西佑介 Nishi Yusuke

研究者番号	10512759
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 2020年度: 舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 2018年度 – 2020年度: 京都大学, 工学研究科, 助教 2013年度: 京都大学, 大学院工学研究科, 助教 2011年度 – 2013年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2008年度 – 2011年度: 京都大学, 工学研究科, 助教 2009年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者抵抗変化 / 酸素空孔 / 金属酸化物 / スパッタリング / 欠陥準位 / 酸化物 / 不揮発性メモリ / 酸化物薄膜 / 熱処理 / コンダクタンス変動 … もっと見る / 量子化コンダクタンス / フォーミング / スパッタ / 結晶性 / 表面・界面物性 / 構造・機能材料 … もっと見る研究代表者以外炭化珪素 / 点欠陥 / 拡張欠陥 / 深い準位 / キャリア寿命 / 結晶欠陥 / パワーデバイス / 相補型素子 / 耐環境素子 / 電界効果トランジスタ / イオン注入 / 半絶縁性基板 / 接合終端 / PiNダイオード / 絶縁破壊 / 半導体隠す

共存するディジタルおよびアナログ抵抗変化間の選択的遷移の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  西佑介
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  舞鶴工業高等専門学校
二元系金属酸化物を用いた抵抗変化現象における量子化コンダクタンスの発現研究代表者
- 研究代表者
  
  西佑介
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  舞鶴工業高等専門学校
   京都大学
半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
抵抗変化型不揮発性メモリの基礎物性と抵抗スイッチング特性との相関研究代表者
- 研究代表者
  
  西佑介
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
酸化ニッケル薄膜の抵抗スイッチング効果に対するフォーミング過程の役割研究代表者
- 研究代表者
  
  西佑介
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering2020
- 著者名/発表者名
  Iwata Tatsuya、Nishi Yusuke、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 709 ページ: 138203-138203
- DOI
  10.1016/j.tsf.2020.138203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[雑誌論文] Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAM cells2020
- 著者名/発表者名
  Naoki Kanegami, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 116 号: 1 ページ: 013501-013501
- DOI
  10.1063/1.5131090
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[雑誌論文] Two modes of bipolar resistive switching characteristics in asymmetric TaOx-based ReRAM cells2019
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  MRS Advances
  
  巻: 4 号: 48 ページ: 2601-2607
- DOI
  10.1557/adv.2019.316
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[雑誌論文] Dominant conduction mechanism in TaOx-based resistive switching devices2019
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 090914-090914
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab3b68
- NAID
  210000156961
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[雑誌論文] Effects of TiO_2 crystallinity and oxygen composition on forming characteristics in Pt/TiO_2/Pt resistive switching cells2018
- 著者名/発表者名
  Masaya Arahata,Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 8 号: 12 ページ: 125010-125010
- DOI
  10.1063/1.5060639
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[雑誌論文] Conductance fluctuation in NiO-based resistive switching memory2018
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Hiroki Sasakura, Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 124 号: 15 ページ: 152134-152134
- DOI
  10.1063/1.5037486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[雑誌論文] Microscopic Investigation of the Electrical Properties of Conductive Filaments Formed in Pt/NiO/Pt Resistive Switching Cells2013
- 著者名/発表者名
  T. Iwata, Y. Nishi, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: vol.52 ページ: 41801-41801
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[雑誌論文] Microscopic Investigation of the Electrical and Structural Properties of Conductive Filaments Formed in Pt/NiO/Pt Resistive Switching Cells2013
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Iwata, Yusuke Nishi, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 4R ページ: 41801-41801
- DOI
  10.7567/jjap.52.041801
- NAID
  210000141938
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[雑誌論文] Effects of Heat Treatment on the Resistive Switching Characteristics of Pt/NiO/Pt Stack Structures2011
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Iwata, Yusuke Nishi, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 8R ページ: 081102-081102
- DOI
  10.1143/jjap.50.081102
- NAID
  40018960985
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[雑誌論文] Effect of Heat Treatment on the Resistive Switching Characteristics of Pt/NiO/Pt Stack Structures2011
- 著者名/発表者名
  T. Iwata, Y. Nishi, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: vol.50 ページ: 81102-81102
- NAID
  40018960985
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Ni/Ta2O5/TiN素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化2021
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝, 山田和尚, 木本恒暢, 西佑介
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Depth profile of chemical compositions in Ta2O5-based resistive switching cells2021
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Int. Symp. on Creation of Adv. Photonic and Electronic Devices 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Correlation between depth distribution of chemical compositions and resistive switching characteristics in Metal/Ta2O5/Pt cells2020
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society, Spring/Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Dissolution of conductive filaments by heat in NiO-based resistive switching cells2020
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society, Spring/Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関2020
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存2020
- 著者名/発表者名
  山田和尚, 木本恒暢, 西佑介
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx/Pt素子における酸素熱処理が抵抗変化特性に与える効果2020
- 著者名/発表者名
  井室充登, 金上尚毅, 西佑介, 木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Improvement of analog resistive switching characteristics in TaOx-based synaptic devices through complementary resistive switching2020
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society, Spring/Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Mode Control of Resistive Switching Operations in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells2020
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第17回研究集会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] PtまたはTiN下部電極上の遷移金属酸化物の結晶性および抵抗変化特性2019
- 著者名/発表者名
  山田和尚、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnOx/Pt素子におけるフォーミングおよびその後の連続的な抵抗変化現象2019
- 著者名/発表者名
  金上尚毅、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Pt/TaOx/Ta_2O_5/Pt素子における“準高抵抗状態”の発現2019
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Coexistence of Interface-Type and Filament-Type Resistive Switching Phenomena in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3/Pt Cells2019
- 著者名/発表者名
  Naoki Kanegami, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society Symposium Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnOx/Pt素子における界面型抵抗変化現象の解析2019
- 著者名/発表者名
  金上尚毅、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Effects of Crystallinity and Oxygen Composition on Forming Characteristics in TMO-Based Resistive Switching Cells2019
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Masaya Arahata, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society Symposium Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Ta酸化物を用いた抵抗変化素子の電気伝導機構2019
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  第39回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Pt/TaOx/Ta_2O_5/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化2019
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Impacts of an Asymmetric Stack Structure in TaOx-Based ReRAM Cells on Resistive Switching Characteristics2019
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society Symposium Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Pt/TaOx/Ta_2O_5/Pt素子の直流および交流コンダクタスの温度依存性の解析2019
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Distribution of forming characteristics in NiO-based resistive switching cells with two kinds of NiO crystallinity2018
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Tsunenbu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Resistance increase by overcurrent suppression in forming process in Pt/TiO_2/Pt cells2018
- 著者名/発表者名
  R.yosuke Matsui, Yutaka Kuriyama, Yusuke Nishi, Tsunenbu Kimoto
- 学会等名
  Materials Research Society Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Driving force behind reset process in Pt/NiO/Pt stack cells2018
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Hiroki Sasakura, Tsunenbu Kimoto
- 学会等名
  Int. Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] DC and AC electrical characteristics of Ta_2O_5-based ReRAM cells2018
- 著者名/発表者名
  Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenbu Kimoto
- 学会等名
  Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] Pt/TaOx/Ta_2O_5/Pt抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析2018
- 著者名/発表者名
  宮谷俊輝、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04234
[学会発表] NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈2014
- 著者名/発表者名
  岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] 反応性スパッタNiO薄膜の電気特性に膜の微細構造が及ぼす影響2014
- 著者名/発表者名
  岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Forming Characteristics of NiO-based Resistance Change Random Access Memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Nishi, H. Sasakura, T. Iwata, and T. Kimoto
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Weibull Distribution of Forming Char acteristics in Pt/NiO/Pt Stack Structures for Resistive Random Access Memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Nishi, T. Iwata, and T. Kimoto
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2013-04-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] ニッケル酸化物を用いた抵抗変化メモリ素子のフォーミング特性に関する研究2013
- 著者名/発表者名
  岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  第288回電気材料技術懇談会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2013-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] NiO薄膜の膜質がPt/NiO/Pt素子のフォーミング電圧に及ぼす影響2013
- 著者名/発表者名
  岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Pt/ NiO/Pt積層構造におけるフォーミング特性分布2013
- 著者名/発表者名
  西佑介,岩田達哉,木本恒暢
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Impact of the Oxygen Amount of an Oxide Layer and Post Annealing on Forming Voltage and Initial Resistance of NiO-based Resistive Switching Cells2013
- 著者名/発表者名
  T. Iwata, Y. Nishi, and T. Kimoto
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2013-04-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Time-Dependent Forming Char acteristics in Pt/NiO/Pt Stack Structures for Resistive Random Access Memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Nishi, T. Iwata, D. Horie, and T. Kimoto
- 学会等名
  2012 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2012-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] NiO薄膜を用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布2012
- 著者名/発表者名
  堀江大典,西佑介,岩田達哉,木本恒暢
- 学会等名
  第73回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Pt/NiO/Pt抵抗変化素子に形成されたフィラメントの直接観察とその評価2012
- 著者名/発表者名
  岩田達哉，西佑介，木本恒暢
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Identification of the location of conductive filaments formed in Pt/NiO/ Pt resistive switching cells and investiga tion on their properties2012
- 著者名/発表者名
  Y. Nishi, and T. Kimoto
- 学会等名
  2012 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2012-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Pt/ NiO/Pt抵抗変化素子に形成されたフィラメントの直接観察とその評価2012
- 著者名/発表者名
  岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  第59回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響2012
- 著者名/発表者名
  沖元直樹,岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2012シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2012-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] "Defect electronics in SiC and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, S. Ichikawa, and Y. Nishi
- 学会等名
  Electrochemical. Soc. Fall Meeting 2012
- 発表場所
  Honolulu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Defect electronics in SiC and fabrication of ultrahigh-voltage bipolar devices2012
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, S. Ichikawa, and Y. Nishi
- 学会等名
  Electrochemical. Soc. Fall Meeting 2012
- 発表場所
  Honolulu
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226008
[学会発表] Pt/NiO/Pt積層構造におけるフォーミング特性の時間依存2012
- 著者名/発表者名
  西佑介，堀江大典，岩田達哉，木本恒暢
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Pt/NiO/Pt積層構造におけるフォーミング特性の時間依存2012
- 著者名/発表者名
  西佑介,堀江大典,岩田達哉,木本恒暢
- 学会等名
  第59回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価2011
- 著者名/発表者名
  岩田達哉，西佑介，木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2011 シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価2011
- 著者名/発表者名
  岩田達哉,西佑介,木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2011シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2011-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] NiOを用いたReRAMの高温における抵抗スイッチング特性2009
- 著者名/発表者名
  岩田達哉、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出2009
- 著者名/発表者名
  西佑介、岩田達哉、木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2009シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果2009
- 著者名/発表者名
  西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] ニッケル酸化物の抵抗変化を用いた不揮発性メモリの基礎研究2009
- 著者名/発表者名
  西佑介、岩田達哉、木本恒暢
- 学会等名
  第256回電気材料技術懇親会
- 発表場所
  中央電気倶楽部
- 年月日
  2009-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性2009
- 著者名/発表者名
  岩田達哉、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2009シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果2008
- 著者名/発表者名
  西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2008シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2008-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] ニッケル酸化物(Ni0)/n^+-Si接合のアドミッタンス法によるNi0中の欠陥準位の検出2008
- 著者名/発表者名
  西佑介, 鈴木亮太, 木本恒暢
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] ニッケル酸化物(NiO)/n+-Si接合のアドミッタンス法によるNiO中の欠陥準位の検出2008
- 著者名/発表者名
  西佑介、鈴木亮太、木本恒暢
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] 抵抗変化型不揮発性メモリ用Ni0薄膜の構造および電気特性へのアニール効果2008
- 著者名/発表者名
  西佑介, 木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2008シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2008-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860047
[学会発表] NiO薄膜を用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布
- 著者名/発表者名
  堀江大典、西佑介、岩田達哉、木本恒暢
- 学会等名
  第73回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Time-Dependent Forming Characteristics in Pt/NiO/Pt Stack Structures for Resistive Random Access Memory
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Tatsuya Iwata, Daisuke Horie, and Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  2012 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Marriott Marquis, San Francisco, California
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] NiO薄膜の膜質がPt/NiO/Pt抵抗変化素子のフォーミング電圧に及ぼす影響
- 著者名/発表者名
  岩田達哉，西佑介，木本恒暢
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈
- 著者名/発表者名
  岩田達哉，西佑介，木本恒暢
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Impact of the Oxygen Amount of an Oxide Layer and Post Annealing on Forming Voltage and Initial Resistance of NiO-based Resistive Switching Cells
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Iwata, Yusuke Nishi, and Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Marriott Marquis, San Francisco, California
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Pt/NiO/Pt積層構造におけるフォーミング特性分布
- 著者名/発表者名
  西佑介、岩田達哉、木本恒暢
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Identification of the location of conductive filaments formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells and investigation on their properties
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Iwata, Yusuke Nishi, and Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  2012 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Marriott Marquis, San Francisco, California
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Weibull Distributions of Forming Characteristics in Pt/NiO/Pt Stack Structures for Resistive Random Access Memory
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Tatsuya Iwata, and Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Spring Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Moscone West, San Francisco, California
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] 反応性スパッタNiO 膜の電気特性に膜の微細構造が及ぼす影響
- 著者名/発表者名
  岩田達哉，西佑介，木本恒暢
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] Forming Characteristics of NiO-based Resistance Change Random Access Memory
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishi, Hiroki Sasakura, Tatsuya Iwata, and Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響
- 著者名/発表者名
  沖元直樹、岩田達哉、西佑介、木本恒暢
- 学会等名
  電子情報通信学会2012 シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  京都大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282
[学会発表] ニッケル酸化物を用いた抵抗変化メモリ素子のフォーミング特性に関する研究
- 著者名/発表者名
  岩田達哉，西佑介，木本恒暢
- 学会等名
  第288回電気材料技術懇談会
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760282

1. 木本恒暢 (80225078)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
2. 須田淳 (00293887)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件

西 佑介 Nishi Yusuke

研究課題

研究成果

共同研究者

共存するディジタルおよびアナログ抵抗変化間の選択的遷移の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

二元系金属酸化物を用いた抵抗変化現象における量子化コンダクタンスの発現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

抵抗変化型不揮発性メモリの基礎物性と抵抗スイッチング特性との相関研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化ニッケル薄膜の抵抗スイッチング効果に対するフォーミング過程の役割研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAM cells2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Two modes of bipolar resistive switching characteristics in asymmetric TaOx-based ReRAM cells2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Dominant conduction mechanism in TaOx-based resistive switching devices2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Effects of TiO_2 crystallinity and oxygen composition on forming characteristics in Pt/TiO_2/Pt resistive switching cells2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Conductance fluctuation in NiO-based resistive switching memory2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Microscopic Investigation of the Electrical Properties of Conductive Filaments Formed in Pt/NiO/Pt Resistive Switching Cells2013

著者名/発表者名

雑誌名

西佑介 Nishi Yusuke