岡野誠 Okano Makoto

研究者番号	10443178
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: 産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 2010年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 研究員 2008年度 – 2009年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 光技術研究部門, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者応用光学・量子光工学研究代表者以外光工学・光量子科学
キーワード	研究代表者シリコンフォトニクス / レーザ / 量子ドット / シリコンフォト二クス / 光電子集積回路 / ハイブリッド集積 / 異種接合研究代表者以外光源技術 / デバイス設計・製造プロセス / 応用光学・量子光工学 … もっと見る / シリコンラマンレーザ / 微小共振器 / ラマンレーザ / ナノ共振器 / 顕微分光 / 微細加工 / 誘導ラマン散乱 / 高Q値ナノ共振器 / フォトニック結晶 / シリコンラマンレーザー隠す

ナノ共振器シリコンラマンレーザーの光利得機構の解明と発振特性評価
- 研究代表者
  
  高橋和
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  光工学・光量子科学
- 研究機関
  大阪府立大学
Si/SOI基板上への量子ドットレーザの集積研究代表者
- 研究代表者
  
  岡野誠
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2018 2017 2016 2010 2008

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Nondetrimental Surface Modification of Ultrahigh-Q Photonic Crystal Silicon Nanocavities2018
- 著者名/発表者名
  Takahiro Ito, Kohei Ashida, Kei Kinoshita, Rai Moriya, Tomoki Machida, Kenichi Maeno, Tatsuro Endo, Koji Yamada, Makoto Okano, Yasushi Takahashi
- 雑誌名
  
  CLEO Pacific Rim (CLEO-PR 2018), OSA Technical Digest
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[雑誌論文] High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer2018
- 著者名/発表者名
  Yukiko Yamauchi, Makoto Okano, Susumu Noda, Yasushi Takahashi
- 雑誌名
  
  CLEO Pacific Rim (CLEO-PR 2018), OSA Technical Digest
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[雑誌論文] Ultrahigh-Q photonic crystal nanocavities fabricated by CMOS process technologies2017
- 著者名/発表者名
  Ashida Kohei、Okano Makoto、Ohtsuka Minoru、Seki Miyoshi、Yokoyama Nobuyuki、Koshino Keiji、Mori Masahiko、Asano Takashi、Noda Susumu、Takahashi Yasushi
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 25 号: 15 ページ: 18165-18165
- DOI
  10.1364/oe.25.018165
- NAID
  120006719626
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03993, KAKENHI-PROJECT-15H05428
[産業財産権] 半導体レーザー装置2010
- 発明者名
  岡野誠, 天野建, 菅谷武芳, 山本宗継, 小森和弘, 森雅彦
- 権利者名
  独立行政法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2010-058946
- 出願年月日
  2010-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[産業財産権] 半導体レーザー装置2010
- 発明者名
  岡野誠, 他
- 権利者名
  独立行政法人産業技術総合研究所
- 産業財産権番号
  2010-058946
- 出願年月日
  2010-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[産業財産権] 半導体レーザー装置2010
- 発明者名
  岡野誠, 他
- 権利者名
  独立行政法人産業技術総合研究所
- 産業財産権番号
  2010-058944
- 出願年月日
  2010-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[産業財産権] 半導体レーザー装置2010
- 発明者名
  岡野誠, 天野建, 菅谷武芳, 山本宗継, 小森和弘, 森雅彦
- 権利者名
  独立行政法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2010-058944
- 出願年月日
  2010-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[産業財産権] 光デバイスの製造方法2008
- 発明者名
  岡野誠、天野建、五島敬史郎、山本宗継、菅谷武芳、小森和弘、森雅彦
- 権利者名
  独立行政法人産業技術総合研究所
- 産業財産権番号
  2008-218206
- 出願年月日
  2008-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[学会発表] 「第9回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞」受賞記念講演2018
- 著者名/発表者名
  芦田紘平，岡野誠，大塚実，関三好，横山信幸，越野圭二，山田浩治，高橋和
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会（早稲田大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer2018
- 著者名/発表者名
  Yukiko Yamauchi, Makoto Okano, Susumu Noda, Yasushi Takahashi
- 学会等名
  CLEO Pacific Rim (CLEO-PR 2018), Hong Kong, China
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] Nondetrimental Surface Modification of Ultrahigh-Q Photonic Crystal Silicon Nanocavities2018
- 著者名/発表者名
  Takahiro Ito, Kohei Ashida, Kei Kinoshita, Rai Moriya, Tomoki Machida, Kenichi Maeno, Tatsuro Endo, Koji Yamada, Makoto Okano, Yasushi Takahashi
- 学会等名
  CLEO Pacific Rim (CLEO-PR 2018), Hong Kong, China
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] フォトリソグラィを用いて300mmSOI基板に作製したシリコンフォトニック結晶ナノ共振器の位置依存性2017
- 著者名/発表者名
  芦田紘平，岡野誠，大塚実，関三好，横山信幸，越野圭二，山田浩治，高橋和
- 学会等名
  2017年春季応用物理学会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] High-Q photonic crystal nanocavities fabricated on a 300mm-wide SOI wafer using CMOS compatible process2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ashida, Makoto Okano, Minoru Ohtsuka, Miyoshi Seki, Nobuyuki Yokoyama, Keiji Koshino, Koji Yamada, Yasushi Takahashi
- 学会等名
  SPIE NanoPhotonics Australasia 2017, Melbourne, Australia
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] Photonic crystal nanocavities with Q factor of 2 million fabricated by CMOS compatible process2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ashida, Makoto Okano, Minoru Ohtsuka, Miyoshi Seki, Nobuyuki Yokoyama, Keiji Koshino, Masahiko Mori, Yasushi Takahashi, Takashi Asano, and Susumu Noda
- 学会等名
  Photonics West 2017
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] Q値100万を超えるシリコンナノ共振器へのナノ材料付加－前処理プロセスの影響評価－2017
- 著者名/発表者名
  伊藤隆浩、芦田紘平、木下圭、守谷頼、町田友樹、岡野誠、山田浩治、高橋和
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会（福岡国際会議場）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] Q値100万を超えるシリコン万を超えるシリコンナノ共振器への液相ポストプロセ付加2017
- 著者名/発表者名
  伊藤隆浩、芦田紘平、植田眞由、床波志保、飯田琢也、岡野誠、山田浩治、高橋和
- 学会等名
  2017年春季応用物理学会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] フォトリソグラフィで作製したQ値100万を越えるシリコンフォトニック結晶ナノ共振器（注目講演）2016
- 著者名/発表者名
  芦田紘平、岡野誠、大塚実、関三好、横山信幸、越野圭二、森雅彦、高橋和
- 学会等名
  2016年春季応用物理学会
- 発表場所
  東京工業大学，目黒区，東京都
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05428
[学会発表] 1.3μm InAs/GaAs quantum dots on silicon wafer fabricated with DVS-BCB bonding2010
- 著者名/発表者名
  岡野誠, 他
- 学会等名
  The International Conference on Nanophotonics 2010
- 発表場所
  茨城県つくば国際会議場
- 年月日
  2010-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[学会発表] 1.3 mm InAs/GaAs quantum dots on silicon wafer fabricatedwith DVS-BCB bonding2010
- 著者名/発表者名
  岡野誠、天野建、菅谷武芳、五島敬史郎、山本宗継、小森和弘、森雅彦
- 学会等名
  The International Conference on Nanophotonics 2010
- 発表場所
  茨城県つくば国際会議場
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041
[学会発表] ウエハ接合法を用いたSi基板上へのInAs/GaAs量子ドットの集積(II)2008
- 著者名/発表者名
  岡野誠、天野建、五島敬史郎、山本宗継、菅谷武芳、小森和弘、森雅彦
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県中部大学
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760041

1. 高橋和 (20512809)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
2. 野田進 (10208358)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. 金光義彦 (30185954)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 浅野卓 (30332729)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
5. 井原章之 (10619860)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

岡野 誠 Okano Makoto

研究課題

研究成果

共同研究者

ナノ共振器シリコンラマンレーザーの光利得機構の解明と発振特性評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si/SOI基板上への量子ドットレーザの集積研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Nondetrimental Surface Modification of Ultrahigh-Q Photonic Crystal Silicon Nanocavities2018

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer2018

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultrahigh-Q photonic crystal nanocavities fabricated by CMOS process technologies2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[産業財産権] 半導体レーザー装置2010

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体レーザー装置2010

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体レーザー装置2010

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体レーザー装置2010

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 光デバイスの製造方法2008

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] 「第9回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞」受賞記念講演2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Nondetrimental Surface Modification of Ultrahigh-Q Photonic Crystal Silicon Nanocavities2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] フォトリソグラィを用いて300mmSOI基板に作製したシリコン フォトニック結晶ナノ共振器の位置依存性2017

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

岡野誠 Okano Makoto

[学会発表] フォトリソグラィを用いて300mmSOI基板に作製したシリコンフォトニック結晶ナノ共振器の位置依存性2017

[学会発表] Q値100万を超えるシリコンナノ共振器へのナノ材料付加－前処理プロセスの影響評価－2017

[学会発表] Q値100万を超えるシリコン万を超えるシリコンナノ共振器への液相ポストプロセ付加2017