澤彰仁 Sawa Akihito

研究者番号	10357171
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2020年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 2018年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 副研究部門長 2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 副研究部門長 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究グループ長 2011年度 – 2012年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究グループ長 2010年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究グループ長
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 薄膜・表面界面物性 / 無機材料・物性 / 理工系
キーワード	研究代表者表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 強相関エレクトロニクス / セラミックス / トンネル接合 / 酸化物エレクトロニクス / 表面・界面 / 強相関電子系 / 超格子

ハフニア系強誘電トンネル接合による人工シナプスの実現に向けた素子技術基盤の構築研究代表者
- 研究代表者
  
  澤彰仁
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
強誘電性と導電性の共存を利用した強誘電抵抗スイッチングの物理的機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  澤彰仁
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
強相関酸化物ヘテロ界面における新奇な界面電子状態の物理的機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  澤彰仁
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
強相関遷移金属酸化物の酸素欠陥による電子物性変化と電場制御に関る研究研究代表者
- 研究代表者
  
  澤彰仁
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2020 2019 2018 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Spike-shape dependence of the spike-timing dependent synaptic plasticity in ferroelectric-tunnel-junction synapses2019
- 著者名/発表者名
  Stoliar P.、Yamada H.、Toyosaki Y.、Sawa A.
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 17740-17740
- DOI
  10.1038/s41598-019-54215-w
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21083, KAKENHI-PROJECT-18H01484, KAKENHI-PROJECT-18H01879
[雑誌論文] Growth and ferroelectric properties of yttrium-doped hafnium oxide/indium-tin oxide polycrystalline heterostructures with sharp and uniform interfaces2018
- 著者名/発表者名
  Yamada Hiroyuki、Toyosaki Yoshikiyo、Sawa Akihito
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 124 号: 10 ページ: 105305-105305
- DOI
  10.1063/1.5046866
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03686, KAKENHI-PROJECT-18H01484, KAKENHI-PROJECT-18H01879
[雑誌論文] Coherent Epitaxy of a Ferroelectric Heterostructure on a Trilayered Buffer for Integration into Silicon2016
- 著者名/発表者名
  H. Yamada, Y. Toyosaki, A. Sawa
- 雑誌名
  
  Advanced Electronic Materials
  
  巻: 2 号: 4
- DOI
  10.1002/aelm.201500334
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02113, KAKENHI-PROJECT-26286055
[雑誌論文] Strong Surface-Termination Effect on Electroresistance in Ferroelectric Tunnel Junctions2015
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Yamada, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masaki Kobayashi, Takuro Nagai, Yoshikiyo Toyosaki, Hiroshi Kumigashira, and Akihito Sawa
- 雑誌名
  
  Advanced Functional Material
  
  巻: - 号: 18 ページ: 1-7
- DOI
  10.1002/adfm.201500371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26870843, KAKENHI-PROJECT-15H02113, KAKENHI-PROJECT-25287095, KAKENHI-PROJECT-26286055
[雑誌論文] Ca doping dependence of resistive switching characteristics in ferroelectric capacitors comprising Ca-doped BiFeO32015
- 著者名/発表者名
  Liang Liu, Atsushi Tsurumaki-Fuckuchi, Hiroyuki Yamada, Akihito Sawa
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 118 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4936308
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[雑誌論文] 界面抵抗変化型不揮発性メモリ2014
- 著者名/発表者名
  澤彰仁, 福地厚, Liang Liu, 浅沼周太郎, 山田浩之
- 雑誌名
  
  応用電子物性分科会誌
  
  巻: 20 ページ: 143-148
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[雑誌論文] Modeling of Hysteretic Schottky Diode-Like Conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 Switches2014
- 著者名/発表者名
  Enrique Miranda, David Jimenez, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Julio Blasco, Hiroyuki Yamada, Jordi Sune, Akihito Sawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 8
- DOI
  10.1063/1.4894116
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[雑誌論文] Electrolyte-gated SmCoO3 thin-film transistors exhibiting thickness-dependent large switching ratio at room temperature2013
- 著者名/発表者名
  P. -H. Xiang, S. Asanuma, H. Yamada, H. Sato, I. H. Inoue, H. Akoh, A. Sawa, M. Kawasaki, Y. Iwasa
- 雑誌名
  
  Advanced Materials
  
  巻: 25 号: 15 ページ: 2158-2161
- DOI
  10.1002/adma.201204505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13F03502, KAKENHI-PROJECT-22360280, KAKENHI-PROJECT-24226002, KAKENHI-PROJECT-24244062, KAKENHI-PROJECT-24760557
[雑誌論文] Phase diagrams of strained Ca1-xCexMnO3 films2012
- 著者名/発表者名
  P.-H. Xiang, H. Yamada, H. Akoh, and A. Sawa
- 雑誌名
  
  Journal Applied Physics
  
  巻: 112 号: 11 ページ: 113703-113703
- DOI
  10.1063/1.4768198
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280, KAKENHI-PROJECT-24760557
[雑誌論文] Impact of Bi Deficiencies on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics Observed at p-Type Schottky-Like Pt/Bi_<1->FeO_3 Interfaces2012
- 著者名/発表者名
  A. Tsurumaki, H. Yamada, and A. Sawa
- 雑誌名
  
  Advanced Functional Materials
  
  巻: 22 号: 5 ページ: 1040-1047
- DOI
  10.1002/adfm.201102883
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[雑誌論文] Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces2012
- 著者名/発表者名
  A. Tsurumaki-Fukuchi, H. Yamada, and A. Sawa
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1430 ページ: 1-6
- DOI
  10.1557/opl.2012.933
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[雑誌論文] Strain-Mediated Phase Control and Electrolyte-Gating of Electron-Doped Manganites2011
- 著者名/発表者名
  P.H.Xiang, S.Asanuma, H.Yamada, I.H. Inoue, H.Sato, H.Akoh, A.Sawa, K.Ueno, H.T.Yuan, H.Shimotani, M.Kawasaki, Y.Iwasa
- 雑誌名
  
  Advanced Materials
  
  巻: 23 号: 48 ページ: 5822-5827
- DOI
  10.1002/adma.201102968
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21224009, KAKENHI-PROJECT-21560707, KAKENHI-PUBLICLY-22015012, KAKENHI-PROJECT-22360280, KAKENHI-PROJECT-23656011
[雑誌論文] Suppression of Precipitates in the La2-xSrxCuO4 Films Grown on LaSrA104 Substrates by Introducing Homoepitaxial Layer2011
- 著者名/発表者名
  Li Bing-Sheng, Akihito Sawa, Hiroshi Okamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 9R ページ: 093101-093101
- DOI
  10.1143/jjap.50.093101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[雑誌論文] Tuning of the metal-insulator transition in electrolyte-gated NdNiO_3 thin films2010
- 著者名/発表者名
  S. Asanuma, P.-H. Xiang, H. Yamada, H. Sato, I. H. Inoue, H. Akoh, A. Sawa, K. Ueno, H. Shimotani, H. Yuan, M. Kawasaki, and Y. Iwasa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97巻号: 14
- DOI
  10.1063/1.3496458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560707, KAKENHI-PROJECT-22360280
[産業財産権] トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子2020
- 発明者名
  山田浩之, 澤彰仁
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-193011
- 取得年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[産業財産権] 不揮発性メモリ素子2019
- 発明者名
  山田浩之, 澤彰仁
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-001745
- 取得年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[産業財産権] トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子2016
- 発明者名
  澤彰仁, 山田浩之
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2016-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] 酸化物界面物性と電子デバイス応用2019
- 著者名/発表者名
  澤彰仁，山田浩之
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01484
[学会発表] BaTiO3-FTJの抵抗変化メモリ効果とシナプス応用2019
- 著者名/発表者名
  澤彰仁，山田浩之， Stoliar Pablo, 豊崎喜精
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01484
[学会発表] Highly Stable Artificial STDP Synapse Based on Oxide FET2018
- 著者名/発表者名
  Stoliar Pablo、Schulman Alejandro、鬼頭愛、澤彰仁、井上公
- 学会等名
  5th International Workshop on Complex Oxides
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01484
[学会発表] Effects of Interfaces and Electrode Materials on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics2018
- 著者名/発表者名
  澤彰仁，山田浩之，豊崎喜精, Stoliar Pablo
- 学会等名
  18th IEEE Non‐Volatile Memory Technology Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01484
[学会発表] Nonvolatile resistive switching memories based on ferroelectric tunnel junctions2018
- 著者名/発表者名
  澤彰仁、豊崎喜精、山田浩之
- 学会等名
  International Conference on Nanoelectronics Strategy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01484
[学会発表] 強誘電トンネル接合におけるナノスケール界面キャラクタリゼーション2016
- 著者名/発表者名
  山田浩之, 福地厚, 小林正起, 長井拓郎, 豊崎喜精, 組頭広志, 澤彰仁
- 学会等名
  共用・計測合同シンポジウム 2016「先端計測の開発と共用のシナジーによるイノベーション」
- 発表場所
  （国研）物質・材料研究機構　（茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-03-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Ferroelectric Resistive Switching Memories on Silicon2016
- 著者名/発表者名
  澤彰仁，山田浩之，豊崎喜精
- 学会等名
  16th IEEE Non‐Volatile Memory Technology Symposium
- 発表場所
  ピッツバーグ（アメリカ合衆国）
- 年月日
  2016-10-17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] 強誘電トンネル接合の抵抗スイッチング現象と不揮発性メモリ応用2016
- 著者名/発表者名
  澤彰仁、山田浩之、福地厚
- 学会等名
  日本物理学会2016年秋季大会
- 発表場所
  金沢大学（石川県金沢市）
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Impact of surface termination on resistive switching properties of BaTiO3-based ferroelectric tunnel junctions2016
- 著者名/発表者名
  澤彰仁、福地厚、豊崎喜精、山田浩之
- 学会等名
  4th Workshop on Complex Oxides
- 発表場所
  ポルクロール (フランス)
- 年月日
  2016-06-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Nonvolatile resistive switching in interface-engineered ferroelectric junctions2016
- 著者名/発表者名
  澤彰仁，福地厚, 豊崎喜精，山田浩之
- 学会等名
  CIMTEC 2016, 5th International Conference Smart and Multifunctional Materials, Structures and Systems
- 発表場所
  ペルージャ（イタリア）
- 年月日
  2016-06-05
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Strong Surface termination effect on electroresistance in ferroelectric tunnel junctions2015
- 著者名/発表者名
  山田浩之, 福地厚, 小林正起, 長井拓郎, 豊崎喜精, 組頭広志, 澤彰仁
- 学会等名
  International Workshop on Oxide Electronics (WOE22)
- 発表場所
  パリ（フランス）
- 年月日
  2015-10-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Resistive Switching in Ferroelectric Junctions with Engineered Interfaces2015
- 著者名/発表者名
  澤彰仁, 福地厚, 豊崎喜精, 山田浩之
- 学会等名
  2015 Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  ボストン (アメリカ合衆国)
- 年月日
  2015-11-29
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Impact of Interface Structures on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics2015
- 著者名/発表者名
  澤彰仁, 福地厚, 豊崎喜精, 山田浩之
- 学会等名
  15th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2015)
- 発表場所
  北京（中国）
- 年月日
  2015-10-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] 界面抵抗変化型不揮発性メモリ2014
- 著者名/発表者名
  澤彰仁, 福地厚, Liang Liu, 浅沼周太郎, 山田浩之
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「次世代不揮発性メモリの最前線」
- 発表場所
  首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス（東京）
- 年月日
  2014-10-21
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Ferroelectric Resistive Switching at Schottky-like BiFeO3 interfaces2012
- 著者名/発表者名
  A. Sawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, and H. Yamada
- 学会等名
  Nature Conference "Frontiers in Electronic Materials"
- 発表場所
  Aachen, Germany
- 年月日
  2012-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] モットトランジスタ2012
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  65回日本半導体技術ロードマップ(STRJ)ワーキングWG12会合
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] Pt/BiFeO3界面の抵抗スイッチング効果と界面電子状態2012
- 著者名/発表者名
  鶴巻厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Resistive switching memory consisting of ferroelectric oxides2012
- 著者名/発表者名
  A. Sawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, and H. Yamada
- 学会等名
  New Non-Volatile Memory Workshop 2012
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- 年月日
  2012-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Resistance Change Memory consisting of ferroelectric oxides2012
- 著者名/発表者名
  A. Sawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, and H. Yamada
- 学会等名
  9th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology
- 発表場所
  Saratoga Spring, NY, USA
- 年月日
  2012-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Electron-doped Perovskite Manganite Films2011
- 著者名/発表者名
  山田浩之、向平華、澤彰仁
- 学会等名
  International School of Oxide Electronics 2011
- 発表場所
  Cargese (Corsica, France)
- 年月日
  2011-10-13
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] BiFeO3薄膜の強誘電分極とショットキー的界面を用いた抵抗変化メモリ2011
- 著者名/発表者名
  鶴巻厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Resistive switching based on ferroelectric polarization reversal at Schottky-like interfaces of BiFeO3 thin films2011
- 著者名/発表者名
  鶴巻厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  18th International Workshop on Oxide Electronics
- 発表場所
  Marriot Napa Valley (Napa Valley, USA)
- 年月日
  2011-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Electric-Field Control of Electronic Phases in Correlated Electron Oxides2011
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  2011 FIRST-QS2C Workshop on Emergent Phenomena of Correlated Materials
- 発表場所
  ANAインターコンチネンタル万座ビーチリゾート(沖縄県)
- 年月日
  2011-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] BiFeO_3薄膜における分極誘起抵抗スイッチング2011
- 著者名/発表者名
  鶴巻厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Insulator-to-Metal Transition in Manganite by Electric Double Layer Gating2011
- 著者名/発表者名
  向平華、浅沼周太郎、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穂博司、澤彰仁、上野和紀、Yuan Hongtao、下谷秀和、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  18th International Workshop on Oxide Electronics
- 発表場所
  Marriot Napa Valley (Napa Valley, USA)
- 年月日
  2011-09-26
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] 巨大磁気抵抗効果を示す人工超格子(LaMnO_3)_2(SrMnO_3)_2の構造物性研究2011
- 著者名/発表者名
  中尾裕則、山田浩之、岩佐和晃、山崎裕一、村上洋一、澤彰仁
- 学会等名
  日本物理学会第66回年次大会
- 発表場所
  新潟大学(新潟県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] 電気二重層FETによる(Nd,Sm)NiO3の室温での電子相制御2011
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、向平華、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穂博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Bipolar resistive switching at rectifying oxide interfaces2011
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  2011 International Symposium on Next Generation Tera-bit Memory Technology
- 発表場所
  Hanyang University (Seoul, Korea)(招待講演)
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Control of electronic phases in electrolyte-gated (Nd,Sm)NiO3 thin film at room temperature2011
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、向平華、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穂博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  18th International Workshop on Oxide Electronics
- 発表場所
  Marriot Napa Valley (Napa Valley, USA)
- 年月日
  2011-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Strain-Mediated Phase Control in Electron-Doped Manganites2011
- 著者名/発表者名
  向平華、山田浩之、赤穂博司、澤彰仁
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] A possible model of resistive switching mechanism in Ti/Pr_<0.5>Ca_<0.5>MnO_3 junctions2011
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、山田浩之、赤穗博司、澤彰仁
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- 年月日
  2011-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Electric field control of the metal-insulator transition in electrolyte-gated (Nd,Sm)NiO3 thin films2011
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、向平華、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穂博司、澤彰仁、上野和紀、下谷秀和、Yuan Hongtao、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  Materials Research Society 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West (San Francisco, USA)
- 年月日
  2011-04-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] ペロブスカイトSr/CaMnO_3薄膜の作製と物性評価2010
- 著者名/発表者名
  山田浩之、向平華、中尾裕則、岩佐和晃、村上洋一、澤彰仁
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] 電気二重層FETによるNdNiO_3の金属-絶縁体転移の電界制御2010
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、向平華、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穗博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Impacts of Oxygen Vacancy on Band Diagrams and Resistive Switching in Preovskite-Oxide Junctions2010
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  International Symposium on Integrated Functionalities (ISIF)
- 発表場所
  San Juan (Puerto Rico)
- 年月日
  2010-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] 磁場中X線散乱による巨大磁気抵抗効果を示す人工超格子(LaMnO_3)_2(SrMnO_3)_2の研究2010
- 著者名/発表者名
  中尾裕則、山田浩之、山崎裕一、村上洋一、澤彰仁
- 学会等名
  日本物理学会2010年秋季大会
- 発表場所
  大阪府立大学(大阪府)
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] Control of metal-insulator transition in NdNiO_3 electric double-layer transistors2010
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、向平華、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穗博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  17^<th> International Workshop on Oxide Electronics
- 発表場所
  淡路夢舞台国際会議場(兵庫県)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] mpacts of Oxygen Vacancy on Band Diagrams and Resistive Switching in Preovskite-Oxide Junctions2010
- 著者名/発表者名
  A. Sawa
- 学会等名
  International Symposium on Integrated Functionalities (ISIF)
- 発表場所
  San Juan, Puerto Rico
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Room Temperature Mott Metal-Insulator Transition and Its Systematic Control in Sm_<1-x>Ca_xNiO_3 Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  Xiang Ping-Hua、浅沼周太郎、山田浩之、井上公、赤穗博司、澤彰仁
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] Magnetic structure of LaMnO_3-SrMnO_3 superlattice showing large magn etoresistance2010
- 著者名/発表者名
  山田浩之、中尾裕則、岩佐和晃、澤彰仁、村上洋一
- 学会等名
  物構研シンポジウム'10
- 発表場所
  エポカルつくば(茨城県)
- 年月日
  2010-12-07
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22015012
[学会発表] Impacts of oxygen vacancy on interfacial band diagrams in perovskite-oxide resistive switching junctions2010
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  New Non-Volatile Memory Workshop 2010
- 発表場所
  Hsinchu (Taiwan)
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Large and hysteretic resistance change in electrolyte-gated (Nd,Sm)NiO3 thin film
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、Xiang Ping-Hua、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穗博司、澤彰仁、中尾裕則、山崎裕一、村上洋一、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  The 19th Workshop on Oxide Electronics
- 発表場所
  Palace het Loo, Apeldoorn, the Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] 強誘電抵抗スイッチングにおける終端表面依存性
- 著者名/発表者名
  山田浩之, 福地厚, 小林正起, 長井拓郎, 豊崎喜精, 組頭広志, 澤彰仁
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces
- 著者名/発表者名
  福地厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  2012 Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Interface Type Resistive Switching in Metal Oxides
- 著者名/発表者名
  Akihito Sawa
- 学会等名
  Workshop on Microstructural Functionality: Dynamics, Adaption, and Self-Healing at the Nanoscale
- 発表場所
  Mercatorhalle Duisburg, Duisburg, Germany
- 年月日
  2014-04-28 – 2014-04-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] HfO2ゲート酸化膜を用いた強相関酸化物(Nd,Sm)NiO3の電子相制御
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、島久、山田浩之、井上公、赤穗博司、秋永広幸、澤彰仁
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] (Nd,Sm)NiO3電気二重層トランジスタの動作特性
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、Xiang Ping-Hua、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穗博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Mott FET
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  ITRS workshop on Emerging Research Logic Devices
- 発表場所
  Bordeaux, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Resistive Switching Effect in Conductive Ferroelectric Oxides
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  2012 Electric Pulse Induced Changes in Oxides
- 発表場所
  Buenos Aires, Argentina
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] BiFeO3強誘電抵抗変化メモリにおける界面電子構造に基づいた動作特性の制御
- 著者名/発表者名
  福地厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Resistance Change Memory consisting of ferroelectric oxides
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  9th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology
- 発表場所
  Saratoga Spring, NY, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Impacts of changing in interfacial band structures on ferroelectric resistive switching effect at Schottky-like BiFeO3 interfaces
- 著者名/発表者名
  福地厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  The 19th Workshop on Oxide Electronics
- 発表場所
  Palace het Loo, Apeldoorn, the Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Resistive switching memory consisting of ferroelectric oxides
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  New Non-Volatile Memory Workshop 2012
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Electric-field control of Mott transition in electrolyte-gated (Nd,Sm)NiO3 thin film
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、Xiang Ping-Hua、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穗博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto International Conference Center, Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] Switching Mechanism of Ferroelectric Resistive Switching Memory Based on a Dielectric/Ferroelectric Composite Structure
- 著者名/発表者名
  Akihito Sawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Hiroyuki Yamada
- 学会等名
  2014 Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco Marriott Marquis, San Francisco, USA
- 年月日
  2014-04-21 – 2014-04-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Characteristics and Mechanism in Interface-Engineered Ferroelectric Resistive Switching Memory
- 著者名/発表者名
  Akihito Sawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Hiroyuki Yamada
- 学会等名
  14th Non-Volatile Memory Technology Symposium
- 発表場所
  Jeju Grand Hotel, Jeju, Korea
- 年月日
  2014-10-27 – 2014-10-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286055
[学会発表] Ferroelectric Resistive Switching at Schottky-like BiFeO3 interfaces
- 著者名/発表者名
  澤彰仁
- 学会等名
  Nature Conference “Frontiers in Electronic Materials”
- 発表場所
  Aachen, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] BiFeO3薄膜を用いた強誘電抵抗変化メモリの動作特性
- 著者名/発表者名
  福地厚、山田浩之、澤彰仁
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280
[学会発表] 電気二重層ゲートによる強相関酸化物の電子相制御
- 著者名/発表者名
  浅沼周太郎、Xiang Ping-Hua、山田浩之、佐藤弘、井上公、赤穗博司、澤彰仁、上野和紀、川崎雅司、岩佐義宏
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360280

1. 山田浩之 (00415762)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 42件
2. 井上公 (00356502)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
3. 佐藤弘

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
4. 下谷秀和

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
5. 上野和紀

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
6. Stoliar Pablo

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
7. 小林正起

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
8. 岩佐義宏

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

澤 彰仁 Sawa Akihito

研究課題

研究成果

共同研究者

ハフニア系強誘電トンネル接合による人工シナプスの実現に向けた素子技術基盤の構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

強誘電性と導電性の共存を利用した強誘電抵抗スイッチングの物理的機構に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強相関酸化物ヘテロ界面における新奇な界面電子状態の物理的機構に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

強相関遷移金属酸化物の酸素欠陥による電子物性変化と電場制御に関る研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Spike-shape dependence of the spike-timing dependent synaptic plasticity in ferroelectric-tunnel-junction synapses2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth and ferroelectric properties of yttrium-doped hafnium oxide/indium-tin oxide polycrystalline heterostructures with sharp and uniform interfaces2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Coherent Epitaxy of a Ferroelectric Heterostructure on a Trilayered Buffer for Integration into Silicon2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Strong Surface-Termination Effect on Electroresistance in Ferroelectric Tunnel Junctions2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ca doping dependence of resistive switching characteristics in ferroelectric capacitors comprising Ca-doped BiFeO32015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 界面抵抗変化型不揮発性メモリ2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Modeling of Hysteretic Schottky Diode-Like Conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 Switches2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrolyte-gated SmCoO3 thin-film transistors exhibiting thickness-dependent large switching ratio at room temperature2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Phase diagrams of strained Ca1-xCexMnO3 films2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of Bi Deficiencies on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics Observed at p-Type Schottky-Like Pt/Bi_<1->FeO_3 Interfaces2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces2012

著者名/発表者名

雑誌名

澤彰仁 Sawa Akihito