王冬 Wang Dong

研究者番号	10419616
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 2017年度 – 2019年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2014年度 – 2016年度: 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 2015年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2012年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 2011年度 – 2012年度: 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 2009年度 – 2011年度: 九州大学, 産学連携センター, 特任准教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者電子・電気材料 / 局所歪み / Ge-光素子 / 金属/半導体コンタクト / 先端機能デバイス / 半導体物性 / 解析・評価 / Ge-On-Insulator基板 / MIS型 / 近赤外発光 … もっと見る / トンネリング障壁高さ / 金属／半導体コンタクト / チップ内光配線 / 横方向発光・受光 / Ge/絶縁膜界面 / Ge-On-Insulator / 局所歪 / GOI / 電子密度 / CMOS / Siフォトニクス / Ge光素子 / ゲルマニウム（Ge） / 高移動度チャネル / MOSFET / 歪み印加 / ゲルマニウム(Ge) … もっと見る研究代表者以外絶縁膜 / 電子・電気材料 / 基板貼り合わせ / Ge-on-Insulator / ゲルマニウム / 金属/半導体コンタクト / 電子材料 / 高性能デバイス / Ge半導体 / 先端機能デバイス / 結晶工学 / 半導体物性隠す

中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発
- 研究代表者
  
  山本圭介
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  九州大学
Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  九州大学
Ge-On-Insulator基板上への局所歪み導入によるGe-光素子の高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州大学
Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州大学
メタル・ソース／ドレイン型Ｇｅ－ＣＭＯＳ実現のための基盤技術開発
- 研究代表者
  
  中島寛
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州大学
Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用研究代表者
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
高性能ULSIのための歪みGeチャネルの形成と物性評価
- 研究代表者
  
  中島寛
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州大学
高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価研究代表者
- 研究代表者
  
  王冬
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al2O3 interlayer and its internal charge analysis2020
- 著者名/発表者名
  Oka Ryusei、Yamamoto Keisuke、Akamine Hiroshi、Wang Dong、Nakashima Hiroshi、Hishiki Shigeomi、Kawamura Keisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGD17-SGGD17
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6862
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0134, KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut(TM) and Defect Elimination2019
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Md. M Alam, Kentarou Sawano, Zhongying Xue, Miao Zhang, Zengfeng Di
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: 93 号: 1 ページ: 73-77
- DOI
  10.1149/09301.0073ecst
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028, KAKENHI-PROJECT-19H05616, KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-insulator substrate2019
- 著者名/発表者名
  Maekrua Takayuki、Goto Taiki、Nakae Kohei、Yamamoto Keisuke、Nakashima Hiroshi、Wang Dong
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBE05-SBBE05
- DOI
  10.7567/1347-4065/aafb5e
- NAID
  210000135344
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: 92 号: 4 ページ: 3-10
- DOI
  10.1149/09204.0003ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15028, KAKENHI-PROJECT-19H05616, KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation2019
- 著者名/発表者名
  Yamamoto Keisuke、Nakae Kohei、Wang Dong、Nakashima Hiroshi、Xue Zhongying、Zhang Miao、Di Zengfeng
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBA14-SBBA14
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab02e3
- NAID
  210000155626
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Wen Wei-Chen、Yamamoto Keisuke、Wang Dong、Nakashima Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 124 号: 20
- DOI
  10.1063/1.5055291
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Wide range control of Schottky barrier heights at metal/Ge interfaces with nitrogen-contained amorphous interlayers formed during ZrN sputter deposition2018
- 著者名/発表者名
  Yamamoto K、Noguchi R、Mitsuhara M、Nishida M、Hara T、Wang D、Nakashima H
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 33 号: 11 ページ: 114011-114011
- DOI
  10.1088/1361-6641/aae4bd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] (Invited) Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2017
- 著者名/発表者名
  Nakashima Hiroshi、Okamoto Hayato、Yamamoto Keisuke、Wang Dong
- 雑誌名
  
  ECS transactions
  
  巻: 80 号: 4 ページ: 97-106
- DOI
  10.1149/08004.0097ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Effect of n-type doping level on direct band gap electroluminescence intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes2017
- 著者名/発表者名
  Maekura T、Tanaka K、Motoyama C、Yoneda R、Yamamoto K、Nakashima H、Wang D
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 32 号: 10 ページ: 104001-104001
- DOI
  10.1088/1361-6641/aa827f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[雑誌論文] Achievement of low parasitic resistance in Ge n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using embedded TiN-source/drain structure2017
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, T. Tateyama, S. Tanaka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 32 号: 3 ページ: 035001-035001
- DOI
  10.1088/1361-6641/32/3/035001
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Effects of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55(4S) 号: 4S ページ: 04EH08-04EH08
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eh08
- NAID
  210000146355
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk germanium　diodes with HfGe/Ge/TiN structure2016
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 602 ページ: 43-47
- DOI
  10.1016/j.tsf.2015.09.074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks2016
- 著者名/発表者名
  T. Kanashima, R. Yamashiro, M. Zenitaka, K. Yamamoto, D. Wang, J. Tadano, S. Yamada, H. Nohira, H. Nakashima, and K. Hamaya
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: - ページ: 260-264
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.11.016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090, KAKENHI-PROJECT-16H02333
[雑誌論文] Mechanism of mobility enhancement in Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor due to introduction of Al atoms into SiO2/GeO2 gate stack2016
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, T. Tateyama, S. Tanaka, W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, L. Zhao, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: - ページ: 246-253
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.11.014
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: - ページ: 283-287
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.09.024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance2015
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and　Materials (SSDM2015)
  
  巻: なしページ: 28-29
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Electrical properties of pseudo-single-crystalline germanium thin-film-transistors fabricated on glass substrates2015
- 著者名/発表者名
  K. Kasahara, Y. Nagatomi, K. Yamamoto, H. Higashi, M. Nakano, S. Yamada, D. Wang, H. Nakashima, and K. Hamaya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 14
- DOI
  10.1063/1.4932376
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246020, KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/MetalDdiodes2015
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, D. Wang, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
  
  巻: なしページ: 606-607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Electrical and structural properties of group-4 transition-metal nitride (TiN, ZrN, and HfN) contacts on Ge2015
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, R. Noguchi, M. Mitsuhara, M. Nishida, T. Hara, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 118(11) 号: 11
- DOI
  10.1063/1.4930573
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices2015
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 69(10) 号: 10 ページ: 55-66
- DOI
  10.1149/06910.0055ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Fabrication of PtGe/Ge contacts with high on/off ratio and its application to metal source/drain Ge p-channel MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, S. Tanaka, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54(7) 号: 7 ページ: 070306-070306
- DOI
  10.7567/jjap.54.070306
- NAID
  210000145332
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD2014
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
  
  巻: なしページ: 10-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 64 号: 6 ページ: 261-266
- DOI
  10.1149/06406.0261ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Low-temperature fabrication of Y2O3/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer and low interface states density characterized by a reliable deep-level transient spectroscopy method2014
- 著者名/発表者名
  D. Wang, Y. Nagatomi, S. Kojima, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 557 ページ: 288-291
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25886010, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric fin type metal/germanium/metal structure2014
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, S. Kamezawa, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106(7) 号: 7
- DOI
  10.1063/1.4913261
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, M. Mitsuhara, K. Hiidome, R. Noguchi, M. Nishida, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 13 ページ: 288-291
- DOI
  10.1063/1.4870510
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035, KAKENHI-PROJECT-25886010, KAKENHI-PROJECT-26289090
[雑誌論文] Effect of Kr/O2 ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
  
  巻: なしページ: 10-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 64(6) ページ: 261-266
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO2/GeO2 gate stack2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, T. Sada, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 12
- DOI
  10.1063/1.4821546
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge Contacts2013
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 58(9) ページ: 167-178
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[雑誌論文] Fabrication of TiN/Ge Contact with Extremely Low Electron Barrier Height2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Harada, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 7R ページ: 0702081-0702083
- DOI
  10.1143/jjap.51.070208
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J06933, KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2and ZrGeO Interlayers2012
- 著者名/発表者名
  S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 12-13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back- Gate MOSFET2012
- 著者名/発表者名
  K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 64-65
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] An accurate characterization of interface-state by deep-level transient spectroscopy for Ge metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO_2/GeO_2 bilayer passivation2012
- 著者名/発表者名
  D. Wang, S. Kojima, K. Sakamoto, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 8 ページ: 0837071-0837075
- DOI
  10.1063/1.4759139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J06933, KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator2012
- 著者名/発表者名
  D. Wang, K. Yamamoto, Hongye, H. Yang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  J. Electrochem. Soc
  
  巻: Vol. 158, No. 12 号: 12 ページ: H1221-H1221
- DOI
  10.1149/2.037112jes
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, and D. Wang
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50 号: 9 ページ: 205-216
- DOI
  10.1149/05009.0205ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain2012
- 著者名/発表者名
  T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 737-738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET2012
- 著者名/発表者名
  K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
  
  巻: なしページ: 64-65
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2 and ZrGeO Interlayers2012
- 著者名/発表者名
  S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
  
  巻: なしページ: 12-13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain2012
- 著者名/発表者名
  T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, and H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
  
  巻: なしページ: 737-738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Schottky Source/Drain Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Directly Contacted TiN/Ge and HfGe/Ge Structures2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Nakashima, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 0513011-0513013
- DOI
  10.1143/apex.5.051301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J06933, KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Ohmic contact formation on n-type Ge by direct deposition of TiN2011
- 著者名/発表者名
  M.Iyota, K.Yamamoto, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett
  
  巻: Vol.98, No.19 号: 19
- DOI
  10.1063/1.3590711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and hole mobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique2011
- 著者名/発表者名
  H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.520, No.8 ページ: 3283-3287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with UltrathinSiO2/GeO2 Bilayer by Nitrogen Incorporation2011
- 著者名/発表者名
  K. Sakamoto, Y. Iwamura,K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
  
  巻: なしページ: 885-886
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and holemobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique2011
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.520,No.8 号: 8 ページ: 3283-3287
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.10.078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-09F09271, KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Measurement of strain and strain relaxation in free-standingSi membranes by convergent beam electron diffraction and finite element method2011
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima,D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia Vol.59
  
  ページ: 2882-2890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] 極薄GeO_2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成2011
- 著者名/発表者名
  平山佳奈、岩村義明、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
- 雑誌名
  
  九州大学大学院総合理工学報告
  
  巻: 第32巻ページ: 5-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Fabrication of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with High-Quality Interface by Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer Passivation and Postmetallization Annealing Effect of Al2011
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, R.Ueno, Y.Iwamura, K.Yoshino, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: Vol.50 号: 4S ページ: 04DA10-04DA10
- DOI
  10.1143/jjap.50.04da10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Effective passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al_2O_3 deposition and subsequent post-annealing2011
- 著者名/発表者名
  H.Yang, M.Iyota, S.Ikeura, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: (印刷中)
- NAID
  120004951622
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Source/drain junction fabrication for Ge metal-Oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  K.Yamamoto, T.Yamanaka, R.Ueno, K.Hirayama, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.520, No.8 号: 8 ページ: 3382-3386
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.10.047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054, KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] High-Performance Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer Passivation2011
- 著者名/発表者名
  K.Yamamoto, R.Ueno, T.Yamanaka,K.Hirayama, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: Vol.4, No.5 号: 5 ページ: 051301-051301
- DOI
  10.1143/apex.4.051301
- NAID
  10028210109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054, KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Measurement of strain and strain relaxation in free-standing Si membranes by convergent beam electron diffraction and finite element method2011
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Acta Materialia
  
  巻: Vol.59 ページ: 2882-2890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer by Nitrogen Incorporation2011
- 著者名/発表者名
  K.Sakamoto, Y.Iwamura, K.Yamamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
  
  ページ: 885-886
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator2011
- 著者名/発表者名
  D.Wang, K.Yamamoto, H.Gao, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions
  
  巻: Vol.34 ページ: 1117-1122
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Postmetallization annealing effect of TiN-gate Ge metal-Oxide-semiconductor capacitor with ultrathin SiO_2/GeO_2 bilayer passivation2011
- 著者名/発表者名
  H.Nakashima, Y.Iwamura, K.Sakamoto, D.Wang, K.Hirayama, K.Yamamoto, H.Yang
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett
  
  巻: Vol.98, No.25 号: 25
- DOI
  10.1063/1.3601480
- NAID
  120004979402
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054, KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate2011
- 著者名/発表者名
  T. Yamanaka, K. Yamamoto, K. Sakamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
  
  巻: なしページ: 889-890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[雑誌論文] Effect of Al_2O_3 Deposition and Subsequent Annealing on Passivation of Defectsin Ge-rich SiGe-on-Insulator2011
- 著者名/発表者名
  H.Yang, M.Iyota, S.Ikeura, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Key Engineering Material
  
  巻: Vol.470 ページ: 79-84
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Fabrication of Ge-MOS capacitors with high quality interface by ultra-thin SiO_2/GeO_2 bi-layer passivation combined with the subsequent SiO_2-depositions using magnetron sputtering2011
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, K.Yoshino, R.Ueno, Y.Iwamura, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamanaka, K.Yamamoto, K.Sakamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
  
  ページ: 889-890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator2011
- 著者名/発表者名
  D.Wang, K.Yamamoto, H.Gao, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions Vol.34
  
  ページ: 1117-1122
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Passivation of Electrically Active Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator by Al_2O_3 Deposition and Subsequent Post-Deposition Annealing2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, M.Iyota, S.Ikeura, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.3 ページ: 71302-3
- NAID
  10026495131
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Defect evaluation and control of SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Gecondensation technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Proceeding of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
  
  ページ: 438-448
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Microphotoluminescence evaluation of local for freestanding Si membranes with SiN deposition2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Proceeding of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
  
  ページ: 411-420
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] 325 nm-laser-excited micro- hotoluminescence for strained Si film2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, T.Kitamura, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
  
  ページ: 2470-2473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Measurement of Strain in Freestanding Si/SixNy Membrane by Convergent Beam Electron Diffraction and Finite Element Method2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Microphotoluminescence evaluation of local for freestanding Si membranes with SiN deposition2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Proceeding of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
  
  ページ: 411-420
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Influence of freely diffusing excitons on the photoluminescence spectrum of Sithick films with depth distribution of strain2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, T.Kitamura, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol.107, No.3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Microstructure and strain distribution in freestanding Si membrane strained by SixNy deposition2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering A Vol.527
  
  ページ: 6633-6637
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Fabrication of Ge-MOS Capacitors with High-Quality Interface by Ultra-ThinSiO_2/GeO_2 Bi-Layer Passivation2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, R.Ueno, Y.Iwamura, K.Yoshino, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2010 Interational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
  
  ページ: 205-206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Defect characterization and control for Site-on-insulator2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Proceeding of 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010)
  
  巻: I12_08(Invited) ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] 325 nm-laser-excited micro-photoluminescence for strained Si film2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, T.Kitamura, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films vol.518
  
  ページ: 2470-2473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Electrical characterization of High-k Gate Dielectrics on Ge with HfGeN and GeO_2 interlayers2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, W.Kira, K.Yoshino, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 518
  
  ページ: 2505-2508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Influence of freely diffusing excitons on the photoluminescence spectrum of Si thick films with depth distribution of strain2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, T.Kitamura, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol.117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Measurement of Strain in Freestanding Si/Si_xN_y Membrane by Convergent Beam Electron Diffraction and Finite Element Method2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.49 ページ: 90208-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Defect control by Al-deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima, K.Hiravama, S.Kojima, S.Ikeura
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol. 518
  
  ページ: 2342-2345
- NAID
  120005289466
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Strain distribution in freestanding Si/SixNy membranes studied by transmission electron microscopy2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
  
  ページ: 6787-6791
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Strain distribution in freestanding Si/Si_xN_y membranes studied by transmission electron microscopy2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.518 ページ: 6787-6791
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Passivation of Electrically Active Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator by Al2O3 Deposition and Subsequent Post-Deposition Annealing2010
- 著者名/発表者名
  H. Yang, M. Iyota, S. Ikeura, D. Wang, H. Nakashima
- 雑誌名
  
  App. Phys. Express
  
  巻: Vol.3 ページ: 71302-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Microstructure and strain distribution in freestanding Si membrane strained by Si_xN_y deposition2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering A
  
  巻: Vol.527 ページ: 6633-6637
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[雑誌論文] Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Proceeding of 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010)
  
  巻: O05_06 ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Evidence for existence of deep acceptor levels in SiGe-on-insulator substrate fabricated using Ge condensation techniaue2009
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 95, No.12
  
  ページ: 122103-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Defects in SiGe-on-Insulator2009
- 著者名/発表者名
  H.Nakashima, D.Wang, H.Yang
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions Vol. 25, No.7
  
  ページ: 99-114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Optical and electrical evaluations of SiGe layers on insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation2009
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics Vol. 53, No.8
  
  ページ: 841-849
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[雑誌論文] Defect-Induced Deep Levels in SiGe-On-Insulator Substrate Fabricated using Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  
  ページ: 396-397
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Measurement of Fowler-Nordheim tunneling barrier height in Ge-MIS structures2023
- 著者名/発表者名
  Y. J. Feng, K. Yamamoto, A. Honda, N. Shimizu, D. Wang
- 学会等名
  The 8th Asia Applied Physics Conference (2023 年(令和5年度) 応用物理学会九州支部学術講演会)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03927
[学会発表] Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination2019
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M. Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Study on Position of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] 3C-SiC MOSFETの閾値電圧制御に向けたSiO2/Al2O3ゲートスタック中の固定電荷・界面ダイポールの解析2019
- 著者名/発表者名
  岡龍誠、山本圭介、王冬、中島寛、菱木繁臣、川村啓介
- 学会等名
  第11回半導体材料・デバイスフォーラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  236th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Low temperature (<300oC Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices2019
- 著者名/発表者名
  K. Iseri, W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Border-Trap Evaluation for SiO2/GeO2/Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima(Invited), W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動作2019
- 著者名/発表者名
  山本圭介、岡龍誠、王冬、中島寛、菱木繁臣、川村啓介
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Demonstration of n-MOSFET operation and charge analysis of SiO2/Al2O3 gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC2019
- 著者名/発表者名
  R. Oka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成2019
- 著者名/発表者名
  井芹健人、温偉辰、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Enhancement of direct band gap electroluminescence in asymmetric metal/Ge/metal diodes2019
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 学会等名
  TACT 2019 International Thin Film Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析2019
- 著者名/発表者名
  岡龍誠、山本圭介、王冬、中島寛、菱木繁臣、川村啓介
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Evaluation of Border Traps in Al2O3/GeOx/p-Ge Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Border Trap Evaluation for Al2O3/GeOX/p-Ge Gate Stacks using Deep-Level Transient Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] 遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御2018
- 著者名/発表者名
  山本圭介、光原昌寿、王冬、中島寛
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks2018
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, W.-C. Wen, K. Yamamoto and D. Wang
- 学会等名
  11th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator2018
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Evaluation of border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation2018
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang and H. Nakashima
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application2018
- 著者名/発表者名
  Wei-Chen Wen、Keisuke Yamamoto、Dong Wang、Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] GOI基板を用いた非対称ー金属／Ge／金属構造光素子の作製・特性評価2018
- 著者名/発表者名
  後藤太希、前蔵貴行、仲江航平、山本圭介、中島寛、王冬、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] 電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成2018
- 著者名/発表者名
  秋山健太郎、井芹健人、温偉辰、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化2018
- 著者名/発表者名
  仲江航平、薛飛達、山本圭介、王冬、中島寛、Miao Zhang、Zhongying Xue、Zenfeng Di
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-Insulator substrate2018
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, T. Goto, K. Nakae, K. Yamamoto, H. Nakashima, D. Wang
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Border trap evaluation using deep-level transient spectroscopy for SiO2/GeO2/Ge gate stacks2018
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  12th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Impact of Al2O3 interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application2018
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Direct band gap electroluminescence and photo detection in asymmetric metal/Ge/metal diodes2018
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 学会等名
  Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Fabrication of Ge MOS Capacitor by Metal Yttrium Oxidation2018
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, K. Akiyama, K. Iseri, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  12th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Border trap characterization using deep-level transient spectroscopy for GeO2/Gegate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation2018
- 著者名/発表者名
  Wei-Chen Wen、Keisuke Yamamoto、Dong Wang、Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  シリコン材料の科学と技術フォーラム2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Characterization of near-interface border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation using deep-level transient spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2017
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  232nd ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構2017
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、織田知輝、坂口大成、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(Ⅱ)2017
- 著者名/発表者名
  板屋航、仲江航平、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes2017
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
- 学会等名
  The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks2017
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性2017
- 著者名/発表者名
  坂口大成、秋山健太郎、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2017
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 年月日
  2017-02-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  T. Sakaguchi, K. Akiyama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03237
[学会発表] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成2017
- 著者名/発表者名
  岡本隼人、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価2017
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行、本山千里、田中健太郎、山本圭介、中島寛、王冬
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes2017
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
- 学会等名
  10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成2016
- 著者名/発表者名
  岡本隼人、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ：新潟コンベンションセンター
- 年月日
  2016-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 金属/Ge接合及びn+/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  山本圭介、岡本隼人、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks2016
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Shintaro Tanaka, Tomoki Tateyama, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 金属/Ge接合及びn+/Ge接合を用いたGeトンネルFETの作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  山本圭介、岡本　隼人、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Influences of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  Takayuki Maekura, Chisato Motoyama, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Dong Wang
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2016-01-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al/SiO2/GeO2/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失2016
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、建山知輝、坂口大成、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ：新潟コンベンションセンター
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2016
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2016)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- 年月日
  2016-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2gate stacks2016
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, S. Tanaka, T. Tateyama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016
- 発表場所
  Noyori Conference Hall, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-06-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 反応性スパッタリングで形成したZrN 物性とGe とのコンタクト特性2016
- 著者名/発表者名
  板屋航, 岡本隼人, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上2016
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、田中慎太郎、建山知輝、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Achievement of low parasitic resistance in Ge n-MOSFET with embedded TiN-source/drain structure2016
- 著者名/発表者名
  T. Tateyama, Y. Nagatomi, S. Tanaka, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減2016
- 著者名/発表者名
  建山知輝、永冨雄太、田中慎太郎、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Ge 光素子における基板キャリア密度と伝導型が及ぼす発光特性への影響2016
- 著者名/発表者名
  田中健太郎, 前蔵貴行, 本山千里, 王冬, 山本圭介, 中島寛
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al atoms in SiO2/GeO2 gate stacks2016
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, S. Tanaka, T. Tateyama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2016-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Characterization of Ge Tunnel FET with Metal/Ge Junction2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces and Int. SiGe Technology and Device Meeting 2016
- 発表場所
  Noyori Conference Hall, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-06-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上2016
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、田中慎太郎、建山知輝、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減2016
- 著者名/発表者名
  建山知輝、永冨雄太、田中慎太郎、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] ゲートスタック中へのAl 導入によるp-MOSFET の移動度向上機構2016
- 著者名/発表者名
  坂口大成, 建山知輝, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] TOF-SIMS and XPS analyses for investigation of Al post-metallization annealing effect for Ge MOS capacitors with SiO2/GeO2 bilayer passivation2016
- 著者名/発表者名
  W.-C. Wen, Y. Nagatomi, L. Zhao, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer2016
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  JSPS Core-to Core Program "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Forschungszentrum Jülich, Germany
- 年月日
  2016-11-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Influences of metal/Ge contact and surface passivation on direct band gap light emission and detection for asymmetric metal/Ge/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, C. Motoyama, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2016-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Influence of Al-PMA for fin type asymmetric metal/germanium/metal diodes2016
- 著者名/発表者名
  C. Motoyama, T. Maekura, K. Tanaka, D. Wang, K. Yamamoto, H. Nakashima
- 学会等名
  平成28(2016)年度応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎県対馬市　対馬市交流センター
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical characterization of SiGe-on-insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference
- 発表場所
  Fuxuan Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2015-10-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- 年月日
  2015-10-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] SiO2/GeO2/GeゲートスタックにおけるAl導入効果2015
- 著者名/発表者名
  田中慎太郎、建山知輝、永冨雄太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2015年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  琉球大学
- 年月日
  2015-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用2015
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 田中慎太郎, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance2015
- 著者名/発表者名
  Shintaro Tanaka, Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Japan
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, R. Noguchi, M. Mitsuhara, M. Nishida, T. Hara, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2015-01-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御2015
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、長岡裕一、田中慎太郎、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack2015
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Shintaro Tanaka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  K Yamamoto, R. Noguchi, ,M. Mitsuhara, M. Nishida, T. Hara, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  9th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2015-05-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用2015
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、田中慎太郎、長岡裕一、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2015-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Electrical properties of metal-nitride/Ge contacts and the application to Ge optoelectronic devices2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  The 2nd International Conference & Exhibition for Nanopia
- 発表場所
  Changwon Exhibition Convention Center, Gyeongsangnam-do, Korea
- 年月日
  2015-11-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure2015
- 著者名/発表者名
  Dong Wang, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
- 発表場所
  The University of Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非対称-金属/Ge/金属構造を有する光素子の試作と特性評価2015
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes2015
- 著者名/発表者名
  Takayuki Maekura, Dong Wang, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Japan
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Electrical Properties of Group 4 Metal-Nitride/Ge Contacts and the Application to Ge Optoelectronic Devices2015
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Direct band gap light emission and detection in lateral HfGe/Ge/TiN diodes2015
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 学会等名
  American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2015-10-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Effect of Al Post Metallization Annealing on Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, S. Tanaka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Contact Formation for Metal Source/Drain Ge-CMOS2015
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang, M. Mitsuhara, R. Noguchi, K. Hiidome, and M. Nishida
- 学会等名
  9th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2015-05-17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Contact Formation for Metal Source/Drain Ge-CMOS2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
- 発表場所
  The University of Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Direct-bandgap light emission and detection at room temperature in bulk-Ge diodes with HfGe/Ge/TiN structure2015
- 著者名/発表者名
  D. Wang, T. Maekura,K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 学会等名
  9th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Montreal, Canada
- 年月日
  2015-05-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Electrical characterization of SiGe-on-insulator fabricated using Ge condensation by dry oxidation2015
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2015-10-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Electrical properties of metal-nitride/Ge contacts and the application to Ge optoelectronic Devices2015
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  The 2nd International Conference & Exhibition for Nanopia
- 発表場所
  Changwon, Korea,
- 年月日
  2015-11-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減の検討2015
- 著者名/発表者名
  建山知輝、田中慎太郎、永冨雄太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2015年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  琉球大学
- 年月日
  2015-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] 非対称金属構造を有するGeダイオードの発光特性および受光特性2015
- 著者名/発表者名
  本山千里、前蔵貴行、王冬、山本圭介、中島寛
- 学会等名
  2015年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  琉球大学
- 年月日
  2015-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] 非対称金属構造を有するGeダイオードの金属コンタクトおよび表面パッシベーション方法の違いによる発光特性・受光特性の改善2015
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行、本山千里、王冬、山本圭介、中島寛
- 学会等名
  2015年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  琉球大学
- 年月日
  2015-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Electrical Properties of Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2015-01-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御2015
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 田中慎太郎, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2015年第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Barrier Height Modulation for Metal/Ge Contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9)
- 発表場所
  The University of Montreal, Quebec, Canada
- 年月日
  2015-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Influences of Metal/Ge Contact and Surface Passivation on Light Emission and Detection for Asymmetric Metal/Ge/Metal Diodes2015
- 著者名/発表者名
  T. Maekura, D. Wang, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2015)
- 発表場所
  Hokaido
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] 極薄EOTを有するn-Ge上high-kゲートスタックの形成と評価2015
- 著者名/発表者名
  岡本隼人、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2015年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  琉球大学
- 年月日
  2015-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Direct band gap light emission and detection in lateral HfGe/Ge/TiN diodes2015
- 著者名/発表者名
  Dong Wang, Takayuki Maekura, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  American Vacuum Society (AVS) Shanghai Thin Film Conference
- 発表場所
  Fuxuan Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2015-10-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] PtGe-Source/Drain Ge p-MOSFET with High On/Off Ratio and Low Parasitic Resistance2015
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, Y. Nagatomi,Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
- 発表場所
  Hokaido
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Contact properties of group IV metal-nitrides(TiN, ZrN, HfN) on Ge2014
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Masatoshi Mitsuhara, Ryutaro Noguchi, Keisuke Hiidome, Minoru Nishida
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program,“Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2014-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調2014
- 著者名/発表者名
  山本　圭介、王　冬、中島寛
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  226th ECS Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  山本裕介, 村山亮介, 山本圭介, 王冬, 中島寛, 菱木繁臣, 川村啓介
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ALDにより形成したAl2O3/Geゲートスタックに於けるKr/O2 ECRプラズマ酸化2014
- 著者名/発表者名
  長岡　裕一、永冨　雄太、山本　圭介、王　冬、中島寛
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明（II）2014
- 著者名/発表者名
  山本圭介、光原昌寿、吹留佳祐、野口竜太郎、西田稔、王冬、中島寛
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] 原子層堆積法により形成したAl2O3/GeゲートスタックにおけるAl堆積後熱処理の有効性2014
- 著者名/発表者名
  田中慎太郎, 長岡裕一, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Effect of Kr/O2 ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2014-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Fabrication of Ge MOS and Ge Light Emitting Devices Using Contacts with Low Electron　and Hole Barrier Heights2014
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, “Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Sendai
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2014-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] ALDにより形成したAl2O3/Geゲートスタックに於けるKr/O2ECRプラズマ酸化効果2014
- 著者名/発表者名
  長岡裕一, 永冨雄太, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 原子層堆積法により形成したAl2O3/GeゲートスタックにおけるAl堆積後熱処理の有効性2014
- 著者名/発表者名
  田中慎太郎、長岡裕一、永冨雄太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2014年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Contact properties of group IV metal-nitrides (TiN, ZrN, HfN) on Ge2014
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang, M. Mitsuhara, R. Noguchi, K. Hiidome, and M. Nishida
- 学会等名
  JSPS Core-to Core Program
- 発表場所
  Lueven Belgium
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOX/Ge Gate Stack2014
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  226th ECS Meeting
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 年月日
  2014-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調2014
- 著者名/発表者名
  山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] バルクGe発光素子のデバイス構造による発光効率の変化2014
- 著者名/発表者名
  前蔵貴行, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  2014年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  大分大学
- 年月日
  2014-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al2O3/GeOx/Geゲートスタックに於けるAl-PMA効果の調査2014
- 著者名/発表者名
  永冨　雄太、長岡　裕一、山本　圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス（SDM）研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces2014
- 著者名/発表者名
  Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2014-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al2O3/GeOx/Geゲートスタックに於けるAl-PMA効果の調査2014
- 著者名/発表者名
  永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、長岡裕一、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure2014
- 著者名/発表者名
  Dong Wang, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2014-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, “Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Effect of Kr/O2ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD2014
- 著者名/発表者名
  Yuta Nagatomi, Yuichi Nagaoka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center
- 年月日
  2014-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289090
[学会発表] ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース／ドレイン Ge p-MOSFETの高移動度化2013
- 著者名/発表者名
  山本　圭介、佐田隆宏、王冬、中島寛
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成2013
- 著者名/発表者名
  畑山紘太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] An accurate characterization of metal-insulator-semiconductor interface-state by deep-level transient spectroscopy and its application on Y2O3/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer2013
- 著者名/発表者名
  D. Wang, Y. Nagatomi, S. Kojima, S. Kamezawa, K. Yamamoto, and H. Nakashima
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures & 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Al2O3/Ge構造形成後のECRプラズマ酸化による固定電荷密度の制御2013
- 著者名/発表者名
  長岡　裕一、永冨　雄太、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2013年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Contact Formations for Schottky Source/Drain Ge-CMOS2013
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang
- 学会等名
  6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration"
- 年月日
  2013-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化2013
- 著者名/発表者名
  佐田隆宏、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明2013
- 著者名/発表者名
  山本圭介、光原昌寿、西田稔、王冬、中島寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 極薄GeOX界面層を有するY2O3/Ge ゲートスタックの低温形成2013
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、小島秀太、亀沢翔、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価:一定温度DLTS2013
- 著者名/発表者名
  中島寛、王冬、山本圭介
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge Contacts2013
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, and D. Wang
- 学会等名
  224th ECS Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Y2O3ゲートTiNメタル・ソース／ドレイン型Ge n-MOSFETの作製2013
- 著者名/発表者名
  亀沢　翔、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2013年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Metal Source/Drain Ge p-MOSFET with HfGe/Ge Contact2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, T. Sada, H. Yang, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures & 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25249035
[学会発表] Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2 and ZrGeO Interlayers2012
- 著者名/発表者名
  S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, and D. Wang
- 学会等名
  222nd ECS Meeting
- 発表場所
  Hawaii, USA(招待講演)
- 年月日
  2012-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] TiN/Ge コンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOS デバイス応用2012
- 著者名/発表者名
  山本圭介、井餘田昌俊、王冬、中島寛
- 学会等名
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー:「ゲートスタック研究の進展-不純物分布および接合界面制御を中心に」
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2012-06-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain2012
- 著者名/発表者名
  T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性2012
- 著者名/発表者名
  山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年秋季第73 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 低電子障壁TiN/Si コンタクトの形成とback-gate MOSFET への応用2012
- 著者名/発表者名
  朝川幸二朗、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年秋季第73 回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価2012
- 著者名/発表者名
  山本圭介、原田健司、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back- Gate MOSFET2012
- 著者名/発表者名
  K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 低障壁TiN/n-Ge コンタクトの形成とコンタクト抵抗評価2012
- 著者名/発表者名
  山本圭介、原田健司、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] ウェットエッチングによるSin-MOSFET のデバイス特性の変化2012
- 著者名/発表者名
  村山亮介、朝川幸二朗、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- 年月日
  2012-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] p形4H-SiCへのAl/Ti/Si オーミックコンタクトの低温形成2012
- 著者名/発表者名
  畑山紘太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- 年月日
  2012-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 極薄GeO2-IL を有するAl2O3/Ge ゲートスタックの形成2012
- 著者名/発表者名
  永冨雄太、小島秀太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- 年月日
  2012-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] リセスチャネルTiN メタル・ソース/ドレイン型Ge n-MOSFETの作製2012
- 著者名/発表者名
  亀沢翔、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- 年月日
  2012-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] ショットキーソース/ドレインGe p-MOSFETの作製と電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  佐田隆宏、楊海貴、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  鹿児島大学
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 極薄ゲート絶縁膜を有するGe-MOSFET 作製のための表面保護プロセスの検討2011
- 著者名/発表者名
  高橋涼介、山中武、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  鹿児島大学
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Photoluminescence observation of defects for uniaxially strained Si-on-insulator2011
- 著者名/発表者名
  D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Ge-MOSキャパシタに於けるTiNメタルゲート形成後の熱処理効果2011
- 著者名/発表者名
  岩村義明、坂本敬太、平山佳奈、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 極薄ゲート絶縁膜を有するGe-MOSFET作製のための表面保護プロセスの検討2011
- 著者名/発表者名
  高橋涼介、山中武、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  鹿児島大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 2層パッシベーション法で作製したGe-MOSFETの電気特性2011
- 著者名/発表者名
  山本圭介、上野隆二、山中武、平山佳奈、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface2011
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting, Symposium I, Transport and photonics in Si-based nanodevices(招待講演)
- 発表場所
  Nice, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamanaka,K.Yamamoto, K.Sakamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  WINC AICHI (Nagoya)
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Ge上へのZrとSiO_2堆積によるhigh-k/Geゲートスタックの形成2011
- 著者名/発表者名
  小島秀太、坂本敬太、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  鹿児島大学
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface2011
- 著者名/発表者名
  H.Nakashima, K.Hirayama, K.Yamamoto, H.Yang, D.Wang
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting, Symposium I, Transport and photonics in Si-based nanodevices, 17-6
- 発表場所
  Nice, France(招待講演)
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiNゲートGe-MOSキャパシタのPMAによる窒素導入効果2011
- 著者名/発表者名
  坂本敬太、岩村義明、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] TiNゲートGe-MOSキャパシタのPMAによる窒素導入効果2011
- 著者名/発表者名
  坂本敬太、岩村義明、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 1.0nm EOTを有するhigh-k/Geゲートスタックの形成2011
- 著者名/発表者名
  小島秀太、坂本敬太、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiN/SiO2/GeO2/Geゲートスタックを有するGe n-MOSFETの電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  山中武、山本圭介、上野隆二、坂本敬太、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si and Strained Si-on-insulator2011
- 著者名/発表者名
  D.Wang, K.Yamamoto, H.Gao, H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference 2011
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2011-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Mobility and strain evaluations of SiGe-on-insulator substrates with different SiGelayer thickness and Ge fraction2011
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  7^<th> Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 極薄ゲート絶縁膜を有するGe-MOSFET作製のための表面保護プロセスの検討2011
- 著者名/発表者名
  高橋涼介、山中武、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  鹿児島大学
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO2/GeO2 Bilayer by Nitrogen Incorporation2011
- 著者名/発表者名
  K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] "Mobility and strain evaluations of SiGe-on-insulator substrates with different SiGe layer thickness and Ge fraction2011
- 著者名/発表者名
  H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  7^<th> Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiN ゲートGe-MOS キャパシタのPMA による窒素導入効果2011
- 著者名/発表者名
  坂本敬太、岩村義明、山本圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Alleviation of Fermi-level pinning at metal/Ge interface by direct deposition of TiN on Ge surface2011
- 著者名/発表者名
  M.Iyota, K.Yamamoto, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  7^<th> Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] High Performance Ge MOSFETS with Bilayer-Passivated MOS interface2011
- 著者名/発表者名
  K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] High-Electron- Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate2011
- 著者名/発表者名
  T. Yamanaka, K. Yamamoto, K. Sakamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Alleviation of Fermi-level pinning at metal/Ge interface by direct deposition of TiN on Ge surface2011
- 著者名/発表者名
  M. Iyota, K. Yamamoto, D. Wang, H. Yang, H. Nakashima
- 学会等名
  7th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO_2/GeO_2 Bilayer by Nitrogen Incorporation2011
- 著者名/発表者名
  K.Sakamoto, Y.Iwamura, K.Yamamoto, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  WINC AICHI (Nagoya)
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] High Performance Ge MOSFETS with Bilayer-Passivated MOS interface2011
- 著者名/発表者名
  K.Yamamoto, R.Ueno, T.Yamanaka, K.Hirayama, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  7^<th> Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiN/SiO_2/GeO_2/Geゲートスタックを有するGe n-MOSFETの電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  山中武、山本圭介、上野隆二、坂本敬太、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価2011
- 著者名/発表者名
  山本圭介、原田健司、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiNショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFETの作製2011
- 著者名/発表者名
  山本圭介、山中武、原田健司、佐田隆宏、坂本敬太、小島秀太、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiN/SiO2/GeO2/Ge ゲートスタックを有するGe n-MOSFET の電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  山中武、山本圭介、上野隆二、坂本敬太、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate2011
- 著者名/発表者名
  T. Yamanaka, K. Yamamoto, K. Sakamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  WINC AICHI(Nagoya)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] TiN堆積によるn-Ge基板へのオーミックコンタクトの形成2011
- 著者名/発表者名
  井餘田昌俊、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] HfGe_xショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFETの作製2011
- 著者名/発表者名
  山本圭介、佐田隆宏、山中武、坂本敬太、小島秀太、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface2011
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang
- 学会等名
  E-MRS 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface ( 招待講演)2011
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang
- 学会等名
  European Materials Research Society 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin　SiO2/GeO2 Bilayer by Nitrogen Incorporation2011
- 著者名/発表者名
  K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  WINC AICHI(Nagoya)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Defect characterization and control for Site-on-insulator2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  The 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010)
- 発表場所
  Shanghai, China(Invited)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Microstructure and strain distribution in strained freestandeing Si membrane2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  The 17th International Microscopy Congress
- 発表場所
  Brazil
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] 2層パッシベーションで作製したMOS界面を有するGe-nMOSFETの電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  山中武、山本圭介、上野隆二、平山佳奈、岩村義明、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Microstructure and strain distribution in strained freestandeing Si membrane2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  The 17^<th> International Microscopy Congress (IMC17)
- 発表場所
  Brazil
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Ge-MOS構造に於ける高品質界面層の形成2010
- 著者名/発表者名
  上野隆二、平山佳奈、岩村義明、吉野圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Effect of Al_2O_3 deposition and the subsequent annealing on passivation of defectsin Ge-rich Site-on-insulator2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] TiN/ZrSiO_x/GeO_2/Geゲートスタックの形成2010
- 著者名/発表者名
  岩村義明、平山佳奈、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Fabrication of high quality Ge-MOS capasitor by ultra-thin SiO_2/GeO_x bi-layer passivation combined with ECR SiO_2-deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, K.Yoshino, R.Ueno, Y.Iwamura, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  5^<th> International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Stockholm, Sweden
- 年月日
  2010-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Defect evaluation and control of Site-on-insulator substrate fabricated by the Gecondensation technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  岡山大学
- 年月日
  2010-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Effective Passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al_2O_3 deposition and the subsequent post-annealing2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  5^<th> International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Stockholm, Sweden
- 年月日
  2010-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Fabrication of Ge-MOS Capacitors with High-Quality Interface by Ultra-Thin SiO_2/GeO_2 Bi-Layer Passivation2010
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, R.Ueno, Y.Iwamura, K.Yoshino, D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_<0.5>Ge_<0.5>-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  The 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 酸化濃縮Site-On-Insulator基板の欠陥評価と制御2010
- 著者名/発表者名
  中島寛、楊海貴、王冬
- 学会等名
  日本学術振興会「結晶加工と評価技術第145委員会」第124回研究会
- 発表場所
  明治大学
- 年月日
  2010-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Microstructures and defects in freestanding Si membranes in Strained Freestanding Si Membranes2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  第52回日本顕微鏡学会九州支部総会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-12-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Microphotoluminescence evaluation of local for freestanding Si membranes with SiN deposition2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  岡山大学
- 年月日
  2010-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] SiN膜堆積によるSi基板への局所歪み導入と移動度評価手法の構築2010
- 著者名/発表者名
  原田健司、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Micro photoluminescence evaluation of local for freestanding Si membranes with SiN deposition2010
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  岡山大学
- 年月日
  2010-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Ge上への極薄SiO_2/GeO_2界面層の形成2010
- 著者名/発表者名
  平山佳奈、吉野圭介、岩村義明、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Al/TiN/ZrSiO_x/GeO_2/Geゲートスタックの形成2010
- 著者名/発表者名
  坂本敬太、平山佳奈、岩村義明、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Microstructures and defects in freestanding Si membranes in Strained Freestanding Si Membranes2010
- 著者名/発表者名
  H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  第52回日本顕微鏡学会九州支部総会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-12-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Al_2O_3PDAによる酸化濃縮SiGe-On-Insulator基板中の欠陥制御2010
- 著者名/発表者名
  井餘田昌俊、池浦奨悟、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] SiN膜堆積によるSi基板への局所ひずみ導入と移動度評価手法の構築2010
- 著者名/発表者名
  原田健司、山本圭介、王冬、中島寛
- 学会等名
  2010年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] Electrical characterization of High-k Gate Dielectrics on Ge with HfGeN and GeO_2 interlayers2009
- 著者名/発表者名
  K.Hirayama, W.Kira, K.Yoshino, H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] GeO_2/Ge界面のDLTS法による評価2009
- 著者名/発表者名
  上野隆二、平山佳奈、吉野圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2009年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  熊本大学
- 年月日
  2009-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Defect-Induced Deep Levels in SiGe-on-Insulator Substrate Fabricated using Ge Condensation Technique2009
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] ZrSiO_x/GeO_2/Ge MIS構造の形成と電気的評価2009
- 著者名/発表者名
  吉野圭介、平山佳奈、上野隆二、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 325nm-Laser Excited Micro-Photoluminescence for Strained Si Films2009
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, T.Kitamura H.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] 325 nm-Laser Excited Micro-Photolumines cence for Strained Si Films2009
- 著者名/発表者名
  D.Wang, H.Gao, K.Ikeda, S.Hata, H.Nakashima, T.KitamuraH.Yang, H.Nakashima
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760011
[学会発表] 酸化濃縮法で作成したSiGe-On-Insulator基板中の欠陥生成機構2009
- 著者名/発表者名
  池浦奨悟、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 酸化濃縮法で作成したSiGe-On-lnsulator基板中の欠陥制御2009
- 著者名/発表者名
  井餘田昌俊、池浦奨悟、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2009年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  熊本大学
- 年月日
  2009-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価2009
- 著者名/発表者名
  中島寛、平山佳奈、楊海貴、王冬
- 学会等名
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー : 「ゲートスタック研究の進展 Ge系材料を中心に」
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2009-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] ZrSiO_x/GeO_2/Ge MIS構造の形成と電気的評価2009
- 著者名/発表者名
  岩村義明、平山佳奈、吉野圭介、楊海貴、王冬、中島寛
- 学会等名
  2009年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  熊本大学
- 年月日
  2009-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Optical and Electrical Characterizations of Defects in SiGe-on-Insulator(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  H.Nakashima, D.Wang, H.Yang
- 学会等名
  216^<th> Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] SiGe-on-Insulator基板形成時に発生する欠陥の電気・光学的評価2009
- 著者名/発表者名
  中島寛、楊海貴、王冬
- 学会等名
  日本物理学会領域10格子欠陥・ナノ構造分科、第19回格子欠陥フォーラム「半導体格子欠陥の最前線」
- 発表場所
  九州大学
- 年月日
  2009-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] Defect Control by Al-deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions2009
- 著者名/発表者名
  H.Yang, D.Wang, H.Nakashima, K.Hirayama, S.Kojima, S.Ikeura
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246054
[学会発表] 極薄GeO2-ILを有するAl2O3/Geゲートスタックの形成
- 著者名/発表者名
  永冨　雄太、小島　秀太、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイス応用
- 著者名/発表者名
  山本　圭介、井餘田　昌俊、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  応用物理学会分科会シリコンテクノロジー：「ゲートスタック研究の進展－不純物分布および接合界面制御を中心に」
- 発表場所
  名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] p形4H-SiCへのAl/Ti/Siオーミックコンタクトの低温形成
- 著者名/発表者名
  畑山　紘太、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Contact Formations for Schottky Source/Drain Ge-CMOS
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, and Dong Wang
- 学会等名
  6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, “Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, JAPAN
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2 and ZrGeO Interlayers
- 著者名/発表者名
  S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS
- 著者名/発表者名
  中島　寛, 王　冬, 山本　圭介
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成
- 著者名/発表者名
  畑山　紘太, 山本　圭介, 王　冬, 中島　寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
- 著者名/発表者名
  佐田　隆宏, 山本　圭介, 王　冬, 中島　寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET
- 著者名/発表者名
  K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] ウェットエッチングによるSi n-MOSFETのデバイス特性の変化
- 著者名/発表者名
  村山　亮介、朝川　幸二朗、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 低電子障壁TiN/Siコンタクトの形成とback-gate MOSFETへの応用
- 著者名/発表者名
  朝川　幸二朗、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain
- 著者名/発表者名
  T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, and H. Nakashima
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs
- 著者名/発表者名
  H. Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, and D. Wang
- 学会等名
  222nd ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性
- 著者名/発表者名
  山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明
- 著者名/発表者名
  山本　圭介, 光原　昌寿, 西田　稔, 王　冬, 中島　寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] リセスチャネルTiN メタル・ソース/ドレイン型 Ge n-MOSFETの作製
- 著者名/発表者名
  亀沢　翔、山本　圭介、王　冬、中島　寛
- 学会等名
  2012年応用物理学会九州支部学術講演会
- 発表場所
  佐賀大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017
[学会発表] 極薄GeOX界面層を有するY2O3/Ge ゲートスタックの低温形成
- 著者名/発表者名
  永冨　雄太, 小島　秀太, 亀沢　翔, 山本　圭介, 王　冬, 中島　寛
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760017

1. 中島寛 (70172301)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 216件
2. 山本圭介 (20706387)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 58件
3. 浜本貴一 (70404027)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 西田稔 (90183540)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
5. 光原昌寿 (10514218)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
6. 楊海貴

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 66件
7. 浜屋宏平

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
8. YANG H

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件
9. 赤嶺大志

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

王 冬 Wang Dong

研究課題

研究成果

共同研究者

中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Ge-On-Insulator基板上への局所歪み導入によるGe-光素子の高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

メタル・ソース／ドレイン型Ｇｅ－ＣＭＯＳ実現のための基盤技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高性能ULSIのための歪みGeチャネルの形成と物性評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al2O3 interlayer and its internal charge analysis2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut(TM) and Defect Elimination2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-insulator substrate2019

著者名/発表者名

雑誌名

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[雑誌論文] Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy2019

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[雑誌論文] Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation2019

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[雑誌論文] Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy2018

王冬 Wang Dong

[雑誌論文] Direct band gap light emission and detection at room temperature in bulk germanium　diodes with HfGe/Ge/TiN structure2016