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井上 茂  INOUE Shigeru

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10470113
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2012年度: 東京大学, 生産技術研究所, その他
2008年度 – 2011年度: 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 無機材料・物性
キーワード
研究代表者
表面プラズモン / III族窒化物 / III族窒化物半導体 / FBAR / 結晶成長
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (12件)
  •  III族窒化物半導体/金属量子多層構造による高温域熱電変換素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      井上 茂
    • 研究期間 (年度)
      2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  表面プラズモン制御による発光素子の高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      井上 茂
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2011
    • 研究種目
      若手研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  パルススパッタ堆積法による単結晶薄膜で形成されたFBAR の作製研究代表者

    • 研究代表者
      井上 茂
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2009
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2012 2011 2009

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] 金属基板上への窒化物半導体低温成長2012

    • 著者名/発表者名
      井上茂, 太田実雄, 小林篤, 藤岡洋
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 38巻 ページ: 249-254

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers2009

    • 著者名/発表者名
      岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311巻

      ページ: 1311-1315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of GaN on single crystal Mo substrates using HfN buffer layers2009

    • 著者名/発表者名
      岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 1311-1315

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [学会発表] PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性2012

    • 著者名/発表者名
      丹所昂平,井上茂,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [学会発表] PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性2012

    • 著者名/発表者名
      丹所昂平, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [学会発表] PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性2011

    • 著者名/発表者名
      丹所昂平,田村和也,井上茂,太田実雄,藤岡洋
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [学会発表] フルカラーInGaN発光ダイオードの作製と評価2011

    • 著者名/発表者名
      田村和也,太田実雄,丹所昂平,小林篤,井上茂,藤岡洋
    • 学会等名
      第58回応用物理学関連連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [学会発表] PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性2011

    • 著者名/発表者名
      丹所昂平, 田村和也, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22686031
  • [学会発表] GaN/HfN/Si(110)ヘテロ構造の作製と界面の評価2009

    • 著者名/発表者名
      宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [学会発表] Rh(111)基板上へエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係2009

    • 著者名/発表者名
      岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [学会発表] Rh(111)基板上ヘエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係2009

    • 著者名/発表者名
      岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20760209
  • [学会発表] GaN/HfN/Si(110)へテロ構造の作製と界面の評価2009

    • 著者名/発表者名
      宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20760209

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