須田良幸 SUDA Yoshiyuki

研究者番号	10226582
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所属 (現在)	2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2021年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 2011年度 – 2017年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2010年度 – 2012年度: 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 2008年度 – 2009年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 2007年度: 東京農工大学, 総合情報メディアセンター, 教授 … もっと見る 2004年度: 国立大学法人東京農工大学, 総合情報メディアセンター, 教授 2002年度 – 2003年度: 東京農工大学, 総合情報メディアセンター, 教授 1995年度 – 2001年度: 東京農工大学, 工学部, 助教授 1992年度 – 1993年度: 東京農工大学, 工学部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学
キーワード	研究代表者 PVCR / RTD / SiGe / 高速デバイス / 表面泳動 / 電子デバイス・機器 / 不揮発性メモリ / 半導体メモリ / High Speed Device / 歪緩和 … もっと見る / 共鳴トンネルデバイス / digital epitaxy / laser-induced excitation / disilane / silicon / atomic layr epitaxy / 反射型高速電子線回折 / レーザー励起 / ジシラン / シリコン / 原子層エピタキシ- / サファクタント / ゲルマニウム / エピタキシー / 仮想基板 / MIS / RRAM / 集積回路 / 共鳴トンネルダイオード / 量子エレクトロニクス / 電子デバイイス・機器 / Multiple Barrier / Quantum Well / Strain Relaxation / Resonant Tunneling Device / 多重障壁 / 量子井戸 / Triple Barrier / Relaxed Buffer / Strain Relief / Resonant Tunneling Diode / PVR / 3重障壁 / バッファー層 / migration / self-limiting / epitaxy / ディジタルエピタキシ- / マイグレーション / 自己停止 / エピタキシ- / surface excitation reaction / surface migration / electron-beam-induced excitation / ディジタル成長 / 表面励起 / 原子層エピキタキシー / ディジタルエピタキシー / 原子層エピタキシー / 表面励起反応 / デジタルエピタキシ- / 電子線励起 / 界面電位 / 先端機能デバイス / 界面準位 / ＳｉＣ / クロスポイント型配列 / ＰＮダイオード / 抵抗変化型メモリ / ヘテロ接合 / 90度転位 / 島状成長 / 緩和 / 平坦化 / 歪 / Ｇｅ成長 / ヘテロ成長 / SK成長 / Ge / 評価技術 / 作成 / 不揮発性 / メモリ / トンネル効果 / 抵抗変化型 / 半導体超微細化 / SiC / フラッシュメモリ / 電子トラップ / 酸化膜 / 抵抗変化型RAM / 3C-SiC / 不揮発性RAM / 抵抗変化型ランダムアクセスメモリ / シリコンカーバイド … もっと見る研究代表者以外 visible luminescence / quantum confinement / シリコン光集積 / シリコン発光ダイオード / 可視発光 / 量子閉じ込め効果 / 多孔質シリコン / 量子効果デバイス / 半導体 / RTD / ラマン分光法 / 結晶成長 / ヘテロ接合 / スパッタエピタキシー / Sn析出 / Sn拡散 / スパッタエピタキシー法 / GeSn / GeSiSn / photonic integration / optical wave guide / quantum efficiency / silicon LED / nanocrystalline silicon / porous silicon / 量子効率 / 光導波路 / 発光効率 / シリコンナノクリスタル / ポーラスシリコン / ballistic electron emission / bistable memory / Si photonic integration / Si light-emiting diode / Si nanocrystallites / porous Si / シリコン発光素子 / コールドカソード / 弾道電子放出 / 双安定メモリ / シリコンナノクリスタリット / 量子サイズ効果 / シリコン微粒子 / 陽極化成 / エレクトロルミネッセンス / フオトルミネッセンス隠す

GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
スパッタ法による高Ｇｅ組成の完全圧縮歪ＳｉＧｅを用いた高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅＲＴＤ研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学
PNメモリダイオードの開発と最密配列メモリへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学
スパッタエピタキシー法によりSi直上にGe平坦膜を形成するGe仮想基板形成技術研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京農工大学
Pのサーファクタント効果とスパッタエピタキシー法によるSi上Ge平坦膜の形成技術研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京農工大学
SiCを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリと集積化技術研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学
シリコンカーバイドを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリ研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学
Si/SiGe系多重障壁共鳴トンネルダイオードと集積化技術研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京農工大学
Si/SiGe系多重量子井戸共鳴トンネルデバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京農工大学
高効率・高安定シリコンLEDの開発と光集積化
- 研究代表者
  
  越田信義
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京農工大学
シリコン/ゲルマニウム系半導体のサブ原子層単位成長ディジタルエピタキシ-研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京農工大学
多孔質シリコンの可視発光機構の解明とシリコン光集積への展開
- 研究代表者
  
  越田信義
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京農工大学
多孔質シリコンの可視域発光に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  越田信義
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京農工大学
Si表面の電子線励起反応に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京農工大学

[図書] 日本化学会編実験化学講座第27巻2004
- 著者名/発表者名
  須田良幸他
- 総ページ数
  465
- 出版者
  丸善
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Hole-tunneling S♪i_<0.82>♪G♪e_<0.18>♪/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/c♪m^2♪ fabricated by sputter epitaxy2024
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Nobumitsu Hirose, Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Ayaka Shinkawa, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 124 号: 9
- DOI
  10.1063/5.0180934
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[雑誌論文] Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene2021
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 125 号: 25 ページ: 14117-14121
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.1c03567
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Evaluation of crystallinity of lattice-matched Ge/GeSiSn heterostructure by Raman spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 726 ページ: 138646-138646
- DOI
  10.1016/j.tsf.2021.138646
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Increase in Current Density at Metal/GeO2/n-Ge Structure by Using Laminated Electrode2020
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Kurihara Shota、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Electronic Materials Letters
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 41-46
- DOI
  10.1007/s13391-019-00185-0
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth2020
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Electronic Materials Letters
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 9-13
- DOI
  10.1007/s13391-019-00179-y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245, KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method2017
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Watanabe, Takahiro Tsukamoto, Koichi Kamisako, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 463 ページ: 67-71
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] p-Cu2O/SiOx/n-SiC/n-Si memory diode fabricated with room-temperature-sputtered n-SiC and SiOx2016
- 著者名/発表者名
  Atsushi Yamashita, Takahiro Tsukamoto, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 124103-124103
- DOI
  10.7567/jjap.55.124103
- NAID
  210000147298
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作2016
- 著者名/発表者名
  土屋充沙、塚本貴弘、須田良幸
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 116 ページ: 17-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science
  
  巻: 50 号: 12 ページ: 4366-4370
- DOI
  10.1007/s10853-015-8990-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123, KAKENHI-PROJECT-25820121
[雑誌論文] p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  山下敦史、塚本貴広、須田良幸
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 114 ページ: 43-47
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] p-Cu2O/SiCxOy/n-SiC/n-Si memory diode having resistive nonvolatile memory and rectifying behaviors2014
- 著者名/発表者名
  Atsushi Yamashita, Yoshihiko Sato, Takahiro Tsukamoto, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 7 ページ: 074203-074203
- DOI
  10.7567/apex.7.074203
- NAID
  210000137173
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter
  
  巻: 103 号: 17 ページ: 172103-172103
- DOI
  10.1063/1.4826501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123, KAKENHI-PROJECT-25820121
[雑誌論文] Electric-field-induced Al2O3/3C-SiC Resistance Memory2012
- 著者名/発表者名
  Nobuo Yamaguchi, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Proc.
  
  巻: (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[雑誌論文] SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices2012
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
- 雑誌名
  
  Procedia Engineering
  
  巻: 36 ページ: 396-403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[雑誌論文] Ge Flat Layer Growth on Heavily Phos- phorus-Doped Si (001) by Sputter Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[雑誌論文] Al_2O_3/3C-SiC/n-Si Nonvolatile Resistance Memory2012
- 著者名/発表者名
  Nobuo Yamaguchi and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51(assepted)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[雑誌論文] Electric-Field-Induced Al_2O_3/3C-SiC Resistance Memory2012
- 著者名/発表者名
  Nobuo Yamaguchi and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Proc.
  
  巻: 1430
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[雑誌論文] Ge Flat Layer Growth on Heavily Phosphorus-Doped Si(001) by Sputter Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 5R ページ: 055502-055502
- DOI
  10.1143/jjap.51.055502
- NAID
  210000140614
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[雑誌論文] Oxide Structure Dependence of SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Type Si Nonvolatile Resistive Memory on Memory Operation Characteristics2012
- 著者名/発表者名
  Yuichiro Yamaguchi, Masatsugu Shouji, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: (accepted)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[雑誌論文] Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Harold M. H. Chong, Hiroshi Mizuta, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Appl. Phys.
  
  巻: Express 4 ページ: 25701-25701
- NAID
  10027783571
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[雑誌論文] Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  H.Hanafusa, N.Hirose, A.Kasamatsu, T.Mimura, T.Matsui, H.M.H.Chong, H.Mizuta, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10027783571
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[雑誌論文] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子2008
- 著者名/発表者名
  須田良幸
- 雑誌名
  
  vol.77
  
  ページ: 1107-1110
- NAID
  10024192381
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[雑誌論文] SiO_x/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory2008
- 著者名/発表者名
  Y. Suda, M. Shouji, and K. TAKADA
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express vol.1
  
  ページ: 714011-714013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[雑誌論文] Si0/3C-SiC/Si MIS Nonvolatile Resistance Memory2008
- 著者名/発表者名
  Y. Suda, M. Shouji, K. Takada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[雑誌論文] 3C-SiC MIS抵抗変化型不揮発性半導体メモリー素子2008
- 著者名/発表者名
  須田良幸
- 雑誌名
  
  応用物理 77
  
  ページ: 11071110-11071110
- NAID
  10024192381
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[雑誌論文] Si_<1-x>Ge_x Alloy Semiconductor2004
- 著者名/発表者名
  Y.Suda
- 雑誌名
  
  Functional Materials, Experimental Chemistry Series(ed by T.Osaka, T.Honma and Y.Ito)(Maruzen, Tokyo)(in Japanese) vol.27
  
  ページ: 68-79
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Ge Dot Array Formation Using Small Convex Position Anchors2004
- 著者名/発表者名
  D.Kitayama, T.Yoshizawa, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 3822-3824
- NAID
  10013275931
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Artificially Size- and Position-Controlled Ge Dot Formation Using Patterned Si2004
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, S.Kaechi, D.Kitayama, T.Yoshizawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 464-465巻
  
  ページ: 190-193
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Artificially Size-and Position-Controlled Ge Dot Formation Using Patterned Si2004
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, S.Kaechi, D.Kitayama, T.Yoshizawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol.464-465
  
  ページ: 190-193
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] High PVCR Si/Si_<1-x>Ge_x DW RTD Formed with New Triple-Layer Buffer2004
- 著者名/発表者名
  H.Maekawa, M.Shoji, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8
  
  ページ: 417-421
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Artificially Size- and Position-Controlled Ge Dot Formation Using Patterned Si2004
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, S.Kaechi, D.Kitayama, T.Yoshizawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 464-465
  
  ページ: 190-193
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Ge Dot Array Formation Using Small Convex Position Anchors2004
- 著者名/発表者名
  D.Kitayama, T.Yoshizawa, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.43
  
  ページ: 3822-3824
- NAID
  10013275931
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] High PVCR Si/Si_<1-x>Ge_x DW RTD Formed with New Triple-Layer Buffer2004
- 著者名/発表者名
  H.Maekawa, M.Shoji, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing, vol.8
  
  ページ: 417-421
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Ge Dot Array Formation Using Small Convex Position Anchors2004
- 著者名/発表者名
  D.Kitayama, T.Yoshizawa, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43巻
  
  ページ: 3822-3824
- NAID
  10013275931
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] High PVCR Si/Si_<1-x>Ge_x DW RTD Formed with New Triple-Layer Buffer2004
- 著者名/発表者名
  H.Maekawa, M.Shoji, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing 8巻
  
  ページ: 417-421
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Artificially size - and position - controlled Ge dot formation using patterned Si2003
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, S.Kaechi, D.Kitayama, T.Yoshizawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (In press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Ge Dot Array Formation Using Small Convex Position Anchors2003
- 著者名/発表者名
  D.Kitayama, Y.Suda, T.Yoshizawa
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. (In press)
- NAID
  10013275931
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Si Submonolayer and Monolayer Digital Growth Operation Technique Using Si_2H_6 as Atomically Controlled Growth Nanotechnology2003
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, N.Hosoya, K.Miki
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. 216
  
  ページ: 424-430
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Si Submonolayer and Monolayer Digital Growth Operation Technique Using Si_2H_6 as Atomically Controlled Growth Nanotechnology2003
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, N.Hosoya, K.Miki
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. vol.216
  
  ページ: 424-430
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] New Cu Fine Line Direct Drawing Method Using a STM-Electroplating (EP-STM) Combination System2003
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, H.Tanaka, M.Sekiguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 42
  
  ページ: 4887-4889
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Migration-induced Ge dot formation2003
- 著者名/発表者名
  S.Kaechi, D.Kitayama, Y.Suda
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of International Conferrence on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 76-77
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] New Si Atomic-Layer-Controlled Growth Technique with Thermally-Cracked Hydride Molecule2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, N.Hosoya, D.Shiratori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.237-239
  
  ページ: 1404-1409
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Si1-xGex/Si Triple Barrier RTD with a High Peak-to-Valley Ratio of ≧ 180 at RT2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Proceedings Volume vol.PV 2002-9
  
  ページ: 47-60
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] Si_<1-x>Ge_x/Si Triple Barrier RTD with a High Peak-to-Valley Ratio of ≧ 180 at RT2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda
- 雑誌名
  
  Elctrochemical Society Proceedings Volume PV2002-9
  
  ページ: 47-60
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] High PVCR Sil-xGex/Si Electron-Tunneling RTD Using Multiple-Well and Annealed Thin Double-Layer Buffer2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, A.Meguro, H.Maekawa
- 雑誌名
  
  Elctrochemical Society Proceedings Volume
  
  ページ: 118-127
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] New Si Atomic-Layer-Controlled Growth Technique with Thermally-Cracked Hydride Molecule2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, N.Hosoya, D.Shiratori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol.237-239
  
  ページ: 1404-1409
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] High PVCR Si_<1-x>Ge_x/Si Electron-Tunneling RTD Using Multiple-Well and Annealed Thin Double-Layer Buffer2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, A.Meguro, H.Maekawa
- 雑誌名
  
  Elctrochemical Society Proceedings Volume PV2002-17
  
  ページ: 118-127
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[雑誌論文] High PVCR Si1-xGex/Si Electron-Tunneling RTD Using Multiple-Well and Annealed Thin Double-Layer Buffer2002
- 著者名/発表者名
  Y.Suda, A.Meguro, H.Maekawa
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Proceedings Volume vol.PV 2002-17
  
  ページ: 118-127
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[産業財産権] Manufacturing Method for Semiconductor Laminated Film, and Semiconductor Laminated Film2022
- 発明者名
  須田良幸、塚本貴広、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、八木拓馬、笠松章史、広瀬信光、松井敏明
- 権利者名
  東京農工大学、情報通信研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 取得年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[産業財産権] 半導体メモリ装置およびその製造方法2011
- 発明者名
  須田良幸、山口伸雄
- 権利者名
  東京農工大学
- 産業財産権番号
  2011-176599
- 出願年月日
  2011-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[産業財産権] 半導体メモリ装置及びその製造方法2011
- 発明者名
  須田良幸、山口伸雄
- 権利者名
  東京農工大
- 出願年月日
  2011-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[産業財産権] Semiconductor memory device2011
- 発明者名
  須田良幸
- 権利者名
  東京農工大学
- 取得年月日
  2011-10-04
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[産業財産権] 半導体メモリ装置及びその製造方法2010
- 発明者名
  須田良幸、野村秋成
- 権利者名
  東京農工大
- 出願年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[産業財産権] 半導体メモリ装置及びその製造方法2010
- 発明者名
  須田良幸、野村彬成
- 権利者名
  東京農工大学
- 出願年月日
  2010-09-06
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[産業財産権] 半導体メモリ装置、及びその製造方法2009
- 発明者名
  須田良幸野村彬成
- 権利者名
  東京農工大
- 出願年月日
  2009-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置, 及びその製造方法2009
- 発明者名
  須田良幸、野村彬成
- 権利者名
  東京農工大学
- 産業財産権番号
  2009-061883
- 出願年月日
  2009-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2008
- 発明者名
  須田良幸、太田豊
- 権利者名
  東京農工大学, 三洋半導体
- 出願年月日
  2008-09-08
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2008
- 発明者名
  須田良幸、太田豊
- 権利者名
  東京農工大学, 三洋半導体
- 出願年月日
  2008-09-08
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2008
- 発明者名
  須田良幸太田豊
- 権利者名
  東京農工大三洋半導体
- 出願年月日
  2008-09-08
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] SiC不揮発性メモリの製造方法2008
- 発明者名
  須田良幸山口祐一郎
- 権利者名
  東京農工大
- 出願年月日
  2008-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2008
- 発明者名
  須田良幸太田
- 権利者名
  東京農工大三洋半導体
- 出願年月日
  2008-09-08
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] Semiconductor memory device2008
- 発明者名
  須田良幸、山口伸雄
- 権利者名
  東京農工大学
- 出願年月日
  2008-09-08
- 取得年月日
  2011-10-04
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[産業財産権] SiC不揮発性メモリの製造方法2008
- 発明者名
  須田良幸、山口祐一郎
- 権利者名
  東京農工大学
- 産業財産権番号
  2008-215746
- 出願年月日
  2008-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2007
- 発明者名
  須田良幸, 大田豊
- 権利者名
  東京農工大三洋半導体
- 産業財産権番号
  2007-310663
- 出願年月日
  2007-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2007
- 発明者名
  須田良幸, 大田豊
- 権利者名
  東京農工大三洋半導体
- 産業財産権番号
  2007-310662
- 出願年月日
  2007-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2007
- 発明者名
  須田良幸、太田豊
- 権利者名
  東京農工大学, 三洋半導体
- 産業財産権番号
  2007-310663
- 出願年月日
  2007-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体メモリ装置2007
- 発明者名
  須田良幸、太田豊
- 権利者名
  東京農工大学, 三洋半導体
- 産業財産権番号
  2007-310662
- 出願年月日
  2007-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[産業財産権] 半導体装置の製造方法2005
- 発明者名
  須田良幸, 北山大祐, 高橋陽一
- 権利者名
  東京農工大学
- 産業財産権番号
  2005-092673
- 出願年月日
  2005-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[産業財産権] 半導体薄膜製造方法2004
- 発明者名
  須田良幸
- 権利者名
  東京農工大学
- 産業財産権番号
  2004-253128
- 出願年月日
  2004-08-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[産業財産権] 半導体薄膜製造方法2004
- 発明者名
  須田良幸
- 権利者名
  東京農工大学
- 産業財産権番号
  2004-253128
- 出願年月日
  2004-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350179
[学会発表] スパッタエピタキシー法により作製したGe/GeSnヘテロ構造におけるSn拡散2022
- 著者名/発表者名
  塚本貴広, 池野憲人, 広瀬信光, 笠松章史, 松井敏明, 須田良幸
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] Direct growth of patterned Ge on insulators using graphene2021
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  ISSS-9
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] グラフェンを用いた絶縁膜上におけるGe選択形成技術2021
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成2020
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成2020
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御2019
- 著者名/発表者名
  青柳耀介、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、広瀬信光、笠松章史、松井敏明、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Kazuaki Haneda, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  E-MRS Conference Fall meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Shota Kurihara, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  The 17th E-MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いた完全圧縮歪SiGe薄膜形成技術2019
- 著者名/発表者名
  野崎翔太、青柳耀介、広瀬信光、笠松章史、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] 格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作2018
- 著者名/発表者名
  栗原祥太、脇谷実、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたSi/SiGe 正孔トンネル型RTDの作製技術と特性制御2018
- 著者名/発表者名
  脇谷実、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法で作製した高電流密度のSi/SiGe 正孔トンネル型RTD2018
- 著者名/発表者名
  脇谷実、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Formation of Lattice-Matched GeSiSn/Ge Quantum Well Structure by Sputter Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Kazuaki Haneda, Hiroto Iwamori, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2017 Material Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード2017
- 著者名/発表者名
  素村晃浩, 塚本貴広, 加藤格, 雑賀章浩, 須田良幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県、横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Effects of low-temperature GeSn buffer layer on Sn surface segregation during GeSn epitaxial growth2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  10th. International Conference On Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology Meeting on Epitaxy
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] SiCxOyおよびSiOx電子捕獲層を用いた不揮発性pnメモリダイオードの特性制御SiCxOyおよびSiOx電子捕獲層を用いた不揮発性pnメモリダイオードの特性制御2017
- 著者名/発表者名
  土屋充沙，塚本貴広，加藤格，雑賀章浩，須田良幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県、横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作2016
- 著者名/発表者名
  土屋充沙、塚本貴弘、須田良幸
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  首都大学東京（東京都、八王子市）
- 年月日
  2016-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si-structured nonvolatile pn memory diode with low switching voltages2016
- 著者名/発表者名
  Misa Tsuchiya, Tsukamoto Tsukamoto and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  29th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
- 発表場所
  ANA Crowne Plaza Kyoto (Kyoto, Japan)
- 年月日
  2016-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ2016
- 著者名/発表者名
  岩佐太陽、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都、目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] SiGe Sputter Epitaxy and Its Application to SiGe 2D Devices2015
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Takashi Mimura
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Eaton Hotel (Hong Kong, China)
- 年月日
  2015-12-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] 抵抗変化型不揮発性メモリの探索2015
- 著者名/発表者名
  須田良幸
- 学会等名
  De Novo Si Workshop
- 発表場所
  静岡大学（静岡県、浜松市）
- 年月日
  2015-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method2014
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2014 Int. SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] SiGe Processes and Their Device Applications Using Sputter Epitaxy Method2014
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Sohei Fujimura, Satoshi Tamanyu, Akira Motohashi, Midori Ikeda, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura and Toshiaki Matsui
- 学会等名
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Kyushu University, Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe薄膜形成におけるボロンドープSi基板の効果2013
- 著者名/発表者名
  塚本貴広、広瀬信光、笠松章史、三村高志、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県、神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura*, and Toshiaki Matsui, SiGe Processes and Devices Using Sputter Epitaxy Method, Abs2013
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu
- 学会等名
  6th Int. Workshop New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu*, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Kyushu University, Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] SiGe Processes and Devices Using Sputter Epitaxy Method2013
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, and Toshiaki Matsui
- 学会等名
  6th Int. Workshop New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method, Abs2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Kyushu University, Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe薄膜形成におけるボロンドープSi基板の効果2013
- 著者名/発表者名
  塚本貴広,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学,厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] Electric-Field-Induced A_l2O_3/3C-SiC Resistance Memory2012
- 著者名/発表者名
  Nobuo Yamaguchi, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2012 Mater. Res. Soc. Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, Marriott Marquis
- 年月日
  2012-04-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] スパッタSiC膜を用いた抵抗変化型MISメモリ2012
- 著者名/発表者名
  小松辰実、須田良幸
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛県、愛媛大学(発表決定)
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] Electric-Field-Induced Al_2O_3/3C-SiC Resistance Memory2012
- 著者名/発表者名
  Nobuo Yamaguchi, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2012 Mater.Res. Soc.Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West Convention Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2012-04-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 4H-SiC基板を用いた不揮発性メモリ2012
- 著者名/発表者名
  山田有季乃、須田良幸
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛県、愛媛大学(発表決定)
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の平坦化機構2011
- 著者名/発表者名
  花房宏明、広瀬信光、笠松章史、三村高志、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形県山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] 浮遊金属の酸化による不揮発性SiCメモリの素子化2011
- 著者名/発表者名
  山口伸雄、須田良幸
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形県、山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 浮遊金属の酸化による不揮発性SiCメモリの素子化2011
- 著者名/発表者名
  山口伸雄、須田良幸
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形県山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices, Int2011
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa and Manabu Kanazawa
- 学会等名
  Union of Materials Research Soc
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2011-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] スパッタSiC膜を用いた抵抗変化型MISメモリ2011
- 著者名/発表者名
  岩崎慶士、須田良幸、井上直久
- 学会等名
  2011電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  (DVDの発行をもって成立)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 浮遊電極を用いた2端子抵抗変化型不揮発性メモリ2011
- 著者名/発表者名
  野村彬成、須田良幸
- 学会等名
  2011電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  (DVDの発行をもって成立)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたSiC膜の形成とメモリへの応用2011
- 著者名/発表者名
  小松辰実, 須田良幸
- 学会等名
  東京農工大学・電気通信大学「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」第8回合同シンポジウム
- 発表場所
  東京都東京農工大学
- 年月日
  2011-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] Phosphorus Mediated Growth of Ge Layer on Si (001) Substrate2011
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi, Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Harold M. H. Chong, Hiroshi Mizuta, and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Aichi Industry & Labor Center, Nagoya
- 年月日
  2011-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices2011
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Hiroaki Hanafusa, Mitsuhiro Yoshikawa, Manabu Kanazawa
- 学会等名
  International Union of Materials Research Society(招待講演)
- 発表場所
  Taipei World Trade Center Nangang Exhibition Hall, Ｔａｉｐｅｉ, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] 浮遊金属の酸化を用いた不揮発性SiCメモリ2011
- 著者名/発表者名
  山口伸雄, 須田良幸
- 学会等名
  東京農工大学・電気通信大学「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」第8回合同シンポジウム
- 発表場所
  東京都東京農工大学
- 年月日
  2011-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] Phosphorus Mediated Growth of Ge Layer on Si(001) Substrate2011
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Hanafusa, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Harold M. H. Chong, Hiroshi Mizuta, and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Aichi Industry & Labor Center, Nagoya, Aichi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] 浮遊電極を用いた2端子抵抗変化型不揮発性メモリ2011
- 著者名/発表者名
  野村彬成・須田良幸
- 学会等名
  2011電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  2011年総合大会講演論文集のDVDの発行をもって成立
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] スパッ.死ic膜を用いた抵抗変化型MISメモリ2011
- 著者名/発表者名
  岩崎慶士、須田良幸、井上直久
- 学会等名
  2011電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  2011年総合大会講演論文集のDVDの発行をもって成立
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の平坦化機構2011
- 著者名/発表者名
  花房宏明,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学,山形
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656210
[学会発表] スパッタSiC膜を用いたMISメモリ2010
- 著者名/発表者名
  岩崎慶士、長谷川宏巳、井上直久、河村裕一、須田良幸
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県、東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 3C-SiC抵抗変化型不揮発メモリー2010
- 著者名/発表者名
  須田良幸
- 学会等名
  薄膜第131委員会第253 回研究会
- 発表場所
  大阪府、メルパルク大阪
- 年月日
  2010-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] SiCの赤外吸収(2)各種材料の測定2010
- 著者名/発表者名
  井上直久、須田良幸、岩崎慶士、菅谷孝夫、後藤安則、河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県、東海大学
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] Nonvolatile-Resistance-Memory Property of SiOx-capped 3C-SiC Ultrathin Films on Si(100) Prepared by Using Monomethylsilane2010
- 著者名/発表者名
  ローランドバンタクロ、山口祐一郎、齋藤英司、半田浩之、宮本優、鈴木康、須田良幸、末光眞希
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大、神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] SiCの赤外吸収(2)各種材料の測定2010
- 著者名/発表者名
  井上直久、須田良幸、岩崎慶士、菅谷孝夫、後藤安則、河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大、神奈川県
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 3c-SiC抵抗変化型不揮発メモリー2010
- 著者名/発表者名
  須田良幸
- 学会等名
  薄膜第131委員会第253回研究会
- 発表場所
  大阪府招待講演
- 年月日
  2010-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] Two-Terminal Nonvolatile Resistive Memory Having Floating Metal2010
- 著者名/発表者名
  A.Nomura, K.Iwasaki, Y.Suda
- 学会等名
  東京農工大学・電気通信大学「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」第7回合同シンポジウム
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2010-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] スパッタSiC膜を用いたMISメモリ2010
- 著者名/発表者名
  岩崎慶士、長谷川宏巳、井上直久、河村裕一、須田良幸
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大、神奈川県
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 浮遊電極を用いた2端子型抵抗変化型不揮発性メモリ2009
- 著者名/発表者名
  野村彬成、山口祐一郎、須田良幸
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] SiC薄膜の赤外吸収2009
- 著者名/発表者名
  井上直久、須田良幸、長谷川宏巳、山口祐一郎、河村裕一、大山英典、高倉健一郎、井手亜貴子、菅谷孝夫、田久保嘉隆
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学、茨城県
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] 浮遊電極を用いた2端子型抵抗変化型不揮発性メモリ2009
- 著者名/発表者名
  野村彬成、山口祐一郎、須田良幸
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県、富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] SiCを用いた2端子抵抗変化型不揮発性メモリ2009
- 著者名/発表者名
  須田良幸, 山口祐一郎
- 学会等名
  第6回電通大・東京農工大合同シンポジウム
- 発表場所
  東京農工大、東京都
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360164
[学会発表] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si (001)Nonvolatile Resistance Memory Formedwith One-Stage Oxidation Process2008
- 著者名/発表者名
  Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, Y. Suda
- 学会等名
  214th ECS Meeting (PRiME 2008)
- 発表場所
  Hawaii
- 年月日
  2008-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[学会発表] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術2008
- 著者名/発表者名
  山口祐一郎、長谷川宏巳、須田良幸
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[学会発表] SiO_2/SiO_x/3C-SiC/n-Si(001)Nonvolatile Resistance Memory Formed with One-Stage Oxidation Process2008
- 著者名/発表者名
  Y. Yamaguchi, H. Hasegawa, and Y. Suda
- 学会等名
  214th ECS meeting
- 発表場所
  Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[学会発表] SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS不揮発性抵抗変化型メモリの一段酸化形成技術2008
- 著者名/発表者名
  山口祐一郎,長谷川宏巳,須田良幸
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市
- 年月日
  2008-10-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360156
[学会発表] Al/AlOx/SiCxOy/SiC/n-Si Structured Resistive Nonvolatile Memory Formed by Autoxidation of Al
- 著者名/発表者名
  Kyohei. Kida, Takahiro Tsukamoto and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  27th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク（福岡県、福岡市）
- 年月日
  2014-11-04 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Au/CuOx/NiOx/n-Si 2層金属酸化物構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
- 著者名/発表者名
  岩佐太陽、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県、平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
- 著者名/発表者名
  塚本貴広、広瀬信光、笠松章史、三村高志、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] Si直上Ge薄膜形成におけるスパッタ電力の効果と表面平坦化の試み
- 著者名/発表者名
  塚本貴広、広瀬信光、笠松章史、三村高志、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] p-Cu2O/SiOx/n-SiC pnダイオード構造抵抗変化型メモリの低温形成技術
- 著者名/発表者名
  山下敦史、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道、札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] p-Cu2O/AlOx/n-SiC pnダイオード構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
- 著者名/発表者名
  土屋充沙、山下敦史、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県、平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099

1. 越田信義 (50143631)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 塚本貴広 (50640942)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 41件
3. 小山英樹 (40234918)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 広瀬信光 (90212175)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
5. 菰田卓哉

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

須田 良幸 SUDA Yoshiyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

スパッタ法による高Ｇｅ組成の完全圧縮歪ＳｉＧｅを用いた高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅＲＴＤ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PNメモリダイオードの開発と最密配列メモリへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

スパッタエピタキシー法によりSi直上にGe平坦膜を形成するGe仮想基板形成技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Pのサーファクタント効果とスパッタエピタキシー法によるSi上Ge平坦膜の形成技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiCを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリと集積化技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンカーバイドを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si/SiGe系多重障壁共鳴トンネルダイオードと集積化技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si/SiGe系多重量子井戸共鳴トンネルデバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率・高安定シリコンLEDの開発と光集積化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン/ゲルマニウム系半導体のサブ原子層単位成長ディジタルエピタキシ-研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多孔質シリコンの可視発光機構の解明とシリコン光集積への展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

多孔質シリコンの可視域発光に関する基礎的研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

須田良幸 SUDA Yoshiyuki

[図書] 日本化学会編実験化学講座第27巻2004