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渡久地 實  TOGUCHI Minoru

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10163982
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度 – 1999年度: 琉球大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
SUBSTRATE BIAS / PLASMA TREATMENT / HYDOROGEN PARTIAL PRESSURE / SPUTTERING / VHF PLASMA / HYDROGENATED AMORPHOUS CARBON THIN FILM / 基板バイアス / プラズマ処理 / 水素分圧 / スパッタリング法 / VHFプラズマ / a-C:H薄膜
  • 研究課題

    (1件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  水素化アモルファス炭素薄膜の形成過程と物性研究代表者

    • 研究代表者
      渡久地 實
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      琉球大学
  • 1.  曽根川 富博 (20295299)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  比嘉 晃 (50228699)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  前濱 剛廣 (60045044)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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