• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

大村 一郎  Omura Ichiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10510670
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授
2017年度 – 2020年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授
2015年度 – 2016年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授
2012年度: 九州工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2012年度: 九州工業大学, 工学研究院, 教授
2010年度 – 2011年度: 九州工業大学, 大学院・工学研究院, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21010:電力工学関連 / 電力工学・電力変換・電気機器 / 電力工学・電力変換・電気機器
研究代表者以外
小区分21010:電力工学関連 / 電力工学・電力変換・電気機器
キーワード
研究代表者
パワー半導体 / 窒化ガリウム(GaN) / TCADシミュレーション / コラプス現象 / GaNパワー半導体 / PiNダイオード / パワー / IGBT / バイポーラ / パワー半導体デバイス … もっと見る / 終端構造 / ワイドバンドギャップ / 不純物活性化 / ダイヤモンド / pip構造 / RESURF構造 / 超高耐圧パワー素子 / 二酸化炭素排出削減 / 省エネルギー / 電子デバイス・機器 / 電力用ダイオード / パワーエレクトロニクス … もっと見る
研究代表者以外
予知保全 / 電流センサー / ダブルパルス試験 / パワーサイクル試験 / 電流センサ / 簡易モジュール / パワーモジュール / 故障解析 / 温度分布 / 超音波 / 超音波顕微鏡 / 信頼性 / 熱解析 / パワーデバイス 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 研究成果

    (29件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  新原理超低導通損失バイポーラ型パワー半導体デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      大村 一郎
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21010:電力工学関連
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  インフラ設備用パワー半導体モジュールの遠隔異常監視機能の開発

    • 研究代表者
      附田 正則
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21010:電力工学関連
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  ダイヤモンド・パワーエレクトロニクス:革新的デバイス技術の提案と実証研究代表者

    • 研究代表者
      大村 一郎
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21010:電力工学関連
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  窒化ガリウムパワー半導体素子の信頼性に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      大村 一郎
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      特別研究員奨励費
    • 研究分野
      電力工学・電力変換・電気機器
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  超音波による接合温度分布計測:パワー半導体高信頼化の革新的評価技術

    • 研究代表者
      渡邉 晃彦
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電力工学・電力変換・電気機器
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード研究代表者

    • 研究代表者
      大村 一郎
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電力工学・電力変換・電気機器
    • 研究機関
      九州工業大学

すべて 2018 2013 2012 2011 2010

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Role of Simulation Technology for the Progress in Power Devices and Their Applications2013

    • 著者名/発表者名
      Hiromichi Ohashi, Ichiro Omura
    • 雑誌名

      IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES

      巻: Vol.60, No.2 号: 2 ページ: 528-536

    • DOI

      10.1109/ted.2012.2228272

    • NAID

      120005841742

    • URL

      http://dx.doi.org/

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [雑誌論文] IGBT Scaling Principle Toward CMOS Compatible Wafer Processes2012

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Tanaka, Ichiro Omura
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: vol.80 ページ: 118-123

    • DOI

      10.1016/j.sse.2012.10.020

    • NAID

      120005841745

    • URL

      http://dx.doi.org/

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [雑誌論文] Structure Oriented Compact Model for Advanced Trench IGBTs without Fitting Parameters for Extreme Condition: part I2011

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Tanaka, Ichiro Omura
    • 雑誌名

      Microelectronics Reliability

      巻: vol.51 号: 9-11 ページ: 1933-1937

    • DOI

      10.1016/j.microrel.2011.07.050

    • URL

      http://dx.doi.org/

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置2012

    • 発明者名
      大村一郎、田中雅浩、三木大和
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 産業財産権番号
      2012-123462
    • 出願年月日
      2012-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

    • 発明者名
      大村一郎、松本泰明、津田基裕、
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-05-14
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

    • 発明者名
      大村一郎、松本泰明、津田基裕、附田正則
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 出願年月日
      2012-05-17
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

    • 発明者名
      大村一郎、松本泰明、津田基裕、附田正則
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 出願年月日
      2012-05-14
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 高電圧電力用半導体装置2012

    • 発明者名
      大村一郎、瀬戸康太、附田正則
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 産業財産権番号
      2012-123461
    • 出願年月日
      2012-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法2012

    • 発明者名
      大村一郎、田中雅浩、附田正則、三木大和
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 産業財産権番号
      2012-195347
    • 出願年月日
      2012-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

    • 発明者名
      大村一郎、松本泰明、津田基裕、
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-05-17
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置2012

    • 発明者名
      大村一郎、田中雅浩、附田正則、
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-195347
    • 出願年月日
      2012-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2011

    • 発明者名
      大村一郎、松本泰明、津田基裕、附田正則
    • 権利者名
      九州工業大学
    • 公開番号
      2012-243918
    • 出願年月日
      2011-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2011

    • 発明者名
      大村一郎, 松本泰明, 津田基裕, 附田正則
    • 権利者名
      国立大学法人九州工業大学
    • 産業財産権番号
      2011-111883
    • 出願年月日
      2011-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Prospects of reliable GaN technology in power devices2018

    • 著者名/発表者名
      Giorgia Longobardi, Ichiro Omura
    • 学会等名
      BIT’s 4th Annual World Congress of Smart Materials-2018 (WCSM-2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17F17809
  • [学会発表] 「高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストヘッドの開発」2013

    • 著者名/発表者名
      松吉峻、附田正則(ICSEAD)、平井秀敏、大村一郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      熊本、日本
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストヘッドの開発2013

    • 著者名/発表者名
      松吉峻、附田正則(ICSEAD)、平井秀敏、大村一郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会 IEICE Technical Report EE2012-46
    • 発表場所
      熊本
    • 年月日
      2013-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Lateral Power Devices: from LDMOS, LIGBT to GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Ichiro Omura
    • 学会等名
      2012 International Symposium on VLSI Technology
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Universal Trench Edge Termination Design2012

    • 著者名/発表者名
      Kota Seto, Ryu Kamibaba, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura
    • 学会等名
      Proc. Of ISPSD
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] “Universal Trench Edge Termination Design”2012

    • 著者名/発表者名
      Kota Seto, Ryu Kamibaba, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura
    • 学会等名
      The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD’12)
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Semiconductor Power Switches: Principles and the Future2012

    • 著者名/発表者名
      Ichiro Omura
    • 学会等名
      Proc. Of ISPSD
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI2012

    • 著者名/発表者名
      Masanori Tsukuda, Keiichiro Kawakami and Ichiro Omura
    • 学会等名
      Proc. Of ISPSD
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] “Lateral Power Devices: from LDMOS, LIGBT to GaN”2012

    • 著者名/発表者名
      Ichiro Omura
    • 学会等名
      2012 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications VLSI Design, Automation and Test
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Scaling Rule for Very Shallow Trench IGBT toward CMOS Process Compatibility2012

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Tanaka and Ichiro Omura
    • 学会等名
      Proc. Of ISPSD
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] “Scaling Rule for Very Shallow Trench IGBT toward CMOS Process Compatibility”2012

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Tanaka, Ichiro Omura
    • 学会等名
      The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD’12)
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] “Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI”2012

    • 著者名/発表者名
      Masanori Tsukuda, Keiichiro Kawakami, Ichiro Omura
    • 学会等名
      The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD’12)
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with V_F<350mV2011

    • 著者名/発表者名
      Motohiro Tsuda, Yasuaki Matsumoto, Ichiro Omura
    • 学会等名
      The 23rd International Symposium on Power Semicon ductor Devices & IC's
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with VF<350mV2011

    • 著者名/発表者名
      Motohiro Tsuda, Yasuaki Matsumoto, Ichiro Omura
    • 学会等名
      he 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD'11)
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Challenge to the Barrier of Conduction Loss in PiN Diode toward VF<300 mV with Pulsed Carrier Injection Concept2010

    • 著者名/発表者名
      Yasuaki Matumoto, Kenichi Takahama, Ichiro Omura
    • 学会等名
      The 22^<nd> International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'10)
    • 発表場所
      Hiroshima, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • [学会発表] Challenge to the Barrier of Conduction Loss in PiN Diode toward VF<300 mV with Pulsed Carrier Injection Concept2010

    • 著者名/発表者名
      Yasuaki Matumoto, Kenichi Takahama, Ichiro Omura
    • 学会等名
      The 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'10)
    • 発表場所
      Hiroshima, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360118
  • 1.  渡邉 晃彦 (80363406)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  附田 正則 (00579154)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  長谷川 一徳 (80712637)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  LONGOBARDI GIORGIA
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi