松田和典 MATSUDA Kazunori

研究者番号	10192337
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 招へい教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 徳島文理大学, 理工学部, 教授 2022年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 招へい教授 2022年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 2019年度 – 2021年度: 徳島文理大学, 理工学部, 教授 2006年度 – 2007年度: 徳島文理大学, 工学部ナノ物質工学科, 教授 2004年度 – 2005年度: 鳴門教育大学, 学校教育学部, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / マイクロ・ナノデバイス研究代表者以外小区分62030:学習支援システム関連
キーワード	研究代表者ピエゾ抵抗効果 / 歪 / スピン・オン・グラス / 非線形性 / スピンオングラス法 / スパッタ法 / 反転層 / 酸化膜 / 低温プロセス / 酸素ドナー … もっと見る / 格子欠陥 / ホール効果 / ピゾ抵抗効果 / 抵抗の温度特性 / 空孔 / ノンドープ / 水素ラジカル / 水素アニール / 荷電状態 / 欠陥準位 / 結晶欠陥 / 温度依存性 / 結晶歪 / ゲルマニウム / Mass action Law / Piezoresistance Effects / Piezocanacitance Effect / Strain-induced Effects / Silicon Device / 状態密度 / 質量作用の法則 / 質量作用の / ピエゾキャパシタンス効果 / 歪効果 / シリコンデバイス … もっと見る研究代表者以外微細化 / リソグラフィ / デバイスプロセス / フォトリソグラフィ / 半導体デバイス / デバイス / 半導体 / 熱拡散 / 微細加工隠す

理科室で構築したナノテクプラットフォームで実現する半導体デバイスファウンドリ
- 研究代表者
  
  長岡史郎
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分62030:学習支援システム関連
- 研究機関
  香川高等専門学校
p型Geのピエゾ抵抗効果研究代表者
- 研究代表者
  
  松田和典
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪大学
   徳島文理大学
Si空乏層における歪効果と不活性水素のホットキャリアによる解離効果の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  松田和典
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  徳島文理大学
   鳴門教育大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2008 2007 2006 2005 2004

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] ナノデバイスへの量子力学2006
- 著者名/発表者名
  D.K.フェリー著, 落合勇一, 打波守, 松田和典, 石橋幸治
- 総ページ数
  450
- 出版者
  シュプリンガー・フェアラーク東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Effects of Hydrogen Radical Treatment on Piezoresistance Coefficients of Germanium2023
- 著者名/発表者名
  (1)K.Matsuda, M.Yamamoto, M.Mikawa, S.Nagaoka, N.Mori and K.Tsutui,
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express,
  
  巻: 16巻　5号号: 4 ページ: 82-86
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc8b4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K12308, KAKENHI-PROJECT-19K04478
[雑誌論文] High Temperature Piezoresistance of Silicon Carbide and Galium Nitrede Materials2022
- 著者名/発表者名
  T.Sugiura, N.Takahashi, R.Sakota, K.Matsuda, N.Nakano
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of The Electron Devices Society
  
  巻: 10 ページ: 203-211
- DOI
  10.1109/jeds.2022.3150915
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[雑誌論文] Nanotech Platoform Established for Average Technical Education Science laboratories2021
- 著者名/発表者名
  S.Nagaoka, M.Yamamoto, T.Tsuji, T.Shimazu, R.W.Joshstion, K.Matsuda, F.Shimokawa, H.Horibe
- 雑誌名
  
  Proceedings of International Symposium on Advances in Technology Education
  
  巻: - ページ: 86-91
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[雑誌論文] Nonlinear Piezoresistance Coefficients of Semiconductors2019
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda, Hiroki Uyama and Kazuo Tsutsui
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[雑誌論文] Origin of the Piezoresistance Effects in p-Type Silicon at High Temperature2019
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda, Shiro Nagaoka and Hirosi Kajiyama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 ページ: 1-3
- NAID
  210000156808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[雑誌論文] Piezosistance Effect of n-type Silicon ; Temperature and Concentration Dependence, Stress Dependent Effective Masses(*Kojundo Chemical Lab.)2007
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda, Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  Technical Proceedings of the Nanotech International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Piezosistance Effect of n-type Slilcon : Temperatutre and Concentration Dependence, Stress Dependent Effective Masses(*Kojundo Chemical Lab.)2006
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda, Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Piezoresistance Effect of n-type Silicon; Temperature and Concentarion dependence,Stress Dependent Effectove Masses2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kanda, k.Matsuda
- 雑誌名
  
  Int'1 conf on the Physics Semiconductors ICPS-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Stress-Induced Effect on Intrinsic Fermi Level and Capacitance in Depletion Layer in Silicon2005
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2005 International Meeting for Future Electron Devices
  
  ページ: 95-96
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Stress-Induced Effect on Intrinsic Depletion Layer in Silicon2005
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 2005 International Meeting for Future Electron Devices
  
  ページ: 95-96
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Piezoresistance effect on p-type silicon(*Kojundo Chemical Lab.)2004
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda, Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  AlP Conference Proceedings
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Piezoresistance Effect on p-type Silicon2004
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda, Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 27^<th> International Conference on the Physics Semiconductors
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Strain-Dependent Hole Masses and Piezoresistive Properties of Silicon2004
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  Journal of Computational Electronics 3
  
  ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[雑誌論文] Strain-Dependent Hole Masses and Piezoresistive Properties of Silicon2004
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda
- 雑誌名
  
  Journal of Computational Electronics. 3
  
  ページ: 273-276
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] A Study of Resolution Improvement of the Simplified Contact Photo Lithography Using Phase Shift Method for EE Education2024
- 著者名/発表者名
  S. Nagaoka*, T. Shimizu, M. Yamamoto, R. W. Johnston, K. Matsuda and H. Horibe
- 学会等名
  5th Malaysia-Japan International Conference on Nanoscience, Nanotechnology and Nanoengineering 2024 (MJIC2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K12308
[学会発表] Effects of Hydrogen Radicals Treatment of Piezoresistance Coefficients of Germanium2023
- 著者名/発表者名
  K.Matsuda, M.Yamamoto, M.Mikawa, S.Nagaoka, K.Tsutsui
- 学会等名
  International Conference on Physics of Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] A Study of Resolution an Overlay Accuracy of a Simplified Photo Lithography Process for EE Education Use2023
- 著者名/発表者名
  (4)T.Shimizu, M.Yamamoto, R.Johnston, K.Matsuda, H. Horibe and S.Nagaoka,
- 学会等名
  4th MALAYSIA- JAPAN International Conference on Nanoscience, Nanotechnology & Nanoengineering 2023 (MJIC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K12308
[学会発表] Feasibility Study of a Simplified Nanotech Platform and Device Evaluation Procedure Established for Average Educational Science Laboratories2023
- 著者名/発表者名
  S.Nagaoka, M.Yamamoto, T.Shimizu, R.Johnston, K.Matsuda and H.Horibe
- 学会等名
  4th MALAYSIA-JAPAN International Conference on Nanoscience, Nanotechnology & Nanoengineering 2023 (MJIC 2023),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K12308
[学会発表] 教育用簡素化微細加工プロセスのレジストパタン解像度と重ね合せ精度改善に関する一考察2023
- 著者名/発表者名
  土井彩乃、清水共、川染勇人、山本雅史、ロバートジョンストン、松田和典、堀邊英夫、長岡史郎
- 学会等名
  令和５年度電気・電子・情報関係学会四国支部連合大会、11ー5
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K12308
[学会発表] Geのピエゾ抵抗係数に対する水素処理効果2022
- 著者名/発表者名
  松田，山本，三河，長岡，谷川，國本，筒井
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] Effects of Hydrogen Radicals Treatment of Piezoresistance Coefficients of Germanium2022
- 著者名/発表者名
  K.Matsuda, M.Yamamoto, M.Mikasa, S.Nagaoka, K.Tsutsui,
- 学会等名
  International Conference on Physics of Semiconductors,2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K12308
[学会発表] Piezocapacitande Effects on Depletion Charge Capacitanceof Metal-Oxide-Siicon2022
- 著者名/発表者名
  H.Uyama,T,Kunimoro,K.Takakura, K.Matsuda
- 学会等名
  International Conference on the Physics of Semiconductors 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] Effects of Hydrogen Radical Treatment on Piezoresistance Coefficients of Germanium2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsuda, M.Yamamoto, M.Mikawa, S.Nagaoka, K.Tsutui
- 学会等名
  International Conference on the Physics of Semiconductors 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] A Study of a Simplified Integrated Circuit Fabrication Method for Use in a Nanotech Platform for Average technical Education Science Laboratories2021
- 著者名/発表者名
  S.Nagaoka, M.Yamamoto, T.shimizu,R.Hohnston, T.Shikama and K.Matsuda,
- 学会等名
  3rd Malaysia-Japan International Conference on Nanoscience, Nanotechnology & Nanoengineering (MJIC) 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] CZ法で作製したGeピエゾ抵抗係数2021
- 著者名/発表者名
  藤村，太田，三好，木村，谷川，梶山，松田
- 学会等名
  2021年応用物理・物理学会中四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] p型Geの異常ピエゾ抵抗係数2021
- 著者名/発表者名
  松田，筒井，山本，長岡，梶山
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] 半導体界面における真性フェルミレベルの結晶歪効果2021
- 著者名/発表者名
  松田和典，中山憲一，谷川浩司，高倉健一郎
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] Geのピエゾ抵抗効果（Ⅰ）2020
- 著者名/発表者名
  松田和典，生田壮馬，中谷友哉，長岡史郎，筒井一生
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] 理科室で構築する工学教育用半導体デバイス設計製作評価環境2020
- 著者名/発表者名
  長岡史郎，山本雅史，鹿間共一，清水共，Robert Johnston，松田和典，下川房男，堀邉英夫
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] 室温におけるp型Siピエゾ抵抗効果の2バンド分離モデル2020
- 著者名/発表者名
  松田和典，生田壮馬，宇山裕貴，梶山博司
- 学会等名
  日本物理学会2020年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] Nanotech Platform Established for Average Technical Education Science Laboratories2020
- 著者名/発表者名
  S.Nagaoka, M.Yamamoto, T.Tsuji, T.Shikama, T.Shimizu, R.W.Johston, K.Matsuda, F.Shimokawa and H.Horibe
- 学会等名
  The Transactions of ISATE2019, The 13th International Symposium on Advances in Technology Education
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04478
[学会発表] Stress-induced Effects on the Depletion Layer Capacitance of Silicon2008
- 著者名/発表者名
  K.Matsuda, Y.Kanda, and Y.Itoh
- 学会等名
  NSTI Nanotech 2008, 11th Int'l Conf.on Modeling and Simulation of Microsystems
- 発表場所
  Boston MA,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] Yozo Kanda and Yuji Itoh : Stress-induced Effects on the Depletion Layer Capacitance of Silicon2008
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda
- 学会等名
  Nanotech 2008 International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems
- 発表場所
  Boston, Massachusetts USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] (*Kojundo Chemical Lab.) : Shear Piezoresistance Coefficient II44 of n-type Silicon2007
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda*, Kazunori Matsuda
- 学会等名
  Nanotech 2007 International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems
- 発表場所
  Santa Clara, California USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] Shear Piezoresistance Coeffcient π44 of n-type Silicon2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kanda and K.Matsuda
- 学会等名
  NSTI Nanotech 2007, 10th Int'l Conf.on Modeling and Simulation of Microsystems
- 発表場所
  Santa Clara CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] Shear Piezoresistance Coefficient π44 of n-type Silicon2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kanda and K.Matsuda
- 学会等名
  NSTI Nanotech 2007, 10th Int'l Conf.on Modeling and Simulation of Microsystems
- 発表場所
  Santa Clara CA,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] (*Kojundo Chemical Lab.) : Piezosistance Effect of n-type Silicon ; Temperature and Concentration Dependence, Stress Dependent Effective Masses2006
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda*, Kazunori Matsuda
- 学会等名
  International Conference on the Physics Semiconductors
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] Stress-Induced Effect on Intrinsic Fermi Level and Capacitance in Depletion Layer in Silicon silicon2005
- 著者名/発表者名
  Kazunori Matsuda
- 学会等名
  2005 International Meeting for Future of Electron Devices
- 発表場所
  Kyoto Univ
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099
[学会発表] (*Kojundo Chemical Lab.) : Piezoresistance effect on p-type International Conference on the Physics Semiconductors ICPS-272004
- 著者名/発表者名
  Yozo Kanda*, Kazunori Matsuda
- 発表場所
  Flagstaff, Arizona USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16510099

1. 長岡史郎 (30300635)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件
2. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
3. 山本雅史 (60733821)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
4. 清水共 (40455168)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
5. JOHNSTON ROBERT (60743698)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
6. 堀邊英夫 (00372243)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件

松田 和典 MATSUDA Kazunori

研究課題

研究成果

共同研究者

理科室で構築したナノテクプラットフォームで実現する半導体デバイスファウンドリ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

p型Geのピエゾ抵抗効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Si空乏層における歪効果と不活性水素のホットキャリアによる解離効果の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] ナノデバイスへの量子力学2006

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Effects of Hydrogen Radical Treatment on Piezoresistance Coefficients of Germanium2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High Temperature Piezoresistance of Silicon Carbide and Galium Nitrede Materials2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Nanotech Platoform Established for Average Technical Education Science laboratories2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Nonlinear Piezoresistance Coefficients of Semiconductors2019

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Origin of the Piezoresistance Effects in p-Type Silicon at High Temperature2019

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Piezosistance Effect of n-type Silicon ; Temperature and Concentration Dependence, Stress Dependent Effective Masses(*Kojundo Chemical Lab.)2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Piezosistance Effect of n-type Slilcon : Temperatutre and Concentration Dependence, Stress Dependent Effective Masses(*Kojundo Chemical Lab.)2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Piezoresistance Effect of n-type Silicon; Temperature and Concentarion dependence,Stress Dependent Effectove Masses2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Stress-Induced Effect on Intrinsic Fermi Level and Capacitance in Depletion Layer in Silicon2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Stress-Induced Effect on Intrinsic Depletion Layer in Silicon2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Piezoresistance effect on p-type silicon(*Kojundo Chemical Lab.)2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Piezoresistance Effect on p-type Silicon2004

著者名/発表者名

雑誌名

松田和典 MATSUDA Kazunori