江龍修 ERYU Osamu

研究者番号	10223679
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所属 (現在)	2025年度: 藤田医科大学, その他部局等, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2016年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2008年度 – 2012年度: 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 2004年度: 名古屋工業大学, 電気情報, 助教授 1999年度 – 2001年度: 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 … もっと見る 1997年度: 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 1996年度: 名古屋工業大学, 工学部・電気情報工学科, 講師 1993年度 – 1996年度: 名古屋工業大学, 工学部, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 生産工学・加工学 / ナノマイクロシステム / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 機械工作・生産工学
キーワード	研究代表者レーザード-ピング / パルスレーザード-ピング / SAW modeling / Finite Element Modeling / SAW device / Chemical Bath Deposition / zinc oxide / ZnO / piezoelectric / graphene-based biosensor … もっと見る / SiC / ショットキー接触 / 単結晶刀具 / 切削加工 / 刃物センサ / 元素ドーピング / 切削・研削加工 / 劈開性制御 / ドーピング / 単結晶成長 / SiC単結晶刀具 / 希土類元素エルビウム(Er) / 半導体シリコン(Si) / Er発光 / 希士類元素Er / Er発光センター / 非熱平衡高速結晶成長 … もっと見る研究代表者以外 MBE / SIMS / ohmic contact / excimer laser / laser doping / Silicon carbide / エキシマ・レーザー / Alアルミニウム / オーミック電極 / レーザー・プロセス / 炭化珪素 / Surface roughness / X-ray photo spectroscopy / Diamond single crystal / Silicon carbide single crystal / GaAs semiconductor / Quartz plate / TiO_2 photocatalyst / Polishing machine with UV rays / FT-IR分析 / 分子動力学シミュレーション / 研磨加工 / 酸化膜 / SiC単結晶 / 紫外光線 / TiO_2固体光触媒 / 表面粗さ / XPS分析 / ダイヤモンド単結晶 / SiC単結晶基板 / GaAs基板 / 石英基板 / TiO2光触媒 / 紫外光照射研磨装置 / photoluminescence / luminescence decay lifetime / solid phase epitaxial crystallization / ion co-implantation / oxygen / erbium / ESRセンター / 広がり抵抗 / フォトルミネセンス / 蛍光寿命 / 固相エピタキシャル成長 / イオン共注入 / 酸素 / エルビウム / Titanium / aluminum / Photo-responsivity / UV sensor / W タングステン / エキシマレーザー / Tiチタン / 分光感度 / UVセンサ / レーザー・ドーピング / laser ablation / ohmic electrode / Tungsten / Nickel / Aluminum / Niニッケル / 炭化ケイ素 / Wタングステン / Alアルミウニム / レーザー・ドープ隠す

皮膚の湿度を解析するためのピエゾエレクトリックセンサの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  ナノマイクロシステム
- 研究機関
  名古屋工業大学
ショットキー接触を用いた金属材料精密切削研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
単結晶刀具の為のSiC結晶成長の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
ナノグレード素子基板の理想表面形成技術の研究
- 研究代表者
  
  渡邉純二 (渡辺純二)
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  機械工作・生産工学
- 研究機関
  熊本大学
希土類元素添加シリコンによる赤外発光デバイスの開発
- 研究代表者
  
  中嶋堅志郎
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
炭化珪素基板上紫外線センサのレーザー・プロセスによる開発
- 研究代表者
  
  中嶋堅志郎
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
レーザード-ピング法による高品位赤外発光Si基板の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
炭化珪素デバイスの低温製造プロセス技術の開発
- 研究代表者
  
  中嶋堅志郎
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
希土類元素添加赤外発光シリコン中の酸素原子挙動研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
希士類元素パルスレーザード-ピングSiの高温短時間熱処理による高輝度発光化研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋工業大学
イオンビーム誘起高密度電子励起結晶構造変化研究代表者
- 研究代表者
  
  江龍修
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋工業大学

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 2005 2004 2002

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] SiCパワーデバイス最新技術2010
- 著者名/発表者名
  江龍修, 他34名
- 総ページ数
  314
- 出版者
  サイエンス&テクノロジー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[図書] SiCパワーデバイス最新技術2010
- 著者名/発表者名
  分担執筆江龍修他34名
- 総ページ数
  314
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[雑誌論文] The atomic step induced by off angle CMP influences the electrical properties of the SiC surface2012
- 著者名/発表者名
  Yayoi Tanaka, Takao Kanda, Kazuyuki Nagatoshi, Masamiichi Yoshimura and Osamu Eryu
- 雑誌名
  
  Silicon Carbide and Related Materials 2011
  
  巻: Part 1 ページ: 569-572
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  発行者吉田隆, 分担執筆者江龍修, 他56名
- 雑誌名
  
  次世代パワー半導体(株式会社エヌ・ティー・エス)
  
  ページ: 47-56
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[雑誌論文] Effects of the Surface Condition of the Substrates on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohshima, S.Onoda, T.Kamada, K.Hotta, K.Kawata, O.Eryu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 615-617
  
  ページ: 781-784
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[雑誌論文] Improvements in Electrical Properties of SiC Surface Using Mechano-Chemical Polishing2009
- 著者名/発表者名
  K.Hotta, K.Hirose, Y.Tanaka, K.Kawata, O.Eryu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 823-826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[雑誌論文] High precision chemical mechanical polishing of highly-boron-doped Si wafer used for epitaxial substrate2005
- 著者名/発表者名
  J.Watanabe, G.Yu, O.Eryu, I.Koshiyama, K.Izumi, M.Umeno, K.Nakashima
- 雑誌名
  
  Precision Engineering Vol.29 No.2
  
  ページ: 151-156
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205026
[雑誌論文] High precision chemical mechanical polishing of highly-boron-doped Si wafer used for epitaxial substrate2005
- 著者名/発表者名
  J.Watanabe, G.Yu, O.Eryu, I.Koshiyama, K.Izumi, M.Umeno, K.Nakashima
- 雑誌名
  
  Precision Engineering 29巻2号
  
  ページ: 151-156
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205026
[雑誌論文] SiC単結晶の固体触媒応用研磨技術の検討2004
- 著者名/発表者名
  渡邉純二, 横峯和幸, 川向尚, 峠睦, 黒田規敬, 江龍修
- 雑誌名
  
  2004年度砥粒加工学会学術講演会講演論文集
  
  ページ: 69-70
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205026
[雑誌論文] 加工表面の分析評価に基づいたSiC半導体の加工メカニズムの研究2002
- 著者名/発表者名
  渡邉純二, 黒田規敬, 藤本誠, 江龍修
- 雑誌名
  
  2002年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集
  
  ページ: 140-140
- NAID
  130007001948
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205026
[雑誌論文] Evaluation of Surfaces of Single SiC Crystal Polished with Various Kinds of Particles2002
- 著者名/発表者名
  J.Watanabe, M.Fujimoto, Y.Matsumoto, N.Kuroda, O.Eryu
- 雑誌名
  
  Proceedings of the Fifth International Symposium on Advances in Abrasive Technology
  
  ページ: 175-180
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205026
[学会発表] SiCの加工技術2012
- 著者名/発表者名
  江龍　修
- 学会等名
  応用物理学会第21回 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] 金属加工製品の上位価値を創成する工具イノベーション2012
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  日本MOT学会
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2012-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] SiCの加工技術2012
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  応用物理学会第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- 年月日
  2012-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] 省エネルギー、省電力のための半導体デバイスの先端加工技術半導体デバイス加工総論2011
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  日本機械学会
- 発表場所
  日本機械学会会議室(東京)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] 省エネルギー、省電力のための半導体デバイスの先端加工技術、半導体デバイス加工総論2011
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  日本機械学会招待講演
- 発表場所
  日本機械学会会議室
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] SiC加工表面の非接触評価2011
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  京都テルサ大会議室(招待講演)
- 年月日
  2011-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] SiC加工表面の非接触評価2011
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  応用物理学会表面分科会招待講演
- 発表場所
  京都テルサ大会議室
- 年月日
  2011-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] SiCの研磨技術-原子・電子から見た表面2010
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  砥粒加工学会
- 発表場所
  新東工業(株)豊川製作所
- 年月日
  2010-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] SBDによる表面原子ステップが及ぼす電気特性評価2010
- 著者名/発表者名
  田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
- 学会等名
  応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[学会発表] パワーデバイス用SiCの最先端研磨技術とその評価技術2010
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  砥粒加工学会
- 発表場所
  ニコン相模原製作所
- 年月日
  2010-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] SiCの研磨技術一原子・電子から見た表面2010
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  砥粒加工学会招待講演
- 発表場所
  新東工業(株)豊川製作所
- 年月日
  2010-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] パワーデバイス用SiCの最先端研磨技術とその評価技術2010
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  砥粒加工学会招待講演
- 発表場所
  ニコン相模原製作所
- 年月日
  2010-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360061
[学会発表] 電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響2009
- 著者名/発表者名
  田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[学会発表] Siウエハを用いたSiC基板のCMPに及ぼすOの影響2009
- 著者名/発表者名
  松嶋拓矢, 永利一幸, 江龍修
- 学会等名
  応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  神戸国際会議場
- 年月日
  2009-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[学会発表] 光励起を用いたSiC加工表面の非接触評価2009
- 著者名/発表者名
  西尾和真, 永利一幸, 江龍修
- 学会等名
  応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  神戸国際会議場
- 年月日
  2009-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[学会発表] 表面原子ステップがSBD電気的特性に与える影響2009
- 著者名/発表者名
  田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
- 学会等名
  応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  神戸国際会議場
- 年月日
  2009-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[学会発表] 単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工2009
- 著者名/発表者名
  松嶋拓矢, 永利一幸, 江龍修
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025
[学会発表] 中小企業との連携による新素材(SiC)切削ツールのイノベーション2008
- 著者名/発表者名
  江龍修
- 学会等名
  MOT国際シンポジウム
- 発表場所
  名古屋工業大学
- 年月日
  2008-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20656025

1. 中嶋堅志郎 (80024305)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. PERFETTI CLAIRE

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 安部功二 (30314074)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 渡邉純二 (40281076)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
5. 峠睦 (00107731)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 松本泰道 (80114172)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
7. 黒田規敬 (40005963)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
8. 大渕慶史 (10176993)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 島田尚一 (20029317)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 菱田有二

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. HISHIDA Y

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

江龍 修 ERYU Osamu

研究課題

研究成果

共同研究者

皮膚の湿度を解析するためのピエゾエレクトリックセンサの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ショットキー接触を用いた金属材料精密切削研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単結晶刀具の為のSiC結晶成長の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノグレード素子基板の理想表面形成技術の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類元素添加シリコンによる赤外発光デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化珪素基板上紫外線センサのレーザー・プロセスによる開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

レーザード-ピング法による高品位赤外発光Si基板の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化珪素デバイスの低温製造プロセス技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類元素添加赤外発光シリコン中の酸素原子挙動研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希士類元素パルスレーザード-ピングSiの高温短時間熱処理による高輝度発光化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンビーム誘起高密度電子励起結晶構造変化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] SiCパワーデバイス最新技術2010

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] SiCパワーデバイス最新技術2010

著者名/発表者名

総ページ数

データソース

[雑誌論文] The atomic step induced by off angle CMP influences the electrical properties of the SiC surface2012

江龍修 ERYU Osamu