西村知紀 Nishimura Tomonori

研究者番号	10396781
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 技術専門職員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 技術専門職員 2022年度 – 2023年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 技術専門職員 2017年度 – 2020年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 技術専門職員 2013年度 – 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 技術専門職員 2011年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科(工学部), 技術専門職員 … もっと見る 2011年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 技術専門職員 2010年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科(工学部), 技術職員 2007年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 技術職員 2006年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 技術職員 2005年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 技術職員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 構造・機能材料研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者フェルミレベルピンニング / 仕事関数 / シリコン / 半導体 / 金属/半導体界面 / ゲルマニウム / MOSFET / 界面電荷 / 二次元半導体 / 金属半導体界面 … もっと見る / グラフェン / バンドアライメント / 界面 / 電子デバイス・機器 / コンタクト抵抗 / ショットキー障壁 / 電子デバイス・集積回路 / 有機半導体 / 半導体物性 … もっと見る研究代表者以外酸素イオン伝導機構 / 極薄電解質臨界膜厚 / 薄膜測定 / イオン輸送機構 / 等価回路 / YSZ / インピーダンススペクトル / 酸素空孔 / 高誘電率絶縁膜 / 伝導キャリア / イオン電導 / 電解質膜中の電気伝導 / 電解質膜 / 固体電解質材料 / 極薄YSZ膜 / 結晶構造 / キャリア拡散 / 電子伝導 / イオン伝導 / 極薄電解質膜 / HfLaOx / Si-doped HfO2 / Ge / High-k膜 / ショットキーバリア高さ / 高圧酸化 / ESR / Fermi-level Pinning / GeO2 / Higher-k膜 / 構造相転移 / XPS / 界面ダイポール / 表面・界面物性 / 超薄膜 / 誘電体物性 / 電気・電子材料隠す

二次元半導体／絶縁膜界面の電荷生成・移動機構及びバンドアライメントに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西村知紀
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京大学
二次元層状物質を用いた金属/Si，Ge界面のバンドアライメント決定機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  西村知紀
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京大学
固体酸化物形燃料電池の低温動作化に向けた極薄電解質膜におけるイオン輸送機構の研究
- 研究代表者
  
  丹羽正昭
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京大学
   東北大学
金属特性及び界面構造の制御による低抵抗金属/Geコンタクト形成に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西村知紀
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
金属／半導体界面におけるフェルミレベルピンニングとその緩和機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西村知紀
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
金属/半導体界面の終端効果とバンドアライメントの決定機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西村知紀
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究
- 研究代表者
  
  鳥海明
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
単一グレイン有機薄膜トランジスタの形成技術と電気伝導機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  西村知紀
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  東京大学

[雑誌論文] Understanding and Controlling Band Alignment at the Metal/Germanium Interface for Future Electric Devices2022
- 著者名/発表者名
  Tomonori Nishimura
- 雑誌名
  
  Electronics
  
  巻: 11 号: 15 ページ: 2419-2419
- DOI
  10.3390/electronics11152419
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04212
[雑誌論文] Understanding of Fermi level pinning at metal/germanium interface based on semiconductor structure2020
- 著者名/発表者名
  Luo Xuan、Nishimura Tomonori、Yajima Takeaki、Toriumi Akira
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 3 ページ: 031003-031003
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[雑誌論文] Ion conductive character of low-yttria-content yttria-stabilized zirconia at low temperature2020
- 著者名/発表者名
  Tomonori Nishimura, Toshiya Kojima, Kosuke Nagashio, Masaaki Niwa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBF03-SBBF03
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd6dc
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01467
[雑誌論文] Almost pinning-free bismuth/Ge and /Si interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Nishimura Tomonori、Luo Xuan、Matsumoto Soshi、Yajima Takeaki、Toriumi Akira
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 9 ページ: 095013-095013
- DOI
  10.1063/1.5115535
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[雑誌論文] Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface2017
- 著者名/発表者名
  Nishimura Tomonori, Yajima Takeaki, and Toriumi Akira
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 号: 4 ページ: 107-112
- DOI
  10.1149/08004.0107ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[雑誌論文] "Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "2014
- 著者名/発表者名
  Tomonori Nishimura, Shoichi Kabuyanagi, Wenfeng Zhang, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 5 ページ: 051301-051301
- DOI
  10.7567/apex.7.051301
- NAID
  210000137073
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032, KAKENHI-PROJECT-25420320
[雑誌論文] Counter Dipole Layer Formation in Multi-layer High-k Gate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] High-Electron-Mobility Ge n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with High-Pressure Oxidized Y_2O_32011
- 著者名/発表者名
  T.Nishimura, C.H.Lee, T.Tabata, S.K.Wang, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 号: 6 ページ: 064201-064201
- DOI
  10.1143/apex.4.064201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J09337, KAKENHI-PROJECT-22760244
[雑誌論文] Interfacial Dipole at High-k Dielectrics/SiO2 Interface: X-ray Photoelectron Spectroscopy Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50
- NAID
  40018777874
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Interfacial Dipole at High-k Dielectric/SiO_2 Interface : X-ray PhotoelectronSpectroscopy Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang, and A. Torium
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 ページ: 31502-31502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO_2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 3 ページ: 61501-61501
- NAID
  10027015062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, S.K.Wang, C.H.Lee, M.Yoshida, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28(2) ページ: 171-180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 463-477
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure2010
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio , A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through Non equilibrium Thermal Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 28(2) ページ: 203-212
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.3
- NAID
  210000014682
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, C.H.Lee, T, Nishimura, K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, K.Nagashio
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 33-46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(2)
  
  ページ: 101-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 71404-71404
- NAID
  210000014403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Opportunities and challenges for Ge CMOS-Control of interfacing field on Ge is a key-2009
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 86
  
  ページ: 1571-1576
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 19(1)
  
  ページ: 165-173
- NAID
  210000014403
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009
- 著者名/発表者名
  K. Nagashio, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  MRS Symp. Proc.
  
  巻: 1155 ページ: 6-2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009
- 著者名/発表者名
  K.Nagashio, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings 1155
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Control of high-k/germanium interface properties through selection of high-k materials and suppression of GeO volatilization2008
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci.
  
  巻: 254 ページ: 6100-6105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film2008
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 1
- NAID
  10025080321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film2008
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp 1
- NAID
  10025080321
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Internal Photoemission over HfO_2 and Hf_<1-x> Si_xO_2 High-k Insulating Barriers : Band Offset and Interfacial Dipole Characterization2008
- 著者名/発表者名
  J. Widiez, K. Kita, K. Tomida, T. Nishimura, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 47 ページ: 2410-2414
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 11(4)
  
  ページ: 461-469
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Evidence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 91 ページ: 123123-123123
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Eividence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 91
  
  ページ: 123123-123123
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[雑誌論文] Threshold voltage control in pentacene TFTs by perfluoropentacene stack2006
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 936-937
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760559
[雑誌論文] Reduction of bias-induced threshold voltage shift in pentacene field effect transistors by interface modification and molecular ordering.2006
- 著者名/発表者名
  C.B.Park, T.Nishimura, T.Yokoyama, K.Kita, A Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 924-925
- NAID
  10022547191
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760559
[雑誌論文] Performance Recovery of n-channel Perfluoropentacene Thin Film Transistors by High Vacuum Annealing2005
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, T.Nishimura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 984-984
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760559
[雑誌論文] Energy Level Consideration of Source/Channel/Drain for Performance Enhancements of N- and P-Channel Organic FETs2005
- 著者名/発表者名
  T.Yokoyama, T.Nishimura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
- 雑誌名
  
  IEEE Device Research Conference Conferrence Digest.
  
  ページ: 107-107
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760559
[産業財産権] 特許2007
- 発明者名
  鳥海明, 西村知紀
- 権利者名
  東京大学
- 産業財産権番号
  2007-227480
- 出願年月日
  2007-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2007
- 発明者名
  鳥海明, 西村知紀
- 権利者名
  東京大学
- 産業財産権番号
  2007-227480
- 出願年月日
  2007-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 高対称相構造を有する低Y2O3濃度 YSZ 薄膜のイオン伝導特性2021
- 著者名/発表者名
  西村知紀，小島俊哉，長汐晃輔，丹羽正昭
- 学会等名
  第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01467
[学会発表] Ion conductivity of low-Y2O3-content yttria-stabilized zirconia2020
- 著者名/発表者名
  Tomonori Nishimura, Toshiya Kojima, Kosuke Nagashio, Masaaki Niwa
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01467
[学会発表] YSZ極薄膜の高温インピーダンス解析2020
- 著者名/発表者名
  西村知紀、小島俊哉、長汐晃輔、丹羽正昭
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01467
[学会発表] Understanding and control of Fermi level pinning at metal/germanium interface2019
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi
- 学会等名
  IEEE Int.Interconnect Technology Conference and Materials for Advanced Metallization Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Schottky界面におけるTwo-band MIGS (metal induced gap states) モデル2019
- 著者名/発表者名
  西村知紀，矢嶋赳彬，鳥海　明
- 学会等名
  2019年応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Silicide/Si 界面における弱いFermi-level pinningの起源2019
- 著者名/発表者名
  西村知紀，羅　シュアン，矢嶋赳彬，鳥海　明
- 学会等名
  2019年応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Understanding and control of Fermi level pinning at metal/germanium interface2019
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi
- 学会等名
  International Interconnect Technology Conference & Materials for Advanced Metallization
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Further investigation of Fermi-level pinning on Ge from substrate side2018
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi
- 学会等名
  49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] 半導体界面における金属の仕事関数は真空で良いか？2018
- 著者名/発表者名
  西村知紀，羅　シュアン，矢嶋赳彬，鳥海　明
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface2018
- 著者名/発表者名
  西村知紀，矢嶋赳彬，鳥海　明
- 学会等名
  2018年応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] 金属/Ge 界面のFermi-level pinningに及ぼすGe の基板面方位効果2018
- 著者名/発表者名
  西村知紀，羅　シュアン;，矢嶋赳彬，鳥海　明
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Generalized picture of work function of a metal with Schottky interface2017
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface2017
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
- 学会等名
  Electrochemical Society Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06374
[学会発表] 界面ダイポール密度の制御による金属/Ge界面のフェルミレベルピンニング緩和の試み2016
- 著者名/発表者名
  西村知紀，矢嶋赳彬，鳥海明
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420320
[学会発表] Design of Metals for Fermi-level Pinning Modulation at Ge/Metal Interfaces2016
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
- 学会等名
  International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016) and 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII)
- 発表場所
  名古屋大学　（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420320
[学会発表] Charge neutrality level shift in the Bardeen limit of Fermi-level pinning at atomically flat Ge/metal interface2013
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, T. Nakamura, T. Yajima, K. Nagashio and A.Toriumi
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Fukuoka, Kyushu University
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420320
[学会発表] Study of Strong Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface Based on the Impact of Ultra-thin Insulator Insertion2013
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, T. Nakamura, and A. Toriumi
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interface
- 発表場所
  Fukuoka, Hilton Fukuoka sea hawk
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420320
[学会発表] Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing2013
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  224th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  San Francisco, California, U.S.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420320
[学会発表] 熱処理雰囲気の違いによる結晶化HfO2薄膜相変態速度への影響2012
- 著者名/発表者名
  岩井貴雅, 中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Counter Dipole Layer Formation in SiO_2/High-k/SiO_2/Si Gate Stacks2012
- 著者名/発表者名
  S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop(2012)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2012-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] SiO2/high-k/SiO2/Siゲートスタック構造による界面ダイポール効果の打ち消し-カウンターダイポール効果の実証-2012
- 著者名/発表者名
  日比野真也, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] HfO2におけるcubic相からmonoclinic相への結晶相変態過程の速度論的解析2012
- 著者名/発表者名
  中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
- 発表場所
  東レ総合研究センター(静岡県)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 速度論的考察に基づく良好なSiC/SiO2界面形成2012
- 著者名/発表者名
  中坪俊, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] HfO2のcubic相からmonoclinic相への相変態機構に及ぼす酸素の効果2012
- 著者名/発表者名
  中嶋泰大, 岩井貴雅, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology2012
- 著者名/発表者名
  K.Kita, S.K.Wang, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-39)
- 発表場所
  La Fonda Hotel, Santa Fe (U.S.A.)(招待講演)
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology(invited)2012
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. K. Wang, T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
- 学会等名
  39th Conf. Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces,(PCSI-39)
- 発表場所
  Santa Fe, USA
- 年月日
  2012-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Demonstration of Very High-k HfO2(k～50)by Suppressing Martensitic Transformation in Thin Dielectric Films2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T, Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Material Potential and Scalability Challenges of Germanium CMOS2011
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, C.H.Lee, S.K.Wang, T.Tabata, M.Yoshida, D.D.Zhao, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
- 学会等名
  2011 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2011)
- 発表場所
  Hilton Washington Hotel, Washington DC (U.S.A.)(招待講演)
- 年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 1.2 nm-EOT Al2O3 /Ge Gate Stack with GeO X-free Interface2011
- 著者名/発表者名
  T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, S.K.Wang, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  WINC AICHI, Nagoya (Aichi)
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Phase Transformation Kinetics of HfO_2 Polymorphs in Ultra-Thin Region2011
- 著者名/発表者名
  Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  2011 Symposia on VLSI Technology
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2011-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k/GeMOSFETにおける移動度特性の向上2011
- 著者名/発表者名
  西村知紀,李忠賢,王盛凱,田畑俊行,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海明
- 学会等名
  第16回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2011-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] GS-metal layer formation model at metal/Ge Schottky barrier diode interfa2011
- 著者名/発表者名
  T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 IEEE 42nd Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  米国,Arlington
- 年月日
  2011-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] Kinetic Effects of Oxygen Vacancy Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction2011
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, T, Nishimura, K.Nagashio, A, Toriumi
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] MIGS-metal layer formation model at metal/Ge Schottky barrier diode interface2011
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura and A. Toriumi
- 学会等名
  2011 IEEE 42nd Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC)
- 発表場所
  Arlington
- 年月日
  2011-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] A Study of Fermi-level Pinning in Ge Schottky and MIS Tunnel Junctions2011
- 著者名/発表者名
  T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] Phase Transformation Kinetics of HfO2 Polymorphs in Ultra-Thin Region2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 Symposia on VLSI Ttechnology
- 発表場所
  Rihga Royal Hotel Kyoto, (Kyoto)
- 年月日
  2011-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] A Study of Fermi-level Pinning in Ge Schottky and MIS Tunnel Junctions2011
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] 金属/Ge界面に導入した酸化膜と硫化膜がFermi-level pinningに与える影響の比較2011
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 李忠賢, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (震災の影響で予稿集のみ)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] Material Potential and Scalability Challenges of Germanium CMOS2011
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, C. H. Lee, S. K. Wang, T. Tabata, M. Yoshida, D. D. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, and K. Nagashio
- 学会等名
  2011 IEEE International Electron Device Mtg.(IEDM2011)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- 年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Thermodynamic Control of Interface Layer Formation in High-k Gate Stacs on 4H-SiC2011
- 著者名/発表者名
  S.Nakatsubo, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  WINC AICHI, Nagoya (Aichi)
- 年月日
  2011-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/Ge界面に導入した酸化膜と硫化膜がFermi-level pinningに与える影響の比較2011
- 著者名/発表者名
  西村知紀,李忠賢,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海明
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] High-k/Ge MOSFETにおける移動度特性の向上2011
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 李忠賢, 王盛凱, 田畑俊行, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第16回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  東京(東工大)
- 年月日
  2011-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] Interfacial dipoles at high-k/SiO2 interface observed by X-ray Photoelectron Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  竺立強, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 王盛凱, 李忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃浦, 鳥海明
- 学会等名
  電気気学会電子デバイス研究会 EDD-10-037
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Long Range Pinning Interaction in Ultra-thin Insulator-inserted Metal/Germanium Junctions2010
- 著者名/発表者名
  T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  米国,Honolulu
- 年月日
  2010-06-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] Long Range Pinning Interaction in Ultra-thin Insulator-inserted Metal/Germanium Junctions2010
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu
- 年月日
  2010-06-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] ヘテロ界面に於けるバンドオフセットの決定に向けたInternal Photo Emission法の詳細検討2010
- 著者名/発表者名
  鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜之浩之, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] XPSで決定するHigh-k絶縁膜価電子帯エネルギー準位の定量的再検討2010
- 著者名/発表者名
  近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through non-equilibrium Thermal Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  217th ECS Mtg.
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Experimental Demonstration of Higher-k Phase Hf02 through Non-equilibrium Thermal Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  217th ECS Meeting
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 「Ge CMOSの可能性と課題」(招待)2010
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃浦
- 学会等名
  2010春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Internal Photo Emission測定における絶縁膜電界の決定方法2010
- 著者名/発表者名
  鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Electoron Mobility in High-k Ge MISFETs Goes up to Higher2010
- 著者名/発表者名
  T.Nishimura, C.H.Lee, S.K.Wang, T.Tabata, K.Kita, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 Symposia on VLSI Technology and Circuits
- 発表場所
  米国,Honolulu
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] Stability origin of metastable higher-k phase HfO2 at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Advantage of High-pressure Oxidation for Ge/GeO2 Stack Formation2010
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, S.Wang, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices andMaterials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, S.K.Wang, C.H.Lee, M.Yoshida, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio
- 学会等名
  217th ECS Meeting
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Effects of GeO2-Metal Interaction on VFB of GeO2 MIS Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  F.I.Alzakia, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices andMaterials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 極薄TiO2膜の挿入による金属/n-Ge接合におけるオーミック接合の形成2010
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  The 218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, U.S.A
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS2010
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, K.Nagashio
- 学会等名
  The 218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, U.S.A
- 年月日
  2010-10-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of dipole Effects at High-k/SiO2 Interface2010
- 著者名/発表者名
  L..Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2 MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO2/メタル界面の影響2010
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 西村知紀, 李忠賢, アルザキアファド, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO Desorption Mechanism from GeO2/Ge Stack Determined by 73Ge Labeling Technique in Thermal Desorption Spectroscopy(TDS)Analysis2010
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010
- 著者名/発表者名
  K. Kita, L. Q. Zhu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  218th ECS Mtg.
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2010-10-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Electoron Mobility in High-k Ge MISFETs Goes up to Higher2010
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, C. H. Lee, S. K. Wang, T. Tabata, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi
- 学会等名
  2010 Symposiaon VLSI Technology and
- 発表場所
  Honolulu
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760244
[学会発表] 高圧O2熱処理がGe/GeO2に及ぼす影響2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2形成時の高圧酸化と1気圧酸化の本質的な違い-バルクGeO2膜とGeO2/Ge界面の独立な制御-2010
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k材料固有のバンド端エネルギー準位のXPSによる定量的評価2010
- 著者名/発表者名
  近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO2薄膜の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] TO-and LO-mode analyses in asymmetric stretching vibrations in ultra thinthermally grown GeO2 on Ge substrate2010
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, T.Nishimura, C.H.Lee, K.Kita, K.Nagashio , A.Toriumi
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 低圧酸素雰囲気下におけるGe表面の活性酸化2010
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2膜のアニール後に観測されるサブギャップ抑制のための高圧酸素圧力の定量化2009
- 著者名/発表者名
  吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] X-ray Photoelectron spectroscopy study of dipole effects at HfO2/SiO2/Si stacks2009
- 著者名/発表者名
  L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] "Opportunities and Challenges for Ge CMOS-Control of interfacing fields on Ge is a key-"(invited)2009
- 著者名/発表者名
  A.Toriumi, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
- 学会等名
  INFOS2009
- 発表場所
  Cambridge, UK
- 年月日
  2009-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Sub-gap Formation and Its Annihilation in Energy Band Gap of GeO2 by Changing O2 Pressure in PDA Process2009
- 著者名/発表者名
  M.Yoshida, K.Kita, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Comprehensive Study of GeO2 Oxidation, GeO Desorption and GeO2-Metal Interaction. Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, C.H.Lee, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM)
- 発表場所
  Baltimore, USA
- 年月日
  2009-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2からのGeO脱離における活性化エネルギーのTDSによる評価2009
- 著者名/発表者名
  王盛凱, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 「Ge-CMOSをめざした固相界面場制御」(招待)2009
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔
- 学会等名
  2009年秋季70回応用物理学会学術講演会シンポジウム『シリコンナノエレクトロニクスの新展開』
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 180 isotope tracing of GeO Desorption from GeO2/Ge Structure2009
- 著者名/発表者名
  S.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/Ge界面におけるショットキー障壁高さのGeO2導入効果-膜厚及び金属による違い-2009
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009
- 著者名/発表者名
  K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  MRS spring meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-04-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察2009
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Kinetic Study of GeO Desorption from Ge/GeO2 system2009
- 著者名/発表者名
  S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性2009
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会)、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, N.Saido, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM)
- 発表場所
  Baltimore, USA
- 年月日
  2009-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] "Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization"(invited)2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, C.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  215th Meeting, The Electrochemical Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2009-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO2 grown by High Pressure Oxidation2009
- 著者名/発表者名
  C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge高圧酸化におけるGeO脱離抑制に対する全圧と分圧の違い2009
- 著者名/発表者名
  李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  2009年秋季 70回用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] XPS Analysis of High-k/SiO2/Si Stacks through Grounded Gate Metal-Estimation of Energy Levels of Electronic Structures of High-k Dielectric Films2009
- 著者名/発表者名
  Y.Chikata, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2009)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO2/Ge stacks2009
- 著者名/発表者名
  K.Kita, M.Yoshida, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
- 学会等名
  Int.conf.on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/ゲルマニウム接合におけるフェルミレベルピンニングの起源と制御2008
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] GeO2/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO2/Ge界面特性の向上2008
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 鈴木翔, 能村英之, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
- 発表場所
  三島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/絶縁膜およびGe/金属界面を制御したGe-MOSFET技術(依頼)2008
- 著者名/発表者名
  鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/極薄絶縁膜/Ge接合におけるショットキー障壁変調量の絶縁膜による違い2008
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  習志野
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the control of GeO2 and metal/Ge interfaces for metal source/drain Ge CMOS (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, T. Nishimura, T. Takahashi, K. Kita
- 学会等名
  2008 Materials Research Society Spring Metting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2008-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of High-k/Ge Interface Properties through Selection of High-k Materials and Suppression of GeO Volatilization (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] A Significant Shift of Strongly Pinned Charge Neutrality Level at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2007)
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御2007
- 著者名/発表者名
  喜多浩之, 能村英幸, 鈴本翔, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会第93回研究集会「ゲートスタツク構造の新展開」
- 発表場所
  東広島
- 年月日
  2007-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] On the control of GeO2/Ge and metal/Ge interfaces (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, T. Nishimura, K. Kita
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] 金属/Ge接合界面への極薄GeOxの導入によるフェルミレベルピンニングの緩和2007
- 著者名/発表者名
  西村知紀, 喜多浩之, 鳥海明
- 学会等名
  応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Interfacing Control of Dielectric Films and Metals on Germanium for CMOS Application (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, T. Nishimura, T. Takahashi
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Thermally Robust Germanium MIS Gate Stacks with LaYO3 Dielectrics Films2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, Y. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k Dielectrics and Metals on Germanium (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita, T. Nishimura
- 学会等名
  International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2007-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Effect of Ultra-thin Al2O3 Insertion on Fermi-level Pinning at Metal/Ge Interface2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Control of Fermi-Level Pinning at Metal/Germanium. Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS-Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita, A. Toriumi
- 学会等名
  2007 International Electron Device Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington, D. C., USA
- 年月日
  2007-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2 Films and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge MIS Characteristics2007
- 著者名/発表者名
  S. Suzuki, K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] High-k Dielectrics and Metals on Germanium2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, K. Kita and T. Nishimura
- 学会等名
  International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2007-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Interface Properties of Ge with Dielectrics and Metals (Invited)2007
- 著者名/発表者名
  A. Toriumi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, K. Kita
- 学会等名
  5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
- 発表場所
  Marseille, France
- 年月日
  2007-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Advanced Characterization of High-k Gate Stack by Internal Photo Emission (IPE): Interfacial Dipole and Band Diagram in Al/Hf(Si)O2/Si MOS Structure2007
- 著者名/発表者名
  J. Widiez, K. Kita, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSD)
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005
[学会発表] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007
- 著者名/発表者名
  K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
- 学会等名
  212th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Washington, D. C., USA
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19106005

1. 鳥海明 (50323530)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 106件
2. 喜多浩之 (00343145)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 105件
3. 丹羽正昭 (90608936)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
4. 内山潔 (80403327)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 蓮沼隆 (90372341)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. LEE Choong Hyun

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

西村 知紀 Nishimura Tomonori

研究課題

研究成果

共同研究者

二次元半導体／絶縁膜界面の電荷生成・移動機構及びバンドアライメントに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

二次元層状物質を用いた金属/Si，Ge界面のバンドアライメント決定機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

固体酸化物形燃料電池の低温動作化に向けた極薄電解質膜におけるイオン輸送機構の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

金属特性及び界面構造の制御による低抵抗金属/Geコンタクト形成に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属／半導体界面におけるフェルミレベルピンニングとその緩和機構に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属/半導体界面の終端効果とバンドアライメントの決定機構に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一グレイン有機薄膜トランジスタの形成技術と電気伝導機構に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Understanding and Controlling Band Alignment at the Metal/Germanium Interface for Future Electric Devices2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Understanding of Fermi level pinning at metal/germanium interface based on semiconductor structure2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ion conductive character of low-yttria-content yttria-stabilized zirconia at low temperature2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Almost pinning-free bismuth/Ge and /Si interfaces2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Reconsideration of Metal Work Function at Metal/Semiconductor Interface2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] "Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "2014

著者名/発表者名

雑誌名

西村知紀 Nishimura Tomonori