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山下 正人  YAMASHITA Masato

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10159212
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1987年度 – 1988年度: 茨城大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子材料工学
キーワード
研究代表者以外
Ion beam deposition / Ion beam source / Multi-component ion beam / 多成分イオンビームの / プラズマ源 / パラメータ制御 / イオンビーム蒸着 / 半導体薄膜 / イオン源 / 多成分イオンビーム
  • 研究課題

    (1件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  多成分イオンビームの生成とその化合物半導体薄膜形成への応用

    • 研究代表者
      真瀬 寛
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      茨城大学
  • 1.  真瀬 寛 (30007611)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  池畑 隆 (00159641)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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