発表者名
  Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Theoretical calculation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides2014
- 著者名/発表者名
  N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Nitrides by HVPE -current and prospects-2014
- 著者名/発表者名
  A. KOUKITU, Y. KUMAGAI and H. MURAKAMI
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System2014
- 著者名/発表者名
  N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications2014
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Yuta Watanabe, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE2014
- 著者名/発表者名
  Yu Fujimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響2014
- 著者名/発表者名
  長谷川智康，平崎貴英，渡辺雄太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2014
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE 法によるAlN 基板作製と260 nm 帯深紫外LED への応用2013
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  京都テルサ, 京都府
- 年月日
  2013-06-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides for bulk growth -from thermodynamic analysis to crystalgrowth?2013
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu
- 学会等名
  12th Akasaki esearch Center Symposium (Invited)
- 発表場所
  Nagoya University
- 年月日
  2013-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] Thermodynamic analysis of HVPE -Is it possible to grow InGaN by HVPE?-2013
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu
- 学会等名
  2012 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (Invited)
- 発表場所
  Meijo University
- 年月日
  2013-02-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] Fabrication of DUV-LEDs on AlN Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T.Kinoshita, T. bata, T.Nagashima, H.Yanagi, J.Xie, R.Collazo, S.Inoue, Y.Kumagai, A.Koukitu, and Z.Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- 年月日
  2013-04-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Donor-Acceptor Pair Compensation and the Broad 2.8 eV Luminescence in Bulk AlN2013
- 著者名/発表者名
  Benjamin E.Gaddy, Zachary A.Bryan, Isaac S.Bryan, Ronny Kirste, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar, Ramon Collazo and Douglas L.Irving
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- 年月日
  2013-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] DUV-LEDs Fabricated on HVPE-AlN Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T.Kinoshita, T.Obata, T.Nagashima, H.Yanagi, J.Xie, R.Collazo, S.Inoue, Y.Kumagai, A.Koukitu and Z.Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- 年月日
  2013-08-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 様々なハロゲン化合物を用いたInGaN-HVPE成長の熱力学解析2012
- 著者名/発表者名
  平崎貴英、花岡幸史、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果2012
- 著者名/発表者名
  村上尚、堀田哲郎、富樫理恵、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 竹中佐江, 冨樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides2012
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hotel St. Petersburg, Russia
- 年月日
  2012-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] GaAs(311)A及び(311)B上半極性InNのMOVPE成長2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] その場重量測定法を用いたサファイア表面の反応メカニズムの解明2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 冨樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  科学研究費補助金・特定領域研究・公開シンポジウム窒化物光半導体のフロンティア～材料潜在能力の極限発現～
- 発表場所
  東京ガーデンパレス
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J.A.Freitas Jr., J.C.Culbertson, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長2011
- 著者名/発表者名
  村上尚, 富樫理恵, 稲葉克彦, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Measurement of temperature dependent lattice constants of single crystal AlN and various starting substrates for the growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, M.Sakai, T.Nagashima, J.Tajima, H.Murakami, H.Morioka, T.Yamauchi, K.Saito, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC (0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains2011
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, S.Sekiguchi, M.Ishizuki, R.Togashi, K.Takada, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templates prepared by PA-MBE using AM-MEE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, Y.Yamamoto, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Possibility of InGaN HVPE growth with the high growth rate and the wide composition control2011
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates2011
- 著者名/発表者名
  T.Nagashima, A.Hakomori, T.Shimoda, K.Hironaka, Y.Kubota, T.Kinoshita, R.Yamamoto, H.Yanagi, Y.Kumagai, A.Koukitu, K.Takada
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates2011
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
- 学会等名
  5th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-5)
- 発表場所
  Berlin-Kopenick, Berlin, Germany
- 年月日
  2011-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] GaAs(110)上半極性InN(10-13)成長における窒化及びバッファ層の効果2011
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110)by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, H.-C.Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECC, Glasgow, Scotland
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈a明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] サファイア結晶基板の製造技術開発競争2011
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本学術振興会結晶成長の科学と技術・第161委員会第72回研究会
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所(招待講演)
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長2011
- 著者名/発表者名
  末松真友, 竹中佐江, 堀田哲郎, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains2011
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, S.Sekiguchi, M.Ishizuki, R.Togashi, K.Takada, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII) S3-4
- 発表場所
  Koyasan, Wakayama, Japan 招待講演
- 年月日
  2011-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H2 and N22011
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Igi, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII) S3-6
- 発表場所
  Koyasan, Wakayama, Japan 招待講演
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(1013)低温成長への水素添加の影響2011
- 著者名/発表者名
  竹中佐江, 末松真友, 堀田哲郎, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解および・AlN形成の熱力学的検討2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 阿部創平, 土屋正樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H_2 and N_22011
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Igi, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計2011
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響2011
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 趙賢哲, 富樫理恵, 稲葉克彦, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Influence of GaN substrate polarity on InN growth by hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, A.Otake, Y.Higashikawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM) WeB3-3
- 発表場所
  Kagawa, Japan 口頭発表
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaAs(110)基板上半極性InNのMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  村上尚, 趙賢哲, 末松真友, 富樫理恵, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surface2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Thermodynamic Analysis on HVPE Growth of InGaN Ternary Alloy2010
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of hydrogen etching rates of GaN, sapphire and SiC2010
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
- 発表場所
  Beijing, China 基調講演
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による気相成長法におけるGaN(0001)へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 単結晶AlNの格子定数の温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] InGaN三元混晶のHVPE成長に関する熱力学的考察2010
- 著者名/発表者名
  花岡幸史, 田口悠嘉, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of nucleation behavior in the initial growth stage on the HVPE growth of InN on sapphire (0001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Higashikawa, A.Otake, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN及びAlN成長用初期基板の格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 永島徹, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(招待講演)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14) DK1
- 発表場所
  Beijing, China 招待講演
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 非c軸配向AlNグレインを利用した6H-SiC(0001)基板上AlNのSelf-ELO2010
- 著者名/発表者名
  関口修平, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010) A1.8
- 発表場所
  Tampa, FL, U.S.A. 口頭発表
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH_3供給分圧変調効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effects of growth temperature on the crystal orientation of InN on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaCl_3を用いたGaNのHVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  山根貴好, 花岡幸史, 近藤秀昭, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE Growth of Nitrides2010
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直
- 学会等名
  Growth of Bulk Nitrides
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-01-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of Hydrogen Gas on the Growth of Semi-polar InN2010
- 著者名/発表者名
  Hyunchol Cho, Mayu Suematsu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による窒化物表面へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温熱処理によるc面sapphire基板表面の窒化2010
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Two-Step Growth of (0001) ZnO Single Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] First-principle Study on the Effect of Surface Hydrogen Coverage on the Adsorption Process of Ammonia on the InN(0001) Surfaces2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of Semi-Polar InN Layer on GaAs(110) Surface by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl_32010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハライド気相成長法によるc面sapphire基板上ZnO二段階成長2010
- 著者名/発表者名
  篠塚俊克, 増田塁, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長2010
- 著者名/発表者名
  篠塚俊克, 増田塁, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 足立裕和, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] a面sapphire基板上c面AlN HVPE成長における面内配向性の制御2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算によるAlN(0001)表面へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 窒化物半導体のHVPE成長-表面反応解析から結晶成長へ-2010
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)(基調講演)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長における成長初期核制御の効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長初期過程におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気における高温熱処理がc面sapphire基板表面に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Lattice constants of AlN in the range 25-1600℃ investigated by using a quasi-bulk crystal grown by hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Miki Sakai, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Hitoshi Morioka, Tsutomu Yamauchi, Keisuke Saito, Kazuya Takada Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of hydrogen etching rates of GaN, sapphire and SiC2010
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(基調講演)
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Koshi Hanaoka, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effect of High NH_3 Input Partial Pressure on HVPE of InN on (0001) Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Carrier Gas Dependence of a-Plane AlN Layer Growth on r-Plane Sapphire Substrates at Initial Stage by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Temperature dependence of the lattice constants of single crystal AlN2010
- 著者名/発表者名
  M.Sakai, J.Tajima, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, H.Morioka, T.Yamauchi, K.Saito, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN-HVPE成長のための原料探索-熱力学解析-2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 江夏悠貴, 石附正成, 富樫理恵, 田島純平, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] XPSを用いたGaN結晶の表面改質評価2009
- 著者名/発表者名
  野口和之, 野崎理, 渡邉謙二, 纐纈明伯, 熊谷義直, 本田徹
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphke(0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Control of indium composition in coherently grown InGaN thin films2009
- 著者名/発表者名
  屋山巴, 寒川義裕, 柿本浩一, 纐纈明伯
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Si汚染の低減を目指したAlN-HVPE成長のための原料探索2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE AlN厚膜自発分離の最適化に向けたAlN/sapphire(0001)界面ボイドの拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高品位厚膜InGaN三元混晶成長の検討2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯
- 学会等名
  東北大プロジェクト研究会プログラム
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2009-10-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Spontaneous polarization effects in XPS spectra of GaN2009
- 著者名/発表者名
  野口和之, 野崎理, 渡邉謙二, 纐纈明伯, 熊谷義直, 本田徹
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体の結晶成長技術-高度環境・エネルギー社会に向けて-
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2009-11-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 熱力学解析によるAlN-HVPE成長のための原料探索-Si汚染の低減を目指して-2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長における成長温度の影響2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 水素雰囲気下におけるAlN(0001)面の分解過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAlN自立基板の特性2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Temperature dependence of InN growth on(0001)sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 足立裕和大竹斐, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-Influence of InN decomposition at the interface-2009
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of source precursor for AlN-HVPE to decrease Si-contamination2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] XPS spectra of(0001)and(000-1)GaN surfaces2009
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Noguchi, Tadashi Nozaki, Naoyuki Sakai, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Tohru Honda
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphire(0001)基板上HVPE AlN厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 久保田有紀, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成を利用したfreestanding AlN基板の作製2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Two step growth of InN layer on SiO_2 patterned GaAs(111)B2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of 2H-AlN films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, K.Ohkusa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Preparation of a crack-free AIN template layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy at 1450℃2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Ab Initio Calculation for an Initial Growth Process of GaN on (0001) and (000-1) Surfaces by Vapor Phase2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Controlled Formation of Voids at the AIN and Sapphire Interface by the Sapphire Decomposition for Self-Separation of AIN Layers2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001) surface under a hydrogen atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N_2 and H_2 Ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, H. Adachi, T. Kamoshita, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 20089
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Progress in Preparation of Freestanding AIN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Tajima, Y Kubota, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, T. Nagashima, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Improvements in crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_<3>2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, Y. Ishii, H. Murakami, Y., Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(ooo1)c面サファイア表面反応メカニズム2008
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  千葉県、日本大学
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Progress in Preparation of Freestanding AlN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008) We2b-C1
- 発表場所
  Montreux Music and Convention Center, Montreux, Switzerland 招待講演
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Characterization of a Freestanding AIN Substrate Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Hisashi Murakami. Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor phase epitaxy of Al_xGa<1_x>N layers on GaN substrates2007
- 著者名/発表者名
  Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] in situ グラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)c面サファイア分解速度の測定2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of AlN decomposition processes in hydrogen atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Polarity Control of 2H-AIN templates on Si (111) grown by RF-MBE using a mode change MEE for HVPE growth2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi, H. Shimomura, N. Yamabe, K. Oride, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Groth of thin Protective AIN Layers on Sapphire Substrates at 1065℃ for Hydride Vapor Phase Epitaxy of AIN above 1300℃2007
- 著者名/発表者名
  Junpei Tajima, Yuki Kubota, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (10-12)r-plane Sapphire for the High Temperature Growth of non-polar AIN2007
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of hydrogen inputpartial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi MURAKAMI, Jun-ichi TORII, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] si(111)基板を初期基板に用いたHvPE法によるAIN自立基板の作製2007
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 永嶋徹, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 様々な雰囲気下におけるN極性lnN分解の温度依存性2007
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 鴨下朋樹, 西澤雄樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるsapphire基板上AIN高温成長における中間層導入の効果2007
- 著者名/発表者名
  田島純平, 久保田有紀, 永嶋徹, 樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] NH_3雰囲気下(0001)c面サファイア表面反応過程のグラヴィメトリック法によるその場測定2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] High Temperature Growth of High-Quality AIN by Sohd-Source HVPE2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Eriguchi, Hisashi Murakami, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Shigeo Ohira, Akinori Koukitu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析2007
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析2007
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Experimental and Ab-Initio Studies of Temperature Dependent InN Decomposition in Various Ambient2007
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Tomoki Kamoshita, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Decomposition Rate on the Surface of (10-12)r-plane Sapphire Monitored by in situ Gravimetric Monitoring Method for the High Temperature Growth of non-polar AIN2007
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるGaN基板上高品質Al_XGa_<1-x>N成長2007
- 著者名/発表者名
  村上尚, 佐藤史隆, 秋山和博, 武藤弘, 柴田克幸, 山下宗修, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Ab initio calculation of decomposition GaN (0001) and (000-1) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, His ashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of the decomposition of AIN in a hydrogen atmospher2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situグラヴィメトリック法によるNH_3雰囲気下(ooo1)c面サファイア表面反応メカニズム2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Polarity-dependent growth of InN on Ga-and N-polar GaN surfaces byhydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, A. Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effect of hydrogen partial pressure on the growth of InN layers on GaAs (111)A surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi MURAKAMI, Hyun-Chol CH0, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県、ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaN{0001}基板を用いたInNHVPE成長における極性制御2007
- 著者名/発表者名
  鴨下朋樹, 西澤雄樹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE growth of AIN and AIGaN2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 固体AICI_3を用いた光加熱HVPEによるAINの高温成長2007
- 著者名/発表者名
  江里口健一, 平塚貴子, 村上尚, 熊谷義直, 大平重男, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるSi-doped AlN成長の検討2007
- 著者名/発表者名
  久保田有紀, 田島純平, 永嶋徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of AIN decomposition processes in hydrogen atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 原料分子制御HVPE法によるAIN,AIGaNおよびlnN成長2007
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides for bulk growth - from thermodynamic analysis to crystal growth -
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu
- 学会等名
  12th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya University, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Thermodynamic analysis of HVPE -Is it possible to grow InGaN by HVPE?-
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu
- 学会等名
  2012 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN2012)
- 発表場所
  Meijo University, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides for bulk growth - from thermodynamic analysis to crystal growth -
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu
- 学会等名
  12th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya University, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011
[学会発表] Thermodynamic analysis of HVPE -Is it possible to grow InGaN by HVPE?-
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu
- 学会等名
  2012 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN2012)
- 発表場所
  Meijo University, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656011

1. 関寿 (70015022)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
2. 熊谷義直 (20313306)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 251件
3. 村上尚 (90401455)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 237件
4. 高橋直行 (50242243)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 萩原洋一 (40218392)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 24件
7. 桑野範之 (50038022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 田中信夫 (40126876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 森博太郎 (10024366)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 進藤大輔 (20154396)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 富樫理恵

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 23件
13. 伊藤智徳

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

纐纈 明伯 KOUKITU Akinori

研究課題

研究成果

共同研究者

高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InGaN窒化物三元混晶のHVPE成長は可能か?研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電子プローブによる光・電子デバイス材料および実装素子のナノ組織解析技術の進展

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

インターネットを利用する計算機能を有する気相エピタキシャル成長データベースの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

インターネットを利用する半導体気相エプタキシャル成長用熱力学解析システムの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III族窒化物表面反応過程のマイクロバランスと光によるその場測定

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マイクロバランスと光を用いたGaAs表面反応過程の原子・分子レベルのその場測定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面再構成構造のマイクロバランスおよび光を用いたその場測定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

有機金属原料を用いる原子層エピタキシ-のマイクロバランスによるその場観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

化合物半導体ALE成長プロセスのその場観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

纐纈明伯 KOUKITU Akinori

[図書] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長第79巻,第11号2009