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朱 自強  ZHU Zigiung

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10243601
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度 – 1997年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手
1994年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手
1992年度 – 1993年度: 広島大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 応用物性
キーワード
研究代表者
Energy Level Diagram for ZnSe : N / Compensation Model / Ion Beam Analysis / Electrical Characterization / Optical spectroscopy / Carrier Compensation Mechanism / P-type ZnSe / II-VI Semiconductor / 補償機構 / ホール濃度 … もっと見る / 窒素ドープ / p型半導体 / ZnSe / ZnSe:N準位図 / イオンピーム法 / P型ZnSe / II-VI族半導体 / ZnSe:N順位図 / 補償モデル / イオンビーム / 電気的評価 / 光学的手法 / キャリアー補償機構 / p型ZnSe / IIーVI族化合物半導体 … もっと見る
研究代表者以外
STM / 走査トンネル顕微鏡 / Memory deivces / Charge storage / MOS structures / Scanning tunneling microscopy / Atomic Force Microscopy / Nano-scale characterization of electrical properties / Scanning Capacitance Microscopy / メモリー / 電荷蓄積 / MOS構造 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / 原子間力顕微鏡(AFM) / 局所電気特性評価 / 走査容量顕微鏡(SCaM) / materials processing / molecule adsorption / semiconductor surface / selective chemical reaction / molecule manipulation / atom / 材料プロセス / 電子線励起プロセス / ナノ構造 / 表面反応プロセス / ナノテクノロジー / 電子的励起 / アドアトム / レストアトム / ハロゲンガス / 吸着分子 / 単分子操作 / 単原子操作 / 走査プローブ顕微鏡 / 近接効果 / 電界蒸発 / 分子吸着過程 / 電子線誘起化学反応 / 材料プロセシング / 原子・分子吸着 / 半導体表面 / 選択的化学反応 / 原子・分子操作 / 表面再配列構造 / 成長初期過程 / 金属エピタキシ成長 / 分子性エピタキシ / 固相エピタキシ / 反射高速電子線回析 / エピタキシ成長過程 / イオンビーム分析 / 伝導制御 / 量子井戸 / 歪超格子 / II-VI族化合物 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  走査容量顕微鏡を用いた半導体ナノスケール材料・デバイス評価技術の開発に関する研究

    • 研究代表者
      八百 隆文
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  ワイドギャップIIーVI族化合物半導体におけるキャリアー補償機構の解明研究代表者

    • 研究代表者
      朱 自強
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  走査トンネル顕微鏡/反射高速電子線回析複合評価装置によるエピタキシ成長過程の研究

    • 研究代表者
      八百 隆文
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  II-VI族化合物半導体歪超格子の作製とその光物性に関する研究

    • 研究代表者
      八百 隆文
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      広島大学
  •  電子線励起による選択的化学反応を用いた原子オーダの材料プロセスの開発

    • 研究代表者
      八百 隆文
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東北大学
      広島大学
  • 1.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  陸 ほう (70281988)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  吉村 雅満 (40220743)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  花田 貴 (80211481)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  王 杰 (60281987)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  林 司
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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