岸本茂 KISHIMOTO Shigeru

研究者番号	10186215
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度 – 2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2010年度 – 2011年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教 2007年度 – 2011年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 2005年度 – 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助手 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助手 … もっと見る 1998年度 – 2004年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助手 1993年度 – 1994年度: 名古屋大学, 工学部, 教務職員 1988年度 – 1990年度: 名古屋大学, 工学部, 教務員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者マイクロ・ナノデバイス / 反応・分離工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子機器工学 / 電子・電気材料工学 / 物理計測・光学 / 理工系
キーワード	研究代表者カーボンナノチューブ / 国際情報交換 / 集積回路 / フレキシブルデバイス / 大気圧プラズマ / 薄膜トランジスタ / 酸素プラズマ / AFM / 電気泳動研究代表者以外 GaN HEMT … もっと見る / Si_3N_4 / GaN MISHEMT / KFM / MISHEMT / gate leakage current / ゲートリーク電流 / 電流コラプス / GaAs MESFET / InGaAs HEMT / 準安定原子 / 電子密度 / NF_3 / SF_6 / 拡散定数 / 電位分布 / 電流DLTS / フッ素プラズマ処理 / HfO_2 / ノーマリオフ / InGaN cap / GaN / Metastable Atom / Laser Adsorption Method / Rectangular Cross Section Laser / XeCl Excimer Laser / N_2 Laser / ShortーPulsed UV Laser / Longitudinal Excitation / Automatic Preionization / 電子密度測定 / レーザ吸収分光測定 / 準安定準位密度 / XeClエキシマレーザ / 窒素レーザ / 自動予備電離方式 / 高速紫外パルスレーザ / 準安定原子密度 / シュタルク幅法 / レ-ザ吸収分光測定 / 矩形断面レ-ザ管 / XeClエキシマレ-ザ / 窒素レ-ザ / 高速紫外パルスレ-ザ / 縦型放電励起 / 自動予備電離 / inclined gate recess / current DLTS / breakdown voltage / 電位測定 / 高誘電率膜 / GaN MISHEM / 深い準位 / DLTS / MBE / ノーマリオフ型 / 傾斜リセス構造 / 電子速度 / 傾斜リセス / ZrO_2 / 耐圧 / T-shaped gate / miro-Raman / temperature distribution / current collapse / 高温動作 / 電界集中 / EL発光 / 低周波雑音 / 実効電子速度 / 電流しゃ断周波数 / 電子ビーム描画 / 顕微ラマン / 温度上昇 / Si_3N_4保護膜 / InAs Dot / Potential Profile / Kelvin Probe Force Microscopy / サファイア基板 / 単電子トンネル / AFM酸化 / InAsドット / ケルビンプローブフォース顕微鏡 / laser absorption spectroscopy / copper vapor laser / saturated absorption spectroscopy / electron collisional de-excitation / diffusion coefficient / metastable atoms / Cu / 銅原子 / レーザー吸収分光 / 銅蒸気レーザー / 飽和吸収分光 / 電子衝突脱励起 / 拡散係数 / 銅 / electron density / microwave cavity resonance / mass spectra / photodetachment / RF plasma / negative ion / 三フッ化窒素 / 六フッ化硫黄 / 高周波プラズマ / マイクロ波空洞共振法 / マススペクトル / 光脱離 / RFプラズマ / 負イオン / 反応速度定数 / アモルファスシリコン / SiHm非発光ラジカル / 可視レーザー誘起蛍光法 / 赤外半導体レーザー吸収法 / シランプラズマ / ホローカソード放電 / スペクトル強度 / 銅イオン / 分光感度較正 / 薄層GaN / AlGaN/GaN / 高出力 / gate firstプロセス / 硫化アンモニウム処理 / Al_2O_3, InGaN cap / MISFET / 誘電遮蔽 / 発効エネルギー / ヒステリシス / 損傷 / Hf02 / 原子層堆積 / 表面パシベーション / トランジスタ / カリラリティ分布 / PL発光分布 / 光吸収断面積 / SGM / 輸送現象 / 表面保護膜 / 光電子複合デバイス / カーボンナノチューブ / 優先成長 / 電子/正孔同時注入 / 発光効率 / 欠陥 / 走査型局所ゲート顕微鏡 / CNTFET / CNT-CNT間の接合抵抗 / Auコンタクト / グラフェンコンタクト / 光照射電流 / 開放電圧 / 光電子複合素子 / 環境効果 / 走査型プローブ顕微鏡 / pn接合 / 電界注入 / TFT / FET / 光デバイス / CNT / しきい値電圧シフト / ひずみ電界 / HEMT / 高耐圧 / MOSFET / Mgドーピング / ひずみ分極 / HEMT、ノーマリオフ、MOSFET 隠す

大気圧ＰＣＶＤ成長ナノチューブを用いたフレキシブルＴＦＴの作製とＭＳＩの動作実証研究代表者
- 研究代表者
  
  岸本茂
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  名古屋大学
高出力ノーマリオフ型GaNMISFETの作製評価の研究
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋大学
カーボンナノチューブを用いた光電子複合デバイスの研究
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
ノーマリオフ型GaN HEMTの作製・評価の研究
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋大学
高耐圧・高出力GaN HEMTの作製・評価
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋大学
極短ゲートGaN HEMTの製作と特性評価に関する研究
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋大学
微細パタン電極を用いた電気泳動によるカーボンナノチューブの吸着技術研究代表者
- 研究代表者
  
  岸本茂
- 研究期間 (年度)
  2000
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  反応・分離工学
- 研究機関
  名古屋大学
ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたデバイス内部の電位分布測定技術の研究
- 研究代表者
  
  水谷孝
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋大学
プロセスプラズマ内の負イオンのカイネティックスに関する研究
- 研究代表者
  
  河野明廣
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
銅蒸気レーザの下準位原子の基礎過程に関する研究
- 研究代表者
  
  後藤俊夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  名古屋大学
銅スペクトルの分岐比を利用する光検出系の紫外分光感度較正法の研究
- 研究代表者
  
  河野明広
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  物理計測・光学
- 研究機関
  名古屋大学
分光法による反応生プラズマ内の非発光ラジカル密度測定法の開発
- 研究代表者
  
  後藤俊夫
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
新しい縦型放電励起方式を用いた高速紫外パルスレ-ザの研究
- 研究代表者
  
  後藤俊夫
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  名古屋大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Effects of graphene thickness on the electrical properties of carbon2013
- 著者名/発表者名
  Masato Tamaoki, Shigeru Kishimoto, and Takashi Mizutani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 ページ: 33120-33120
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[雑誌論文] Fabrication of Thin-Film Transistor Integrated Circuits on Flexible Substrate by Transfer Technique of Carbon Nanotube Network Using Poly(vinyl alcohol).2013
- 著者名/発表者名
  Satoshi Ishii, Mamoru Nishu, Shigeru Kishimoto, and Takashi Mizutani
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 ページ: 108001-108001
- NAID
  40022768299
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[雑誌論文] Conduction-Type Control of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors byTi and Pd Overlayer2013
- 著者名/発表者名
  S. Ishii, M. Tamaoki, S. Kishimoto, and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52, 035203 号: 3R ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.52.035203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177, KAKENHI-PROJECT-24760256
[雑誌論文] Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube2012
- 著者名/発表者名
  Y. Okigawa, Y. Ohno, S. Kishimoto, and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 2S ページ: 1-4
- DOI
  10.1143/jjap.51.02bn01
- NAID
  210000140296
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Observation of N-Type Conduction in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Au Contacts in Vacuum2012
- 著者名/発表者名
  H. Imaeda, S. Ishii, S. Kishimoto, Y. Ohno and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 2S ページ: 1-4
- DOI
  10.1143/jjap.51.02bn06
- NAID
  210000140301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Electrical properties of the graphitic carbon contacts on carbon nanotube field effect transistors2012
- 著者名/発表者名
  M. Tamaoki, S. Kishimoto, Y. Ohno and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 101, 033101 号: 3 ページ: 1-3
- DOI
  10.1063/1.4737169
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177, KAKENHI-PROJECT-24681030
[雑誌論文] Thin Single-Walled Carbon Nanotubes with Narrow Diameter Distribution Grown by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Combined with Co Nanoparticle Deposition2011
- 著者名/発表者名
  S.Ishii, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  40017446841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Comparative study of AlGaN/GaN metal. oxide. semiconductor heterostructure field-effect transistors with Al2O3 and HfO2 gate oxide2011
- 著者名/発表者名
  Kishimoto, M. Kitamura
- 雑誌名
  
  Solid State Electron
  
  巻: 62 号: 1 ページ: 152-155
- DOI
  10.1016/j.sse.2011.04.017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] Impact of fixed charges at interfaces on the operation of top-gate carbon nanotube field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, N.Moriyama, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol
  
  巻: (c)8 ページ: 567-569
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Electrical properties of carbon nanotube thin-film transistors fabricated using plasma-enhanced chemical vapor deposition measured by scanning probe microscopy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Okigawa, S. Kishimoto, Y. Ohno, and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Nanotechnol
  
  巻: 22 号: 19 ページ: 195202-195202
- DOI
  10.1088/0957-4484/22/19/195202
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Improvement in alignment of single-walled carbon nanotubes grown on quartz substrate2011
- 著者名/発表者名
  K.Hata, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol
  
  巻: (c)8 ページ: 561-563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Air-Free Fabrication and Investigation of Effect of Air Exposure on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  S.Ishii, S.Kishimoto, Y.Ohno, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Materials Express 1
  
  ページ: 285-290
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors2010
- 著者名/発表者名
  Y. Nakashima, Y. Ohno, S. Kishimoto, M. Okochi, H. Honda, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  J. Nanosci. Nanotechnol 10
  
  ページ: 3805-3809
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO_2 gate insulator2010
- 著者名/発表者名
  S.Sugiura, Y.Hayashi, S.Kishimoto, T.Mizutani, et al.
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 54 ページ: 79-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] Analysis of transient be havior of AlGaN/GaN MOSHFET2010
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, S. Kishimoto, and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Solid State Electron
  
  巻: 54 号: 11 ページ: 1451-1456
- DOI
  10.1016/j.sse.2010.07.001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] Electrical Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Multiple Channels Measured by Scanning Gate Microscopy2010
- 著者名/発表者名
  Y.Okigawa, S.Kishimoto, Y.Ohno, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49, No.2
- NAID
  210000067973
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 gate insulator2010
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, Y. Hayashi, S. Kishimoto, T. Mizutani, M. Kuroda, T. Ueda, T. Tanaka
- 雑誌名
  
  Solid State Electron
  
  巻: 54 号: 1 ページ: 79-83
- DOI
  10.1016/j.sse.2009.10.007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] AIGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 gate oxide : A simulation study2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hayashi, S.Sugiura, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Solid State Electron.
  
  巻: 54 ページ: 1367-1371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO_2 gate oxide : A simulation study2010
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, S. Sugiura, S. Kishimoto, and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Solid State Electron
  
  巻: 54 号: 11 ページ: 1367-1371
- DOI
  10.1016/j.sse.2010.03.022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakashima, Y.Ohno, S.Kishimoto, M.Okochi, H.Honda, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  J.of Nanosci.and Nanotechnol.
  
  巻: 10 ページ: 3805-3809
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Thin film transistors using PECVD-grown carbon nanotubes2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, S.Kishimoto, Y.Ohno, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Nanotechnol.
  
  巻: 21
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide -Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges2010
- 著者名/発表者名
  N.Moriyama, Y.Ohno, K.Suzuki, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp.
  
  巻: 3
- NAID
  10027441471
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Thin film transistors using PECVD-grown carbon nanotubes2010
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, S. Kishimoto, Y. Ohno, and T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Nanotechnol
  
  巻: 21 号: 20 ページ: 205202-205202
- DOI
  10.1088/0957-4484/21/20/205202
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, Y. Okigawa, Y. Ono, S. Kishimoto, and Y. Ohno
- 雑誌名
  
  Appl Phys. Exp.
  
  巻: 3 号: 11 ページ: 115101-115101
- DOI
  10.1143/apex.3.115101
- NAID
  10027442095
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Electrical Properties of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Multiple Channels Measured by Scanning Gate Microscopy2010
- 著者名/発表者名
  Y. Okigawa, S. Kishimoto, Y. Ohno, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.49,No.2
- NAID
  210000067973
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakashima, Y.Ohno, S.Kishimoto, M.Okochi, H.Honda, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  J.Nanosci.Nanotechnol.
  
  巻: 10 ページ: 3805-3809
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, Y.Okigawa, Y.Ono, S.Kishimoto, Y.Ohno
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp.
  
  巻: 3
- NAID
  10027442095
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Analysis of transient behavior of AlGaN/GaN MOSHFET2010
- 著者名/発表者名
  Y.Hayashi, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Solid State Electron.
  
  巻: 54 ページ: 1451-1456
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[雑誌論文] A study of preferential growth of carbon nanotubes with semiconducting behavior grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition2009
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, H. Ohnaka, Y. Okigawa, S. Kishimoto,Y. Ohno
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 106 号: 7
- DOI
  10.1063/1.3234389
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] A study of preferential growth of carbon nanotubes with semiconducting behavior grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition2009
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, H.Ohnaka, Y.Okigawa, S.Kishimoto, Y.Ohno
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] A study of preferential growth of carbon nanotubes with semiconducting behavior grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition2009
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, H. Ohnaka, Y. Okigawa, S. Kishimoto, Y. Ohno
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Potential Profile Measurement of Carbon Nanotube FETs Based on the Electrostatic Force Detection2008
- 著者名/発表者名
  Y. Okigawa, T. Umesaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  NANO: Brief Reports and Reviews 3
  
  ページ: 51-54
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs Using HfO_2 as a Gate Oxide2008
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani, et. al
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron. E91-C
  
  ページ: 1001-1003
- NAID
  10026818401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin InGaN cap layer2008
- 著者名/発表者名
  M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 1929-1931
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer2008
- 著者名/発表者名
  M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron. E91-C
  
  ページ: 989-993
- NAID
  10026818374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin InGaN cap layer2008
- 著者名/発表者名
  M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) Vol.5, No.6
  
  ページ: 1929-1931
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Normally-off AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO_2 gate oxide2008
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani, et al
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 1923-1925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Evaluation of deep levels in GaN grown by RF-MBE on GaN template by capacitance DLTS2008
- 著者名/発表者名
  T. Mitsunaga, M. Kurouchi, S. Kishimoto, T. Mizutani, et. al
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 3032-3034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] High-density horizontally aligned growth of carbon nanotubes with Conanoparticles deposited by arc-discharge plasma method2008
- 著者名/発表者名
  D. Phokharatkul, Y. Ohno, H. Nakano, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 93
  
  ページ: 53112-53112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Normally-off AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO_2 gate oxide2008
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani, M. Kuroda, T. Ueda, T. Tanaka
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) Vol.5, No.6
  
  ページ: 1923-1925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Electrical properties of carbon nanotube FETs [invited paper]2008
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, Y. Ohno, S. Kishimoto
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE 7037
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Excitonic transition energies in single-walled carbon nanotubes: Dependence on environmental dielectric constant2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, S. Iwasaki, Y. Murakami, S. Kishimoto, S. Maruyama, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.
  
  巻: (b)244 号: 11 ページ: 4002-4005
- DOI
  10.1002/pssb.200776124
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] Enhancement-mode n-channel GaN MOSFETs fabricated on p-GaN using HfO_2 as gate oxide2007
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani, M. Kuroda, T. Ueda, T. Tanaka
- 雑誌名
  
  Electronics Letters Vol. 43, No. 17
  
  ページ: 952-953
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Drain current DLTS of normally-off AlGaN/GaN HEMTs2007
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, A.Kawano, S.Kishimoto, K.Maeazawa
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] AlGaN/GaN MIS-HEMTs with HfO2 Gate Insulator2007
- 著者名/発表者名
  A. Kawano, S. Kishimoto, Y. Ohno, K. Maezawa, T. Mizutani, H. Ueno, T. Ueda, T. Tanaka
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) 4
  
  ページ: 2700-2703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Enhancement-mode n-channel GaN MOSFETs fabricated on p-GaN using HfO2 as gate oxide2007
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani, et. al.
- 雑誌名
  
  Electronics Letters 43
  
  ページ: 952-953
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] AIGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer for Normally Off Operation2007
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters 28
  
  ページ: 549-551
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] Excitonic transition energies in single-walled carbon nanotubes: Depend ence on environmental dielectric constant2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, S. Iwasaki, Y. Murakami, S. Kishimoto, S. Maruyama, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (b) 244
  
  ページ: 4002-4005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] The effects of chemical doping with F4TCNQ in carbon nanotube field-effect transistors studied by the transmission-line-model technique2007
- 著者名/発表者名
  Y. Nosho, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 18 号: 41 ページ: 415202-415202
- DOI
  10.1088/0957-4484/18/41/415202
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[雑誌論文] AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer for Normally Off Operation2007
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters Vol. 28, No. 7
  
  ページ: 549-551
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] A1GaN/GaN HEMTs with inclined-gate-recess structure2006
- 著者名/発表者名
  Y.Aoi, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45,Part 1,No.4B
  
  ページ: 3368-3371
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[雑誌論文] AlGaN/GaN HEMTs with inclined-gate-recess structure2006
- 著者名/発表者名
  Y.Aoi, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45 (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] AlGaN/GaN HEMTs with inclined-gate-recess structure2006
- 著者名/発表者名
  Y.Aoi, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45(to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Deep levels in n-type AlGaN grown by hydride vapour phase epitaxy on sapphire characterized by deep level transient spectroscopy2005
- 著者名/発表者名
  J.Osaka, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.87
  
  ページ: 222112-222112
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ZrO2 Gate Insulator2004
- 著者名/発表者名
  T.Sugimoto, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, J.Osaka, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184:Section 4
  
  ページ: 279-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Effects of surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, T.Nakao, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.84, No.12
  
  ページ: 2184-2186
- NAID
  120000979681
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Drain Current DLTS of AlGaN-GaN MIS-HEMTs2004
- 著者名/発表者名
  T.Okino, M.Ochiai, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  IEEE EDL vol.25, No.8
  
  ページ: 523-525
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakagami, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.85,No.24
  
  ページ: 6028-6029
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Effects of surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, T.Nakao, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.84, No.12
  
  ページ: 2184-2186
- NAID
  120000979681
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Drain Current DLTS of AIGaN/GaN MIS-HEMTs2004
- 著者名/発表者名
  T.Okino, M.Ochiai, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  IEEE EDL Vol.51, No.8
  
  ページ: 523-525
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Electron Traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs Observed by Drain Current DLTS2004
- 著者名/発表者名
  T.Okino, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, J.Osaka, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184:Section 4
  
  ページ: 271-274
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Drain Current DLTS of AlGaN/GaN MIS-HEMTs2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, T.Nakao, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  IEEE EDL Vol.51,No.8
  
  ページ: 523-525
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ZrO2 Gate Insulator2004
- 著者名/発表者名
  T.Sugimoto, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, J.Osaka, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184
  
  ページ: 279-282
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Electron Traps in AlGaN/GaN MIS-HEMTs Observed by Drain Current DLTS2004
- 著者名/発表者名
  T.Okino, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, J.Osaka, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184
  
  ページ: 271-274
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakagami, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.85, No.24
  
  ページ: 6028-6029
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Effects of surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, T.Nakao, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.84,No.12
  
  ページ: 2184-2186
- NAID
  120000979681
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Surface potential transient of AlGaN/GaN HEMTs measured by Kelvin probe force microscopy2004
- 著者名/発表者名
  Nakagami, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184 : Section 4
  
  ページ: 275-278
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Surface potential transient of AlGaN/GaN HEMTs measured by Kelvin probe force microscopy2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakagami, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184:Section 4
  
  ページ: 275-278
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy2004
- 著者名/発表者名
  K.Nakagami, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.85, No.24
  
  ページ: 6028-6029
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Measurement of Frequency Dispersion of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors2003
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, H.Makihara, M.Akita, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, Part 1, No.2A
  
  ページ: 424-425
- NAID
  10010796112
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Characterization of Electrical Properties of Micro-Schottky Contacts on Epitaxial Lateral Overgrowth GaN2003
- 著者名/発表者名
  K.Kumada, T.Murata, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42,Part 1,No.4B
  
  ページ: 2250-2253
- NAID
  10010801569
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Drain current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs2003
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, T.Okino, K.Kawada, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(a) Vol.200,No.1
  
  ページ: 195-198
- NAID
  10011865028
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Measurement of surface contact potential of AlGaN/GaN heterostructure and n-GaN by Kelvin probe force microscopy2003
- 著者名/発表者名
  T.Xie, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7
  
  ページ: 2372-2375
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Study of Gate-Bias-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs2003
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, Y.Ohno, M.Akita, S.Kishimoto, K.Maezawa
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices Vol.50,No.10
  
  ページ: 2015-2020
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Study on Off-State Breakdown in AlGaN/GaN HEMTs2003
- 著者名/発表者名
  T.Nakao, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7
  
  ページ: 2335-2338
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Measurement of surface contact potential of AlGaN/GaN heterostructure and n-GaN by Kelvin probe force microscopy2003
- 著者名/発表者名
  T.Xie, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.0,No.7
  
  ページ: 2372-2375
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] AlGaN/GaN Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors with Si3N4 Gate Insulator2003
- 著者名/発表者名
  M.Ochiai, M.Akita, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, Part1, No.4B
  
  ページ: 2278-2280
- NAID
  130004530615
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Drain current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs2003
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, T.Okino, K.Kawada, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(a) Vol.200, Is.1
  
  ページ: 195-198
- NAID
  10011865028
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Study on Off-State Breakdown in AlGaN/GaN HEMTs2003
- 著者名/発表者名
  T.Nakao, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.0, No.7
  
  ページ: 2335-2338
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] AlGaN/GaN Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors with Si3N4 Gate Insulator2003
- 著者名/発表者名
  M.Ochiai, M.Akita, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42,Part 1,No.4B
  
  ページ: 2278-2280
- NAID
  130004530615
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Characterization of Electrical Properties of Micro-Schottky Contacts on Epitaxial Lateral Overgrowth GaN2003
- 著者名/発表者名
  K.Kumada, T.Murata, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, No.4B
  
  ページ: 2250-2253
- NAID
  10010801569
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[雑誌論文] Measurement of Frequency Dispersion of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors2003
- 著者名/発表者名
  T.Mizutani, H.Makihara, M.Akita, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42,Part 1,No.2A
  
  ページ: 424-425
- NAID
  10010796112
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206040
[学会発表] n型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタのしきい値ばらつきの評価2014
- 著者名/発表者名
  安西智洋、岸本茂、大野雄高
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[学会発表] 化学ドープn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの伝導特性-大気の影響と安定性の向上-2014
- 著者名/発表者名
  安西智洋, 岸本茂, 大野雄高
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[学会発表] プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価2014
- 著者名/発表者名
  安西智洋, 岸本茂, 大野雄高
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  北海道大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[学会発表] Threshold voltage distribution of chemically doped n-type carbon nanotube thin-film transistors2014
- 著者名/発表者名
  安西智洋、岸本茂、大野雄高
- 学会等名
  第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[学会発表] ゲート先行プロセスによるAl2O3 AlGaN/GaN MOSHFET特性の改善2012
- 著者名/発表者名
  宮崎英志、岸本茂、水谷孝
- 学会等名
  第59回春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするGaN MOSHFETの作製・評価2012
- 著者名/発表者名
  宮崎英志、岸本茂、水谷孝
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  一碧荘
- 年月日
  2012-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] i-GaN薄層挿入によるp-InGaN cap Normally-off型AlGaN/GaN HEMETのゲートリーク電流の低減2012
- 著者名/発表者名
  山田博之、岸本茂、水谷孝
- 学会等名
  第59回春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] Improvement of the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETs by(NH4) 2S surface treatments2011
- 著者名/発表者名
  E. Miyazaki, S. Kishimoto, and T. Mizutani
- 学会等名
  5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Toba, Japan
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするGaNMOSFETの作製・評価2011
- 著者名/発表者名
  宮崎英志,合田祐司,岸本茂,水谷孝
- 学会等名
  電子情報通信学会、電子デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2011-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] (NH4) 2S処理によるAl2O3 AlGaN/GaN MOS FET特性の改善2011
- 著者名/発表者名
  宮崎英志,岸本茂,水谷孝
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] Improvement of the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETs by(NH4) 2S surface treatments2011
- 著者名/発表者名
  E. Miyazaki, S. Kishimoto and T. Mizutani
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 発表場所
  Gifu, Japan
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] NORMALLY-OFF MODE ALGAN/GAN HEMTS WITH P-INGAN CAP LAYER2011
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, X. Li, S. Kishimoto, and F. Nakamura
- 学会等名
  WOCSDICE2011
- 発表場所
  Catania, Italy
- 年月日
  2011-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析2010
- 著者名/発表者名
  林慶寿,杉浦俊,岸本茂,水谷孝
- 学会等名
  電子情報通信学会、電子デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] THIN FILM TRANSISTORS USING PECVD-GROWN CARBON NANOTUBE NETWORK2010
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani and S. Kishimoto
- 学会等名
  2010A3 Symposium on Emerging Materials
- 発表場所
  Chon-ju, Korea
- 年月日
  2010-11-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Thin film transistors using PECVD-grown carbon nanotubes2010
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani and S. Kishimoto
- 学会等名
  The International Chemical Congress of Pasific Basin Societies
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2010-12-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Scanning gate microscopy measurement of CNT-FETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Okigawa, S.Kishimoto, Y.Ohno, T.Mizutani
- 学会等名
  Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2009-06-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Normally-Off Mode AlGaN/GaN HEMTs with p-InGaN Cap Layer2009
- 著者名/発表者名
  Xu Li, S. Kishimoto, F. Nakamura, T. Mizutani
- 学会等名
  8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 発表場所
  Heterostructure Microelectronics, 2009. 08. 25, Mielparque-Nagano, Nagano, Japan. Mielparque-Nagano, Nagano, Japan.
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション:過渡状態解2009
- 著者名/発表者名
  林慶寿,岸本茂,水谷孝
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学.
- 年月日
  2009-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 Gate Oxide Deposited by Atomic Layer Deposition2009
- 著者名/発表者名
  E. Miyazaki, Y. Goda, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 発表場所
  Mielparque-Nagano, Nagano, Japan
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] Control of carrier type in carbon nanotube FETs by high-k gate insulator2009
- 著者名/発表者名
  N.Moriyama, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 学会等名
  The 6th Korea-Japan Symposium on Carbon Nanotube
- 発表場所
  Culture Resort Festone, Ginowan, Okinawa JAPAN
- 年月日
  2009-10-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Effects of HfO_2/AlGaN interface of HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET studied by device simulation2009
- 著者名/発表者名
  Y.Hayashi, S.Sugiura, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 学会等名
  8^<th> Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2009)
- 発表場所
  Mielparque-Nagano, Nagano, Japan
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] Carrier-type conversion in carbon nanotube FETs by deposition of HfO22009
- 著者名/発表者名
  N.Moriyama, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 学会等名
  International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics
- 発表場所
  Matsushima, Japan
- 年月日
  2009-06-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Formation of catalyst nano-particles for growth of high-density horizontally aligned carbon nanotubes2009
- 著者名/発表者名
  K.Hata, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 学会等名
  International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics
- 発表場所
  Matsushima, Japan
- 年月日
  2009-06-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Effects of HfO2/AlGaN interface of HfO2/AlGaN/GaN MOSFET studied by device simulation2009
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360168
[学会発表] Electrical characteristics of high-k gate insulator for carbon nanotube FETs2009
- 著者名/発表者名
  T.Kitamura, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
- 学会等名
  The 6th Korea-Japan Symposium on Carbon Nanotube
- 発表場所
  Culture Resort Festone, Ginowan, Okinawa JAPAN
- 年月日
  2009-10-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Electrical properties of carbon nanotube FETs [invited]2008
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, Y. Ohno, S. Kishimoto
- 学会等名
  The Seventh International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
- 発表場所
  Smolenice, Slovakia
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] High-performance n-type Carbon Nanotube FETs with Stability2008
- 著者名/発表者名
  N. Moriyama, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  The 5 th Japan-Korea Symposium on Carbon Nanotube (KJ 5)
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Carbon Nanotube FETs with CNT Network Channel grown by Grid-inserted Plasma-enhanced CVD2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, S. Kishimoto, Y. Ohno, T. Mizutani
- 学会等名
  The 5 th Japan-Korea Symposium on Carbon Nanotube (KJ 5)
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Influence of insulator deposition in carbon nanotube FETs2008
- 著者名/発表者名
  N. Moriyama, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  21st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] High-density horizontally-aligned growth of carbon nanotubes for high-performance multi-channel nanotube FETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, D. Phokharatkul, H. Nakano, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  Ninth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Normally-off AlGaN/GaN MOSFETS with HfO_2 Gate Oxide Deposited by Pulsed-Laser Deposition2008
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, S. Sugiura, S. Kishimoto, M. Kuroda, T. Ueda, T. Tanaka
- 学会等名
  Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits Held in Europe (WOCSDICE 2008)
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[学会発表] Carbon Nanotube FETs with CNT Network Channel grown by Grid-inserted Plasma-enhanced CVD2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, S. KishimotO, Y. Ohno, T. Mizutani
- 学会等名
  21 st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Carbon nanotube networks for thin-film transistors grown by grid-inserted plasma-enhanced chemical vapor deposition2008
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, S. Kishimoto, Y. Ono, Y. Ohno
- 学会等名
  Ninth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] High-density horizontally-aligned growth of carbon nanotubes for high-performance field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, D. Phokharatkul, H. Nakano, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Characterization of CNT-FET by Scanning Gate Microscopy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Okigawa, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani
- 学会等名
  The 5 th Japan-Korea Symposium on Carbon Nanotube (KJ 5)
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19054006
[学会発表] Normally-off AlGaN/GaN MOSFETS with HfO_2 Gate Oxide Deposited by Pulsed-Laser Deposition2008
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, S. Sugiura, S. Kishimoto, et al
- 学会等名
  Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits Held in Europe (WOC SDICE 2008)
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[学会発表] Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer2007
- 著者名/発表者名
  M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura, T. Mizutani
- 学会等名
  7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[学会発表] Normally-Off AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 Gate Oxide2007
- 著者名/発表者名
  S. Sugiura, S. Kishimoto, T. Mizutani, M. Kuroda, T. Ueda, T. Tanaka
- 学会等名
  7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206041
[学会発表] グラフェン電極CNT-FETにおけるグラフェン層厚さのI-V特性への影響
- 著者名/発表者名
  玉置聖人、岸本茂、水谷孝
- 学会等名
  第43階フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[学会発表] Conduction-Type Control of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors by Pd and Ti Overlayer Doping
- 著者名/発表者名
  石井聡、玉置聖人、岸本茂、水谷孝
- 学会等名
  第43階フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177
[学会発表] Pd, Ti被膜ドーピングによるCNTFETの伝導型制御
- 著者名/発表者名
  石井聡、玉置聖人、岸本茂、水谷孝
- 学会等名
  第73回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24510177

1. 水谷孝 (70273290)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 111件
2. 河野明広 (40093025)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
3. 大野雄高 (10324451)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 69件
4. 後藤俊夫 (50023255)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 平松美根男 (50199098)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 大坂次郎 (20377849)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 黒内正仁 (10452187)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 堀勝 (80242824)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 前澤宏一 (90301217)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 澤木宣彦 (70023330)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 山田千樫 (70037266)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 広田栄治 (30011464)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

岸本 茂 KISHIMOTO Shigeru

研究課題

研究成果

共同研究者

大気圧ＰＣＶＤ成長ナノチューブを用いたフレキシブルＴＦＴの作製とＭＳＩの動作実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微細パタン電極を用いた電気泳動によるカーボンナノチューブの吸着技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effects of graphene thickness on the electrical properties of carbon2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Fabrication of Thin-Film Transistor Integrated Circuits on Flexible Substrate by Transfer Technique of Carbon Nanotube Network Using Poly(vinyl alcohol).2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Conduction-Type Control of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors byTi and Pd Overlayer2013

岸本茂 KISHIMOTO Shigeru