インユウ Yin You

研究者番号	10520124
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2025年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 教授 2020年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 准教授 2016年度: 群馬大学, 理工学研究科, 助教 2014年度 – 2015年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 助教 2013年度: 群馬大学, 理工学研究院, 助教 2009年度 – 2012年度: 群馬大学, 大学院・工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス研究代表者以外小区分60040:計算機システム関連
キーワード	研究代表者人工知能素子 / 相変化 / 人工知能 / シナプス素子 / 高速 / 不揮発メモリ / 相変化メモリ / 脳型システム / 原子移動 / MIMダイオード … もっと見る / 光レクテナ / 太陽光発電 / 多機能 / ニューロン素子 / ニューロン / シナプス / 発火機能 / 学習機能 / 超格子 / 超高速 / 人工シナプス / 高速化 / 相変化材料 / バラツキ / 材料工学 / パルス工学 / 新相変化材料 / 高信頼性 / アモルファス化 / 結晶化 / 制御 / カルコゲナイド / 多値記録 / 不揮発性メモリ / ナノワイヤ / 電子線描画 / 縮小化 / ナノ / 低消費電力 / 微細化 … もっと見る研究代表者以外計算機システム / 相変化メモリ / 高信頼化 / 低電力化 / ニューラルネット / 誤差許容計算 / メモリシステム隠す

原子移動制御を用いた超高性能な革新的脳型情報処理素子の創製とその応用展開研究代表者
- 研究代表者
  
  インユウ
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  群馬大学
革新的I-V非対称性増強型MIMダイオードを用いた高光電変換効率光レクテナの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  インユウ
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  群馬大学
同じ材料で全機能を備えた超高集積度かつ低消費電力な革新的人工ニューロンの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  インユウ
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  群馬大学
ヒトの脳機能を遥かに超えるpsオーダーで動作可能な超格子相変化人工シナプスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  インユウ
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  群馬大学
誤差許容計算における PCM 書き込み時間削減
- 研究代表者
  
  難波一輝
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分60040:計算機システム関連
- 研究機関
  千葉大学
実用化に向けて相変化メモリにおける高速高信頼性多値記録に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  インユウ
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  群馬大学
ナノワイヤ相変化メモリにおける縮小化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  インユウ
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  群馬大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Characterization of undoped and N-Ti codoped Zn5Sb3Te chalcogenides2023
- 著者名/発表者名
  Fujiwara Takao、Niiyama Koji、Yin You
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SG ページ: SG1023-SG1023
- DOI
  10.35848/1347-4065/acbda5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788, KAKENHI-PROJECT-21H01382
[雑誌論文] N-Doped GeTe for Phase-Change Device with High Reliability2023
- 著者名/発表者名
  S. Yahagi, and Y. Yin
- 雑誌名
  
  Journal of Mechanical and Electrical Intelligent System
  
  巻: 6 ページ: 10-14
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[雑誌論文] N-Doped GeTe for Phase-Change Device with High Reliability2023
- 著者名/発表者名
  S. Yahagi, and Y. Yin
- 雑誌名
  
  Journal of Mechanical and Electrical Intelligent System
  
  巻: 6 ページ: 10-14
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[雑誌論文] Braille recognition by E-skin system based on binary memristive neural network2023
- 著者名/発表者名
  Liu Y. H.、Wang J. J.、Wang H. Z.、Liu S.、Wu Y. C.、Hu S. G.、Yu Q.、Liu Z.、Chen T. P.、Yin Y.、Liu Y.
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 13 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-023-31934-9
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[雑誌論文] Proposal of a Novel Operation Method to Precisely Control Synaptic Strength for Phase-Change Artificial Synapse2021
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 雑誌名
  
  Journal of Mechanical and Electrical Intelligent System
  
  巻: 4 ページ: 13-18
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[雑誌論文] Ultra-multiple and reproducible resistance levels based on intrinsic crystallization properties of Ge1Sb4Te7 film2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Iwashita, S. Hosaka, T. Wang, J. Li, Y. Liu, and Q. Yu
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci.
  
  巻: 369 ページ: 348-353
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2016.02.057
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Sub 10 ns fast switching and resistance control in lateral GeTe-based phase-change memory2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, Y. Zhang, Y. Takehana, R. Kobayashi, H. Zhang, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 6S1 ページ: 06GG07-06GG07
- DOI
  10.7567/jjap.55.06gg07
- NAID
  210000146629
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Localization of Joule heating in phase-change memory with incorporated nanostructures and nanolayer for reducing reset current2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and T. Wang
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 62 号: 7 ページ: 2184-2189
- DOI
  10.1109/ted.2015.2429689
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Flexible one diode-one phase change memory array enabled by block copolymer self-assembly2015
- 著者名/発表者名
  B. Mun, B. You, S. Yang, H. Yoo, J. Kim, W. Park, Y. Yin, M. Byun, Y. Jung, and K. Lee
- 雑誌名
  
  ACS Nano
  
  巻: 9 号: 4 ページ: 4120-4128
- DOI
  10.1021/acsnano.5b00230
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Hierarchically Self-Assembled Block Copolymer Blends for Templating Hollow Phase-change Nanostructures with an Extremely Low Switching Current2015
- 著者名/発表者名
  W. I. Park, J. M. Kim, J. W. Jeong, Y. H. Hur,Y. J. Choi, S.-H. Kwon,S. Hong, Y. Yin, Y. S. Jung, and K. H. Kim
- 雑誌名
  
  Chemistry of Materials
  
  巻: 27 号: 7 ページ: 2673-2677
- DOI
  10.1021/acs.chemmater.5b00542
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Oxygen-doped Sb2Te3 for high-performance phase-change memory2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Morioka, S. Kozaki, R. Satoh, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Appl. Surf. Sci.
  
  巻: 349 ページ: 230-234
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2015.04.229
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] The Dependence of Crystallization on Temperature in the Nanosecond Timescale for GeTe-based Fast Phase-Change Resistor2015
- 著者名/発表者名
  H. Zhang, Y. Zhang, Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Chemical Physics Letters
  
  巻: 650 ページ: 102-106
- DOI
  10.1016/j.cplett.2016.03.002
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Ultra-multilevel-storage phase‐change memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research
  
  巻: 936 ページ: 599-602
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/amr.936.599
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Electron beam lithography for fabrication of nano phase-change memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Itagawa, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Applied Mechanics and Materials
  
  巻: 481 ページ: 30-35
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/amm.481.30
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Effect of a separate heater structure for crystallisation to enable multilevel storage phase-change memory2014
- 著者名/発表者名
  R. I. Alip, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Int. J. of Nanotechnology
  
  巻: 11 号: 5/6/7/8 ページ: 389-395
- DOI
  10.1504/ijnt.2014.060556
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Recrystallization process controlled by staircase pulse in phase change memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. Kobayashi, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Microelectron. Eng,
  
  巻: 113 ページ: 61-65
- DOI
  10.1016/j.mee.2013.07.009
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] TiSiN films by reactive RF magnetron co-sputtering for ultra-low-current phase-change memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Applied Mechanics and Materials
  
  巻: 392 ページ: 702-706
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/amm.392.702
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Controlled crystallization process of phase-change memory device by a separate heater structure2014
- 著者名/発表者名
  R. Alip, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 596 ページ: 107-110
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.596.107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Volume-change-free GeTeN film for high-performance phase-change memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, H. Zhang, S. Hosaka, Y. Liu, and Q. Yu
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 46 号: 50 ページ: 5053111-5
- DOI
  10.1088/0022-3727/46/50/505311
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Self-assembled incorporation of modulated block copolymer nanostructures in phase-change memory for switching power reduction2013
- 著者名/発表者名
  W. I. Park, B. K. You, B. H. Mun, H. K. Seo, J. Y. Lee, S. Hosaka, Y. Yin, C. Ross, K. J. Lee, Y. S. Jung
- 雑誌名
  
  ACS Nano
  
  巻: 7 号: 3 ページ: 2651-2658
- DOI
  10.1021/nn4000176
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] A novel phase-change memory with a separate heater characterized by constant resistance for multilevel storage2013
- 著者名/発表者名
  R. I. Alip, R. Kobayashi, Y. Zhang, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 534 ページ: 136-140
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.534.136
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Multi-level storage in lateral phase-change memory : from 3 to 16 resistance levels2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, R. Kobayashi, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 534 ページ: 131-135
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.534.131
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Current density enhancement nano-contact phase-change memory for low writing current2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka, W. I. Park, Y. S. Jung, K. J. Lee, B. K. You, Y. Liu, and Q. Yu
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 103 号: 3 ページ: 0331161-5
- DOI
  10.1063/1.4816080
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Material engineering for low power consumption and multi-level storage in lateral phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research
  
  巻: 490-495 ページ: 3286-3290
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Large-Area2012
- 著者名/発表者名
  J. Yoon, H. Jeong, S. Hong, Y. Yin, H. Moon, S. Jeong, J. Han, Y. Kim, Y. Kim, Heon Lee, S Kim, J. Lee
- 雑誌名
  
  Scalable Fabrication of Conical TiN/GST/TiN Nanoarray for Low-Power Phase Change Memory Journal of Materials Chemistry
  
  巻: 22 ページ: 1347-1351
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Controllable crystallization in phase-change memory for low-power multilevel storage2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: (印刷中)
- NAID
  40019317143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Large-Area, Scalable Fabrication of Conical TiN/GST/TiN Nanoarray for Low-Power Phase Change Memory2012
- 著者名/発表者名
  J.Yoon, H.Jeong, S.Hong, Y.Yin, H.Moon, S.Jeong, J.Han, Y.Kim, Y.Kim, Heon Lee, S Kim, J.Lee
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Chemistry
  
  巻: 22 号: 4 ページ: 1347-1351
- DOI
  10.1039/c1jm14190b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Controlled promotion of crystallization for application to multilevel phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 100 号: 25 ページ: 2535031-4
- DOI
  10.1063/1.4730439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Controllable crystallization in phase-change memory for low-power multilevel storage2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 6R ページ: 0641011-4
- DOI
  10.1143/jjap.51.064101
- NAID
  40019317143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Low-reset current ring confined-chalcogenide phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 10R ページ: 1042021-5
- DOI
  10.1143/jjap.51.104202
- NAID
  40019455840
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Influence of phase-change materials and additional layer on performance of lateral phase-change memories2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, SHosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 497 ページ: 106-110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Crystal growth suppression by N-doping into chalcogenide for application to next-generation phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 497 ページ: 101-105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Random-access multilevel storage in phase-change memory by staircase-like pulse programming2012
- 著者名/発表者名
  R. Kobayashi, T. Noguchi, Y. Yin, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 497 ページ: 111-115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Controllable crystallization in phase-change memory for low-power multilevel storage2012
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, S.Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: (印刷中)
- NAID
  40019317143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Material engineering for low power consumption and multi-level storage in lateral phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, and S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research
  
  巻: 490-495 ページ: 3286-3290
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/amr.490-495.3286
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360003, KAKENHI-PROJECT-24686042
[雑誌論文] Proposed phase-change memory with a step-like channel for high-performance multi-state storage2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 459 ページ: 145-150
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Possibility of freely achievable multilevel storage of phase-change memory by staircase-shaped pulse programming2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Noguchi, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50 ページ: 1-3
- NAID
  40019043762
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Large resistance ratio for high reliability of multi-Level storage in phase-change memory2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 459 ページ: 140-144
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Multilevel storage in lateral phase-change memory by promotion of nanocrystallization2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Microelectron, Eng
  
  巻: 88 ページ: 2794-2796
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Possibility of forming 18-nm-pitch ultrahigh density fine dot arrays for 2 Tbit/in.2 patterned media using 30-keV electron beam lithography2010
- 著者名/発表者名
  S. Hosaka, Y. Tanaka, M. Shirai, Z. Mohamad, Y. Yin
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 49 ページ: 1-3
- NAID
  40017085096
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Multi-level-storage in N-doped Sb2Te3 based lateral phase-change memory with an additional top TiN layer2009
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, K.Ota, T.Noguchi, H.Ohno, H.Sone, S.Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Multi-level-storage in N-doped Sb2Te3 based lateral phase-change memory with an additional top TiN layer2009
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, K. Ota, T. Noguchi, H. Ohno, H. Sone, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 48 ページ: 1-4
- NAID
  210000066574
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Programming margin enlargement by material engineering for multi-level storage in phase-change memory2009
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 95 ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Programming margin enlargement by material engineering for multi-level storage in phase-change memory2009
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, T.Noguchi, H.Ohno, S.Hosaka
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 95
  
  ページ: 1335031-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[雑誌論文] Reactively sputtered Ti-Si-N films for application as heating layers for low-current phase-change memory2009
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Noguchi, K. Ota, N. Higano, H. Sone, S. Hosaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: 152 ページ: 1-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] N-O Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials for High Performance Artificial Synaptic Device2024
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and K. Niiyama
- 学会等名
  2024 IEEE 7th Advanced Information Technology, Electronic and Automation Control Conference (IAEAC 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] N-O Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials for High Performance Artificial Synaptic Device2024
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and K. Niiyama
- 学会等名
  2024 IEEE 7th Advanced Information Technology, Electronic and Automation Control Conference (IAEAC 2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] High-Performance Chalcogenide-based Phase-Change Memory Technology2024
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  2024 IEEE the 13th International Conference on Communications, Circuits, and Systems (ICCCAS)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Doped Chalcogenides for High-Performance Phase Change Devices2023
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, M. Miuchi, S. Yahagi, and T. Fujiwara
- 学会等名
  2023 IEEE 15th International Conference on ASIC (ASICON 2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] First-Principles Study of O-Doped GeTe/Sb2Te3 Superlattice2023
- 著者名/発表者名
  M. Miuchi, R. Shirakawa, E. Sawai, S. Yahagi, and Y. Yin
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Doped Chalcogenides for High-Performance Phase Change Devices2023
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, M. Miuchi, S. Yahagi, and T. Fujiwara
- 学会等名
  2023 IEEE 15th International Conference on ASIC (ASICON 2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Doping O into Conventional GeTe/Sb2Te3 Superlattice for Functional Material of Artificial Synapse2023
- 著者名/発表者名
  M. Miuchi, E. Sawai, S Yahagi, and Y. Yin
- 学会等名
  The 7th International Conference on Technology and Social Science 2023 (ICTSS2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] O-Doped GeTe Chalcogenide for High-Performance Phase-Change Device2023
- 著者名/発表者名
  S. Yahagi, M. Miuchi, S. Yoshimoto, T. Miyata, T. Fujiwara, and Y. Yin
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] O-Doped GeTe Chalcogenide for High-Performance Phase-Change Device2023
- 著者名/発表者名
  S. Yahagi, M. Miuchi, S. Yoshimoto, T. Miyata, T. Fujiwara, and Y. Yin
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] Undoped and Doped Zn5Sb3Te Chalcogenides for Use in Phase-Change Device with High Thermal Stability2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Fujiwara, K. Niiyama and S. Yahagi
- 学会等名
  11th International Science, Social Sciences, Engineering and Energy Conference (I-SEEC 2022) and 6th International Conference on Technology and Social Science 2022 (ICTSS 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] N-Doped GeTe for Highly Reliable Phase-Change Device2022
- 著者名/発表者名
  S. Yahagi and Y. Yin
- 学会等名
  11th International Science, Social Sciences, Engineering and Energy Conference (I-SEEC 2022) and 6th International Conference on Technology and Social Science 2022 (ICTSS 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Recent Progress in Phase Change Materials and Devices2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, K. Niiyama, T. Fujiwara, R. Shirakawa, S. Yahagi and M. Miuchi
- 学会等名
  2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] N-Doped GeTe for Highly Reliable Phase-Change Device2022
- 著者名/発表者名
  S. Yahagi and Y. Yin
- 学会等名
  11th International Science, Social Sciences, Engineering and Energy Conference (I-SEEC 2022) and 6th International Conference on Technology and Social Science 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] N-Ti Codoped Zn5Sb3Te1 Chalcogenide for Artificial Synaptic Functional Material2022
- 著者名/発表者名
  T. Fujiwara, K. Niiyama and Y. Yin
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Recent Progress in Phase Change Materials and Devices2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, K. Niiyama, T. Fujiwara, R. Shirakawa, S. Yahagi and M. Miuchi
- 学会等名
  2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] Undoped and Doped Zn5Sb3Te Chalcogenides for Use in Phase-Change Device with High Thermal Stability2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Fujiwara, K. Niiyama and S. Yahagi
- 学会等名
  11th International Science, Social Sciences, Engineering and Energy Conference (I-SEEC 2022) and 6th International Conference on Technology and Social Science 2022 (ICTSS 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] N-Ti Codoped Zn5Sb3Te1 Chalcogenide for Artificial Synaptic Functional Material2022
- 著者名/発表者名
  T. Fujiwara, K. Niiyama and Y. Yin
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18788
[学会発表] Finite Element Analysis of Phase-Change Device with Incorporated Nanostructures for Lowering Writing Current2021
- 著者名/発表者名
  R. Shirakawa and Y. Yin
- 学会等名
  International Conference on Technology and Social Science 2021 (ICTSS2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] N-O Co-Doped Sb2Te3 Chalcogenide for High Performance Artificial Synaptic Device2021
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, K. Niiyama and T. Fujiwara
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials for High Performance Artificial Synaptic Device2021
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, K. Niiyama, W. Matsuhashi and T. Fujiwara
- 学会等名
  International Conference on Technology and Social Science 2021 (ICTSS2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] N-O co-doped Sb2Te3 chalcogenide memristive material2021
- 著者名/発表者名
  K. Niiyama and Y. Yin
- 学会等名
  The 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] C-N-codoped Sb2Te3 chalcogenides for high-performance phase-change devices2021
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  The 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Pulse programming method for phase-change artificial synapse2021
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  The 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Structural analysis for lowering writing current of phase-change device with nanostructure by finite element method2021
- 著者名/発表者名
  R. Shirakawa and Y. Yin
- 学会等名
  The 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Chalcogenides for Their Application to Phase-Change-Memory-Based Synaptic Devices2021
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, K. Niiyama, W. Matsuhashi, R. Shirakawa, T. Fujiwara, and K. Sawao
- 学会等名
  2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON 2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01382
[学会発表] Resistance Control for Multilevel Storage in Phase-Change Memory by Pulse Engineering2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin and S. Hosaka
- 学会等名
  The 7th IEEE international Nanoelectronics Conference 2016 (INEC 2016)
- 発表場所
  Chengdu, China
- 年月日
  2016-05-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Multilevel Storage in Lateral Phase-Change Memory2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  2016 International Workshop on Information Storage / 10th International Symposium on Optical Storage (IWIS/ISOS 2016)
- 発表場所
  Changzhou, China
- 年月日
  2016-04-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Advanced Nanofabrication and its Application to Nano Phase-Change Memory for Reducing Writing Current2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, D. Nishijo, K. Sawao, K. Ohyama, T. Akahane, T. Komori, M. Huda, H. Zhang, and S. Hosaka
- 学会等名
  2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2016)
- 発表場所
  Hangzhou, China
- 年月日
  2016-10-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Fast switching and resistance control in chalcogenide-based memory device2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin and S. Hosaka
- 学会等名
  The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2016)
- 発表場所
  San Sebastian, Spain
- 年月日
  2016-09-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Multilevel Storage in Lateral Phase-Change Memory2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  2016 International Workshop on Information Storage / 10th International Symposium on Optical Storage (IWIS/ISOS 2016)
- 発表場所
  Changzhou, Jiangsu
- 年月日
  2016-04-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Nano Phase-Change Memory Array2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  3rd International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 8th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  kiryu, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Crystal growth control in chalcogenide and its application to multilevel storage in phase-change memory2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin
- 学会等名
  The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015)
- 発表場所
  Hongkong
- 年月日
  2015-12-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Nanosecond-Order Fast Switching and Ultra-Multilevel Storage in Lateral GeTe and Ge1Sb4Te7-Based Phase-Change Memories2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  The 11th International Conference on ASIC (ASICON 2015)
- 発表場所
  Chengdu, China
- 年月日
  2015-11-03
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Localization of Joule Heating in Phase-Change Memory with Incorporated Insulating Nanostructures and Nanolayer for Ultralow Operation Current2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  the International Conference on Nanoscience and Technology, China 2015 (ChinaNANO 2015)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-09-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Ultrahigh-density Multilevel-storage Nano Phase-change Memory Array2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 学会等名
  8th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2015)
- 発表場所
  Suntec, Singapore
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Oxygen-Doped Sb2Te3 for Low-Power-Consumption Phase-Change Memory2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Morioka, R. Satoh, S. Kozaki, S. Hosaka
- 学会等名
  8th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2015)
- 発表場所
  Suntec, Singapore
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Sub 10 ns Fast Switching and Resistance Control in Lateral GeTe-Based Phase-Change Memory2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, Y. Zhang, Y. Takehana, R. Kobayashi, H. Zhang and S. Hosaka
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2015)
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Ge1Sb2Te4-based N-doped Chalcogenide for Application to Multi-Level-Storage Phase-Change Memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] N-doped GeTe for High-Performance Phase-Change Memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  the 23rd Australian Conference on Microscopy and Microanalysis (ACMM23) and the International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN 2014)
- 発表場所
  Adelaide, Australia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  the 23rd Australian Conference on Microscopy and Microanalysis (ACMM23) and the International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN 2014)
- 発表場所
  Adelaide, Australia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] N-doped GeTe Chalcogenide Film for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Low-Reset-Current Ring-Confined-Chalcogenide Phase-Change Memory2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation (GUMI) and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Low Volume-Change High- Crystallization-Temperature Phase-Change Material for High-Performance Phase-Change Memory by N-Doping into GeTe2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, California
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2013-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] TiSiN Films by Reactive RF Magnetron Co-Sputtering for Ultra-Low-Current Phase-Change Memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  5th International Conference on Mechanical and Electrical Technology (ICMET 2013)
- 発表場所
  Chengdu, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Nano-contact phase-change memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  5th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Kiryu, Gunma, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Fast Operation and Freely Achievable Multiple Resistance Levels in GeTe-Based Lateral Phase Change Memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, Y. Zhang, and S. Hosaka
- 学会等名
  2013 MRS Spring Meeting, San Francisco, California
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2013-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Staircase pulse programming for recrystallization control in phase-change memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. Kobayashi, Y. Zhang, R. I. Alip, and S. Hosaka
- 学会等名
  the 39th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2013)
- 発表場所
  London, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Electron Beam Lithography for Fabrication of Nano Phase-Change Memory2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Itagawa, and S. Hosaka
- 学会等名
  2013 2nd International Symposium on Quantum, Nano and Micro Technologies (ISQNM 2013)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Multilevel Storage in Lateral Phase-Change Memory2012
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, S.Hosaka
- 学会等名
  2012 International Conference on Mechatronics and Intelligent Materials
- 発表場所
  Gunma, Japan
- 年月日
  2012-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Low stress high-crystallization-temperature doped GeTe for improving performance of phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  the 38th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2012)
- 発表場所
  Toulouse, France
- 年月日
  2012-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Current-driven crystallization promotion for multilevel storage ill phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. I. Alip, and S. Hosaka
- 学会等名
  The 24th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS 2012)
- 発表場所
  Shizuoka, Japan
- 年月日
  2012-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Controlled Crystallization Process of Phase-change Memory device by a Separate Heater Structure2012
- 著者名/発表者名
  R. Alip, Z. Mohamad, Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Gunma, Japan
- 年月日
  2012-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Controlled promotion of crystallization for multilevel phase-change memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  the 38th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2012)
- 発表場所
  Toulouse, France
- 年月日
  2012-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Multi-Level Storage Phase-Change Memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  2012 International Conference on Mechatronics and Intelligent Materials
- 発表場所
  Guilin, China
- 年月日
  2012-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Fast Operation and Resistance Control in GeTe Based Lateral Phase Change Memory2012
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (XMDE)
- 発表場所
  Gunma, Japan
- 年月日
  2012-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Random access multi-levels phase changing using pulse modulation2011
- 著者名/発表者名
  S.Hosaka, T.Noguchi, S.Kobayashi, R.I.B. Alip, Y.Yin
- 学会等名
  the 23rd Symposium on Phase Change Optical Information Storage (PCOS2011)
- 発表場所
  Atami, Japan
- 年月日
  2011-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] A Novel Phase-Change Memory with a Separate Heater Characterized by a Constant Resistance for Multilevel Storage2011
- 著者名/発表者名
  R.I.Alip, R.Kobayashi, Y.Zhang, Y.Yin, S.Hosaka
- 学会等名
  3nd International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Gunma, Japan
- 年月日
  2011-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Electron Beam Lithography for 10-nm-Wide Nanowire Phase-change Memory2011
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, T.Itagawa, S.Hosaka
- 学会等名
  2011 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Francisco, USA
- 年月日
  2011-04-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Diblock Copolymer Self-Assembled Nanodots for Next-Generation Magnetic Recording2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, M. Huda, T. Akahane, S. Hosaka
- 学会等名
  the International Conference on Nanoscience and Technology
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2011-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-level Storage in Lateral Multi-layer and Single Layer Phase-change Memory2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Hosaka
- 学会等名
  2011 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2011-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-Level Storage in Lateral Phase-Change Memory : from 3 to 16 Resistance Levels2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, R. I. Alip, Y. Zhang, R. Kobayashi, S. Hosaka
- 学会等名
  3nd International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE)
- 発表場所
  Gunma, Japan
- 年月日
  2011-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-level Storage in Lateral Multi-layer and Single Layer Phase-change Memory2011
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, S.Hosaka
- 学会等名
  2011 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  Francisco, USA
- 年月日
  2011-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Electron Beam Lithography for 10-nm-Wide Nanowire Phase-Change Memory2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Itagawa, S. Hosaka
- 学会等名
  2011 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2011-04-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] 10-nm-Order-Wide Nanowire Phase-Change Memory2011
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Itagawa, S. Hosaka
- 学会等名
  the International Conference on Nanoscience and Technology
- 発表場所
  Beijing, China.
- 年月日
  2011-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] 10-nm-Order-Wide Nanowire Phase-Change Memory2011
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, T.Itagawa, S.Hosaka
- 学会等名
  the International Conference on Nanoscience and Technology, China 2011 (ChinaNANO 2011)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2011-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-level storage in phase-change memory : from multi-layer to single layer2010
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, S.Hosaka
- 学会等名
  The 22nd Symposium on Phase Change Optical Information Storage(PCOS2010)
- 発表場所
  Atami, Japan
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-levels phase change memory using pulse modulation2010
- 著者名/発表者名
  S. Hosaka, T. Noguchi, Y. Yin
- 学会等名
  Int. symposium EPCOS
- 発表場所
  Milano, Italy.
- 年月日
  2010-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-levels phase change memory using pulse modulation2010
- 著者名/発表者名
  S.Hosaka, T.Noguchi, Y.Yin
- 学会等名
  EPCOS 2010
- 発表場所
  Milano, Italy
- 年月日
  2010-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-Level Storage in Lateral Phase-Change Memory2009
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, T.Noguchi, H.Ohno, K.Ota, S.Hosaka
- 学会等名
  ChinaNANO 2009
- 発表場所
  北京国際会議中心(中国北京)
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Material engineering in phase-change memory for low power consumption and multi-level storage2009
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, S. Hosaka
- 学会等名
  the 5th International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits
- 発表場所
  Xian, China
- 年月日
  2009-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Material engineering in phase-change memory for low power consumption and multi-level storage2009
- 著者名/発表者名
  Y.Yin, T.Noguchi, H.Ohno, S.Hosaka
- 学会等名
  the 5th Interna-tional Conference on Electron Devices and Solid State Circuits
- 発表場所
  Xian Ana Grand Castle Hotel(中国西安市)
- 年月日
  2009-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Multi-Level Storage in Lateral Phase-Change Memory2009
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, T. Noguchi, H. Ohno, K. Ota, S. Hosaka
- 学会等名
  the International Conference on Nanoscience and Technology
- 発表場所
  Beijing, China.
- 年月日
  2009-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21710135
[学会発表] Ultra-Multilevel-Storage Phase-Change Memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  2014 International Conference on Materials Science and Engineering Technology (MSET 2014)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2014-07-28 – 2014-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Multilevel Storage and its Cycling in Ge1Sb4Te7 Phase-Change Memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka
- 学会等名
  The International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Characterization of N-Doped GeTe Films and Their Applications to High-Performance Nano Phase-Change Memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Ge1Sb4Te7 Ultra-Multi-Level Phase-Change Memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka
- 学会等名
  27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Modification of GeTe Chalcogenide by N-doping for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  3rd International Conference on Advanced Materials and Practical Nanotechnology (3rd ICAMPN)
- 発表場所
  Jakarta, Indonesia
- 年月日
  2014-08-15 – 2014-08-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Ultramultiple-level storage in Ge1Sb4Te7-based phase-change memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, S. Iwashita, and S. Hosaka
- 学会等名
  the 40th International Micro & Nano Engineering Conference (MNE 2014)
- 発表場所
  Lausanne, Switzerland
- 年月日
  2014-09-23 – 2014-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042
[学会発表] Ultrasmall-Volume-Change Chalcogenide for Performance Improvement of Phase-Change Memory
- 著者名/発表者名
  Y. Yin, and S. Hosaka
- 学会等名
  2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2014)
- 発表場所
  Guilin, China
- 年月日
  2014-10-28 – 2014-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686042

1. 難波一輝 (60359594)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. 保坂純男

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 51件
3. 張玉龍

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
4. 岩下翔太

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件

イン ユウ Yin You

研究課題

研究成果

共同研究者

原子移動制御を用いた超高性能な革新的脳型情報処理素子の創製とその応用展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

革新的I-V非対称性増強型MIMダイオードを用いた高光電変換効率光レクテナの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

同じ材料で全機能を備えた超高集積度かつ低消費電力な革新的人工ニューロンの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ヒトの脳機能を遥かに超えるpsオーダーで動作可能な超格子相変化人工シナプスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

誤差許容計算における PCM 書き込み時間削減

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

実用化に向けて相変化メモリにおける高速高信頼性多値記録に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノワイヤ相変化メモリにおける縮小化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Characterization of undoped and N-Ti codoped Zn5Sb3Te chalcogenides2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] N-Doped GeTe for Phase-Change Device with High Reliability2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] N-Doped GeTe for Phase-Change Device with High Reliability2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Braille recognition by E-skin system based on binary memristive neural network2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Proposal of a Novel Operation Method to Precisely Control Synaptic Strength for Phase-Change Artificial Synapse2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultra-multiple and reproducible resistance levels based on intrinsic crystallization properties of Ge1Sb4Te7 film2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Sub 10 ns fast switching and resistance control in lateral GeTe-based phase-change memory2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Localization of Joule heating in phase-change memory with incorporated nanostructures and nanolayer for reducing reset current2015

インユウ Yin You