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岡本 庸一  Okamoto Yoichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10546063
所属 (現在) 2025年度: 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2012年度: 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工, その他部局等, 准教授
2010年度 – 2012年度: 防衛大学校, 電気情報学群, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者以外
構造・機能材料
キーワード
研究代表者以外
熱電発電 / 電気伝導率 / ゼーベック係数 / 熱伝導率 / 自己冷却 / ペルチェ冷却 / 熱電変換 / 廃熱利用 / 電子デバイス・機器 / エネルギー材料 / 熱
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (9件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  高伝導率と高熱電能の熱電材料を用いた自己冷却デバイスの開発

    • 研究代表者
      中津川 博
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      横浜国立大学

すべて 2012 2011 2010

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Self-cooling on power MOSFET using n-type Si wafer2012

    • 著者名/発表者名
      H. Nakatsugawa, T. Sato, Y. Okamoto, T.Kawahara, and S.Yamaguchi
    • 雑誌名

      9th European Conference on Thermoelectrics AIP Conference Proceedings

      巻: Vol.1449 ページ: 548-551

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Single-Crystalline SiC and Dense Sintered SiC for Self-Cooling Devices2011

    • 著者名/発表者名
      S. Fukuda, T. Kato, Y. Okamoto, H.Nakatsugawa, H. Kitagawa, and S. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.50, No.3

    • NAID

      40018777871

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Single-Crystalline SiC and Dense Sintered SiC for Self-Cooling Devices2011

    • 著者名/発表者名
      中津川博、岡本庸一
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: Vol.50 号: 3R ページ: 31301-31301

    • DOI

      10.1143/jjap.50.031301

    • NAID

      40018777871

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [学会発表] Observation of self-cooling on power MOSFET with silicon wafers using infrared thermography2012

    • 著者名/発表者名
      H. Nakatsugawa, Y. Okamoto, S. Yamaguchi, T. Kawahara
    • 学会等名
      The 31^<st> International and 10^<th> European Conference on Thermoelectrics
    • 発表場所
      Aalborg Denmark
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [学会発表] Self-cooling on power MOSFET using copper plating single-crystalline silicon wafers2012

    • 著者名/発表者名
      H. Nakatsugawa, Y. Okamoto, S. Yamaguchi, T. Kawahara
    • 学会等名
      International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012 (Invited)
    • 発表場所
      Yokohama Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [学会発表] Self-cooling on power MOSFET using n-type Si wafer2011

    • 著者名/発表者名
      中津川博、岡本庸一
    • 学会等名
      9th European Conference on Thermoelectrics (ECT2011)
    • 発表場所
      Thessaloniki, GREECE
    • 年月日
      2011-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [学会発表] Self-cooling on power MOSFET using n-type Si wafer2011

    • 著者名/発表者名
      H. Nakatsugawa, T. Sato, Y. Okamoto, T.Kawahara, S. Yamaguchi
    • 学会等名
      9^<th> European Conference on Thermoelecrics
    • 発表場所
      Thessaloniki Greece
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [学会発表] Application of High-Thermoelectric-Power Materials to Self-Cooling Device2010

    • 著者名/発表者名
      中津川博、岡本庸一
    • 学会等名
      The 3rd International Congress on Ceramics
    • 発表場所
      大阪府
    • 年月日
      2010-11-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • [学会発表] Application of High-Thermoelectric-Power Materials to Self-Cooling Device2010

    • 著者名/発表者名
      H. Nakatsugawa, Y. Okamoto, S. Yamaguchi, T. Kawahara
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Congress on Ceramics
    • 発表場所
      Osaka Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560691
  • 1.  中津川 博 (40303086)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 2.  山口 作太郎 (10249964)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  河原 敏男 (80437350)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件

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