鈴木彰 SUZUKI Akira

研究者番号	10111931
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2009年度: 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 2003年度: 総合理工学研究機構, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者内殻遷移 / ワイドギャップ半導体 / 紫外発光 / 希土類 / ガドリニウム / 窒化アルミニウム / スパッタ製膜法 / MBE成長法 / 結晶薄膜 / スパッタ法 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る InGaN / InN / HFET / RF-MBE / crystal growth / quantum well / heterostructure / bandqap / Full Band Monte Carlo Simulation / 二次元電子ガス / GaN / AlGaN / 低温中間層 / 窒化 / 最大ドリフト速度 / モンテカルロシミュレーション / ヘテロ接合 / AlNバッファ / Si基板 / 極性 / バンドギャツプ / 貫通転位 / 量子井戸構造 / InAlN / 臨界膜厚 / 結晶成長 / 量子井戸 / ヘテロ構造 / バンドギャップ / 窒化インジウムガリウム / 窒化インジウム隠す

ガドリニウム添加窒化アルミニウムを用いた新規紫外光発光デバイスの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  鈴木彰
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  立命館大学
新規紫外光発光材料ガドリニウム添加窒化アルミニウムの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  鈴木彰
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  立命館大学
InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  立命館大学

すべて 2010 2009 2007 2006 2004 2003 2002

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] Photoluminescence and photoluminescence excitation spectra from AlN doped with Gd3+2010
- 著者名/発表者名
  K. Fukui, S. Sawai, T. Ito, S. Emura, T. Araki, A. Suzuki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (掲載予定)
- NAID
  120002851451
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360148
[雑誌論文] Ferromagnetism and luminescence of diluted magnetic semiconductors GaGdN and AlGdN2009
- 著者名/発表者名
  S. Emura, M. Takahashi, H. Tambo, A. Suzuki, T. Nakamura, Y. Zhou, S. Hasegawa, H. Asahi
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings 1111
  
  ページ: 49-60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360148
[雑誌論文] スパッタ法で作製したGd添加AIN膜の紫外発光特性2007
- 著者名/発表者名
  廣村友紀, 小坂賢一, 宮原学, 荒木努, 名西〓之, 江村修一, 鈴木彰
- 雑誌名
  
  第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 No. 1
  
  ページ: 387-387
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656110
[雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, F.Matsuda, T.Araki, H.Naoi, A.Suzuki, H.Harima, T.Miyajima
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 798
  
  ページ: 189-200
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, F.Matsuda, T.Araki, H.Naoi, A.Suzuki, H.Harima, T.Miyajima
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 789
  
  ページ: 189-200
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[雑誌論文] The effect of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE2004
- 著者名/発表者名
  H.Naoi, F.Matsuda, T.Araki, A.Suzuki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 269
  
  ページ: 155-161
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[雑誌論文] Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) supphire by RF-MBE2004
- 著者名/発表者名
  M.Kurouchi, T.Araki, H.Naoi, T.Yamaguchi, A.Suzuki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) 241
  
  ページ: 2843-2848
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[雑誌論文] MBE-Growth, Characterization and Properties of InN and InGaN2003
- 著者名/発表者名
  Y.Nanishi, Y.Saito, T.Yamaguchi, M.Hori, F.Matsuda, T.Araki, A.Suzuki, T.Miyajima
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(a) 200
  
  ページ: 202-208
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[雑誌論文] Growth Temperature Dependence of Indium Nitride Crystalline Quality Grown by RF-MBE2002
- 著者名/発表者名
  Y.Saito, H.Harima, E.Kurimoto, T.Yamaguchi, N.Teraguchi, A.Suzuki, T.Araki, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) 234
  
  ページ: 796-800
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[雑誌論文] Optical properties of InxGa1-xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE2002
- 著者名/発表者名
  M.Hori, K.Kano, T.Yamaguchi, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi, A.Suzuki
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) 234
  
  ページ: 750-754
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450131
[産業財産権] 窒化物材料製造方法2006
- 発明者名
  鈴木彰
- 権利者名
  学校法人立命館
- 産業財産権番号
  2006-287160
- 出願年月日
  2006-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656110

1. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 9件
2. 江村修一 (90127192)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
3. 田中悟 (80281640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 園田早紀 (30397690)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 福井一俊 (80156752)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
7. 高倉秀行 (30112022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 今井茂 (40223309)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 播磨弘 (00107351)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
10. 寺口信明

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 鈴木章

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

鈴木 彰 SUZUKI Akira

研究課題

研究成果

共同研究者

ガドリニウム添加窒化アルミニウムを用いた新規紫外光発光デバイスの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規紫外光発光材料ガドリニウム添加窒化アルミニウムの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Photoluminescence and photoluminescence excitation spectra from AlN doped with Gd3+2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Ferromagnetism and luminescence of diluted magnetic semiconductors GaGdN and AlGdN2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] スパッタ法で作製したGd添加AIN膜の紫外発光特性2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] The effect of substrate polarity on the growth of InN by RF-MBE2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) supphire by RF-MBE2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] MBE-Growth, Characterization and Properties of InN and InGaN2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Growth Temperature Dependence of Indium Nitride Crystalline Quality Grown by RF-MBE2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Optical properties of InxGa1-xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[産業財産権] 窒化物材料製造方法2006

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

鈴木彰 SUZUKI Akira