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堀尾 和重  Horio Kazushige

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10165590
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2019年度: 芝浦工業大学, システム理工学部, 教授
2011年度 – 2013年度: 芝浦工業大学, システム工学部, 教授
2002年度 – 2006年度: 芝浦工業大学, システム工学部, 教授
1996年度 – 1997年度: 芝浦工業大学, システム工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
バッファ層 / 電流コラプス / GaN / device simulation / トラップ / HEMT / GaN HEMT / AlGaN / buffer layer / trap … もっと見る / gate lag / drain lag / current collapse / ゲートラグ / ドレインラグ / FET / デバイスシミュレーション / 2次元解析 / 耐圧 / フィールドプレート / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / 電子デバイス・機器 / 高誘電率膜 / 深いアクセプタ / 窒化ガリウム / 電流スランプ / 電解効果トランジスタ / A1GaN / MESFET / シミュレーション / gallium arsenide / cutoff frequency / energy transport model / heterojunction bipolar transistor / nonequilibrium carrier transport / ガリウムヒ素 / 遮断周波数特性 / エネルギー輸送モデル / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / キャリア非平衡輸送 / 計算機解析 / ガリウムナイトライド 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (101件)
  •  GaN系HEMTにおける電流コラプス現象の抑制と耐圧向上に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      堀尾 和重
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  GaN系HEMTにおける異常現象や特性劣化の解明及びそれらの対策法の理論的研究研究代表者

    • 研究代表者
      堀尾 和重
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  ワイドギャップ半導体デバイスのシミュレーションに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      堀尾 和重
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  GaN系電子デバイスのモデリングに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      堀尾 和重
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      芝浦工業大学
  •  ナノスケールデバイスのモデリングに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      堀尾 和重
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      芝浦工業大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2014 2013 2012 2011 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Analysis of breakdown voltage of field-plate AlGaN/GaN HEMTs as affected by buffer layer’s acceptor density2019

    • 著者名/発表者名
      S. Akiyama, M. Kondo, L. Wada, and K. Horio
    • 雑誌名

      Jpn J. Appl. Phys

      巻: 58 号: 6 ページ: 068003-068003

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1e8f

    • NAID

      210000155899

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [雑誌論文] Analysis of breakdown voltages in AlGaN/GaN HEMTs with low-k/high-k double passivation layers2019

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, H. Hanawa, K. Horio
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Device Mater. Rel.

      巻: 19 号: 2 ページ: 298-303

    • DOI

      10.1109/tdmr.2019.2903213

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [雑誌論文] Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs: Field plate plus high-k passivation layer and high acceptor density in buffer layer2018

    • 著者名/発表者名
      T. Kabemura, S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: 65 号: 9 ページ: 3848-3854

    • DOI

      10.1109/ted.2018.2857774

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [雑誌論文] Analysis of reduction in lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high acceptor density in a buffer layer2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Device Mater. Rel.

      巻: 18 ページ: 46-53

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [雑誌論文] Effects of acceptors in a Fe-doped buffer layer on breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawada, H. Hanawa and K. Horio
    • 雑誌名

      Jpn J. Appl. Phys

      巻: 56 ページ: 108003-108003

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [雑誌論文] Similarities of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with different types of buffer layers2017

    • 著者名/発表者名
      R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio
    • 雑誌名

      Microelectronics Reliability

      巻: 73 ページ: 36-41

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [雑誌論文] Numerical analysis of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2014

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: vol.61, no.3 ページ: 769-775

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Numerical analysis of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2014

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera, A. Nakajima, and K. Horio
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: 61 ページ: 769-775

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Increase in breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k dielectric layer2014

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, K. Horio
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi (a)

      巻: vol.211, no.4 ページ: 784-787

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Increase in breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k dielectric layer2014

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa and K. Horio
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a)

      巻: 211 ページ: 784-787

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Analysis of lags and current collapse in source-field-plate AlGaN/GaN high electron mobility transistors2013

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera and K. Horio
    • 雑誌名

      Jpn J. Appl. Phys

      巻: 52

    • NAID

      210000142767

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Analysis of lags and current collapse in source-field-plate AlGaN/GaN high electron mobility transistors2013

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera, K. Horio
    • 雑誌名

      Jpn J. Appl. Phys.

      巻: vol.52, no.8

    • NAID

      210000142767

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Buffer-related gate lag in AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      A. Nakajima, K. Fujii, K. Horio
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: vol.9, no.7 ページ: 1658-1660

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Backside-electrode effects on current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      K. Horio and H. Onodera
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 号: 7 ページ: 1655-1657

    • DOI

      10.1002/pssc.201100554

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Analysis of buffer-impurity and field-plate effects on breakdown characteristics in small sized AlGaN/GaN high electron mobility transistors2012

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, K. Horio
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol.

      巻: vol.27, no.8

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Buffer-related gate lag in AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      A. Nakajima, K. Fujii and K. Horio
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 号: 7 ページ: 1658-1660

    • DOI

      10.1002/pssc.201100636

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Backside-electrode effects on current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      K. Horio, H. Onodera
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: vol.9, no.7 ページ: 1655-1657

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Analysis of buffer-impurity and field-plate effects on breakdown characteristics in small sized AlGaN/GaN high electron mobility transistors2012

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera and K. Horio
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol.

      巻: 27 号: 8 ページ: 0850161-6

    • DOI

      10.1088/0268-1242/27/8/085016

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Analysis of backside-electrode and gate-field-plate effects on buffer-related current collapse in AlGaN/GaN high electron mobility transistors2011

    • 著者名/発表者名
      K. Horio, H. Onodera, A. Nakajima
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: vol.109, no.11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Numerical analysis of buffer-trap effects on gate lag in AlGaN/GaN high electron mobility transistors2011

    • 著者名/発表者名
      A. Nakajima, K. Fujii, K. Horio
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: vol.50, no.10

    • NAID

      40019043757

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Analysis of backside-electrode and gate-field-plate effects on buffer-related current collapse in AlGaN/GaN high electron mobility transistors2011

    • 著者名/発表者名
      K. Horio, H. Onodera and A. Nakajima
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 109 ページ: 1145081-7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Numerical analysis of buffer-trap effects on gate lag in AlGaN/GaN high electron mobility transistors2011

    • 著者名/発表者名
      A. Nakajima, K. Fujii and K. Horio
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 ページ: 1043031-6

    • NAID

      40019043757

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [雑誌論文] Anaya's of buffer-related Tag phenomena and current collapse in Gan FETs2007

    • 著者名/発表者名
      K.Itagaki, N.kobayashi, K.Horio
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) vol4,No.4

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Analysis of buffer-related lag phenomena and current collapse in GaN FETs2007

    • 著者名/発表者名
      K.Itagaki, N.Kobayashi, K.Horio
    • 雑誌名

      phys.stat sol.(c) Vol.4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Similarities of buffer-related lag phenomena and current slump between GaN MESFETs and AlGaN/GaN HEMTs2007

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, H.Takayanagi, K.Itagaki, A.Nakajima
    • 雑誌名

      Proceedings of the 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors

      ページ: 140-145

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Analysis of buffer-related lag phenomena and current collapse in GaN FETs2007

    • 著者名/発表者名
      K.Itagaki, N.Kobayashi, K.Horio
    • 雑誌名

      phys. stat sol. (c) Vol. 4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Similarities of butter-related lag phencaeia and current stamp between Gan MESFETs and AlGaNiGan HEMTs2007

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, H.Takayanagi, K.Itagaki, A.Nakajima
    • 雑誌名

      Proceedings of the 3rd Asia-Pacific workshop on Widogap Semiconductors

      ページ: 140-145

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Numerical analysis of pulsed I-V curves and current compression in GaN FETs2006

    • 著者名/発表者名
      K.Itagaki, H.Takayanagi, H.Nakano, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of Asia-Pacific Microwave Conference 2006

      ページ: 421-424

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Numerical simulation of drain-current transients and current compression in GaN MESFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Takayanagi, K.Itagaki, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of Nanotech 2006

      ページ: 55-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Numerical analysis of pulsed I-V curves and currents compression in Gan FETs2006

    • 著者名/発表者名
      K.Itagaki, H.Takayanagi, H.Nakano, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of Asia-Pacific Microwave Conference 2006

      ページ: 421-424

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Numerical simulation of drain-current transients and current compression in GaN MESFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Takayanagi, K.Itagaki, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of Nanotech 2006 Vol. 3

      ページ: 55-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Deep-level effects on slow current transients and current collapse in GaN MESFETs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yonemoto, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of the 13th Semi-conducting and Insulating Materials Conference (IEEE SIMX-XIII)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Buffer-trapping effects on drain lag and power compression in GaN FET2005

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) vol.2,no.7

      ページ: 2635-2638

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Deep-level effects on slow current transients and current collapse in GaN MESFETs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yonemoto, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of IEEE SIMC-XIII (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Numerical analysis of pulsed I-V curves and current collapse in GaN FETs as affected by buffer trapping2005

    • 著者名/発表者名
      H.Nakano, H.Takayanagi, K.Yonemoto, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of 2005 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium

      ページ: 141-144

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Physics-Based Simulation of Buffer-Trapping Effects on Slow Current Transients and Current Collapse in Gan Field Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto, H.Takayanagi, H.Nakano
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.98, No.12

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Buffer-trapping effects on drain lag and power compression in GaN FET2005

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) Vol.2(印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Deep-level effects on slow current transients and current collapse in GaN MESFETs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yonemoto, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of the 13^<th> Semi-conducting and Insulating Materials Conference(IEEE SIMC-XIII)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Numerical Analysis of Pulsed I-V Curves and Current Collapse in GaN FETs as Affected by Buffer Trapping2005

    • 著者名/発表者名
      H.Nakano, H.Takayanagi, K.Yonemoto, K.Horio
    • 雑誌名

      Proceedings of IEEE Compound Semiconductor IC Symposium

      ページ: 141-144

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560317
  • [雑誌論文] Buffer-trapping effects on drain lag and power compression in GaN FET2005

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) 2

      ページ: 2635-2638

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Simulation of power compression in GaAs and GaN MESFETs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, Y.Kazami, D.Kasai
    • 雑誌名

      Proceedings of 2004 International Symposium of Signals, Systems and Electronics

      ページ: 116-119

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Analysis of drain lag and power compression in GaN MESFET2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      Proceedings of the 12th European Gallium Arsenide & Other Semiconductor Application Symposium (GAAS 2004)

      ページ: 567-569

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Numerical analysis of current transients and power slump in GaAs and GaN FETs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, Y.Kazami, D.Kasai, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      Proceedings of 2004 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC'04)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Analysis of drain lag and power compression in GaN MESFET2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      Proceedings of GAAS2004

      ページ: 567-569

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Analysis of drain lag and power compression in GaN MESFET2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      Proceedings of 12^<th> European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium(GAAS 2004)

      ページ: 567-569

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Simulation of power compression in GaAs and GaN MESFETs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, Y.Kazami, D.Kasai
    • 雑誌名

      Proceedings of 2004 International Symposium on Signals, Systems and Electronics(ISSSE'04)

      ページ: 116-119

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Simulation of power compression in GaAs and GaN MESFETs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, Y.Kazami, D.Kasai
    • 雑誌名

      Proceedings of ISSSE'04

      ページ: 116-119

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [雑誌論文] Numerical analysis of current transients and power slump in GaAs and GaN FETs2004

    • 著者名/発表者名
      K.Horio, Y Kazami, D.Kasai, K.Yonemoto
    • 雑誌名

      Proceedings of 2004 Asia-Pacific Microwave Conference(APMC'04)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14550329
  • [学会発表] Gate-length dependence of gate lag, drain lag and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2019

    • 著者名/発表者名
      T. Chiba, Y. Saito, R. Tsurumaki, and K. Horio
    • 学会等名
      13th International Conference of Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown characteristics in field-plate AlGaN/GaN HEMTs: Dependence on deep-acceptor density in buffer layer2019

    • 著者名/発表者名
      S. Akiyama, M. Kondo, L. Wada, and K. Horio
    • 学会等名
      2019 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of gate-length dependence of lags and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2019

    • 著者名/発表者名
      T. Chiba, Y. Saito, R. Tsurumaki, and K. Horio
    • 学会等名
      2019 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Dependence of breakdown voltage enhancement on buffer acceptor density and gate-to-drain distance in AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tomita, S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      2019 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Dependence of breakdown voltage on gate-to-drain distance of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tomita, S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      43rd Workshop on Compound Semiconductors and Integrated Circuits
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer and high acceptor density in buffer layer2019

    • 著者名/発表者名
      S. Ueda, R. Tomita, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      2019 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Dependence of breakdown voltage enhancement on gate-to-drain distance of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tomita, S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      9tth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] High average breakdown field between gate and drain in AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2019

    • 著者名/発表者名
      R. Tomita, S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      13th International Conference of Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with low-k/high-k double passivation layers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nakano, H. Hanawa, K. Horio
    • 学会等名
      2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Effect of acceptor density in buffer layer on breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2018

    • 著者名/発表者名
      S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      42nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown voltages of field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2018

    • 著者名/発表者名
      T. Kabemura, H. Hanawa, and K. Horio
    • 学会等名
      2018 International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs: High-k passivation layer and high acceptor density in buffer layer2018

    • 著者名/発表者名
      S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      2018 International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Simulation of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nakano, H. Hanawa, and K. Horio
    • 学会等名
      2018 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown characteristics of field-plate AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2018

    • 著者名/発表者名
      T. Kabemura, H. Hanawa, and K. Horio
    • 学会等名
      2018 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with low-k/high-k double passivation layers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nakano, H. Hanawa, K. Horio
    • 学会等名
      2018 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Effect of deep-acceptor density in buffer layer on breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer2018

    • 著者名/発表者名
      S. Ueda, Y. Kawada, and K. Horio
    • 学会等名
      2018 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nakano, H. Hanawa, K. Horio
    • 学会等名
      IEEE WiPDA Asia 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Suppression of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high acceptor density in a buffer layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio
    • 学会等名
      European Microwave Integrated Circuits Conference 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Simulation of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Horio and H. Hanawa
    • 学会等名
      2017 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs using double passivation layers with a high-k dielectric2017

    • 著者名/発表者名
      K. Horio and H. Hanawa
    • 学会等名
      2017 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Effects of buffer acceptors on breakdown voltages of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawada, H. Hanawa and K. Horio
    • 学会等名
      2017 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Reduction in lags and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high acceptor density in a buffer layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio
    • 学会等名
      2017 TechConnect World Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Effects of acceptors in a buffer layer on breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawada, H. Hanawa and K. Horio
    • 学会等名
      12th International Conference of Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Horio and H. Hanawa
    • 学会等名
      12th International Conference of Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Analysis of breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs with double passivation layers using a high-k dielectric2017

    • 著者名/発表者名
      K. Horio and H. Hanawa
    • 学会等名
      41st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Similarities of lags and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with different types of buffer layers2016

    • 著者名/発表者名
      R. Tsurumaki, N. Noda and K. Horio
    • 学会等名
      2016 International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Orland, USA
    • 年月日
      2016-10-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Effects of buffer leakage on breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, H. Hanawa and K. Horio
    • 学会等名
      2016 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2016-12-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Effects of buffer leakage current on breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Satoh, H. Hanawa and K. Horio
    • 学会等名
      European Microwave Integrated Circuits Conference 2016
    • 発表場所
      London, UK
    • 年月日
      2016-10-03
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06314
  • [学会発表] Breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs using a high-k passivation layer2013

    • 著者名/発表者名
      K. Horio, H. Hanawa
    • 学会等名
      Proceedings of 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2013)
    • 発表場所
      Rostok, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Increase in breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with a high-k dielectric layer2013

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, K. Horio
    • 学会等名
      Abstracts of the Tenth International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Simulation of back-electrode effects on lags and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2013

    • 著者名/発表者名
      K. Horio, H. Onodera, T. Fukai
    • 学会等名
      Proceedings of Nanotech 2013
    • 発表場所
      Washington, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Similarities of lags, current collapse and breakdown characteristics between source and gate field-plate AlGaN/GaN HEMTs2013

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2013)
    • 発表場所
      Monterey, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Analysis of lags and current collapse in source-field-plate AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of 2012 International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan(MoP-ED-18)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Analysis of breakdown characteristics in small-sized field-plate AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2012)
    • 発表場所
      Porquerolles, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] ゲート及びソースフィールドプレートAlGaN/GaN HEMTのラグや電流コラプスの類似性2012

    • 著者名/発表者名
      塙,小野寺,中島,堀尾
    • 学会等名
      2012年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      岡山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Physics-based simulation of field-plate effects on breakdown characteristics in AlGaN/GaN HEMTs2012

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of the European Microwave Integrated Circuits Conference 2012
    • 発表場所
      Amsterdam, Netherland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの解析2012

    • 著者名/発表者名
      塙,小野寺,堀尾
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析2012

    • 著者名/発表者名
      小野寺,中島,堀尾
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      機会振興会館(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] フィールドプレート構造微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の解析2012

    • 著者名/発表者名
      小野寺,堀尾
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Buffer-related gate lag in AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      A. Nakajima, K. Fujii, K. Horio
    • 学会等名
      Abstracts of the 16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden(Tu3-24)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] フィールドプレート構造微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の数値解析2011

    • 著者名/発表者名
      小野寺,中島,堀尾
    • 学会等名
      平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表場所
      東北学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Backside-electrode effects on current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      K. Horio, H. Onodera
    • 学会等名
      Abstracts of the 16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden(Tu1-8)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Effects of buffer traps on breakdown characteristics in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of the 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011)
    • 発表場所
      Toba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Physics-based simulation of back-electrode effects on lag and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of the European Microwave Integrated Circuits Conference 2011
    • 発表場所
      Manchester, United Kingdom
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Physics-based simulation of back-electrode effects on lag and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      K. Horio
    • 学会等名
      2011 European Microwave Integrated Circuits Conference
    • 発表場所
      Manchester, England
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Field-plate and back-electrode effects on lag and current collapse in AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio
    • 学会等名
      Proceedings of the 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011)
    • 発表場所
      Toba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Effects of buffer impurities and field plate on breakdown performance in small-sized AlGaN/GaN HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera, A. Nakajima, K. Horio
    • 学会等名
      Abstracts of the 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, United Kingdom(J1.6)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Analysis of lags and current collapse in source-field-plate AlGaN/GaN HEMTs

    • 著者名/発表者名
      H. Hanawa, H. Onodera and K. Horio
    • 学会等名
      2012 International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] 高誘電率パシベーション膜を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧向上の解析

    • 著者名/発表者名
      塙,中島,堀尾
    • 学会等名
      2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Physics-based simulation of field-plate effects on breakdown characteristics in AlGaN/GaN HEMTs

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera and K. Horio
    • 学会等名
      2012 European Microwave Integrated Circuits Conference
    • 発表場所
      Amsterdam, Netherland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの解析(2)

    • 著者名/発表者名
      塙,小野寺,堀尾
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] Analysis of breakdown characteristics in small-sized field-plate AlGaN/GaN HEMTs

    • 著者名/発表者名
      H. Onodera and K. Horio
    • 学会等名
      36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
    • 発表場所
      Porquerolles, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411
  • [学会発表] ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析

    • 著者名/発表者名
      塙,小野寺,堀尾
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス・マイクロ波研究会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560411

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