八尾勉 YATSUO Tsutomu

研究者番号	10399503
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 2014年度: 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 2011年度: 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 2006年度 – 2007年度: 産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター, 招聘研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外電力工学・電力変換・電気機器 / 電力工学・電気機器工学
キーワード	研究代表者以外ワイドバンドギャップ / パワーデバイス / SiC / パワーエレクトロニクス / 静電誘導トランジスタ / 高速半導体スイッチ / パルスパワー / ワイドバンドギャップ半導体 / 電力工学 / 炭化硅素 / 省エネルギー / 炭化珪素 / シリコンカーバイド

超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  山梨大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)2014
- 著者名/発表者名
  A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 899-902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Tanaka, K. Arai, T. Yatsuo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009
- 著者名/発表者名
  K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, M.Okamoto, and K. Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  ページ: 1075-1078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tanaka, K.Yano, M.Okamoto, A.Tanaka, K.Arai, and T.Yatsuo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1075-1078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors(BG-SITs)2007
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Fukuda, K. Arai
- 雑誌名
  
  Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
  
  ページ: 170-171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo
- 雑誌名
  
  Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
  
  ページ: 227-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性2014
- 著者名/発表者名
  望月雄貴、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] 3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計2014
- 著者名/発表者名
  飯塚大臣、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善2013
- 著者名/発表者名
  勝俣公貴、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究台22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善2012
- 著者名/発表者名
  中嶋　竜基、矢野　浩司、田中　保宣、八尾　勉、高塚　章夫
- 学会等名
  SIC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第２１回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂（大阪府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011
- 著者名/発表者名
  矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
- 学会等名
  平成23年電気学会全国大会(本大会は東日本震災のため中止になりましたが、予稿集は震災前に公表されています)
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560294
[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011
- 著者名/発表者名
  矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
- 学会等名
  平成23年電気学会全国大会
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560294
[学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters, European Silicon Carbide and Related Matterials2008
- 著者名/発表者名
  Y.Tanaka, K.Yano, A.Takatsuka, K.Arai, and T.Yatsuo
- 学会等名
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] AraiShort circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008
- 著者名/発表者名
  K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, and K.
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters2008
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Short circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, K. Arai
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] 3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
- 著者名/発表者名
  Yasunori TANAKA , Akio TAKATSUKA, Koji YANO, Norio MATSUMOTO, Tsutomu YATSUO
- 学会等名
  European Conference Silicon Carbide & Related Materials
- 発表場所
  Grenoble,France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327

1. 田中保宣 (20357453)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 18件
2. 矢野浩司 (90252014)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 18件
3. 山本真幸 (00511320)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件

八尾 勉 YATSUO Tsutomu

研究課題

研究成果

共同研究者

超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors(BG-SITs)2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011

著者名/発表者名

八尾勉 YATSUO Tsutomu