堤井君元 Teii Kungen

研究者番号	10335995
所属 (現在)	2025年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2014年度 – 2020年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2015年度: 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 2011年度: 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 准教授 2011年度: 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 … もっと見る 2008年度: 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 准教授 2007年度 – 2008年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2006年度: 九大, 総合理工学研究科(研究院), 助教授 2005年度: 九州大学, 大学院総合理工学研究院, 助教授 2002年度 – 2003年度: 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者無機材料・物性 / 小区分26020:無機材料および物性関連 / 材料加工・組織制御工学 / 材料加工・処理 / プラズマ科学 / プラズマ理工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者プラズマ加工 / 半導体 / 材料加工・処理 / ドーピング / 先端機能デバイス / ラジカル / ダイヤモンド / 薄膜 / プラズマ / パワー半導体 … もっと見る / プラズマCVD / 金属生産工学 / 結晶成長 / パルスパワー / 電子・電気材料 / 半導体物性 / CVD / 粒界 / 電子デバイス / ナノ粒子 / カーボン材料 / 新エネルギー / ナノ材料 / 半導体超微細化 / 高分子 / 質量分析 / エッチング … もっと見る研究代表者以外マイクロ波 / ナノ結晶 / SiC / CVD / ダイヤモンド / 電気・電子材料 / ＳｉＣ / マイクロ波プラズマＣＶＤ / ナノ結晶ダイヤモンド / シリコンカーバイド / 結晶成長 / 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) 隠す

高品質窒化ホウ素半導体への表面ドーピング研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分26020:無機材料および物性関連
- 研究機関
  九州大学
高品質窒化ホウ素半導体へのin-situドーピング研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  九州大学
溶融半導体中パルス放電の生成と結晶成長への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  材料加工・組織制御工学
- 研究機関
  九州大学
高品質窒化ホウ素半導体の電気伝導特性制御と高温高出力素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  九州大学
溶融半導体中パルス放電の生成と結晶成長への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  九州大学
SiCバッファー層を用いたSi基板上へのダイヤモンド薄膜の成長
- 研究代表者
  
  加藤喜峰
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州大学
超低損失デバイス用n型ナノダイヤモンド薄膜の粒界伝導制御と性能評価研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  九州大学
プラズマ―容器壁相互作用による中性高次分子の発生機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ科学
- 研究機関
  九州大学
半導体プロセスにおける中性高次分子計測用電子付着質量分析法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  堤井君元
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ理工学
- 研究機関
  九州大学

すべて 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Fabrication of 4H-SiC/nanocrystalline diamond pn junctions2012
- 著者名/発表者名
  Ryo Amano, Masaki Goto, Yoshimine Kato, Kungen Teii
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 1009-1012
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Fabrication of 4H-SiC/nanocrystalline diamond pn junctions2012
- 著者名/発表者名
  Ryo Amano, Masaki Goto, Yoshimine Kato, and Kungen Teii
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.717-720 ページ: 1009-1012
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization2011
- 著者名/発表者名
  Yoshimine Kato, Masaki Goto, Ryota Sato, Kazuhiro Yamada, Akira Koga, Kungen Teii, Chenda Srey, Satoru Tanaka
- 雑誌名
  
  Surface & Coatings Technology
  
  巻: 206 ページ: 990-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Fabrication of n-type nanocrystalline diamond/3C-SiC/p-Si(001) junctions2011
- 著者名/発表者名
  M. Goto, A. Koga, K. Yamada, Y. Kato, and K. Teii
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.679-680 ページ: 524-527
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization2011
- 著者名/発表者名
  Yoshimine Kato, Masaki Goto, Ryota Sato, Kazuhiro Yamada, Akira Koga, Kungen Teii, Chenda Srey, and Satoru Tanaka
- 雑誌名
  
  Surface & Coatings Technology
  
  巻: Vol. 206 ページ: 990-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Fabrication of n-type nanocrystalline diamond/3C-SiC/p-Si(001) junctions2011
- 著者名/発表者名
  M.Goto, A.Koga, K.Yamada, Y.Kato, K.Teii
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum.
  
  巻: 679-680 ページ: 524-527
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Growth and electrical properties of 3C-SiC/nanocrystalline diamond layered films2011
- 著者名/発表者名
  Akira KOGA, Kungen TEII, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA Yoshimine KATO
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000138243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Growth and electrical properties of 3C-SiC/nanocrystalline diamond layered films2011
- 著者名/発表者名
  Akira KOGA, Kungen TEII, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA, and Yoshimine KATO
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol. 50, No.1
- NAID
  210000138243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[雑誌論文] Origin of reverse leakage current in n-type nanocrystalline diamond/p-type silicon heterojunction diodes2009
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda and K. Teii
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.94, 072104
  
  ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Origin of Low Threshold Field Emission from Nitrogen-Incorporated Na nocrystalline Diamond Films2009
- 著者名/発表者名
  T.Ikeda, K.Teii
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 94 ページ: 143102-143102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Origin of Reverse Leakage Current in n-Type Nanocrystalline Diamond/p-Type Silicon Heterojunction Diodes2009
- 著者名/発表者名
  T.Ikeda, K.Teii
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 94 ページ: 72104-72104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Origin of low threshold field emission from nitrogen-incorporated nanocrystalline diamond films2009
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda and K. Teii
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 94, 143102
  
  ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Effect of the Sp^2 Carbon Phase on n-Type Conduction in Nanodiamond Films2008
- 著者名/発表者名
  T.Ikeda, K.Teii, C.Casiraghi, J.Robertson, A.C.Ferrari
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 104 ページ: 73720-73720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] ナノダイヤモンド膜の形成機構と電気伝導特性2008
- 著者名/発表者名
  池田知弘, 堤井君元
- 雑誌名
  
  電気学会プラズマ研究会資料 PST-08-66
  
  ページ: 47-51
- NAID
  10025667180
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Effect of the sp2 carbon phase on n-type conduction in nanodiamond films2008
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, K. Teii, C. Casiraghi, J. Robertson, A.C. Ferrari
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol.104, 073720
  
  ページ: 1-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Phase control and electrical properties of undoped and nitrogen-doped nanodiamond films deposited from Ar-rich microwave plasmas2007
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, K. Takeguchi, K. Teii
- 雑誌名
  
  Proceedings of 18th International Symposium on Plasma Chemistry 27P-16(CD-ROM)
  
  ページ: 1-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Phase control and electrical properties of undoped and nitrogen-doped nanodiamond films deposited from Ar-rich microwave plasmas2007
- 著者名/発表者名
  T.Ikeda, K.Takeguchi, K.Teii
- 雑誌名
  
  Proceedings of 18th International Symposium on Plasma Chemistry 27P-16
  
  ページ: 1-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Conductive and resistive nanocrystalline diamond films studied by Raman spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  K.Teii, T.Ikeda
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials 16
  
  ページ: 753-756
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Conductive and resistive nanocrystalline diamond films studied by Raman spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  K. Teii and T. Ikeda
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials Vol.16
  
  ページ: 753-756
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[雑誌論文] Comparative study on nanocrystalline diamond growth from acetylene and methane2006
- 著者名/発表者名
  T.Ikeda, K.Teii
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials 15(in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17740368
[雑誌論文] Effect of hydrogen plasma exposure on the amount of trans-polyacetylene in nanocrystalline diamond films2006
- 著者名/発表者名
  K.Teii et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology B 25
  
  ページ: 263-266
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17740368
[産業財産権] プラズマCVD法を用いたナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の形成方法2007
- 発明者名
  堤井君元、池田知弘
- 権利者名
  九州大学
- 産業財産権番号
  2007-239742
- 出願年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[産業財産権] プラズマCVD法を用いたナノダイヤモンド/アモルファスカーボン複合膜の形成方法2007
- 発明者名
  堤井君元, 池田知弘
- 権利者名
  九州大学
- 産業財産権番号
  2007-239742
- 出願年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] ナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極特性2013
- 著者名/発表者名
  下田尚孝、加藤喜峰、堤井君元
- 学会等名
  日本金属学会他九州支部平成25年度合同学術講演会
- 発表場所
  熊本県民交流館パレア
- 年月日
  2013-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] Electrical Characteristics of 4H-SiC/Nanocrystalline Diamond pn Junctions2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, M. Goto, R. Amano, N. Shimoda, and K. Teii
- 学会等名
  Diamond and Carbon Materials 2012
- 発表場所
  Spain, Granada
- 年月日
  2012-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] 高温時におけるナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極の特性2012
- 著者名/発表者名
  下田尚孝、天野僚、加藤喜峰、堤井君元
- 学会等名
  日本金属学会他九州支部平成24年度合同学術講演会
- 発表場所
  北九州国際会議場
- 年月日
  2012-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] p型4H‐SiC/n型ナノクリスタルダイヤモンドダイオードの高温動作2012
- 著者名/発表者名
  天野僚 ,五島正基,下田尚孝, 加藤喜峰,堤井君元
- 学会等名
  第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- 年月日
  2012-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] 半導体基板上へのナノダイヤモンド成膜とダイオード特性に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  天野僚 ,五島正基,加藤喜峰,堤井君元
- 学会等名
  日本金属学会他九州支部平23年度合同学術講演会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2011-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] Fabrication and characterization of Si/ and SiC/nanocrystalline diamond pn junctions2011
- 著者名/発表者名
  Masaki Goto, Ryo Amano, Yoshimine Kato, Kungen Teii
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011)
- 発表場所
  Cleveland, Ohio, USA
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] マイクロ波プラズマCVD法によるSi/SiC/NCD膜の成長及び評価2010
- 著者名/発表者名
  五島正基、古閑彰、加藤喜峰、堤井君元
- 学会等名
  日本金属学会他九州支部平22年度合同学術講演会
- 発表場所
  熊本県、熊本大学
- 年月日
  2010-06-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] Growth of 3C-SiC/nanocrystalline diamond films on Si (001) by microwave plasma-assisted carbonization and deposition2010
- 著者名/発表者名
  Yoshimine KATO, Akira KOGA, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA, Kungen TEII
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 8th)
- 発表場所
  Oslo, Norway
- 年月日
  2010-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] マイクロ波プラズマCVD法を用いたp-Si上の3C-SiC/n型ナノクリスタルダイヤモンド薄膜の成長2010
- 著者名/発表者名
  五島正基, 古閑彰, 山田和広, 加藤喜峰, 堤井君元
- 学会等名
  平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] Growth of 3C-SiC/nanocrystalline diamond films on Si (001) by microwave plasma-assisted carbonization and deposition2010
- 著者名/発表者名
  Yoshimine KATO, Akira KOGA, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA, Kungen TEII
- 学会等名
  8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  ノルウェー、Sundvolden
- 年月日
  2010-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] マイクロ波プラズマCVD法によるSi/SiC/NCD膜の成長及び評価2010
- 著者名/発表者名
  五島正基、古閑彰、加藤喜峰、堤井君元
- 学会等名
  日本金属学会他九州支部平22年度合同学術講演会
- 発表場所
  熊本大学
- 年月日
  2010-06-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] マイクロ波プラズマCVD法を用いたp-Si上の3C-SiC/n型ナノクリスタルダイヤモンド薄膜の成長2010
- 著者名/発表者名
  五島正基, 古閑彰, 山田和広, 加藤喜峰, 堤井君元
- 学会等名
  平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  福岡県、九州大学
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] SiC and nanocrystalline diamond coating on Si substrates fabricated by microwave plasma CVD2009
- 著者名/発表者名
  Yoshimine Kato, Tomohiko Horikawa, Tomohiro Ikeda, and Kungen Teii
- 学会等名
  International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams -SMMIB2009-
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] n型ナノダイヤモンド膜の形成と電気特性評価2009
- 著者名/発表者名
  池田知弘, 堤井君元
- 学会等名
  第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  愛知
- 年月日
  2009-02-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] ナノダイヤモンド薄膜の成長機構とn型伝導特性2008
- 著者名/発表者名
  池田知弘, 堤井君元
- 学会等名
  第25回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  山口
- 年月日
  2008-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] ナノダイヤモンド膜の形成機構と電気伝導特性2008
- 著者名/発表者名
  池田知弘, 堤井君元
- 学会等名
  電気学会プラズマ研究会
- 発表場所
  宮城
- 年月日
  2008-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] ナノダイヤモンド/シリコンヘテロ接合ダイオードの電気特性評価2008
- 著者名/発表者名
  池田知弘、堤井君元
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] ナノダイヤモンド膜の形成機構と電気伝導特性2008
- 著者名/発表者名
  池田知弘、堤井君元
- 学会等名
  電気学会プラズマ研究会
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] Optimization of electron transport properties for fabrication of pn diodes using n-type nanodiamond films2008
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda and K. Teii
- 学会等名
  19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
- 発表場所
  Sitges, Spain
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] Optimization of Electron Transport Properties for Fabrication of pn Diodes Using n-Type Nanodiamond Films2008
- 著者名/発表者名
  T.Ikeda, K.Teii
- 学会等名
  19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides
- 発表場所
  シッチェス、スペイン
- 年月日
  2008-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] ナノダイヤモンド/シリコンヘテロ接合ダイオードの電気特性評価2008
- 著者名/発表者名
  池田知弘, 堤井君元
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] Effect of sp^2 carbon phase on electrical properties of nitrogen-doped nanodiamond films2007
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda and K. Teii
- 学会等名
  6th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] Phase control and electrical properties of undoped and nitrogen-doped nanodiamond films deposited from Ar-rich microwave plasmas2007
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, K. Takeguchi, K. Teii
- 学会等名
  18th International Symposium on Plasma Chemistry
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2007-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] Transition from semiconducting to quasimetallic behaviour in nitrogen-doped nanodiamond films2007
- 著者名/発表者名
  池田知弘、堤井君元
- 学会等名
  18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
- 発表場所
  ベルリン
- 年月日
  2007-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] Transition from semiconducting to quasimetallic behaviour in nitrogen-doped nanodiamond films2007
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda and K. Teii
- 学会等名
  18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2007-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560678
[学会発表] 高温時におけるナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極の特性
- 著者名/発表者名
  下田　尚孝、天野　僚、加藤　喜峰、堤井　君元
- 学会等名
  日本金属学会他九州支部　平24年度合同学術講演会
- 発表場所
  北九州国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334
[学会発表] p型4H‐SiC／n型ナノクリスタルダイヤモンドダイオードの高温動作
- 著者名/発表者名
  天野　僚，五島　正基，下田尚孝, 加藤　喜峰，堤井　君元
- 学会等名
  第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560334

1. 加藤喜峰 (60380573)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
2. 岡田勝行 (10354432)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 松本精一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

堤井 君元 Teii Kungen

研究課題

研究成果

共同研究者

高品質窒化ホウ素半導体への表面ドーピング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高品質窒化ホウ素半導体へのin-situドーピング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

溶融半導体中パルス放電の生成と結晶成長への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質窒化ホウ素半導体の電気伝導特性制御と高温高出力素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

溶融半導体中パルス放電の生成と結晶成長への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiCバッファー層を用いたSi基板上へのダイヤモンド薄膜の成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失デバイス用n型ナノダイヤモンド薄膜の粒界伝導制御と性能評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマ―容器壁相互作用による中性高次分子の発生機構に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体プロセスにおける中性高次分子計測用電子付着質量分析法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Fabrication of 4H-SiC/nanocrystalline diamond pn junctions2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Fabrication of 4H-SiC/nanocrystalline diamond pn junctions2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Fabrication of n-type nanocrystalline diamond/3C-SiC/p-Si(001) junctions2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of epitaxial 3C-SiC layers by microwave plasma-assisted carbonization2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Fabrication of n-type nanocrystalline diamond/3C-SiC/p-Si(001) junctions2011

著者名/発表者名

堤井君元 Teii Kungen