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秋山 泰伸  AKIYAMA YASUNOBU

ORCIDORCID連携する *注記
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秋山 秦伸  アキヤマ ヤスノブ

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研究者番号 10231846
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所属 (現在) 2025年度: 東海大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2004年度 – 2005年度: 東海大学, 工学部, 助教授
2003年度: 九州大学, 先導物質化学研究所, 助手
1998年度 – 2002年度: 九州大学, 機能物質科学研究所, 助手
1993年度 – 1996年度: 九州大学, 機能物質科学研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
反応・分離工学 / 反応工学・プロセスシステム / 化学工学一般
研究代表者以外
化学工学一般 / 反応・分離工学 / 化工物性・移動操作・単位操作
キーワード
研究代表者
CVD / モンテカルロシミュレーション / Growth condituon / Film composition / Epitaxially growth / Polycrystal / Lithium Niobate / 複酸化物 / ニオブ酸リチウム薄膜 / 組成 … もっと見る / 成膜条件 / 組成制御 / エピタキシャル成長 / 多結晶 / ニオブ酸リチウム / 物性値 / 分子動力学シミュレーション / 熱拡散係数 / TEOS / TRIES / シリカ / 選択成長 / 金属薄膜 / MOCVD … もっと見る
研究代表者以外
CVD / シミュレーション / YSZ / Simulation / モンテカルロ法 / Concective instability / Secondary flows / Global analysis of flow, heat and mass transfer / Numerical simulation / oxygen mass transfer / Czochralski furnace / Silicon single crystal / 酸素不純物 / チヨクラルスキー炉 / シリコン単結晶 / 融液対流の安定性 / 派生流動 / 総合熱流動解析 / 数値シミュレーション / 酸素移動 / チョクラルスキー炉 / シリコン単結 / LiNbO3 / Plasma CVD / 酸化物膜 / アフターグロー型CVD / 複酸化物膜 / ニオブ酸リチウム / プラズマCVD / Single wafer reactor / Film growth rate / Silicon / 枚葉式 / シリコンエピタキシー / 枚葉型 / 熱流動 / 成膜速度 / Langmuir-Hinshelwood / シリコンエピタキシ / 数値計算 / Yttria / Zirconia / Monte-Carlo method / Growth rate / 分子動力学 / イットリア / ジルコニア / 反応工学 / Multi roll Cell / Potassium Nitrate / Potassium Hydroxide / Microgravity / Surface Tension / Marangoni Convection / 最大泡圧法 / 3次元数値解析 / 微小重力 / マルチロールセル / 硝酸ナトリウム / 水酸化ナトリウム / 微小重力環境 / 表面張力 / マランゴニ対流 / Solid Electrolyte / Step Coverage / Fuel Cell / Monte Carlo Method / 酸素イオン伝導膜 / 多孔質体 / 熱CVD / スッテプカバレッジ / 固体電解質 / ステップカバレッジ / イットリア安定化ジルコニア / 燃料電池 / 数値解析 / 臨界温度差 / 環状液層 / Hydrothermal Wave / マランゴニ効果 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (8件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  回転する環状液層内のパターン形成と制御

    • 研究代表者
      今石 宣之
    • 研究期間 (年度)
      2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      化工物性・移動操作・単位操作
    • 研究機関
      九州大学
  •  次世代光学材料としての大面積エピタキシャルニオブ酸リチウム極薄膜の合成研究代表者

    • 研究代表者
      秋山 泰伸
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      反応工学・プロセスシステム
    • 研究機関
      東海大学
  •  シリコンCZ炉における酸素移動の総合的シミュレーションと実験的検証

    • 研究代表者
      今石 宣之
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      化学工学一般
    • 研究機関
      九州大学
  •  イオン、ラジカルの物性値の高精度推算研究代表者

    • 研究代表者
      秋山 泰伸
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      化学工学一般
    • 研究機関
      九州大学
  •  複酸化物薄膜のプラズマCVD装置シミュレーションコードの開発

    • 研究代表者
      今石 宣之
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  熱CVD装置設計のためのグローバルプロセス解析

    • 研究代表者
      佐藤 恒之
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      化学工学一般
    • 研究機関
      九州大学
  •  光CVDによる酸化物薄膜の常温合成プロセスの反応解析研究代表者

    • 研究代表者
      秋山 泰伸
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  量子分子動力学による多成分系CVDの反応解析と初期成膜シミュレーション

    • 研究代表者
      佐藤 恒之
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  熱的マランゴニ対流と単結晶育成[表面張力の温度係数の符号の影響]

    • 研究代表者
      今石 宣之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      化学工学一般
    • 研究機関
      九州大学
  •  MOCVD法による金属薄膜の合成と反応解析研究代表者

    • 研究代表者
      秋山 秦伸
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  熱CVDによる多孔質体上への超薄型酸素イオン伝導膜の作製

    • 研究代表者
      今石 宣之
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      反応・分離工学
    • 研究機関
      九州大学

すべて 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Lithium Niobate Film Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition2006

    • 著者名/発表者名
      Yasunobu Akiyama, Katsuya Shitanaka, Hiroshi Murakami, Young -Sik Shin, Michihide Yoshida, Nobuyuki Imaishi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Lithium Niobate Film Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Akiyama, K.Shitanaka, H.Murakami, Y.S.Shin, M.Yoshida, N.Imaishi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (In press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] 反応工学に基づく「化学気相成長法による成膜過程」の解析2006

    • 著者名/発表者名
      秋山 泰伸
    • 雑誌名

      東海大学紀要 工学部 45巻・2号

      ページ: 115-120

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] 反応工学に基づく「化学気相成長法による成膜過程」の解析2006

    • 著者名/発表者名
      秋山 泰伸
    • 雑誌名

      東海大学紀要 工学部 (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] Analysis of Film Growth Process via Chemical Vapor Deposition based on Reaction Engineering2006

    • 著者名/発表者名
      Yasunobu Akiyama
    • 雑誌名

      Proc.The School of Engineering of Tokai Univesity Vol.45, No.2

      ページ: 115-120

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] Epitaxial Lithium Niobate film growth by metalorganic Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Akiyama, K.Shitanaka, H.Murakami, Y.S.Shin, M.Yoshida, N.Imaishi
    • 雑誌名

      Proc.27th International Symposium on Dry Process, Jeju, KOREA

      ページ: 237-238

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] Epitaxial Lithium Niobate film growth by metalorganic Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Akiyama, K.Shitanaka, H.Murakami, Y.S.Shin, M.Yoshida, N.Imaishi
    • 雑誌名

      Proc. 27th International Symposium on Dry Process, Jeju, KOREA

      ページ: 237-238

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Lithium Niobate Film Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    • 著者名/発表者名
      Yasunobu Akiyama, Katsuya Shitanaka, Hiroshi Murakami, Young-Sik Shin, Michihide Yoshida, Nobuyuki Imaishi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560671
  • 1.  今石 宣之 (60034394)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  佐藤 恒之 (80170760)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件

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