大村一郎 Omura Ichiro

研究者番号	10510670
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授 2017年度 – 2020年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授 2015年度 – 2016年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 2012年度: 九州工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 九州工業大学, 工学研究院, 教授 2010年度 – 2011年度: 九州工業大学, 大学院・工学研究院, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21010:電力工学関連 / 電力工学・電力変換・電気機器 / 電力工学・電力変換・電気機器研究代表者以外小区分21010:電力工学関連 / 電力工学・電力変換・電気機器
キーワード	研究代表者パワー半導体 / 窒化ガリウム（GaN） / TCADシミュレーション / コラプス現象 / GaNパワー半導体 / PiNダイオード / パワー / IGBT / バイポーラ / パワー半導体デバイス … もっと見る / 終端構造 / ワイドバンドギャップ / 不純物活性化 / ダイヤモンド / pip構造 / RESURF構造 / 超高耐圧パワー素子 / 二酸化炭素排出削減 / 省エネルギー / 電子デバイス・機器 / 電力用ダイオード / パワーエレクトロニクス … もっと見る研究代表者以外予知保全 / 電流センサー / ダブルパルス試験 / パワーサイクル試験 / 電流センサ / 簡易モジュール / パワーモジュール / 故障解析 / 温度分布 / 超音波 / 超音波顕微鏡 / 信頼性 / 熱解析 / パワーデバイス隠す

新原理超低導通損失バイポーラ型パワー半導体デバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  大村一郎
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
  九州工業大学
インフラ設備用パワー半導体モジュールの遠隔異常監視機能の開発
- 研究代表者
  
  附田正則
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
  九州工業大学
ダイヤモンド・パワーエレクトロニクス：革新的デバイス技術の提案と実証研究代表者
- 研究代表者
  
  大村一郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
  九州工業大学
窒化ガリウムパワー半導体素子の信頼性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大村一郎
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  九州工業大学
超音波による接合温度分布計測：パワー半導体高信頼化の革新的評価技術
- 研究代表者
  
  渡邉晃彦
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  九州工業大学
新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード研究代表者
- 研究代表者
  
  大村一郎
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  九州工業大学

すべて 2018 2013 2012 2011 2010

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Role of Simulation Technology for the Progress in Power Devices and Their Applications2013
- 著者名/発表者名
  Hiromichi Ohashi, Ichiro Omura
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES
  
  巻: Vol.60, No.2 号: 2 ページ: 528-536
- DOI
  10.1109/ted.2012.2228272
- NAID
  120005841742
- URL
  http://dx.doi.org/
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[雑誌論文] IGBT Scaling Principle Toward CMOS Compatible Wafer Processes2012
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka, Ichiro Omura
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: vol.80 ページ: 118-123
- DOI
  10.1016/j.sse.2012.10.020
- NAID
  120005841745
- URL
  http://dx.doi.org/
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[雑誌論文] Structure Oriented Compact Model for Advanced Trench IGBTs without Fitting Parameters for Extreme Condition: part I2011
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka, Ichiro Omura
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: vol.51 号: 9-11 ページ: 1933-1937
- DOI
  10.1016/j.microrel.2011.07.050
- URL
  http://dx.doi.org/
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置2012
- 発明者名
  大村一郎、田中雅浩、三木大和
- 権利者名
  九州工業大学
- 産業財産権番号
  2012-123462
- 出願年月日
  2012-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012
- 発明者名
  大村一郎、松本泰明、津田基裕、
- 権利者名
  九州工業大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2012-05-14
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012
- 発明者名
  大村一郎、松本泰明、津田基裕、附田正則
- 権利者名
  九州工業大学
- 出願年月日
  2012-05-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012
- 発明者名
  大村一郎、松本泰明、津田基裕、附田正則
- 権利者名
  九州工業大学
- 出願年月日
  2012-05-14
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 高電圧電力用半導体装置2012
- 発明者名
  大村一郎、瀬戸康太、附田正則
- 権利者名
  九州工業大学
- 産業財産権番号
  2012-123461
- 出願年月日
  2012-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法2012
- 発明者名
  大村一郎、田中雅浩、附田正則、三木大和
- 権利者名
  九州工業大学
- 産業財産権番号
  2012-195347
- 出願年月日
  2012-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012
- 発明者名
  大村一郎、松本泰明、津田基裕、
- 権利者名
  九州工業大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2012-05-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置2012
- 発明者名
  大村一郎、田中雅浩、附田正則、
- 権利者名
  九州工業大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2012-195347
- 出願年月日
  2012-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2011
- 発明者名
  大村一郎、松本泰明、津田基裕、附田正則
- 権利者名
  九州工業大学
- 公開番号
  2012-243918
- 出願年月日
  2011-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2011
- 発明者名
  大村一郎, 松本泰明, 津田基裕, 附田正則
- 権利者名
  国立大学法人九州工業大学
- 産業財産権番号
  2011-111883
- 出願年月日
  2011-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Prospects of reliable GaN technology in power devices2018
- 著者名/発表者名
  Giorgia Longobardi, Ichiro Omura
- 学会等名
  BIT’s 4th Annual World Congress of Smart Materials-2018 (WCSM-2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17F17809
[学会発表] 「高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストヘッドの開発」2013
- 著者名/発表者名
  松吉峻、附田正則（ICSEAD）、平井秀敏、大村一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  熊本、日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストヘッドの開発2013
- 著者名/発表者名
  松吉峻、附田正則(ICSEAD)、平井秀敏、大村一郎
- 学会等名
  電子情報通信学会 IEICE Technical Report EE2012-46
- 発表場所
  熊本
- 年月日
  2013-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Lateral Power Devices: from LDMOS, LIGBT to GaN2012
- 著者名/発表者名
  Ichiro Omura
- 学会等名
  2012 International Symposium on VLSI Technology
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Universal Trench Edge Termination Design2012
- 著者名/発表者名
  Kota Seto, Ryu Kamibaba, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura
- 学会等名
  Proc. Of ISPSD
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] “Universal Trench Edge Termination Design”2012
- 著者名/発表者名
  Kota Seto, Ryu Kamibaba, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura
- 学会等名
  The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD’12)
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Semiconductor Power Switches: Principles and the Future2012
- 著者名/発表者名
  Ichiro Omura
- 学会等名
  Proc. Of ISPSD
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI2012
- 著者名/発表者名
  Masanori Tsukuda, Keiichiro Kawakami and Ichiro Omura
- 学会等名
  Proc. Of ISPSD
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] “Lateral Power Devices: from LDMOS, LIGBT to GaN”2012
- 著者名/発表者名
  Ichiro Omura
- 学会等名
  2012　International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications VLSI Design, Automation and Test
- 発表場所
  Hsinchu, Taiwan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Scaling Rule for Very Shallow Trench IGBT toward CMOS Process Compatibility2012
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka and Ichiro Omura
- 学会等名
  Proc. Of ISPSD
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] “Scaling Rule for Very Shallow Trench IGBT toward CMOS Process Compatibility”2012
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka, Ichiro Omura
- 学会等名
  The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD’12)
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] “Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI”2012
- 著者名/発表者名
  Masanori Tsukuda, Keiichiro Kawakami, Ichiro Omura
- 学会等名
  The 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD’12)
- 発表場所
  Bruges, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with V_F<350mV2011
- 著者名/発表者名
  Motohiro Tsuda, Yasuaki Matsumoto, Ichiro Omura
- 学会等名
  The 23rd International Symposium on Power Semicon ductor Devices & IC's
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with VF<350mV2011
- 著者名/発表者名
  Motohiro Tsuda, Yasuaki Matsumoto, Ichiro Omura
- 学会等名
  he 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD'11)
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Challenge to the Barrier of Conduction Loss in PiN Diode toward VF<300 mV with Pulsed Carrier Injection Concept2010
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Matumoto, Kenichi Takahama, Ichiro Omura
- 学会等名
  The 22^<nd> International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'10)
- 発表場所
  Hiroshima, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118
[学会発表] Challenge to the Barrier of Conduction Loss in PiN Diode toward VF<300 mV with Pulsed Carrier Injection Concept2010
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Matumoto, Kenichi Takahama, Ichiro Omura
- 学会等名
  The 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'10)
- 発表場所
  Hiroshima, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360118

1. 渡邉晃彦 (80363406)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. 附田正則 (00579154)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 長谷川一徳 (80712637)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. LONGOBARDI GIORGIA

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

大村 一郎 Omura Ichiro

研究課題

研究成果

共同研究者

新原理超低導通損失バイポーラ型パワー半導体デバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

インフラ設備用パワー半導体モジュールの遠隔異常監視機能の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ダイヤモンド・パワーエレクトロニクス：革新的デバイス技術の提案と実証研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化ガリウムパワー半導体素子の信頼性に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超音波による接合温度分布計測：パワー半導体高信頼化の革新的評価技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Role of Simulation Technology for the Progress in Power Devices and Their Applications2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

URL

データソース

[雑誌論文] IGBT Scaling Principle Toward CMOS Compatible Wafer Processes2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

URL

データソース

[雑誌論文] Structure Oriented Compact Model for Advanced Trench IGBTs without Fitting Parameters for Extreme Condition: part I2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

URL

データソース

[産業財産権] 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置2012

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置及び駆動方法2012

発明者名

権利者名

大村一郎 Omura Ichiro