小川正毅 OGAWA Masaki

研究者番号	10377773
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度 – 2009年度: 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 2006年度: 名古屋大学, 先端技術共同研究センター, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者以外 IV族半導体 / 格子欠陥 / 結晶工学 / 半導体工学 / ひずみ / 酸化現象 / エピタキシャル成長 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面・界面物理 / 水素 … もっと見る / 錫 / ゲルマニウム / 歪ゲルマニウム / ゲートスタック構造 / ポストスケーリング / 表面・界面物性 / 半導体物性 / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス / 半導体超微細化隠す

ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2010 2009 2008 2007 2006

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, S. Sakurai, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 96
  
  ページ: 12105-12105
- NAID
  120002414452
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, S.Sakurai, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- NAID
  120002414452
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Microstructures in directly bonded Sisubstrates2009
- 著者名/発表者名
  Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 53
  
  ページ: 837-840
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si_<1-x>Ge_x Structures on Si(001) Substrates2009
- 著者名/発表者名
  T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics 53(11)
  
  ページ: 1198-1201
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)
  
  ページ: 2402-2406
- NAID
  10022551560
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima, M.Ogawa, and A.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge (001) Substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci. (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008
- 著者名/発表者名
  S.Zaima, O.Nakatsuka, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 80-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima, M.Ogawa, A.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci 254(19)
  
  ページ: 6048-60651
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa and S.Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 47(4)
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)
  
  ページ: 2420-2424
- NAID
  10022549067
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008
- 著者名/発表者名
  S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 80-83
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2008
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 159-162
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, and S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates2008
- 著者名/発表者名
  E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517(1)
  
  ページ: 323-326
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structure of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008
- 著者名/発表者名
  O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2402-2406
- NAID
  10022551560
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge substrates2008
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 517
  
  ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 197-202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_1-xSn_x buffer layers grown on various types of substrates2007
- 著者名/発表者名
  S.Takeuchi, A.Sakai, K.Yamamoto, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 22 (1)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価2007
- 著者名/発表者名
  鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 251-256
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrode2007
- 著者名/発表者名
  D. Ikeno, Y. Kaneko, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. phys. 46(4B)
  
  ページ: 1865-1869
- NAID
  10022545673
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
- 雑誌名
  
  ECS Trans 3(7)
  
  ページ: 1197-1203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[雑誌論文] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x buffer layers grown on various types of substrates2007
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol. 22(1)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価2007
- 著者名/発表者名
  池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
- 雑誌名
  
  特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)
  
  ページ: 277-282
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Comparison Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes2007
- 著者名/発表者名
  D.Ikeno, K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46 (4B)
  
  ページ: 1865-1869
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 多層膜構造体の形成方法2008
- 発明者名
  中塚理、酒井朗、小川正毅, (他4名)
- 権利者名
  名古屋大学
- 産業財産権番号
  2008-122891
- 出願年月日
  2008
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 多層膜構造体の形成方法2007
- 発明者名
  中塚理、酒井朗、小川正毅、財満鎭明、近藤博基、湯川勝規、水谷卓也
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 出願年月日
  2007
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[産業財産権] 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体2007
- 発明者名
  竹内正太郎, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 出願年月日
  2007-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] New insights into flatband voltage shift and minority carrier generation in GeO_2/Ge MOS devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, M. Saito, I. Hideshima, G. Okamoto, K. Kutsuki, T. Shimura, S. Ogawa, T. Yamamoto, H. Watanabe
- 学会等名
  40^<th> IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x on Ge(001) substrates2008
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, O. Nakatsuka, T. Shinoda, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  The fourth International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
- 発表場所
  HsinChu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Formation of Ge_3N_4/Ge structures using nitrogen radicals and their thermal stability2008
- 著者名/発表者名
  S. Oda, H. Kondo, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  214th ECS meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates2008
- 著者名/発表者名
  E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote
- 学会等名
  The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  HsinChu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Microstructures in Directly Bonded Si Substrates2008
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda
- 学会等名
  The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  HsinChu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Metalorganic Chemical Vapor Deposition of High-Dielectric-Constant Praseodymium Oxide Films using a Liquid Cyclopentadienyl Precursor2008
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, S. Sakurai, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Growth and Characterization of Tensile- Strained Ge Layers on Strain Relaxed Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers2007
- 著者名/発表者名
  Invited: O. Nakatsuka, S. Takeuchi, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Surface Treatment of Ge(001) Surface by Radical Nitridation2007
- 著者名/発表者名
  H. Kondo, M. Fujita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2007
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Marseille, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures(招待講演)2007
- 著者名/発表者名
  A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, and S.Zaima
- 学会等名
  Materials Research Society 2007 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Defect Control for Ge/Si and Ge_<1-x>Sn_x/Ge/Si Heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  Invited: A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2007
- 著者名/発表者名
  K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  第6回・日本表面科学会中部支部・学術講演会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2007-04-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第12回研究会)
- 発表場所
  三島市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] canning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価2007
- 著者名/発表者名
  山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures2007
- 著者名/発表者名
  Invited: A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  Materials Research Society 2007 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Ge(001)表面の初期酸化およびエッチング過程の走査トンネル顕微鏡評価2006
- 著者名/発表者名
  若園恭伸, 山崎理弘, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces2006
- 著者名/発表者名
  A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
- 学会等名
  210th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206005
[学会発表] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrodes2006
- 著者名/発表者名
  D. Ikeno, K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x buffer layers on virtual Ge(001) substrates2006
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
- 学会等名
  The Third International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Princeton, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012

1. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 50件
2. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 49件
3. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
4. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 37件
5. 渡部平司 (90379115)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 坂下満男 (30225792)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件

小川 正毅 OGAWA Masaki

研究課題

研究成果

共同研究者

ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Microstructures in directly bonded Sisubstrates2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si_<1-x>Ge_x Structures on Si(001) Substrates2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge (001) Substrates2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008

著者名/発表者名

小川正毅 OGAWA Masaki