朴康司 PAK Kangsa

研究者番号	10124736
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2011年度: 豊橋技術科学大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2009年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 准教授 2002年度 – 2003年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 1997年度 – 1998年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 1989年度 – 1993年度: 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 物理計測・光学
キーワード	研究代表者集束イオンビーム / ヘテロエピタキシャル成長 / 分子線エピタキシー / シリコン基板上インジウムりん / FIB / 化合物半導体 / 選択成長 / シリコン基板上アルミニウムりん / ゲルマニウム基板上ガリウム砒素 / シリコン基板上ガリウム砒素 … もっと見る / Gallium compounds / Molecular beam epitaxy / Doping / Selective epitaxy / Semiconducting gallium arsenide / Focused ion beam / マスクレス / GaAs / Ga化合物 / ドーピング / 選択エピタキシー / GaAs半導体 / 両性不純物 / 不純物ドーピング / 不純物ドー / ガリウムヒ素 / ゲルマニウム基板上ガリウム石比素 / シリコン基板上ガリウム石比素 / ガリウムりん基板上インジウムりん / ガリウム砒素基板上インジウムりん / 分子線エピタキシ- / 2段階成長法 / 分子線エピタキシ-法 / 有機金属気相成長法 / ガリウムひ素 / インジウムりん … もっと見る研究代表者以外自己組織化 / 結合重み / 光配線 / 適応デバイス / 光電子集積回路 / ヘテロエピタキシー / ニューロデバイス / ニューロコンピューティング / ニュ-ロデバイス / analog integrated circuit / target tracking / optical flow / motion detection / local adaptation / vision chip / retina / vision / 視覚情報処理 / 特徴抽出 / 適応機能 / シリコン網膜 / ニューロ・チップ / ターゲット・トラッキング / オプティカル・フロー / 動き検出 / 局所明暗順応 / ビジョン・チップ / 網膜機能 / 視覚機能 / GaAs on Si / Hetero-epitaxy / Optoelectronic Integrated Circuit / Self-Organization / Synaptic Connection / Variable Synaptic Weight / Neural Network / Neuro-device / アナログ重み / ニュ-ロン / 神経回路網 / シリコン基板上ガリウム砒素 / ヘテロエピタキシ- / 可変シナプス結合重み / シナプス結合 / ニュ-ラルネットワ-ク / 光配線素子 / ニューロチップ / 短周期超格子 / 教師有り学習 / ニュ-ロコンピュ-ティング隠す

FIBマスクレス選択成長による極微半導体デバイス構造のその場形成に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  朴康司
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
低加速FIBによる化合物半導体のマスクレス極微領域選択エピタキシーに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  朴康司
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
生体機能に範を求めた視覚ニューロチップの研究
- 研究代表者
  
  米津宏雄
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  朴康司
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  朴康司
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
光電子ニューロデバイスの研究
- 研究代表者
  
  米津宏雄
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
化合物半導体ーSi系ヘテロエピタキシ-の初期原子層制御と転位低減化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  朴康司
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
光電子ニュ-ロデバイスの研究
- 研究代表者
  
  米津宏雄
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
光電子ニューロデバイスの研究
- 研究代表者
  
  米津宏雄
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
InPーGaAsヘテロ系エピタキシャル成長の初期過程制御と高品質化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  朴康司
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
神経演算回路網光電子デバイスに関する基礎研究
- 研究代表者
  
  米津宏雄
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  物理計測・光学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学

すべて 2011 2010 2009 2005 2004 2003 2002

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Maskless selective growth and in-situ Beryllium-doping of GaAs grown by Low-energy focused ion beam2005
- 著者名/発表者名
  E.M.Kim, T.Nishiyama, K.Numata, S.Itoh, T.Gotoh, K.Pak
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] Maskless selective growth and in-situ Beryllium-doping of GaAs grown by Low-energy focused ion beam2005
- 著者名/発表者名
  E.M.Kim, T.Nishiyama, K.Numata, S.Itoh, T.Gotoh, K.Pak
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 印刷中
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] The Doping Study on Maskless Selective Direct Growth of GaAs using Low Energy Focused Ion Beam2004
- 著者名/発表者名
  T.Nishiyama, E.M.Kim, K.Numata, K.Pak
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics vol.43, No.6A
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] The Doping Study on Maskless Selective Direct Growth of GaAs Using Low Energy Focused Ion Beam2004
- 著者名/発表者名
  T.Nishiyama, E.M.Kim, K.Numata, K.Pak
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43・6A
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] Maskless selective growth and doping of GaAs using a low energy focused ion beam for in-situ micro-device structures fabrication, and its evaluation2003
- 著者名/発表者名
  T.Nishiyama, E.M.Kim, K.Numata, K.Pak
- 雑誌名
  
  Technical Report of IEICE.ED2003-32, CPM2003-31, SDM2003-32
  
  ページ: 87-91
- NAID
  110003175053
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価2003
- 著者名/発表者名
  西山友和, 金恩美, 沼田和俊, 朴康司
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報 CPM2003-31
  
  ページ: 87-91
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] Maskless selective direct growth and doping of GaAs using a Ga-Sn low Energy focused ion beam for in-situ micro-device structure fabrication2002
- 著者名/発表者名
  D.H.Cho, Y.Suzuki, M.Tanaka, M.Hachiro, K.Pak
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 237-239
  
  ページ: 1455-1459
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[雑誌論文] Maskless selective direct growth and doping of GaAs using a Ga-Sn low Energy focused ion beam for in-situ micro-device structure fabrication2002
- 著者名/発表者名
  D.H.Cho, Y.Suzuki, M.Tanaka, M.Tanaka, M.Hachiro, K.Pak
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol237-239
  
  ページ: 1455-1459
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550298
[学会発表] Study of maskless selective growth and evaluation of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2011
- 著者名/発表者名
  M. Mokhtar, M. Ishikawa, M. Hisada and K. Pak
- 学会等名
  30^<th> Electronic Material Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga, Japan
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560327
[学会発表] Study of maskless selective growth and evaluation of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2011
- 著者名/発表者名
  M.Mokhtar, M.Ishikawa, M.Hisada, K.Pak
- 学会等名
  30^h Electronic Material Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga, Japan
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560327
[学会発表] A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2010
- 著者名/発表者名
  H.Takeda, M.Mokhtar, M.Ishikawa, K.Pak
- 学会等名
  29^<th> Electronic Material Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Izu, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560327
[学会発表] A study of in-situ doping on maskless selective growth of GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2010
- 著者名/発表者名
  H. Takeda, M. Mokhtar, M. Ishikawa, and Pak
- 学会等名
  29^<th> Electronic Material Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560327
[学会発表] Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam2009
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, K. Nobuhara, H. Takeda, M. Mokhtar, K. Pak
- 学会等名
  28^<th> Electronic Material Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga, Japan
- 年月日
  2009-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560327
[学会発表] Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ionbeam2009
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, K. Nobuhara, H. Takeda, M. Mokhtar and K. Pak
- 学会等名
  28^<th> Electronic Material Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga, Japan
- 年月日
  2009-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560327

1. 米津宏雄 (90191668)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 0件
2. 高野泰 (00197120)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 石田誠 (30126924)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 大島直樹 (70252319)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 崔坪

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 辛長〓

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 孫炳基

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. SOHN Pyong-Ki

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. SHIN Jang-Kyu

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. SHIN Pyong-Choi

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 辛長奎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

朴 康司 PAK Kangsa

研究課題

研究成果

共同研究者

FIBマスクレス選択成長による極微半導体デバイス構造のその場形成に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低加速FIBによる化合物半導体のマスクレス極微領域選択エピタキシーに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

生体機能に範を求めた視覚ニューロチップの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

光電子ニューロデバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

化合物半導体ーSi系ヘテロエピタキシ-の初期原子層制御と転位低減化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

光電子ニュ-ロデバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

光電子ニューロデバイスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

InPーGaAsヘテロ系エピタキシャル成長の初期過程制御と高品質化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

神経演算回路網光電子デバイスに関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Maskless selective growth and in-situ Beryllium-doping of GaAs grown by Low-energy focused ion beam2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Maskless selective growth and in-situ Beryllium-doping of GaAs grown by Low-energy focused ion beam2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] The Doping Study on Maskless Selective Direct Growth of GaAs using Low Energy Focused Ion Beam2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] The Doping Study on Maskless Selective Direct Growth of GaAs Using Low Energy Focused Ion Beam2004

朴康司 PAK Kangsa