清水博文 SHIMIZU Hirofumi

研究者番号	10318371
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 日本大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度: 日本大学, 工学部, 教授 2012年度: 日本大学, 工学部, 上席研究員 2008年度 – 2011年度: 日本大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者単結晶シリコン / 表面ポテンシャル / 金属不純物 / 酸化膜成長 / 金属誘起電荷 / フラットパネルディスプレイ / 結晶性評価 / 多結晶シリコン薄膜 / 表面光電圧 / 評価技術 / 作成 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る TFT / 多結晶Si薄膜 / 結晶性評価 / 薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン薄膜 / 表面光電圧隠す

ＳＰＶ法によるボトムゲート型ＴＦＴにおける多結晶Ｓｉ薄膜の結晶性評価技術の開発
- 研究代表者
  
  池田正則
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  日本大学
表面光電圧法によるフラットパネルディスプレイ用多結晶Si膜の結晶性評価技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  清水博文
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  日本大学

すべて 2013 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法2012
- 著者名/発表者名
  池田正則、清水博文、高松弘行、迫田尚和
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌C
  
  巻: J95-C ページ: 41-42
- NAID
  110009327414
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[雑誌論文] Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成2012
- 著者名/発表者名
  池田正則, 清水博文
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 33 ページ: 135-140
- NAID
  10030443347
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[雑誌論文] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011
- 著者名/発表者名
  池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
- 雑誌名
  
  日本大学工学部紀要第52巻,第2号
  
  ページ: 35-40
- NAID
  40018809666
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2011
- 著者名/発表者名
  H. Shimizu, S. Nagase, and M. Ikeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics A
  
  巻: 104 ページ: 929-934
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[雑誌論文] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011
- 著者名/発表者名
  池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 雑誌名
  
  日本大学工学部紀要
  
  巻: 52 ページ: 35-40
- NAID
  40018809666
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface2010
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, S.Shimada, S.Nagase, S.Muta, M.Ikeda
- 雑誌名
  
  J.Vac.and Technol. Vol.28
  
  ページ: 94-98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, S.Shimada, M.Ikeda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000068049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si(001)surface2010
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, S.Shimada, S.Nagase, S.Muta, M.Ikeda
- 雑誌名
  
  J.Vac.and Technol. 28
  
  ページ: 94-98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, S.Shimada, M.Ikeda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
  
  ページ: 38001-38001
- NAID
  210000068049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Characteristics of Sol-Gel-Derived and Crystallized HfO_2 Thin Films Dependent on Sol Solution2010
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, D.Nemoto, M.Ikeda, T.Nishide
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009
- 著者名/発表者名
  嶋田定剛,清水博文,池田正則
- 雑誌名
  
  日本大学工学部紀要第51巻,第1号
  
  ページ: 33-41
- NAID
  40016854754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009
- 著者名/発表者名
  嶋田定剛, 清水博文, 池田正則
- 雑誌名
  
  日本大学工学部紀要 51
  
  ページ: 33-41
- NAID
  40016854754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[雑誌論文] Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si (001) surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H.Shimizu, H.Wakashima, S.Shimada, T.Ishikawa, M.Ikeda
- 雑誌名
  
  Surface and Interface Analysis Vol.40
  
  ページ: 627-630
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2013
- 著者名/発表者名
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2013-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価2013
- 著者名/発表者名
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場(27P76)
- 年月日
  2013-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価2013
- 著者名/発表者名
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  会津大学(1C09)
- 年月日
  2013-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2012
- 著者名/発表者名
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  Cat-CVD研究会第9回研究集会
- 発表場所
  日本大学生産工学部(P-04)
- 年月日
  2012-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2012
- 著者名/発表者名
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
- 発表場所
  福島県ハイテクプラザ
- 年月日
  2012-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2012
- 著者名/発表者名
  池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2012
- 著者名/発表者名
  池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  平成23年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- 発表場所
  東北大学多元研(P-16)
- 年月日
  2012-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2012
- 著者名/発表者名
  葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  秋田県立大学本荘キャンパス(2H15)
- 年月日
  2012-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2011
- 著者名/発表者名
  池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  平成23年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  東北学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価2011
- 著者名/発表者名
  池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和
- 学会等名
  平成23年度電気関係学会東北支部
- 発表場所
  東北学院大学(2H12)
- 年月日
  2011-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊2011
- 著者名/発表者名
  眞田悠司, 清水博文, 池田正則
- 学会等名
  平成23年東北地区若手研究者研究発表会
- 発表場所
  仙台高等専門学校
- 年月日
  2011-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊2011
- 著者名/発表者名
  眞田悠司, 清水博文, 池田正則
- 学会等名
  平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
- 発表場所
  東北大学多元研
- 年月日
  2011-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したFe汚染n型Siの交流表面光電圧による金属誘起負電荷の評価2011
- 著者名/発表者名
  萩原寛幸, 加藤悟,清水博文, 池田正則
- 学会等名
  平成23年東北地区若手研究者研究発表会
- 発表場所
  仙台高等専門学校
- 年月日
  2011-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Photon-assisted surface photovoltage in thermally oxidized metal-contaminated n-type silicon wafers2010
- 著者名/発表者名
  清水博文
- 学会等名
  7^<th> International Conference on Photo-Excited Processes and Applications
- 発表場所
  Copenhagen and Sonderborg, Denmark
- 年月日
  2010-08-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Au析出したn型Si表面におけるショットキー障壁の形成と熱酸化による崩壊2010
- 著者名/発表者名
  眞田悠司(清水博文)
- 学会等名
  平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
- 発表場所
  東北大学多元研
- 年月日
  2010-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2010
- 著者名/発表者名
  池田正則(清水博文)
- 学会等名
  平成22年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  八戸工業大学
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 交流表面光電圧法による熱酸化したP汚染及びSb汚染p型Siにおける酸化膜電荷の評価2009
- 著者名/発表者名
  牟田壮志郎(清水博文)
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 交流表面光電圧法による熱酸化したFe汚染n型Siにおける酸化膜電荷の評価2009
- 著者名/発表者名
  大槻智大(清水博文)
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面におけるCrの挙動2009
- 著者名/発表者名
  長瀬慎太郎(清水博文)
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したCr汚染n型及びp型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価2009
- 著者名/発表者名
  長瀬慎太郎(清水博文)
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第64回学術講演会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したSb汚染p型Si(100)表面における酸化膜成長と酸化膜電荷の評価2009
- 著者名/発表者名
  牟田壮志郎(清水博文)
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第64回学術講演会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したFe汚染n型Si(100)表面における酸化膜負電荷の解析2009
- 著者名/発表者名
  大槻智大(清水博文)
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第64回学術講演会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 非接触SPV測定による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2009
- 著者名/発表者名
  池田正則(清水博文)
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響2008
- 著者名/発表者名
  牟田壮志郎(清水博文)
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第63回学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2008-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Formation and Collapse of Au/n-Si Schottky-Barrier Contact at the SiO_2/Si Interface and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized n-Si(001) Surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Shimizu
- 学会等名
  AVS 55^<th> International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  Boston, USA.
- 年月日
  2008-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Au故意汚染して熱酸化したn型Si(100)表面におけるAuの分布2008
- 著者名/発表者名
  長瀬慎太郎(清水博文)
- 学会等名
  平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2008-08-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 交流表面光電圧法によるn型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析2008
- 著者名/発表者名
  大槻智大(清水博文)
- 学会等名
  平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2008-08-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したFe故意汚染n型Si(100)表面におけるFe誘起酸化膜負電荷の解析2008
- 著者名/発表者名
  大槻智大(清水博文)
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第63回学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2008-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2008
- 著者名/発表者名
  池田正則(清水博文)
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Si(100)表面における熱酸化膜成長に及ぼすCrの影響2008
- 著者名/発表者名
  長瀬慎太郎(清水博文)
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第63回学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2008-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Auによるn型Si(100)表面における熱酸化膜成長の増速2008
- 著者名/発表者名
  牟田壮志郎(清水博文)
- 学会等名
  平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  日本大学工学部
- 年月日
  2008-08-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] Formation and Collapse of Au/n-Si Schottky-Barrier Contact at the SiO_2/Si Interface and Oxidation Kinetics in Au-Contaminated and Thermally Oxidized n-Si(001) Surfaces2008
- 著者名/発表者名
  清水博文
- 学会等名
  AVS 55^<th> International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動(その2)2008
- 著者名/発表者名
  嶋田定剛(清水博文)
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560308
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- 著者名/発表者名
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  Cat-CVD研究会第9回研究集会
- 発表場所
  日本大学生産工学部
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- 著者名/発表者名
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  福島県ハイテクプラザ研究成果発表会
- 発表場所
  福島県ハイテクプラザ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価
- 著者名/発表者名
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  平成25年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  会津大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価
- 著者名/発表者名
  板野純希，清水博文，池田正則
- 学会等名
  平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  秋田県立大学本荘キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価
- 著者名/発表者名
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  日本表面科学会第33回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- 著者名/発表者名
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  平成24年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会
- 発表場所
  日本大学工学部
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372
[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- 著者名/発表者名
  葛生一馬，池田正則，清水博文，高松弘行，迫田尚和
- 学会等名
  平成24年度電気関係学会東北支部連合大会
- 発表場所
  秋田県立大学本荘キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560372

1. 池田正則 (10222902)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 36件

清水 博文 SHIMIZU Hirofumi

研究課題

研究成果

共同研究者

ＳＰＶ法によるボトムゲート型ＴＦＴにおける多結晶Ｓｉ薄膜の結晶性評価技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面光電圧法によるフラットパネルディスプレイ用多結晶Si膜の結晶性評価技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2011

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface2010

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[雑誌論文] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010

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[雑誌論文] Irregular Au profile on the SiO_2 surface and at the SiO_2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si(001)surface2010

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[雑誌論文] Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers2010

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[雑誌論文] Characteristics of Sol-Gel-Derived and Crystallized HfO_2 Thin Films Dependent on Sol Solution2010

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[雑誌論文] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009

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[雑誌論文] Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析2009

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[雑誌論文] Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si (001) surfaces2008

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[学会発表] 表面光電圧法を用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価2013

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発表場所

清水博文 SHIMIZU Hirofumi