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久保 俊晴  Kubo Toshiharu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10422338
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度 – 2024年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2019年度 – 2021年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2011年度: 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 助教
2009年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員
2007年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 研究機関研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード
研究代表者
MOS構造 / 緩衝層 / GaN on Si / 歪超格子 / Si / 縦型デバイス / Si基板 / GaN / 極微細金属パターン付き基板 / EBSD … もっと見る / ラマン分光 / アニーリング / 極微細金属パターン / グラフェン膜 / ラ マ ン 分光 / ア ニ ー リ ン グ / 極微細金属パ タ ー ン / 金属凝集法 / グ ラ フ ェ ン 膜 / 電子ビーム露光 / 金属凝集 / FET / グラフェン … もっと見る
研究代表者以外
電気化学酸化 / 電流コラプス / HEMT / 多重台形チャネル / AlInN / 窒素空孔 / ドライエッチング / ICP / ALD / へテロ接合 / 界面準位 / MMC / C-V / AlGaN / GaN / トランジスタ / 絶縁膜 / 電子準位 / 表面・界面 / 窒化ガリウム / コーティング / 中性子照射 / 増殖材料 / トリチウム / ブランケット 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (11件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      久保 俊晴
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製研究代表者

    • 研究代表者
      久保 俊晴
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      名古屋工業大学
  •  電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化

    • 研究代表者
      橋詰 保
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      北海道大学
  •  核融合炉ブランケット材料中のトリチウム-材料相互作用に関する研究

    • 研究代表者
      寺井 隆幸
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2023 2021 2020 2019 2010 2009

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films2021

    • 著者名/発表者名
      Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 11 ページ: 116503-116503

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac30ed

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [雑誌論文] Variation of surface potentials of Si-doped Al_xGa_1-xN (0 < x < 0.87) grown on AlN/sapphire template by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Kubo, H. Taketomi, H. Miyake, K. Hiramatsu, and T. Hashizume
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 3 号: 2 ページ: 21004-21004

    • DOI

      10.1143/apex.3.021004

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246007
  • [雑誌論文] Variation of surface potentials of Si-doped Al_xGa_<1-x>N(0<x<0.87)grown on AlN/sapphire template by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kubo, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express 3(論文番号021004-1-3)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246007
  • [学会発表] 電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス2023

    • 著者名/発表者名
      久保俊晴、小池貴也、神谷俊輝、江川孝志
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K26158
  • [学会発表] 転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II2021

    • 著者名/発表者名
      高橋明空、芝南々子、久保俊晴、三好実人、江川孝志
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製2021

    • 著者名/発表者名
      高橋明空、加藤一朗、久保俊晴、三好実人、江川孝志
    • 学会等名
      第69回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 転写フリーグラフェンFETの電気特性に対する Ni金属触媒の結晶性の効果2020

    • 著者名/発表者名
      小林幹, ドルジダウガ ビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価22019

    • 著者名/発表者名
      Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] 転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果2019

    • 著者名/発表者名
      小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04531
  • [学会発表] Chemical and Electronic Properties of MOVPE-grown Al_xGa_<1-x>N Surfaces(0.25<x<0.68)2009

    • 著者名/発表者名
      T.Kubo, K.Sugawara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246007
  • [学会発表] Characterization of Schottky interface properties and deep levels of Al_xGa_<1-x>N(0.25<x<0.68)grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara, T.Kubo, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246007
  • 1.  寺井 隆幸 (90175472)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  鈴木 晶大 (80332188)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  田中 照也 (30353444)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  星野 毅 (80370469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  志村 憲一郎 (90391292)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 7.  佐藤 威友 (50343009)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  古賀 裕明 (80519413)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  赤澤 正道 (30212400)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  三好 実人 (30635199)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件

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