神戸宏 KANBE Hiroshi

研究者番号	10299373
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 高知工科大学, 名誉教授 2002年度 – 2006年度: 高知工科大学, 工学部, 教授 1999年度 – 2000年度: 高知工科大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用光学・量子光工学研究代表者以外金属物性 / 金属物性 / 表面界面物性
キーワード	研究代表者 InGaAs / ウェハーボンディング / ヘテロ接合 / アバランシフォトダイオード研究代表者以外 GaSb / イオン照射 / ボイド / 自己組織化 / GaN / TLM … もっと見る / FIB / ナノ構造 / 半導体 / 点欠陥 / イオンビーム / ナノセル / ナノファブリケイション / semiconductor / surface / nano fabrication / cellular structure / point defect / void / ion implantation / セル構造 / ナノテクノロジー / 照射損傷 / TEM / 表面 / ナノファブリケーション / セル状構造 / イオン注入 / Tetrahedral amorphous C / X-ray lens / MeV ion scattering / Widegap semiconductors / Contact resistivity / semiconductor interface / Metal / イオン散乱法 / 水素検出 / ダイヤモンド / GaN(チッ化ガリウム) / 金属-半導体界面 / 局所蛍光X線分析 / ガラスキャピラリー / 電子エミッター / テトラヘドラル・アモルファス・カーボン / カーボン系材料 / X線収束 / MeVイオン散乱法 / ワイドギャップ半導体 / 接触抵抗 / 半導体界面 / 金属 / InSb / 電子顕微鏡 / 半導体超微細化 / 格子間原子 / 原子空孔 / 格子欠陥隠す

点欠陥自己組織化現象を利用した半導体表面ナノセル形成法の確立
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
低温イオン注入による蜂の巣構造の形成-その機構の解明と微細構造形成法への応用
- 研究代表者
  
  谷脇雅文
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  高知工科大学
光通信用高性能Si基板ヘテロ接合アバランシフォトダイオード研究代表者
- 研究代表者
  
  神戸宏
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  高知工科大学
金属/ワイドギャップ半導体界面の研究
- 研究代表者
  
  成沢忠
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  高知工科大学

すべて 2013 2011 2010

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Kanbe, Masanori Tada, Takuya Kochigahama, Masafumi Taniwaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 1R ページ: 11201-11201
- DOI
  10.7567/jjap.52.011201
- NAID
  210000141720
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  H. Kanbe, M. Tada, T. Kochigahama and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- NAID
  210000141720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Pulsed laser excitation power dependence of photoluminescence peak energies in bulk ZnO2011
- 著者名/発表者名
  Giang T.Dang, Hiroshi Kanbe, Toshiyuki Kawaharamura, Masafumi Taniwaki
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 110 号: 8
- DOI
  10.1063/1.3653273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Water Bonding2010
- 著者名/発表者名
  H.Kanbe, M.Hirose, T.Ito, M.Taniwaki
- 雑誌名
  
  J.Electronic Materials
  
  巻: 39 ページ: 1248-1254
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[雑誌論文] Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding2010
- 著者名/発表者名
  H. Kanbe, M. Hirose, T. Ito and M. Taniwaki
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: Volume 39, Issue 8 ページ: 1248-1255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268
[学会発表] Photoluminescence mechanisms of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 K to 296 K2011
- 著者名/発表者名
  Giang T. Dang, Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
- 学会等名
  日本材料科学会四国支部第20回講演大会
- 発表場所
  高知工科大学
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360268

1. 谷脇雅文 (20133712)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
2. 義家敏正 (20124844)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 前町敏彦 (50399169)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 新田紀子 (80412443)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 徐ぎゅう (90273531)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 成沢忠 (30299383)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 八田章光 (50243184)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 佐藤裕樹 (20211948)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

神戸 宏 KANBE Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

点欠陥自己組織化現象を利用した半導体表面ナノセル形成法の確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超微細セル状表面構造を高機能デバイスに利用するための基礎的研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低温イオン注入による蜂の巣構造の形成-その機構の解明と微細構造形成法への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光通信用高性能Si基板ヘテロ接合アバランシフォトダイオード研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属/ワイドギャップ半導体界面の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Pulsed laser excitation power dependence of photoluminescence peak energies in bulk ZnO2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Water Bonding2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Photoluminescence mechanisms of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 K to 296 K2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

神戸宏 KANBE Hiroshi