橋本明弘 HASHIMOTO Akihiro

研究者番号	10251985
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2023年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 2012年度 – 2015年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2014年度: 福井大学, 大学院工学研究科, 教授 2013年度: 福井大学, 工学系研究科, 教授 2011年度: 福井大学, 工学研究科, 准教授 … もっと見る 2007年度 – 2011年度: 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2007年度 – 2008年度: 福井大学, 工学研究科, 准教授 2006年度: 福井大学, 大学院工学研究科, 助教授 2006年度: 福井大学, 工学研究科, 助教授 2005年度: 福井大学, 工学部, 助教授 2003年度: 福井大学, 助教授 2002年度 – 2003年度: 福井大学, 工学部, 助教授 1993年度 – 1999年度: 福井大学, 工学部, 助教授 1996年度 – 1997年度: 福井大学, 工学部・電子工学科, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子デバイス・電子機器 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者 HIGHLY LATTICE MISMATCHED HETEROEPITAXY / Si / InGaN / III-V NITRIDES / ALTERNATING SOURCE SUPPLY MBE / 格子不整合ヘテロエピタクシー / 窒化物半導体 / 格子不整合ヘテロエピタキシ- / シリコン / 窒化インジウムガリウム … もっと見る / III族窒化物半導体 / 交互供給MBE法 / A1N単結晶薄膜 / 固相C60薄膜 / AlN単結晶薄膜 / 電界効果トランジスタ / SiC基板 / 炭素系デバイス / グラフェン / 固相C_<60>薄膜 / 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) / ブルーシフト / レッドシフト / 発光スペクトル / 輝度劣化現象 / シリコン微粒子 / N_2レーザパルス / レーザアブレーション現象 / ポーラスシリコン … もっと見る研究代表者以外 GaN / GaAs / 2次元評価 / 窒化物半導体 / 界面顕微光応答法 / ワイドバンドギャップ半導体 / InN / ショットキー電極 / グラフェン / Mg doping / MOVPE / 金属／半導体界面 / SiC / キャリア濃度 / アンモニア / InAs / 窒化 / Si / 電極 / ２次元評価 / エピタキシー / タンデム太陽電池 / Mgドーピング / 金属/半導体界面 / 信頼性評価 / 表面損傷 / α-Ga2O3 / 耐圧評価 / IGZO / 欠陥評価 / ショットキー接触 / 金属ー半導体界面 / on resistance / breakdown voltage / p-type semiconductor / field effect transistor / diode / p-n junction / nitride semiconductor / アニール / 正孔濃度 / 高耐圧 / pnダイオード / オン抵抗 / 耐圧 / p形半導体 / 電界効果トランジスタ / ダイオード / pn接合 / Si substrate / two-dimensional electron gas / indium nitride (InN) / III比 / V / 残留キャリア濃度 / N面劣化 / twist / tilt / 電子移動度 / 抵抗率 / CP_2Mg / Si基板 / 二次元電子ガス / Selective area growth / Low temperature growth / Photolysis / Ammonia(NH_3) / ArF excier laser / Indium nitride(InN) / トリメチルインジウム(TMI) / 光分解 / エキシマレーザ / 光化学反応 / MOCVD / 選択成長 / 低温成長 / 光分解反応 / アンモニア(NH_3) / ArFエキシマレーザ / 窒化インジウム(InN) / detection of dislocations / needle-like hillocks / photo-electrochemistry / hole injection / electrochemical etching / 結晶欠陥 / 紫外光照射 / 正孔 / 電流密度-電解電位曲線 / サファイア基板 / 剥離 / 紫外線照射効果 / 陽極溶解反応 / 光電気化学エッチング / 転位 / 貫通転位 / 針状ヒロック / 光電気化学的エッチング / 不均一性 / 電気化学的エッチング / Ga metal / SSD method / ammonia / GaP / Nitridation / GaAs基板 / SSD法 / ウルツ鉱構造 / 閃亜鉛鉱構造 / 金属ガリウム / 合成溶質拡散(SSD)法 / CaAs / バルク結晶 / tandem solar cell / MOCVD growth / heteroepitaxy / nitridation / MOCVD成長 / ヘテロエピタキシャル成長 / 二次元評価 / 窒化ガリウム / 表面制御 / 電子状態 / バンドギャップ / ナノリボン / ナノ構造 / 電子デバイス / 表面保護 / フォトルミネッセンス / X線ロッキングカーブ半値幅 / 相分離 / SNOM / Raman scattering / Parasitic reaction / Growth pressure / 半導体物性 / 結晶成長 / Pt catalyst / NH3 cracking / hetero-structure / 白金族触媒援用MOVPE / 光起電力 / Cp_2Mg / InAlN/InGaNヘテロ構造 / ヘテロ構造 / InGaN / InAlN / 高効率太陽光発電材料・素子 / フォトニックバンドギャップ / 非周期性 / 強局在状態 / 光バンドギャップ / メソスコピック光導波路 / 光局在隠す

低温測定界面顕微光応答法による低障壁金属／半導体界面のオーミック電極形成機構解明
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  福井大学
近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属／半導体界面の劣化機構の2次元評価
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  福井大学
顕微光応答法による金属／ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその２次元評価
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
グラフェンナノ構造形成と構造ー電子物性相関
- 研究代表者
  
  田中悟
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  九州大学
グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学
固相C_<60>及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  橋本明弘
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究
- 研究代表者
  
  山本あき勇
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  福井大学
MOVPE成長InNの高品質化と電子輸送特性の解明
- 研究代表者
  
  山本あき勇
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
PN接合GaN低リーク高耐圧ダイオードの研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学
ArFエキシマレーザを用いたInNのMOCVD成長
- 研究代表者
  
  山本あき勇
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
窒化物半導体バルク結晶の作製に関する研究
- 研究代表者
  
  山本あき男 (山本あき勇)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
窒化物半導体の電気化学的エッチングの研究
- 研究代表者
  
  山本あき男 (山本あき勇)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
交互供給MBE法を用いたSi基板上へのInGaN結晶成長に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  橋本明弘
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
光の局在領域における電子及び光子の量子相互作用に関する理論的研究
- 研究代表者
  
  大高眞人
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  福井大学
InNの薄膜成長とその太陽電池応用
- 研究代表者
  
  山本あき勇 (山本あき男)
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
N_2レーザパルスによるポーラスシリコン薄膜のレーザアブレーション機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  橋本明弘
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  福井大学

[図書] 高効率太陽電池の開発と応用 (第4章多接合太陽電池、第2節化合物半導体のエピタキシャル成長、pp49～pp66)2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 他(分担執筆)
- 総ページ数
  18
- 出版者
  シー・エム・シー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[図書] 高効率太陽電池の開発と応用2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 出版者
  シー・エム・シー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] RF-MBE growth and orientation control of GaN on epitaxial graphene2021
- 著者名/発表者名
  Bhuiyan Ashraful G.、Kamada Yuta、Islam Md. Sherajul、Syamoto Riku、Ishimaru Daiki、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Results in Physics
  
  巻: 20 ページ: 103714-103714
- DOI
  10.1016/j.rinp.2020.103714
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Growth of single crystalline Si on graphene using RF-MBE: Orientation control with an AlN interface layer2021
- 著者名/発表者名
  Bhuiyan Ashraful G.、Terai Taiji、Katsuzaki Tomohiro、Takeda Naoki、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 548 ページ: 149295-149295
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2021.149295
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228, KAKENHI-PROJECT-21K04135
[雑誌論文] Phonon localization in single wall carbon nanotube: Combined effect of 13C isotope and vacancies2020
- 著者名/発表者名
  Islam Md. Sherajul、Howlader Ashraful Hossain、Anindya Khalid N.、Zheng Rongkun、Park Jeongwon、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 128 号: 4 ページ: 045108-045108
- DOI
  10.1063/5.0011810
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Vacancy-induced thermal transport in two-dimensional silicon carbide: a reverse non-equilibrium molecular dynamics study2020
- 著者名/発表者名
  Islam A. S. M. Jannatul、Islam Md. Sherajul、Ferdous Naim、Park Jeongwon、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Physical Chemistry Chemical Physics
  
  巻: 22 号: 24 ページ: 13592-13602
- DOI
  10.1039/d0cp00990c
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Behaviour of Raman B1 (high) mode and evaluation of crystalline quality in the InxGa1?xN alloys grown by RF-MBE2020
- 著者名/発表者名
  Bhuiyan Ashraful G、Kuroda Kenji、Islam Md Sherajul、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Bulletin of Materials Science
  
  巻: 43 号: 1
- DOI
  10.1007/s12034-020-02252-x
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Interlayer vacancy effects on the phonon modes in AB stacked bilayer graphene nanoribbon2020
- 著者名/発表者名
  Anindya Khalid N.、Islam Md Sherajul、Park Jeongwon、Bhuiyan Ashraful G.、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Current Applied Physics
  
  巻: 20 号: 4 ページ: 572-581
- DOI
  10.1016/j.cap.2020.02.006
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Molecular dynamics study of thermal transport in single-layer silicon carbide nanoribbons2020
- 著者名/発表者名
  Islam Md. Sherajul、Islam A. S. M. Jannatul、Mahamud Orin、Saha Arnab、Ferdous Naim、Park Jeongwon、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 015117-015117
- DOI
  10.1063/1.5131296
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] RF-MBE and MOVPE InxGa1-xN films over the entire composition range: A study on growth method dependence2020
- 著者名/発表者名
  Bhuiyan Ashraful G.、Islam Md. Sherajul、Hironaga Daizo、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures
  
  巻: 140 ページ: 106448-106448
- DOI
  10.1016/j.spmi.2020.106448
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Growth Mechanism of InN Nucleation Layers on Epitaxial Graphene Using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy and Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Bhuiyan Ashraful G.、Ishimaru Daiki、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 20 号: 3 ページ: 1415-1421
- DOI
  10.1021/acs.cgd.9b00699
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of InAlN alloys in the whole compositional range2020
- 著者名/発表者名
  Bhuiyan Ashraful G.、Islam Md. Sherajul、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 015053-015053
- DOI
  10.1063/1.5139974
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Combined effect of 13C isotope and vacancies on the phonon properties in AB stacked bilayer graphene2020
- 著者名/発表者名
  Anindya Khalid N.、Islam Md. Sherajul、Hashimoto Akihiro、Park Jeongwon
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 168 ページ: 22-31
- DOI
  10.1016/j.carbon.2020.06.059
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Fabrication of InN on epitaxial graphene using RF-MBE2019
- 著者名/発表者名
  Ishimaru Daiki、Bhuiyan Ashraful G.、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 4 ページ: 045301-045301
- DOI
  10.1063/1.5092826
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Tunable electronic properties in stanene and two dimensional silicon-carbide heterobilayer: A first principles investigation2019
- 著者名/発表者名
  Ferdous Naim、Islam Md. Sherajul、Park Jeongwon、Hashimoto Akihiro
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 2
- DOI
  10.1063/1.5066029
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Vacancy and Curvature Effects on The Phonon Properties of Single Wall Carbon Nanotube2018
- 著者名/発表者名
  Ashraful Hossain Howlader, Md. Sherajul Islam, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 2S2 ページ: 02CB08-02CB08
- DOI
  10.7567/jjap.57.02cb08
- NAID
  210000148655
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Effect of 10 B isotope and vacancy defects on the phonon modes of two-dimensional hexagonal boron nitride2018
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Khalid N. Anindya, Ashraful G. Bhuiyan, Satoru Tanaka, Takayuki Makino, and Akihiro Hashimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 2S2 ページ: 02CB04-02CB04
- DOI
  10.7567/jjap.57.02cb04
- NAID
  210000148651
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981, KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Numerical Ananysisi on Phonon Localization of Vacancy Type Disordered Graphene2015
- 著者名/発表者名
  Md. S. Islam, Md. T. Rahaman, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Circuits, Systems, and Computers
  
  巻: 24 号: 02 ページ: 1540002-1540017
- DOI
  10.1142/s0218126615400022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Effect of vacancy defects on phonon properties of hydrogen passivated GNRs2014
- 著者名/発表者名
  Md. S. Islam, S. Tanaka, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 88 ページ: 146-154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Analysis of vibrational properties of C-doped hexagonal boron nitride (h-BN)2014
- 著者名/発表者名
  M. Sherajul-Isram, K. Ushida, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Comput. Mater. Sci
  
  巻: 94 ページ: 225-233
- DOI
  10.1016/j.commatsci.2014.04.047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24540337, KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Effect of boron and nitrogen doping with native point defects on the vibrational properties of graphene2014
- 著者名/発表者名
  M. Sherajul-Isram, K. Ushida, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Comput. Mater. Sci
  
  巻: 94 ページ: 35-43
- DOI
  10.1016/j.commatsci.2014.01.040
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24540337, KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Polarized microscopic laser Raman scattering spectroscopy for edge structure of epitaxial graphene and localized vibrational mode2014
- 著者名/発表者名
  Md. S. Islam, D. Tamakawa, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Carbon
  
  巻: 77 ページ: 1073-1081
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Polarized micro Raman scattering spectroscopy for curved edges of epitaxial graphene2014
- 著者名/発表者名
  Md. S. Islam, A. G. Bhuiyan, S. Tanaka, T. Makino, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 105 号: 24
- DOI
  10.1063/1.4904469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Numerical analysis on vacancy induced vibrational properties of graphene nanoribbons2013
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
- 雑誌名
  
  Computational Materials Science
  
  巻: 79 ページ: 356-361
- DOI
  10.1016/j.commatsci.2013.06.047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246014, KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Numerical experiments on phonon properties of isotope and vacancy-type disordered graphene2013
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Kenji Ushida, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
- 雑誌名
  
  Computational Materials Science
  
  巻: 40 ページ: 115-122
- DOI
  10.1016/j.diamond.2013.10.013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246014, KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] MOVPE growth of InAlN/InGaN heterostructures with an intermediate range of In content2011
- 著者名/発表者名
  K.Sugita, M.Tanaka, K.Sasamoto, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.318
  
  ページ: 505-508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] Platinum-catalyst- assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InN2011
- 著者名/発表者名
  K.Sasamoto, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.314
  
  ページ: 62-65
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] C_<60> Field Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 雑誌名
  
  Handbook of Nanophysics : Nanoelectronics & Nanophotonics 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Recent Advances in InN-based Solar Cells ; Status and Challenges in InGaN and InAlN Solar Cells2010
- 著者名/発表者名
  A.Yamamoto, Md.R.Islam, T.T.Kang, A.Hashimoto
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) Vol.7
  
  ページ: 1309-1316
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] Few-layer epitaxial graphene grown on vicinal 6H-SiC studies by DUV Raman spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  K. Kisoda, S. Kamoi, N. Hasuike, H. Harima, K. Morita, A. Hashimoto and S. Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: vol97 号: 3 ページ: 33108-33108
- DOI
  10.1063/1.3466150
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] AIN/InN metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor2010
- 著者名/発表者名
  Md.Sherajul Islam, Sakib M.Muhtadi, Md.Tarivir Hasan, Ashraful G.Bhuiyan, Md.Rafiqul Islam, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi
  
  巻: C7 ページ: 1983-1987
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文]2010
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Nano-electronics & Nanophotonics 6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Few-layer epitaxial graphene grown on vicinal 6H-SiC stud Raman spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  K.Kisoda, S.Kamoi, N.Hasuike, H.Harima, K.Morita, A.Hashimoto, S.Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97 ページ: 33108-33108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] AlN/InN metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor2010
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Sakib M. Muhtadi, Md. Tanvir Hasan, Ashraful G. Bhuiyan, Md. Rafiqul Islam, A. Hashimoto and A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi(C)
  
  巻: vol7 号: 7-8 ページ: 1983-1987
- DOI
  10.1002/pssc.200983597
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] 2DEG properties in InGaN/InN/InGaN-based double channel HEMTs2010
- 著者名/発表者名
  Md. Tanvir Hasan, Md. Rejvi Kaysir, Md. Sheraju Islaml, Ashraful G. Bhuiyan, Md. Rafiqul Islam, A. Hashimoto and A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi(C)
  
  巻: vol7 号: 7-8 ページ: 1997-2000
- DOI
  10.1002/pssc.200983608
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] 2DEG properties in InGaN/lnN/InGaN-based double channel HEMTs2010
- 著者名/発表者名
  Md.Tanvir Hasan, Md.Rejvi Kaysir, Md.Sheraju Islaml, Ashraful G.Bhuiyan, Md.Rafiqul Islam, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi
  
  巻: C7 ページ: 1997-2000
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, A. Yamamoto, S. Tanaka
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 18
  
  ページ: 388-391
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2009
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, Hiromitsu Terasaki, Akio Yamamoto, Satoru Tanaka
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 18
  
  ページ: 388-391
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Raman scattering of In-rich AlxIn1-xN : Unexpected two-mode behavior of A1(LO)2009
- 著者名/発表者名
  T.T.Kang, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B Vol.79
  
  ページ: 33301-33301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  M. Horie, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and Solar Cells 93
  
  ページ: 1013-1015
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Raman scattering of In-rich Al_xIn_<1-x>N : Unexpected two-mode behavior of A_1(LO)2009
- 著者名/発表者名
  T. T. Kang, A, Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Physical revew B 79
  
  ページ: 33301-33301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] MOVPE growth and Mg doping of InxGa1-xN (x-0.4) for solar cell2009
- 著者名/発表者名
  M.Horie, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials and solar cells Vol.93
  
  ページ: 1013-1015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2009
- 著者名/発表者名
  A.Hashimoto, H.Terasaki, A.Yamamoto, S.Tanaka
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 18
  
  ページ: 383-391
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  T.T. Kang, M. Yamamoto, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 106
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Elucidation of factors obstructing quality improvement of MOVPE-grown InN2009
- 著者名/発表者名
  A.Yamamoto, K.Sugita, A.Hashimoto
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.311
  
  ページ: 4636-4640
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  T.T. Kang, M. Yamamoto, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Optics Letters 34
  
  ページ: 2507-2509
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_60 Epitaxy on Graphene2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, A. Yamamoto, S. Tanaka
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials
  
  巻: vol18 ページ: 388-391
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/journal/09259635/18/2-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] Terahertz characterization of semiconductor alloy AlInN : negative imaginary conductivity and its meaning2009
- 著者名/発表者名
  T.T.Kang, M.Yamamoto, M.Tanaka, A.Hashimoto, A.Yamamoto, R.Sudo, A.Noda, D.W.Liu, K.Yamamoto
- 雑誌名
  
  OPTICSLETTER Vol.34
  
  ページ: 2507-2509
- NAID
  120001493899
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol 6
  
  ページ: 389-392
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Effect of gas flow on the growth of In-rich AlInN films by metal-organic chemical vapor deposition2009
- 著者名/発表者名
  T.T.Kang, M.Yamamoto, M.Tanaka, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. Vol.106
  
  ページ: 53525-53525
- NAID
  120001631795
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] Mg doping behavior of MOVPE InxGa1-xN (x-0.4)2009
- 著者名/発表者名
  Md.R.Islam, K.Sugita, M.Horie, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.311
  
  ページ: 2817-2820
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol 6
  
  ページ: 393-396
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  T.T. Kang, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 79
  
  ページ: 33301-33301
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  Md. R. Islam, K. Sugita, M. Horie, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 31
  
  ページ: 2817-2820
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2009
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, et. al
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 18
  
  ページ: 388-391
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] A trade-off relation between tilt and twist angle fluctuations in InN grown by RF-MBE2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 5
  
  ページ: 1876-1878
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  A. Yamamoto, K. Sugita, Y. Nagai, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Phys. Sta. Sol. 5
  
  ページ: 1762-1764
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Marked improvements in electrical and optical properties for MOVPE InN annealed at a low temperature (300℃) in O_2 atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, Y. Nagai, D. Matsuoka, A. Hashimoto, H. Harima, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 5
  
  ページ: 1765-1767
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[雑誌論文] New nitridation technique for mosaicity control in RF-MBE InN growth2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, et. al
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 5
  
  ページ: 1771-1773
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] A trade-off relation between tilt and twist angle fluctuations in InN grown by RF-MBE2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, et. al
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 5
  
  ページ: 1876-1878
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  T.T. Kang, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
  
  ページ: 110902-110902
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol. 5
  
  ページ: 1876-1878
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, Y. Nagai, D. Matsuoka, A. Hashimoto, H. Harima, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol 5
  
  ページ: 1765-1767
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN2008
- 著者名/発表者名
  Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) Vol.5
  
  ページ: 1571-1574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文] Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN2008
- 著者名/発表者名
  Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 5
  
  ページ: 1571-1574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol. 5
  
  ページ: 1771-1773
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Van der Waals epitaxy of solid C_<60> on graphene sheet2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, et. al
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 17
  
  ページ: 1622-1624
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol 5
  
  ページ: 1571-1574
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] New nitridation technique for mosaicity control in RF-MBE InN growth2008
- 著者名/発表者名
  K.Iwao, A.Yamamoto, A.Hashimoto
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) Vol.5
  
  ページ: 1771-1773
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials 17
  
  ページ: 1622-1624
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, H. Niwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol. 4
  
  ページ: 2457-2460
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Characterization of MOVPE InN films grown on 3_c-SiC/Si(LLL) templates2007
- 著者名/発表者名
  M. S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 4
  
  ページ: 2441-2444
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[雑誌論文] High-resolution X-ray diffraction analysis of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  W. J. Wang, K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Powder Diffraction 22
  
  ページ: 219-222
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Sta. Sol. 4
  
  ページ: 2461-2464
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] A Quantitative study of Suppression Effect for Oxygen Contamination by Ga Beam Irradiation in InN RF-MBE Growth2007
- 著者名/発表者名
  A.Hashimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301-302
  
  ページ: 500-500
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  M.S. Cho, N. Sawazaki, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol. 4
  
  ページ: 2441-2444
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Matsumoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301/302
  
  ページ: 1021-1024
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] A quantitative study of suppressioneffect for oxygen contamination irradiation in InN RF-MOMBE growth2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, et. al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301-302
  
  ページ: 500-503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol. 4
  
  ページ: 2453-2456
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP_2Mg2007
- 著者名/発表者名
  A. Yamamoto, Y. Nagai, H. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 399-402
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301/302
  
  ページ: 500-503
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of C_<60> FET using A1N insulator Film2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto, et. al.
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301-302
  
  ページ: 1021-1024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] Phys. Status Sol.2007
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  4
  
  ページ: 2461-2464
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文]2007
- 著者名/発表者名
  W.J. Wang, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys. Status Sol. 4
  
  ページ: 2415-2418
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[雑誌論文] A comparative study on MOVPE InN films grown on 3_c-SiC/Si(LLL) and sapphire2006
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, M. S. Cho, N. Sawazaki, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 203
  
  ページ: 127-130
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[雑誌論文] MOVPE InN on a 3_c-SiC/Si(LLL) template formed by C^+-ion implantation into Si(LLL)2005
- 著者名/発表者名
  A. Yamamoto, T. Kobayashi, T. Yamauchi, M. Sasase, A. Hashimoto, Y. Ito
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 2
  
  ページ: 2281-2284
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[雑誌論文] Low temperature growth of GaN using catalyst-assisted MOVPE
- 著者名/発表者名
  K.Sasamoto, T.Hotta, M.Tanaka, K.Sugita, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) in press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[産業財産権] In系III族元素窒化物の製造方法およびその装置2009
- 発明者名
  山本あき勇, 橋本明弘
- 権利者名
  福井大学
- 産業財産権番号
  2009-077643
- 出願年月日
  2009-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[産業財産権] In系III族元素窒化物の製造方法及びその装置2009
- 発明者名
  山本あき勇、橋本明弘
- 権利者名
  福井大学
- 産業財産権番号
  2009-077643
- 出願年月日
  2009-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[産業財産権] グラフェンシートの製造方法2007
- 発明者名
  橋本明弘
- 権利者名
  福井大学
- 産業財産権番号
  2007-261188
- 出願年月日
  2007-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[産業財産権] グラフェンシートの製造方法2007
- 発明者名
  橋本明弘、田中悟
- 権利者名
  福井大学
- 出願年月日
  2007-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[産業財産権] グラフェンシートの製造方法2007
- 発明者名
  橋本明弘
- 権利者名
  福井大学
- 産業財産権番号
  2007-233535
- 出願年月日
  2007-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 多機能２次元形成過程におけるAlN層被覆率のN2ガス流量依存性2022
- 著者名/発表者名
  犬飼将成、橋本明弘
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 多機能2次元構造作製におけるエピタキシャルグラフェン形成過程2021
- 著者名/発表者名
  社本利玖、勝崎友裕、水野裕介、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] ポーラスSiCを用いた多機能2次元構造の形成2021
- 著者名/発表者名
  水野裕介，山下雄大，犬飼将成，橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] ポーラスエピタキシャルグラフェン形成におけるSiC表面構造の影響2021
- 著者名/発表者名
  平井瑠一、山下雄大、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] AlN/エピタキシャルグラフェン/SiC構造形成におけるAlN膜厚及びステップ高さの影響2021
- 著者名/発表者名
  山下雄大，勝崎友裕，水野裕介，橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] AlN保護膜を用いたポーラスエピタキシャルグラフェンの孔径制御2020
- 著者名/発表者名
  平井瑠一, 社本利久, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 多機能2次元構造を用いたエピタキシャルグラフェン上GaN成長2020
- 著者名/発表者名
  社本利玖、平井瑠一、勝崎友裕、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 修復された多機能2次元構造を用いたGaN成長2020
- 著者名/発表者名
  水野裕介、社本利玖、勝崎友裕、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 多機能2次元構造を用いたエピタキシャルグラフェン上薄膜Si成長2020
- 著者名/発表者名
  社本利久, 平井瑠一, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Si薄膜成長へ向けたエピタキシャルグラフェンの表面改質2020
- 著者名/発表者名
  勝崎友裕、社本利玖、平井瑠一、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] H2エッチングSiC表面の微細孔形成2020
- 著者名/発表者名
  平井瑠一、社本利玖、山下雄大、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Influence of Pore Density of Porous Epitaxial Graphene on Aniline Polymerization2019
- 著者名/発表者名
  Ryuichi Hirai and Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  Material Research Meeting 2019 (MRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 極薄AlN中間層を用いたエピタキシャルグラフェン上Si薄膜成長(II)2019
- 著者名/発表者名
  寺井汰至、石丸大樹、鎌田裕太、竹内智哉、橋本明弘
- 学会等名
  第66回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Repair of multifunctional 2 dimension structures by regrowth of AlN atomic layer in MEE mode2019
- 著者名/発表者名
  Yuta Kamada, Tomoya Takeuchi and Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductor (ICNS 13) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Orientation Control of a-axis in InN Growth by AlN/Epitaxial Graphene/ 4H-SiC(0001)2019
- 著者名/発表者名
  Riku Shamoto, Yuta Kamada and Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  Material Research Meeting 2019 (MRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] N2プラズマ照射を行ったエピタキシャルグラフェン上極薄AlN中間層の界面状態分析2019
- 著者名/発表者名
  鎌田裕太, 竹内智哉, 社本利玖, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Repair of Multifunctional Two Dimension Structure by Additional Growth of AlN Atomic Layer in MEE Mode2019
- 著者名/発表者名
  Yuta Kamada, Tomoya Takeuchi, Riku Shamoto and Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  Material Research Meeting 2019 (MRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Epitaxial graphene formation in N2 ambience using Si sublimation method2019
- 著者名/発表者名
  Tomoya Takeuchi, Yuta Kamada and Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The International Symposium on Epitaxial Graphene (ISEG-2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 新規電極材応用に向けたポーラスエピタキシャルグラフェン上微細孔の制御2019
- 著者名/発表者名
  竹田直喜、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  第66回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] A New Approach for Multifunctional 2 Dimension Structure Formation2019
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto and Daiki Ishimaru
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductor (ICNS 13) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] N2雰囲気中エピタキシャルグラフェン形成2019
- 著者名/発表者名
  竹内智哉、寺井汰至、鎌田裕太、佐藤祐大、橋本明弘
- 学会等名
  第66回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 熱劣化したエピタキシャルグラフェン上極薄AlN中間層の修復2019
- 著者名/発表者名
  佐藤祐大、寺井汰至、鎌田裕太、竹内智哉、橋本明弘
- 学会等名
  第66回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Orientational Control of Initial Si Nuclei Growth on Epitaxial Graphene Substrate using AlN Multi-functional Intermediate Layer2018
- 著者名/発表者名
  T. Terai, D. Ishimaru, and A. Hashimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 4H-SiCポーラスエピタキシャルグラフェンの孔径及び孔密度制御2018
- 著者名/発表者名
  竹田直喜、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 4H-SiC(0001)ポーラスエピタキシャルグラフェンの孔径及び孔密度制御 (Ⅱ)2018
- 著者名/発表者名
  竹田直喜、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  第79回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上AlN中間層を用いたGaNのa軸配向性制御2018
- 著者名/発表者名
  石丸大樹、寺井汰至、橋本明弘
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] エピタキシャルグラフェン上極薄AlN中間層を用いたGaN成長におけるa軸配向制御2018
- 著者名/発表者名
  鎌田裕太、寺井汰至、竹内智哉、佐藤祐大、橋本明弘
- 学会等名
  第79回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Orientation Control of a-Axis of GaN with using AlN Multi-function Intermediate Layer on Epitaxial Graphene/ 4H-SiC (0001)2018
- 著者名/発表者名
  N. Takeda, T. Terai, D. Ishimaru, and A. Hashimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] AlNバッファー層を用いたエピタキシャルグラフェン基板上Si初期成長核配向制御2018
- 著者名/発表者名
  寺井汰至、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Formation and Characterization of Ultra-thin AlN Intermediate Layer on Epitaxial Graphene2018
- 著者名/発表者名
  T. Terai, D. Ishimaru, Y. Sato, Y. Kamada, T. Takeuchi, and A. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2018 (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] グラフェン上極薄AlN中間層を用いたAlNホモエピタキシャル成長2018
- 著者名/発表者名
  佐藤祐大、石丸大樹、寺井汰至、鎌田裕太、竹内智哉、橋本明弘
- 学会等名
  第79回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] オージェ電子分光法(AES)によるグラフェン上極薄AlN中間層の界面状態分析2018
- 著者名/発表者名
  竹内智哉、寺井汰至、鎌田裕太、佐藤祐大、橋本明弘
- 学会等名
  第79回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 極薄AlN中間層を用いたエピタキシャルグラフェン上Si薄膜成長2018
- 著者名/発表者名
  寺井汰至、石丸大樹、鎌田裕太、竹内智哉、橋本明弘
- 学会等名
  第79回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Nitride Growth by using Ultra-thin AlN/ Epitaxial Graphene Intermediate Layer on 4H-SiC (0001)2018
- 著者名/発表者名
  Y. Sato, D. Ishimaru, T. Terai, Y. Kamada, T. Takeuchi, and A. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2018 (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 強制振動子法を用いたポーラス SiC のフォノン解析(Ⅱ)2018
- 著者名/発表者名
  佐藤祐大、大八木晋、橋本明弘
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Orientational control of initial Si nuclei growth on epitaxial graphene substrate by RF-MBE2017
- 著者名/発表者名
  Taiji Terai, Daiki Ishimaru, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The International Symposium on Epitaxial Graphene (ISEG-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動子法を用いたポーラス SiC のフォノン解析(Ⅰ)2017
- 著者名/発表者名
  佐藤祐大、大八木晋、橋本明弘
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Orientational control of a-axis in initial stage of InN by Si nuclei formation on epitaxial graphene substrate2017
- 著者名/発表者名
  Daiki Ishimaru, Taiji Terai, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The International Symposium on Epitaxial Graphene (ISEG-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] サブ2次元ナノカーボン系の折れ曲がり効果が及ぼすエッジフォノンへの影響2017
- 著者名/発表者名
  大八木晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Effect of 10B Isotope Doping on Phonon Modes of 2D h-BN2017
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Organiv and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] RF-MBE法によるエピタキシャルグラフェン基板上Si初期成長核配向制御2017
- 著者名/発表者名
  寺井汰至、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 4H-SiC上ポーラスエピタキシャルグラフェン基板を用いたRF-MBE InN初期核形成2017
- 著者名/発表者名
  石丸大樹、寺井汰至、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Control of pore density of porous epitaxial graphene by RF-N2 plasma irradiation2017
- 著者名/発表者名
  Naoki Takeda, Daiki Ishimaru, Kosuke Imai, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The International Symposium on Epitaxial Graphene (ISEG-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Numerical study on phonon properties of porous silicon-carbide system by force vibrational method2017
- 著者名/発表者名
  Yuta Sato, Shin Oyagi, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The International Symposium on Epitaxial Graphene (ISEG-2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] RF-N2プラズマ照射による4H-SiCポーラスエピタキシャルグラフェンの孔密度制御2017
- 著者名/発表者名
  竹田直喜、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] エピタキシャルグラフェン基板上Si初期成長核を用いたInN成長におけるa軸配向性制御2017
- 著者名/発表者名
  石丸大樹、寺井汰至、橋本明弘
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] RF誘導加熱による孔径及び孔密度制御されたポーラスエピタキシャルグラフェン形成2017
- 著者名/発表者名
  今井宏友、石丸大樹、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  戸松　侑輝、道幸　雄真、石丸　大樹、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 塩酸エッチングしたSiC上エピタキシャルグラフェンの表面解析2016
- 著者名/発表者名
  栗本逸清、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 4H-SiC上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程2016
- 著者名/発表者名
  石丸大樹、戸松侑輝、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動手法を用いたサブ2次元ナノカーボンのフォノン解析（II）2016
- 著者名/発表者名
  大八木　晋、Md. Sherajul Islam、南部　卓也、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] PF誘導加熱による微傾斜Si面SiC（0001）上単一ドメインエピタキシャルグラフェンの欠陥密度制御2016
- 著者名/発表者名
  道幸　雄真、和田　拓也、今井　宏友、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Cl添加によるバンドギャップの揺らぎに対するペロブスカイト太陽電池への影響2016
- 著者名/発表者名
  宮野　了一、吉田　清孝、伊藤　省吾、橋本　明弘、牧野　哲征
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動手法による窒化物混晶の格子振動解析（II）2016
- 著者名/発表者名
  南部　卓也、大八木　晋、Md. Sherajul Islam、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Comparative Study of Initial Growth Stage of InN on Epitaxial Graphene by MBE and MOVPE2016
- 著者名/発表者名
  D. Ishimaru, Y. Tomatsu, A. Hashimoto
- 学会等名
  The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)
- 発表場所
  Montpellier
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動手法を用いたサブ2次元ナノカーボンのエッジフォノン解析2016
- 著者名/発表者名
  大八木晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Numerical Study on Phonon Properties for Sub 2-dimensional Nano-carbon System by Force Vibrational Method2016
- 著者名/発表者名
  Shin Ohyagi, Md. Sherajul Islam, Takuya Nambu, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動子法によるSub２次元グラフェン・ナノ構造の格子振動解析2016
- 著者名/発表者名
  橋本　明弘
- 学会等名
  第8回九大グラフェン研究会（応用力学研究所）「原子層物質の成長と物性」
- 発表場所
  九州大学伊都キャンパス
- 年月日
  2016-01-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン形成の昇温プロファイル依存性2016
- 著者名/発表者名
  和田拓也、道幸雄真、今井宏友、橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動手法による窒化物混晶の格子振動解析2015
- 著者名/発表者名
  南部　卓也、大八木　晋、Md. Sherajul Islam、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] PFPA-NHSを用いたエピタキシャルグラフェン/ポリアニリン構造ナノコンポジットの作製2015
- 著者名/発表者名
  今井　宏友、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 強制振動手法を用いたサブ2次元ナノカーボンのフォノン解析2015
- 著者名/発表者名
  大八木　晋、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程2015
- 著者名/発表者名
  戸松　侑輝、道幸　雄真、石丸　大樹、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] PF誘導加熱による微傾斜Si面SiC（0001）上大面積単一ドメインエピタキシャルグラフェンの形成2015
- 著者名/発表者名
  道幸　雄真、今井　宏友、橋本　明弘
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Vibrational Properties of Graphene Nanoribbons with Realistic Edge Structures2014
- 著者名/発表者名
  Md. S. Islam, T. Makino, S. Tanaka and A. Hashimoto
- 学会等名
  The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
- 発表場所
  Fukuoka
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Numerical Study on Phonon Properties of Defective Silicene2014
- 著者名/発表者名
  T. Nambu, Md. S. Islam, S. Tanaka and A. Hashimoto
- 学会等名
  The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
- 発表場所
  Fukuoka
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Vacancy Induced Phonon Properties of Hydrogen Passivated Graphene2014
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Md. Tawabur Rahman, A. G. Bhuiyan, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  IEEE 1st International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT 2013)
- 発表場所
  Khulna, Bangladesh
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 転写グラフェンの曲線状エッジにおける偏光顕微ラマン散乱分光2013
- 著者名/発表者名
  玉川大輔, 石田高章, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Vibrational Properties of Graphane with Vacancy - Type Defects2013
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Al0.7Ga0.3N Growth on Epitaxial Graphene by RF - MBE2013
- 著者名/発表者名
  Yuki Sakagawa, Kouzi Shimizu, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] MBE成長In-rich InxAl1-xN混晶フォノンのラマン散乱評価2013
- 著者名/発表者名
  小池隆, 金廷坤, 中西晋一, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 兒玉賢治, 橋本明弘, 山本暠勇
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 水素終端したグラフェンナノリボンの格子振動解析2013
- 著者名/発表者名
  牛田憲次, Md. Sherajul Islam, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] RF-MBE成長InGaN混晶のB1(high)モードによる成長温度最適化の検討2013
- 著者名/発表者名
  坂川祐樹, 兒玉賢治, 廣長大造, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] ラマン散乱によるMBE成長InxGa1-xN混晶フォノンの評価2013
- 著者名/発表者名
  中西晋一, 金廷坤, 小池隆, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 兒玉賢治, 橋本明弘, 山本暠勇
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Effect of boron and nitrogen doping on the vibrational properties of graphene2013
- 著者名/発表者名
  Md Sherajul Islam, Taknobu Hirooka, Takayuki Makino, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Growth of AlN on Graphene Substrate by RF2013
- 著者名/発表者名
  Kensuke Kasagi, Kouji Shimizu, Yuki Sakagawa, Takayuki Makino, Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Analysis of vibrational properties of C - doped hexagonal boron nitride ( h - BN)2013
- 著者名/発表者名
  Md sherajul Islam, Takanobu Hirooka, Takayuki Makino, Satoru Tanaka, Akihiro Hashimoto,
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Polarized Microscopic Laser Raman Scattering Spectroscopy for Edge Structure of TransferredEpitaxial Graphene2012
- 著者名/発表者名
  D. Tamagawa, T. Ishida, D. Tsunemi, T. Kajiwara, S. Tanaka, A. Hashimoto
- 学会等名
  MRS 2012 Autumn Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] ラマン不活性B1(high)振動モードによるInxGa1-xN混晶の結晶性評価2012
- 著者名/発表者名
  兒玉賢治, 清水浩司, 橋本明弘, 播磨弘, 金廷坤
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 転写エピタキシャルグラフェンが有する固有応力2012
- 著者名/発表者名
  玉川大輔, 石田高章, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Full molar fraction Raman spectra from RF-MBE grown InxAl1-xN alloys2012
- 著者名/発表者名
  K. Kodama, H. Harima, A. Yamamoto, A. Hashimoto
- 学会等名
  ISGN-4
- 発表場所
  Russia　St.Petersburg
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] ラマン散乱分光法による中間組成域InGaNの結晶性評価における成長方法の影響2012
- 著者名/発表者名
  廣長大造, 兒玉賢治, 橋本明弘, 播磨弘, 金廷坤
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Inference on Raman spectra by the crystal qualityof RF-MBE grown InxAl1-xN alloys (0≤x≤1)2012
- 著者名/発表者名
  K. Kasagi, K. Kodama, T. Kim, H. Harima, A. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Comparative studies of Raman Spectra from InGaN grown by MBE and by MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  D. Hironaga, K. Kadama, K. Karagi, A. Hashimoto, H. Harima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] MOVPE法InN成長のためのNH3分解におけるPt触媒温度(RT～1000℃)効果2012
- 著者名/発表者名
  杉田憲一, 廣長大造, 三原章宏, 橋本明弘, 山本暠勇
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] InGaN混晶のラマン散乱分光法におけるB1振動モードの組成依存性2012
- 著者名/発表者名
  兒玉賢治, 播磨弘, 山本〓勇, 橋本明弘
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A comparative study on MOVPE InGaN with intermediate In compositions grown on GaN/sapphire template and AlN/Si(111) substrate2012
- 著者名/発表者名
  A. Mihara, Y.d Zheng, D. Hironaga, A. Hashimoto, N. Shigekawa, a. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by　hetero-step-flow mode on vicinal SiC surfaces2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ishiyama, M. Takagi, Y. Higashihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto, S. Tanaka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] AFM/LFM同時測定によるSiO_2上転写グラフェンの表面観察2012
- 著者名/発表者名
  常見大基, 山口喜弓, 石田大輔, 栗栖悠輔, 田中悟, 橋本明弘, 福井一俊, 山本晃司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Intrinsic Stress of Transfer Epitaxial Graphene2012
- 著者名/発表者名
  K. Kodama, Md. Sherajul Islam, S. Tanaka, A. Hashimoto
- 学会等名
  IUMRS-ICEM
- 発表場所
  神奈川県横浜市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Numerical Analysis on The Lattice Vibration of Percolation Network of Graphene2012
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam,K. Ushida, S. Tanaka, A. Hashimoto
- 学会等名
  IUMRS-ICEM
- 発表場所
  神奈川県横浜市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 転写エピタキシャルグラフェンのエッジにおける偏光顕微ラマン散乱分光2012
- 著者名/発表者名
  玉川大輔, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Vibrational Properties of Percolation Network of Graphene Nanoribbons2012
- 著者名/発表者名
  Md. Sherajul Islam, 牛田憲次, 橋本明弘, 田中悟
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Large Area Transfer Method for Epitaxial Graphene2012
- 著者名/発表者名
  T. Ishida, D. Tsunemi, T. Kajiwara, S. Tanaka, A. Hashimoto
- 学会等名
  MRS 2012 Autumn Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Numerical Study on Lattice Vibration of Hydrogen Passivated Percoration Graphene Network2012
- 著者名/発表者名
  N. Ushida, Md. Sherajul Islam, S. Tanaka, A. Hashimoto
- 学会等名
  MRS 2012 Autumn Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Behavior of B1(high) Mode in Raman Spectra from InxGa1-xN Alloys ( 0 ≤ x ≤ 1 ) Grown by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  K. Kodama, K. Shimizu, T. Kim, H. Harima, A. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 強制振動子法によるグラフェンのパーコレーションネットワークの振動解析2012
- 著者名/発表者名
  牛田憲次, Md. Sherajul Islam, 橋本明弘, 田中悟
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] エピタキシャルグラフェンの大面積転写(III)2012
- 著者名/発表者名
  石田高章, 森田康平, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Graphene formation on GaN substrates and electrical characteristics of metal/graphene/GaN structure2011
- 著者名/発表者名
  K. Tanaka, Y. Shimotsuji, S. Tanaka, A. Hashimoto, and K. Shiojima
- 学会等名
  Graphene 2011
- 発表場所
  Bilbao Spain
- 年月日
  2011-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Repair for Process-induced Defects of Transferred Graphene2011
- 著者名/発表者名
  T.Ishida, Y.Shimotsuji, R.Kajiwara, S.Tanaka, A.Hashimoto
- 学会等名
  Graphene 2011
- 発表場所
  Bilbao Spain
- 年月日
  2011-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] GaN上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化2011
- 著者名/発表者名
  田中浩太郎、下辻康広、橋本明弘、塩島謙次、田中悟
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  福井大学
- 年月日
  2011-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 大面積転写エピタキシャルグラフェンの偏光顕微ラマン散乱分光2011
- 著者名/発表者名
  玉川大輔, 石田高章, 山本〓勇, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 偏光顕微ラマン散乱分光法による欠陥修復転写エピタキシャルグラフェンの評価2011
- 著者名/発表者名
  石田高章, 玉川大輔, 梶原隆司, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] エピタキシャルグラフェンの大面積転写(II)2011
- 著者名/発表者名
  下辻康広, 石田高章, 森田康平, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Repair for Process-induced Defects of Transferred Graphen2011
- 著者名/発表者名
  T. Ishida, Y. Shimotsuji, R. Kajiwara, S. Tanaka, and A. Hashimoto
- 学会等名
  Graphene 2011
- 発表場所
  Bilbao Spain
- 年月日
  2011-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] グラフェンの転写過程で形成された欠陥の修復2011
- 著者名/発表者名
  石田高章, 下辻康広, 梶原隆司, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Catalyst-assisted MOVPE growth of InN and GaN2011
- 著者名/発表者名
  A.Yamamoto, K.Sasamoto, K.Sugita, A.Hashimoto
- 学会等名
  European Materials Research Society 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] Large Area Transfer of Epitaxial Graphene2011
- 著者名/発表者名
  Y. Shimotsuji, T. Ishida, K. Morita, S. Tanaka, and A. Hashimoto
- 学会等名
  Graphene 2011
- 発表場所
  Bilbao Spain
- 年月日
  2011-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] RF-MBE Growth of GaN and InN on Epitaxial graphene Substrate2011
- 著者名/発表者名
  K. Kodama, S. Tanaka, A. Yamamoto, and A. Hashimoto
- 学会等名
  9th International Conference Nitride Semiconductors(ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow UK
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] RF-MBE Growth of GaN and InN on Epitaxial graphene Substrate2011
- 著者名/発表者名
  K.Kodama, S.Tanaka, A.Yamamoto, A.Hashimoto
- 学会等名
  9th International Conference Nitride Semicond uctors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow UK
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] GaN上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化2011
- 著者名/発表者名
  田中浩太郎、下辻康広、橋本明弘、塩島謙次、田中悟
- 学会等名
  平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会
- 発表場所
  福井大学
- 年月日
  2011-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積転写グラフェン層の顕微ラマン散乱分光測定2010
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2010-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] RF-MBE法によるHOPG基板上InN成長2010
- 著者名/発表者名
  小竹弘倫, 田畑裕行, 下辻康広, 朴木博則, 山本嵩勇, 橋本明弘
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚、日本
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] SiO2/Si基板上大面積転写エピタキシャルグラフェン層のラマン散乱分光法評価2010
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 橋本明弘, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚、日本
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A roll of low-temperature MEE buffer layer in m-plane GaN growth onm-plane ZnO substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shimotsuji, A.Yamamoto, A.Hashimoto
- 学会等名
  16^<th> 1nt.Conf.on Molecular Beam Epitaxy(MBE 2010)
- 発表場所
  Berlin, Germmany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] MOVPE growth of InAlN/InGaN heterostructures with an intermediate In composition range2010
- 著者名/発表者名
  K.Sugita, M.Tanaka, K.Sasamoto, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 学会等名
  16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] A New Transfer Process of Epitaxial Graphene2010
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 学会等名
  23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kokura, Japan
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] エピタキシャル・グラフェンの大面積転写技術2010
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第2回九大グラフェン研究会 (主催・九大応用力学研究所)
- 発表場所
  九州大学、福岡、日本
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE growth of InN on HOPG substrate2010
- 著者名/発表者名
  H. Kotake, Y. Shimotsuji, A. Yamamoto and A. Hashimoto
- 学会等名
  16^<th> Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy(MBE 2010)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Growth temperature dependence of Cp_2Mg supply effects on MOVPE InN growth2010
- 著者名/発表者名
  K.Sugita, K.Sasamoto, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 学会等名
  2010 International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] A roll of low-temperature MEE buffer layer in m-plane GaN growth on m-plane ZnO substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y. Shimotsuji, A. Yamamoto and A. Hashimoto
- 学会等名
  MBE 2010
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 各種ZnO単結晶基板上のGaN初期成長膜界面のラザフォード後方散乱法による評価2010
- 著者名/発表者名
  井澤佑介、尾賀孝宏*、伊田貴寛、栗山一男、橋本明弘、小竹弘倫, 上條健
- 学会等名
  法政大学イオン工学シンポジウム
- 発表場所
  法政大学
- 年月日
  2010-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] エピタキシャルグラフェン引き剥がしプロセスにおけるTi-C結合の形成2010
- 著者名/発表者名
  下辻康広, 橋本明弘, 森田康平, 田中悟
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] ZnO基板上皿面GaN成長の低温MEEバッファ層による効果2010
- 著者名/発表者名
  下辻康広, 朴木博則, 田畑裕行, 山本嵩勇, 橋本明弘
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚、日本
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A New Transfer Process of Epitaxial Graphene”(lnvited)2010
- 著者名/発表者名
  A.Hashimoto
- 学会等名
  23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 発表場所
  Kokura, Japan
- 年月日
  2010-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] エピタキシャルグラフェン/Tiテープを用いたSiO2/Si基板上への大面積グラフェン転写プロセス2010
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 橋本明弘, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚、日本
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE growth of InN on HOPG substrate2010
- 著者名/発表者名
  H.Kotake, Y.Shimotsuji, A.Yamamoto, A.Hashimoto
- 学会等名
  16^<th> Int.Conf.on Molecular Beam Epitaxy(MBE 2010)
- 発表場所
  Berlin, Germmany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A Breakthrough Toward Wafer-size bi-layer Graphene Transfer2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, K. Morita, S. Tanaka, H. Hibino
- 学会等名
  Abstracts of MRS 2009 Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE Growth on Vicinal Sapphire Substrate using Migration Enhanced Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Y. Shimotsuji, A. Yamamoto and A. Hashimoto
- 学会等名
  International Conference Nitride Semiconductors-8(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A Breakthrough Toward Wafer-size Bi-layer Graphene Transfer2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 寺崎博満, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  Abstracts of MRS 2009 Fall Meeting, Symp. L5.2
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Adducts formation in MOCVD growth of InAlN : Growth pressure dependence2009
- 著者名/発表者名
  M.Tanaka, M.Yamamoto, T.T.Kang, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 学会等名
  The 51st TMS Electronic Materials Conference
- 発表場所
  Pennsylvania, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] RF-MBE法によるHOPG基板上InN成長2009
- 著者名/発表者名
  小竹弘倫, 田畑裕行, 下辻康広, 山本〓勇, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Characterization of InN grown by Pt catalyst-assisted MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  K. Sasamoto, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of 8th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた転写グラフェン層のSiO_2基板上への大面積転写 (ラマン測定)2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 森田康平, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A breakthrough toward wafer-size bi-layer graphene transfer2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 寺崎博満, 森田康平, 日比野浩樹, 田中悟
- 学会等名
  Technical Digest of International Conference on Si & Related Materials 2009, (ICSCRM2009), Tu-P-86
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- 年月日
  2009-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] ZnO基板上m面GaN成長の低温MEEバッファ層による効果2009
- 著者名/発表者名
  下辻康広, 朴木博則, 田畑裕行, 山本〓勇, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] RF-MBE Growth on Vicinal Sapphire Substrate using Migration Enhanced Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  下辻康広, 山本嵩勇, 橋本明弘
- 学会等名
  Abstract book of 8th Int'1 Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8), ThP-32
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A breakthrough toward wafer-size bi-layer graphene transfer2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, K. Morita, H. Hibino and S. Tanaka
- 学会等名
  Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2009,(ICSCRM2009)
- 発表場所
  Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Step-graded Interlayers for the improvement of MOVPE InxGa1-xN (x ~ 0. 4) Epi-layer Quality2009
- 著者名/発表者名
  Md. R. Islam, Y. Ohmura, A. Hashimoto, A. Yamamoto, K. Kinoshita, Y. Koji
- 学会等名
  Abstract book of 8th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層転写過程のLEEM/AFM観察2009
- 著者名/発表者名
  森田康平, 寺崎博満, 塩島謙次, 田中悟, 日比野浩樹, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Double resonant Raman spectra of a large area epitaxial graphene transferred from vicinal Si-face SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki and S. Tanaka
- 学会等名
  Delegate Manual of 20th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(DIAMOND2009)
- 発表場所
  Athens, Greek
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A Breakthrough Toward Wafer-size bi-layer Graphene Transfer2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 寺崎博満, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  Abstracts of MRS 2009 Fall Meeting, Symp. L5.2
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Double resonant Raman spectra of a large area epitaxial graphene transferred from vicinal Si-face SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, S. Tanaka
- 学会等名
  Delegate Manual of 20th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (DIAMOND2009)
- 発表場所
  Athens, Greek
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層の転写法2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層の転写法2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 橋本明弘, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山、日本
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Double resonant Raman spectra of a large area epitaxial graphene transferred from vicinal Si-face SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 寺崎博満, 田中悟
- 学会等名
  Delegate Manual of 20th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (DIAMOND2009), O62
- 発表場所
  Athens, Greek
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Double resonant Raman spectra of a large area epitaxial graphene transferred from vicinal Si-face SiC substrate2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 寺崎博満, 田中悟
- 学会等名
  Delegate Manual of 20th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (DIAMOND2009), O62
- 発表場所
  Athens, Greek
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた転写グラフェン層のSiO_2基板上への大面積転写 (再転写手法)2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 森田康平, 田中悟, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A Breakthrough Toward Wafer-size bi-layer Graphene Transfer2009
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, K. Morita, S. Tanaka and H. Hibino
- 学会等名
  MRS 2009 Fall Meeting, Symp
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Pt catalyst-assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InN2009
- 著者名/発表者名
  K.Sasamoto, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 学会等名
  The 51st TMS Electronic Materials Conference
- 発表場所
  Pennsylvania, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] Recent Advances in InN-based Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  A.Yamamoto, Md R.Islam, T.- T.Kang, A.Hashimoto
- 学会等名
  Status and Challenges in InGaN and InAlN Solar Cells, European Materials Research Society 2009 Fall Meeting Warsaw
- 発表場所
  Poland(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] RF-MBE Growth on Vicinal Sapphire Substrate using Migration Enhanced Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  下辻康広, 山本嵩勇, 橋本明弘
- 学会等名
  Abstract book of 8th Int'l Conference of NitrideSemicon ductors (ICNS8), ThP-32
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE Growth on Vicinal Sapphire Substrate using Migration Enhanced Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  M. Yamamoto, Ting-Ting Kang, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of 8th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 転写されたSiC上エピタキシャルグラフェン層の層数・表面構造評価2009
- 著者名/発表者名
  上原直也, 寺崎博満, 森田康平, 塩島謙次, 日比野浩樹, 水野清義, 橋本明弘, 田中悟
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山、日本
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A breakthrough toward wafer-size bi-layer graphene transfer2009
- 著者名/発表者名
  橋本明弘, 寺崎博満, 森田康平, 日日比野浩樹, 田中悟
- 学会等名
  Technical Digest of International Conference on Silicon Cai Materials 2009, (ICSCRM2009), Tu-P-86 (Late News)
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- 年月日
  2009-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積転写グラフェン層の顕微ラマン散乱分光測定2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 橋本明弘, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山、日本
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  15th Int'l Conference on Molecular BeamEpitaxy (MBE2008), MP28
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Direct Measurements of Van der Waals Force in HOPG2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  2^<nd> Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008), P1-064
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2008-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  2^<nd> Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008), Oral B4-002
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2008-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE InN Growth on Step-ordered Off-angle Sapphire Substrates2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2008 (IWN2008), WS2a
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A breakthrough toward wafer-size bi-layer graphene transfer2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, K. Morita, H. Hibino, S. Tanaka
- 学会等名
  Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2009
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Elucidation of obstructing factors in improving MOVPE-grown InN quality2008
- 著者名/発表者名
  A. Yamamoto, K. Sugita, A. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Suitzerland
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] Step-flow Growth in Solid C_<60> Epitaχy on Graphene2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  19th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, a Nitrides, (DIAMOND2008)
- 発表場所
  Sitges, Spain
- 年月日
  2008-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Graphene/SiC上の固相C60薄膜のファンデルワールスエピタキシー2008
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部、船橋
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C60 Epitaxy on Graphene2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, A. Yamamoto, S. Tanaka
- 学会等名
  Program Book of 2nd Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] MBE法によるグラフェン/傾斜SiC基板上固相C60薄膜のステップフロー成長2008
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会, 5a-X-1
- 発表場所
  中部大学、愛知
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Λ study on near-field photoluminescence inhomogeneity in In-rich InAlN2008
- 著者名/発表者名
  T. T. Kang, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 発表場所
  Montreux Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] RF-MBE InN Growth on Step-ordered Off-angle Sapphire Substrates2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, S. Tanaka
- 学会等名
  Technical Digests of Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2008 (IWN2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A Study of Mg-doping Behavior of RF-MBE InN using Homo-junction Structure2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] RF-MBE法による高品質InN 用のテンプレートとしての微傾斜サファイア基板上のAIN成長2008
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会, 4a-CA-8
- 発表場所
  中部大学、愛知
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao H. Hohnoki, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract Book of 15th Int'l Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 傾斜SiC基板上エピクキシャルグラフェンの表面欠陥近傍の顕微ラマン分光測定2008
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会, 2p-R-10
- 発表場所
  中部大学、愛知
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Step-flow Growth in Solid C60 Epitaxy on Graphene2008
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, H. Terasaki, S. Tanaka
- 学会等名
  Delegate Manual of 19th Europian Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (DIAMOND2008)
- 発表場所
  Sitges, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Graphenen層の分子間力測定2008
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部、船橋
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A Study of Mg-doping Behavior of RF-MBE InN using Homo-junction Structure2008
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  15th Int'l Conference on Molecxilar Beam Epitaxy (MBE2008), MP25
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] New nitridation technique for mosaicity Control in RF-MBE InN Growth2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors(ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Transfer of Large Area Graphene Sheets from Carbonized 6H-SiC by a Direct Bonding Technique2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  Material Research Society(MRS)2007 Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
- 学会等名
  Extended Abstract of 17th Int'l Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A Trade-off Relation between Tilt and Twist Angle Fluctuations in InN Grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, A. Yamamoto, K. Iwao
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Low-temperature annealing effects of MOVPE InN : Improvement of photoluminescence properties (in Japanese)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  The 54th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Kanagawa, Japan
- 年月日
  2007-03-27
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] MOVPE GROWTH OF In-RICH InAlN FOR InAlN TANDEM SOLAR CELL2007
- 著者名/発表者名
  Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  17th Internatoinal Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 年月日
  2007-12-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] RF-MBE法で成長したInNにおけるサファイア基板二段階窒化の効果2007
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学、札幌
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Van der Waals Epitaxy of Solid Fullerene on Graphene Sheet2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of The 18th Europian Diamond and Related Mterials
- 発表場所
  Berlin
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Atmospheric-Pressure MOVPE Growth of In-Rich InAlN2007
- 著者名/発表者名
  Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A trade-off relation between tilt and twist angle fluctuations in lnN grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] Mosaicity Control of In-rich InGaN in RF-MBE Growth by Template Technique2007
- 著者名/発表者名
  K. Iwao, Y. Yamada, A. Yamamoto, A. Hashimoto
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Van der Waals Epitaxy of Solid Fullerene on Graphene Sheet2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  18th European conference on diamond, diamond-like materials, carbon nanotubes, and nitrides
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2007-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A new formation method of large area grapheme on SiO2/Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  18th European conference on diamond, diamond-like materials, carbon nanotubes, and nitrides
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2007-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] MOVPE growth of In-rich InAlN for InAlN tandem solar cell2007
- 著者名/発表者名
  Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
- 学会等名
  17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] MOVPE Growth and Mg-doping of InxGa1-xN (x~0. 4) for Tandem Solar Cell2007
- 著者名/発表者名
  M. Horie, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Extended Abstract of 17th Int'l Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Transfer of Large Area Graphene Sheets from Carbonized 6H-SiC by a Direct Bonding Technique2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yama- moto
- 学会等名
  Abstracts of MRS 2007 Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] SiO2/Si基板上への大面積グラフェン形成法2007
- 著者名/発表者名
  橋本明弘
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学、札幌
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Marked Improvements in Electrical and Optical Properties for MOVPE InN Annealed at a Low Temperature (~300 C) in O2 Atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-17)
- 発表場所
  福岡コンベンションセンター,福岡
- 年月日
  2007-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Status and substrate-related issues for MOVPE InN2007
- 著者名/発表者名
  A.Yamamoto, K.Sugita, A.Hashimoto
- 学会等名
  European Materials Research Society 2007 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069005
[学会発表] The Importanve of Reducing Strain for the Improvement of Crystalline Quality of MOVPE InN2007
- 著者名/発表者名
  K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Etching and Optical Deterioration of Nitrogen-Fa Face of Wultzite InN in NH3 Ambient2007
- 著者名/発表者名
  A. Yamamoto, K. Sugita, Y. Nagai, A. Hashimoto
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] New Nitridation Technique for Mosaicity Control in RF-MBE InN Growth2007
- 著者名/発表者名
  K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
- 学会等名
  Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Mosaicity control of In-rich InGaN in RF-MBE growth by template technique2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors(ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] GaInNAs Epitaxy for High Efficient Tandem Solar Cell by RF-MBE (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto
- 学会等名
  Abstracts of MBE-Taiwan 2007
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A New Formation Method of Large Area Graphene on SiO2/Si Substrate2007
- 著者名/発表者名
  A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yamamoto
- 学会等名
  Abstract book of The 18th Europian Diamond and Related Mterials
- 発表場所
  Berlin
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] A trade-off relation between tilt and twist angle fluctuations in InN grown by RF-MBE2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hashimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors(ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] MOVPE Growth of In-rich InAlN for InAlN Tandem Solar Cell2007
- 著者名/発表者名
  Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Extended Abstract of 17th Int'l Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] Mg-doping of MOVPE InN using CP_2Mg (LL) (in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, K. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  The 53th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2006-03-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] Mg-doping of MOVPE InN using CP_2Mg (L)"(in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, K. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  The 53th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2006-03-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] Adduct Formation of CP_2Mg with NH_3 in MOVPE Growth of Mg-doped InN2006
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2006-10-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] Crystalline quality of MOVPE InN grown on 3_c-SiC/Si(LLL) substrates(in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  M.S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
- 学会等名
  The 67th Fall Meeting of the Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Kusatsu, Japan
- 年月日
  2006-08-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] Characterization of MOVPE InN films grown on 3_c-SiC/Si(LLL) templates2006
- 著者名/発表者名
  M. S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2006-10-22
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] Metalorganic vapor phase epitaxial (MOVPE) growth of InN2005
- 著者名/発表者名
  A. Yamamoto, H. Miwa, A. Hashimoto
- 学会等名
  INTERNATIONAL CONFERENCE ON METALLURGICAL COATINGS AND THIN FILMS 2005
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2005-05-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] MOVPE growth of high quality InN on 3_c-SiC/Si(LLL) substrates(in Japanese)2005
- 著者名/発表者名
  M.S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
- 学会等名
  Technical Reports of the Institute of Electronics, Information and CommunicationEngineers
- 発表場所
  Fukui, Japan
- 年月日
  2005-11-13
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] "Mg-doping effects of MOVPE InN using CP_2Mg" (in Japanese)2005
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, K. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
- 学会等名
  Technical Reports of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
- 発表場所
  Fukui, Japan
- 年月日
  2005-11-13
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] "MOVPE growth of high quality InN on Si(LLL) substrates" (in Japanese)2005
- 著者名/発表者名
  M.S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y, Ito
- 学会等名
  The 67th Fall Meeting of the Japan Society of Applied Physics
- 発表場所
  Tokushima, Japan
- 年月日
  2005-09-09
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278
[学会発表] A comparative study on MOVPE InN films grow on 3c-SiC/Si(LLL) and sapphire substrates2005
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, M. S. Cho, N. Sawazaki, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
- 学会等名
  European Materials Research Society 2005 FALL MEETING
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2005-09-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560278

1. 山本あき勇 (90210517)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 86件
2. 塩島謙次 (70432151)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 9件
3. 葛原正明 (20377469)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 福井一俊 (80156752)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 田中悟 (80281640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
6. 小森文夫 (60170388)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 水野清義 (60229705)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. ANTON V.Visikovs (70449487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 稲垣祐次 (10335458)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 大久保貢 (80260561)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 大高眞人 (60108248)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 高岡英俊

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 牧野哲征

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

橋本 明弘 HASHIMOTO Akihiro

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

固相C_<60>及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

交互供給MBE法を用いたSi基板上へのInGaN結晶成長に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

橋本明弘 HASHIMOTO Akihiro