大田晃生 Ohta Akio

研究者番号	10553620
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 福岡大学, 理学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 福岡大学, 理学部, 准教授 2017年度 – 2022年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教 2016年度: 名古屋大学, 工学研究科, 特任助教 2016年度: 名古屋大学, 工学研究科, 研究員 2015年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 特任助教 … もっと見る 2013年度 – 2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 2010年度: 広島大学, 先端物質科学研究科, 研究員 2009年度 – 2010年度: 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分29:応用物理物性およびその関連分野 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 学術変革領域研究区分(Ⅱ)
キーワード	研究代表者ゲルマニウム / 電子状態 / 二次元結晶 / 電子物性 / ゲルマネン / 表面偏析 / シリコン / シリコン酸化膜 / 絶縁膜技術 / メモリデバイス … もっと見る / 抵抗変化型メモリ / 偏析 / 極薄結晶 / 共晶反応 / 拡散・偏析 / 化学構造 / 結晶化 / 極薄膜 / サファイア / ゲルマネニウム / ポストグラフェン / 欠陥計測 / 不揮発性メモリ / 欠陥準位計測 / 光電子収率分光 / シリセン / IV族半導体 / 結晶成長 / 走査プローブ顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / Si酸化膜 / 金属ナノドット / 化学結合状態分析 / 光電子分光 … もっと見る研究代表者以外スーパーアトム / Si系量子ドット / コア／シェル / コア／シェル構造 / 量子ドット / 発光デバイス / Si量子ドット / 大気安定 / 絶縁膜上 / 結晶成長 / 薄膜 / 14族ナノシート / スーパーアトム構造 / Feシリサイドナノドット / CVD / コアシェル / 磁性ドット / LED 隠す

14族ナノシートの合成
- 研究代表者
  
  黒澤昌志
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  学術変革領域研究(B)
- 審査区分
  
  学術変革領域研究区分(Ⅱ)
- 研究機関
  名古屋大学
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  福岡大学
   名古屋大学
ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発
- 研究代表者
  
  宮崎誠一
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2021
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成
- 研究代表者
  
  牧原克典
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
絶縁性基板上のゲルマニウム二次元結晶の創製と電子物性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  名古屋大学
ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己組織化形成と結晶構造・電子状態制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御
- 研究代表者
  
  宮崎誠一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用
- 研究代表者
  
  宮崎誠一
- 研究期間 (年度)
  2015
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
Si系酸化薄膜抵抗変化材料における欠陥分布の高感度計測および精密制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン酸化薄膜を用いた微細抵抗変化型メモリの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
Ti系酸化膜を用いた抵抗変化型メモリの化学結合状態と抵抗変化現象の相関の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  大田晃生
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学

[図書] 「光電子分光(XPS, UPS)」、 2020版薄膜作製応用ハンドブック2020
- 著者名/発表者名
  宮﨑誠一, 大田晃生
- 総ページ数
  14
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- ISBN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[図書] 「共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術」、ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 -二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術-2020
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志, 大田晃生
- 総ページ数
  10
- 出版者
  (株)エヌ・ティー・エス
- ISBN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[図書] ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線～二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開～第3章二次元ナノシートの成膜プロセシング技術第4節共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシートの形成技術2020
- 著者名/発表者名
  (分担執筆) 黒澤昌志／大田　晃生 (監修者) 柚原淳司,
- 総ページ数
  10
- 出版者
  (株)エヌ・ティー・エス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[雑誌論文] Formation of ultra-thin nickel silicide on SiO2 using Si/Ni/Si structures for oxidation control2024
- 著者名/発表者名
  Kimura Keisuke、Taoka Noriyuki、Ohta Akio、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 02SP72-02SP72
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad1777
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Formation of germanene with free-standing lattice constant2023
- 著者名/発表者名
  Yuhara Junji、Matsuba Daiki、Ono Masaki、Ohta Akio、Miyazaki Seiichi、Araidai Masaaki、Takakura Sho-ichi、Nakatake Masashi、Le Lay Guy
- 雑誌名
  
  Surface Science
  
  巻: 738 ページ: 122382-122382
- DOI
  10.1016/j.susc.2023.122382
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04879, KAKENHI-PROJECT-23K22794
[雑誌論文] Layer transfer of ultrathin Ge crystal segregated on Al/Ge(111) structure2023
- 著者名/発表者名
  Matsushita Keigo、Ohta Akio、Shibayama Shigehisa、Tokunaga Tomoharu、Taoka Noriyuki、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SG ページ: SG1007-SG1007
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb65c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Alignment control of self-assembling Si quantum dots2023
- 著者名/発表者名
  Imai Yuki、Tsuji Ryoya、Makihara Katsunori、Taoka Noriyuki、Ohta Akio、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 162 ページ: 107526-107526
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.107526
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Formation of Ultra-thin NiGe Film with Single Crystalline Phase and Smooth Surface2022
- 著者名/発表者名
  S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1027-SC1027
- DOI
  10.35848/1347-4065/acac6f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties2022
- 著者名/発表者名
  T. Nagai, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 62 号: SA ページ: SA1002-SA1002
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac73d9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH42022
- 著者名/発表者名
  H. Furuhata, K. Makihara, Y. Shimura, S. Fujimori, Y. Imai, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 5 ページ: 55503-55503
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac6727
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Study on Electron Emission from Phosphorus d-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures2022
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans, on Electronics
  
  巻: E102-5 ページ: 610-615
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots2022
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans, on Electronics
  
  巻: E102-6 ページ: 616-621
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots2022
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans, on Electronics
  
  巻: E102-6 ページ: 616-621
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111)2022
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1059-SC1059
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb1fd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559, KAKENHI-PROJECT-23K22794
[雑誌論文] Characterization of electronic charged states of high density self-aligned Si-based quantum dots evaluated with AFM/Kelvin probe technique2022
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SD ページ: SD1012-SD1012
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac61aa
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Impact of substrate heating during Al deposition and post annealing on surface morphology, Al crystallinity, and Ge segregation in Al/Ge(111) structure2022
- 著者名/発表者名
  Matsushita Keigo、OHTA Akio、Taoka Noriyuki、Hayashi Shohei、MAKIHARA Katsunori、MIYAZAKI Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SH ページ: SH1012-SH1012
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac5fbc
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169, KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots2022
- 著者名/発表者名
  S. Honda, K. Makihara, N. Taoka, H. Furuhata, A. Ohta, D. Oshima, T. Kato, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: SA ページ: SA1008-SA1008
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac2036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559, KAKENHI-PROJECT-18KK0409
[雑誌論文] Study on Electron Emission from Phosphorus d-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures2022
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans, on Electronics
  
  巻: E102-5 ページ: 610-615
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal2021
- 著者名/発表者名
  Ohta Akio、Yamada Kenzo、Sugawa Hibiki、Taoka Noriyuki、Ikeda Mitsuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBK05-SBBK05
- DOI
  10.35848/1347-4065/abdad0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142, KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-21H04559
[雑誌論文] Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)2021
- 著者名/発表者名
  Yuhara Junji、Muto Hiroaki、Araidai Masaaki、Kobayashi Masato、Ohta Akio、Miyazaki Seiichi、Takakura Sho-ichi、Nakatake Masashi、Lay Guy Le
- 雑誌名
  
  2D Materials
  
  巻: 8 号: 4 ページ: 045039-045039
- DOI
  10.1088/2053-1583/ac2bef
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142, KAKENHI-PROJECT-21K04879
[雑誌論文] Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system2021
- 著者名/発表者名
  Ohta Akio、Kobayashi Masato、Taoka Noriyuki、Ikeda Mistuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SA ページ: SA1014-SA1014
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac19ff
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142
[雑誌論文] Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core2020
- 著者名/発表者名
  Katsunori Makihara, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 120 ページ: 105250-105250
- DOI
  10.1016/j.mssp.2020.105250
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy2020
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SA ページ: SAAC02-SAAC02
- DOI
  10.35848/1347-4065/abb75b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-19H02169
[雑誌論文] Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface2020
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Masato、Ohta Akio、Kurosawa Masashi、Araidai Masaaki、Taoka Noriyuki、Simizu Tomohiro、Ikeda Mitsuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGK15-SGGK15
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab69de
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020, KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing2020
- 著者名/発表者名
  Sugawa Hibiki、Ohta Akio、Kobayashi Masato、Taoka Noriyuki、Ikeda Mitsuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 号: 5 ページ: 505-511
- DOI
  10.1149/09805.0505ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[雑誌論文] Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing2020
- 著者名/発表者名
  H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 ページ: 505-512
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements2020
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMB04-SMMB04
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab8c99
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762, KAKENHI-PROJECT-19H02169
[雑誌論文] Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe2020
- 著者名/発表者名
  J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 ページ: 493-498
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode2020
- 著者名/発表者名
  T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 ページ: 429-434
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] haracterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core2020
- 著者名/発表者名
  akuya Maehara, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 120 ページ: 105215-105215
- DOI
  10.1016/j.mssp.2020.105215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18KK0409, KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H2-plasma exposure2019
- 著者名/発表者名
  Fujimori Shuntaro、Makihara Katsunori、Ikeda Mitsuhisa、Ohta Akio、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SI ページ: SIIA15-SIIA15
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab23f9
- NAID
  210000156653
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots2019
- 著者名/発表者名
  FUTAMURA Yuto、MAKIHARA Katsunori、OHTA Akio、IKEDA Mitsuhisa、MIYAZAKI Seiichi
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E102.C 号: 6 ページ: 458-461
- DOI
  10.1587/transele.2018FUP0007
- NAID
  130007657491
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 年月日
  2019-06-01
- 言語
  英語
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[雑誌論文] Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nano-dots by Applying Constant Voltage & Constant Current2018
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection2018
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 011305-011305
- DOI
  10.7567/apex.11.011305
- NAID
  210000136059
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis2018
- 著者名/発表者名
  Fujimura Nobuyuki、Ohta Akio、Ikeda Mitsuhisa、Makihara Katsunori、Miyazaki Seiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FB07-04FB07
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fb07
- NAID
  210000148862
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Evaluation of the potential distribution in a multiple stacked Si quantum dots structure by hard X-ray photoelectron spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Yuto Futamura, Yuta Nakashima, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: SA ページ: SAAE01-SAAE01
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaeb38
- NAID
  210000135209
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762, KAKENHI-PROJECT-17K18877
[雑誌論文] Characterization of electron charging and transport properties of Si-QDs with phosphorus doped Ge core2018
- 著者名/発表者名
  Ryo Nagai, Kentaro Yamada, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol.
  
  巻: 33 ページ: 124021-124021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Impact of Phosphorus Doping to Multiple-Stacked Si Quantum Dots on Electron Emission Properties2017
- 著者名/発表者名
  D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 70 ページ: 183-187
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interface2017
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CB04-04CB04
- DOI
  10.7567/jjap.56.04cb04
- NAID
  210000147552
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 178 ページ: 85-88
- DOI
  10.1016/j.mee.2017.05.001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762, KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diode as Evaluated from HAXPES Analysis2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 178 ページ: 80-84
- DOI
  10.1016/j.mee.2017.05.002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762, KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation2017
- 著者名/発表者名
  Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S1 ページ: 06GG07-06GG07
- DOI
  10.7567/jjap.56.06gg07
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Embedding of Ti Nanodots into SiO<sub>x</sub> and Its Impact on Resistance Switching Behaviors2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E100.C 号: 5 ページ: 468-474
- DOI
  10.1587/transele.E100.C.468
- NAID
  130005631611
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520, KAKENHI-PROJECT-16H06083
[雑誌論文] Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis2017
- 著者名/発表者名
  S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society (ECS) Transaction
  
  巻: 80 号: 1 ページ: 229-235
- DOI
  10.1149/08001.0229ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties2017
- 著者名/発表者名
  D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Material Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] 金属誘起層交換法によるAg上Si，Ge極薄膜の形成2016
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志、大田晃生、洗平昌晃、財満鎭明
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 37 号: 8 ページ: 374-379
- DOI
  10.1380/jsssj.37.374
- NAID
  130005405053
- ISSN
  0388-5321, 1881-4743
- 言語
  日本語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[雑誌論文] Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons2016
- 著者名/発表者名
  T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transaction
  
  巻: 75 号: 8 ページ: 777-783
- DOI
  10.1149/07508.0777ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots2016
- 著者名/発表者名
  D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 602 ページ: 68-71
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Evaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS2016
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 8S2 ページ: 08PC06-08PC06
- DOI
  10.7567/jjap.55.08pc06
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamada, K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 75 ページ: 695-700
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process2016
- 著者名/発表者名
  M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 8S1 ページ: 08NB07-08NB07
- DOI
  10.7567/jjap.55.08nb07
- NAID
  210000146974
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[雑誌論文] Study on electroluminescence from multiply-stacking valency controlled Si quantum dots2016
- 著者名/発表者名
  T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 602 ページ: 48-51
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[雑誌論文] Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements2015
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS on Electronics
  
  巻: E98-C
- NAID
  130005067745
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[雑誌論文] Crystalline Structure and Magnetic Properties of FePt Alloy Nanodots2015
- 著者名/発表者名
  R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, Y. Tokuda, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Trans. of Mat. Res. Soc. Jpn
  
  巻: in press
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02239
[雑誌論文] Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transaction
  
  巻: 69 号: 10 ページ: 291-298
- DOI
  10.1149/06910.0291ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[雑誌論文] Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes2013
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, and S Miyazaki
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transaction
  
  巻: 58 ページ: 293-300
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[雑誌論文] The Impact of Y Addition into TiO_2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta, Yuta Goto, Mohd Fairuz Kazalman, Guobin Wei, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 50 to be published.
  
  ページ: 5-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[雑誌論文] The Impact of Y Addition into TiO_2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: (掲載決定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[雑誌論文] Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium -Yttrium mixed Oxide2011
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta, Yuta Goto, Guobin Wei, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics to be published.
- NAID
  210000071438
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] Continuous growth of germanene and stanene lateral heterostructures on Ag(111)2024
- 著者名/発表者名
  J. Yuhara, T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. Le Lay
- 学会等名
  36th Symposium on Surface Science 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Al/SiGe(111)/Si(111)構造の化学構造分析 -熱処理によるSiおよびGe偏析-2024
- 著者名/発表者名
  酒井大希、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、山本裕司、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第29回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] 共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討2023
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Ge(111)上に偏析したGe薄膜の化学結合状態分析2023
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年度名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上への極薄ニッケルシリサイド膜形成―Si/Ni/Si初期構造における膜厚依存性―2023
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、西村駿介、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Fe ナノドットへの SiH4照射によるβ-FeSi2ナノドットの高密度形成2023
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、牧原克典、王子ロ（おうへんに路）、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Growth mechanism and vibrational properties of germanene fabricated through Ge segregation2023
- 著者名/発表者名
  Hiroki Hibino, Akio Ohta, Hiroyuki Kageshima, and Junji Yuhara
- 学会等名
  Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Fe ナノドットへの SiH4照射によるβ-FeSi2ナノドットの高密度形成2023
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、牧原克典、王子ロ（おうへんに路）、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上へのNiGe薄膜の形成とその電気特性及び電子状態2023
- 著者名/発表者名
  西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Fe超薄膜へのSiH4照射によるシリサイド化反応制御2023
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、牧原克典、王子ロ（おうへんに路）、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si0.2Ge0.8(111)構造の熱処理によるSiおよびGeの表面偏析2023
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、山本裕司、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上へのNiGe薄膜の形成とその電気特性及び電子状態2023
- 著者名/発表者名
  西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成2023
- 著者名/発表者名
  酒井大希、大田晃生、松下圭吾、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討2023
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響2023
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、西村駿介、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si酸化膜上に形成したニッケルシリサイド層の膜厚が結晶相に与える影響2023
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年度名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Ge(111)上に偏析したGe薄膜の化学結合状態分析2023
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年度名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Au(111)薄膜表面上に偏析したゲルマネンの構造転移2023
- 著者名/発表者名
  大野誠貴、大田晃生、宮﨑誠一、高倉将一、仲武昌史、Marco Minissale、Thierry Angot、Guy Le Lay、柚原淳司
- 学会等名
  日本物理学会2023年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Formation of SiO2 Layer on SiGe/Si Nano-structures using Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition2023
- 著者名/発表者名
  JIALUN CAI、NORIYUKI TAOKA、KATSUNORI MAKIHARA、AKIO OHTA、SEIICHI MIYAZAKI
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Formation of SiO2 Layer on SiGe/Si Nano-structures using Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition2023
- 著者名/発表者名
  JIALUN CAI、NORIYUKI TAOKA、KATSUNORI MAKIHARA、AKIO OHTA、SEIICHI MIYAZAKI
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si酸化膜上に形成したニッケルシリサイド層の膜厚が結晶相に与える影響2023
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年度名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上への極薄ニッケルシリサイド膜形成―Si/Ni/Si初期構造における膜厚依存性―2023
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、西村駿介、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si0.2Ge0.8(111)構造の熱処理によるSiおよびGeの表面偏析2023
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、山本裕司、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] AFM/ケルビンプローブモードによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの帯電状態評価2023
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価2023
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、山本裕司、Wen Wei-Chen、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Fe超薄膜へのSiH4照射によるシリサイド化反応制御2023
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、牧原克典、王子ロ（おうへんに路）、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Ultrathin Si Segregated Layer Formation on Al/Si(111)2023
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響2023
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、西村駿介、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si0.2Ge0.8(111)上への熱処理によるSiおよびGeの表面偏析制御2023
- 著者名/発表者名
  酒井大希、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、山本裕司、宮﨑誠一
- 学会等名
  第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成2023
- 著者名/発表者名
  酒井大希、大田晃生、松下圭吾、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] AFM/ケルビンプローブモードによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの帯電状態評価2023
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Evaluation of Si and Ge Segregation from Si0.2Ge0.8(111) through Al and Ag Layer2023
- 著者名/発表者名
  Taiki Sakai, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Junji Yuhara, Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Wei-chen Wen, Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価2023
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、山本裕司、Wen Wei-Chen、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響2022
- 著者名/発表者名
  安田航、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、林将平、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] Layer Transfer of Ultrathin Ge Layer Segregated on Al/Ge(111)2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Surface Modification and Wafer Bonding of Ultrathin Ge Segregated Layer formed on Al/Ge(111)2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-9)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態2022
- 著者名/発表者名
  西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] High-Density Formation and Characterization of Fe-Silicide Nanodots on SiO22022
- 著者名/発表者名
  J. Wu, H. Zhang, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  29th International Conference on Amorphous & Nanocrystaline Ssemiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] SiGeナノドット/Si多重集積構造からの電界電子放出2022
- 著者名/発表者名
  邱実、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Fe シリサイドドットの室温 PL 特性―ドットサイズ依存性2022
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 熱処理によるAl(111)上のSi表面偏析制御2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第9回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] FePt ナノ構造の帯磁特性評価2022
- 著者名/発表者名
  武嘉麟，牧原克典，田岡紀之，大田晃生，宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation of Ultra-thin NiGe film with Mono-crystalline Phase and Smooth Surface2022
- 著者名/発表者名
  S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111)2022
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 高温短時間熱処理による極薄SiO2上に形成したa-Si膜の結晶化2022
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果2022
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、西村　駿介、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Characterization of Magnesium Channeled Implantation Layers in GaN(0001)2022
- 著者名/発表者名
  A. Suyama, H. Kawanowa, H. Minagawa, J. Maekawa, S. Nagamachi, M. Aoki, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 高温短時間熱処理による極薄SiO2上に形成したa-Si膜の結晶化2022
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御2022
- 著者名/発表者名
  木村　圭佑、田岡　紀之、西村　駿介、大田　晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Change of Surface Morphology, Chemical Bonding Features and Crystalline Phases of Ultra-thin NixSi1-x Layers Due to Thinning2022
- 著者名/発表者名
  K. Kimura, N. Taoka, S. Nishimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Alignment Control of Self-Assembling Si Quantum Dots2022
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, R. Tsuji, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Feシリサイドドットの発光特性評価2022
- 著者名/発表者名
  古幡裕志、斎藤陽斗、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Study on Photoluminescence Properties of Fe-silicide-NDs2022
- 著者名/発表者名
  H. Saito, K. Makihara, Y. Hara, S. Fujimori, Y. Imai, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Formation of Fe-silicide-NDs and Characterization of Their PL Properties2022
- 著者名/発表者名
  H. Saito, K. Makihara, Y. Hara, S. Fujimori, Y. Imai, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Ge(111)上に偏析したGe薄膜の化学結合状態分析2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年度名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Photoemission Study of Mg Doped GaN(0001) Surfaces2022
- 著者名/発表者名
  W. Liu, X. Tian, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  ISPlasma2022/IC-PLANTS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Ultrathin Si Segregated Layer Formation on Al/Si(111)2022
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Surface Modification and Wafer Bonding of Ultrathin Ge Segregated Layer formed on Al/Ge(111)2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara,and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Fe シリサイドドットの室温 PL 特性―ドットサイズ依存性2022
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御2022
- 著者名/発表者名
  木村　圭佑、田岡　紀之、西村　駿介、大田　晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] SiGeナノドット/Si多重集積構造からの電界電子放出2022
- 著者名/発表者名
  邱実、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Surface Modification and Wafer Bonding of Ultrathin Ge Segregated Layer formed on Al/Ge(111)2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara,and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si量子ドットの一次元配列制御2022
- 著者名/発表者名
  辻綾哉、今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Layer Transfer of Ultrathin Ge Layer Segregated on Al/Ge(111)2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Crystalline Phase Control of Hf-oxide Layer due to Si Surface Orientations2022
- 著者名/発表者名
  W. Yasuda, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  43rd Int. Symp. on Dry Process
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Suppression of Ga Diffusion by Interfacial Barrier Layer in AlSiO/p-GaN2022
- 著者名/発表者名
  X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, T. Narita, K. Ito, K. Kataoka, S. Iwasaki, D. Kikuta, K. Tomita, and S. Miyazaki
- 学会等名
  ISPlasma2022/IC-PLANTS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation of Fe-silicide-NDs and Characterization of Their PL Properties2022
- 著者名/発表者名
  H. Saito, K. Makihara, Y. Hara, S. Fujimori, Y. Imai, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Change of Surface Morphology, Chemical Bonding Features and Crystalline Phases of Ultra-thin NixSi1-x Layers Due to Thinning2022
- 著者名/発表者名
  K. Kimura, N. Taoka, S. Nishimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Evaluation of Chemical and Electronic States of Mg-doped GaN(0001) Surfaces2022
- 著者名/発表者名
  X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、林将平、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-（第27回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] l/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge 結晶層の転写2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、柴山　茂久、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] FePt ナノ構造の帯磁特性評価2022
- 著者名/発表者名
  武嘉麟，牧原克典，田岡紀之，大田晃生，宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Control of Surface Flatness and Ge Segregation on Metal/Ge Structure Toward Ultrathin and Two-dimensional Ge Crystal Growth2022
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta, Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Dot Size Dependence of Electron Emission from Si-QDs Multiple-Stacked Structures2022
- 著者名/発表者名
  S. Obayashi, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta,and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] HCl による表面洗浄がAl2O3/GaN 界面特性および電気的特性に与える影響2022
- 著者名/発表者名
  長井大誠、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-（第27回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 偏析法によるAg(100)薄膜表面上のGe超薄膜の創製2022
- 著者名/発表者名
  大野誠貴、大田晃生、宮﨑誠一、高倉将一、仲武昌史、Guy Le Lay、柚原淳司
- 学会等名
  日本物理学会 2022年秋季大会物性
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] HCl による表面洗浄がAl2O3/GaN 界面特性および電気的特性に与える影響2022
- 著者名/発表者名
  長井大誠、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] l/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge 結晶層の転写2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、柴山　茂久、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Layer Transfer of Ultrathin Ge Layer Segregated on Al/Ge(111)2022
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] High-Density Formation and Characterization of Fe-Silicide Nanodots on SiO22022
- 著者名/発表者名
  J. Wu, H. Zhang, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  29th International Conference on Amorphous & Nanocrystaline Ssemiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Feシリサイドドットの発光特性評価2022
- 著者名/発表者名
  古幡裕志、斎藤陽斗、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Dot Size Dependence of Electron Emission from Si-QDs Multiple-Stacked Structures2022
- 著者名/発表者名
  S. Obayashi, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta,and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique2022
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Suppression of Ga Diffusion by Interfacial Barrier Layer in AlSiO/p-GaN2022
- 著者名/発表者名
  X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, T. Narita, K. Ito, K. Kataoka, S. Iwasaki, D. Kikuta, K. Tomita, and S. Miyazaki
- 学会等名
  ISPlasma2022/IC-PLANTS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果2022
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、田岡紀之、西村　駿介、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、柴山茂久、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique2022
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、林将平、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties2022
- 著者名/発表者名
  T. Nagai, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  ISPlasma2022/IC-PLANTS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] HCl前洗浄したAl2O3/GaN界面の高温電気的特性2022
- 著者名/発表者名
  長井大誠、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Two-Dimensional Ge Crystal Growth by Ge Surface Segregation of Metal/Ge Stack2022
- 著者名/発表者名
  A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Effects of Cl Passivation on Al2O3/GaN Interface Properties2022
- 著者名/発表者名
  T. Nagai, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  ISPlasma2022/IC-PLANTS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性2022
- 著者名/発表者名
  尾林秀治、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111)2022
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響2022
- 著者名/発表者名
  安田航、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Two-Dimensional Ge Crystal Growth by Ge Surface Segregation of Metal/Ge Stack2022
- 著者名/発表者名
  A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] 共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討2022
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Ultrathin Si Segregated Layer Formation on Al/Si(111)2022
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] SiO2上に形成したNiGe超薄膜の表面形態と結晶相制御2022
- 著者名/発表者名
  西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性2022
- 著者名/発表者名
  尾林秀治、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Photoemission Study of Mg Doped GaN(0001) Surfaces2022
- 著者名/発表者名
  W. Liu, X. Tian, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  ISPlasma2022/IC-PLANTS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] SiO2上に形成したNiGe超薄膜の表面形態と結晶相制御2022
- 著者名/発表者名
  西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態2022
- 著者名/発表者名
  西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation of Ultra-thin Nickel Silicide Layer on SiO2 and Control of Crystalline Phase and Surface Roughness2022
- 著者名/発表者名
  K. Kimura, S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Study on Photoluminescence Properties of Fe-silicide-NDs2022
- 著者名/発表者名
  H. Saito, K. Makihara, Y. Hara, S. Fujimori, Y. Imai, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Evaluation of Chemical and Electronic States of Mg-doped GaN(0001) Surfaces2022
- 著者名/発表者名
  X. Tian, W. Liu, A. Ohta, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Crystalline Phase Control of Hf-oxide Layer due to Si Surface Orientations2022
- 著者名/発表者名
  W. Yasuda, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  43rd Int. Symp. on Dry Process
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si0.2Ge0.8(111)構造の熱処理によるSiおよびGeの表面偏析2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、山本裕司、宮﨑誠一
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Evaluation of Chemical Structure and Si Segregation of Al/Si(111)2022
- 著者名/発表者名
  T. Sakai, A. Ohta, K. Matsushita, N. Taoka, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] HCl前洗浄したAl2O3/GaN界面の高温電気的特性2022
- 著者名/発表者名
  長井大誠、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Characterization of Magnesium Channeled Implantation Layers in GaN(0001)2022
- 著者名/発表者名
  A. Suyama, H. Kawanowa, H. Minagawa, J. Maekawa, S. Nagamachi, M. Aoki, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements2022
- 著者名/発表者名
  M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142
[学会発表] Alignment Control of Self-Assembling Si Quantum Dots2022
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, R. Tsuji, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si量子ドットの一次元配列制御2022
- 著者名/発表者名
  辻綾哉、今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation of Ultra-thin Nickel Silicide Layer on SiO2 and Control of Crystalline Phase and Surface Roughness2022
- 著者名/発表者名
  K. Kimura, S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上へのニッケルシリサイド超薄膜の形成と化学結合状態分析2022
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成2022
- 著者名/発表者名
  酒井大希、大田晃生、松下圭吾、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22794
[学会発表] Formation of Ultra-thin NiGe film with Mono-crystalline Phase and Smooth Surface2022
- 著者名/発表者名
  S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] SiO2上へのニッケルシリサイド超薄膜の形成と化学結合状態分析2022
- 著者名/発表者名
  木村圭佑、西村駿介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures2021
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots2021
- 著者名/発表者名
  J. Wu、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  本田俊輔，古幡裕志, 大田晃生, 池田弥央, 大島大輝, 加藤剛志, 牧原克典,宮﨑誠一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots2021
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2021(AWAD 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] リモート H2 プラズマ支援による高密度 Fe 系シリサイドナノドットの高密度一括形成2021
- 著者名/発表者名
  何智雪, 武嘉麟, 牧原克典, 張海, 古幡裕志，田岡紀之, 大田晃生, 宮崎誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Roles for Si, Oxygen atoms and Oxygen Vacancy in Crystalline Phase Stabilization of HfZr-oxide Layer2021
- 著者名/発表者名
  N. Taoka, R. Hasegawa, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures2021
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Takemoto, Tomohumi Niibayashi, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 for Light Emission Devices2021
- 著者名/発表者名
  H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響2021
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃生、田岡紀之、林将平、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH42021
- 著者名/発表者名
  H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka and S. Miyazaki
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響2021
- 著者名/発表者名
  前原拓哉，池田弥央，大田晃生，牧原克典，宮﨑誠一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Impact of Substrate Heating on Surface Flattening and Ge Segregation of Al/Ge(111)2021
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] Sapphire(0001)上アモルファスGe 薄膜の固相結晶化2021
- 著者名/発表者名
  須川響、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] FeナノドットへのSiH4照射による Feシリサイドナノドットの高密度・一括形成と室温PL特性評価2021
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、古幡裕志、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一
- 学会等名
  第21回日本表面真空学会中部支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma2021
- 著者名/発表者名
  He Zhixue, Hai Zhang, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御2021
- 著者名/発表者名
  大田晃生、松下圭吾、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots2021
- 著者名/発表者名
  J. Wu、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH42021
- 著者名/発表者名
  H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka and S. Miyazaki
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique2021
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH4 for Light Emission Devices2021
- 著者名/発表者名
  H. Furuhata, K. Makihara, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Control of Ultrathin Segregated Ge Layer Thickness on Al/Ge(111) Structure2021
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142
[学会発表] High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma2021
- 著者名/発表者名
  Z. He、J. Wu、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki
- 学会等名
  42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測2021
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御2021
- 著者名/発表者名
  大田晃生、松下圭吾、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Ag/Ge 構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge 結晶形成2021
- 著者名/発表者名
  大田晃生、山田憲蔵、須川響、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第26回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142
[学会発表] 基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響2021
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃夫、田岡紀之、林将平、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷分布計測2021
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第21回日本表面真空学会中部支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Characterization of Electronic Charged States of High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots Evaluated with AFM/Kelvin Probe Technique2021
- 著者名/発表者名
  Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots2021
- 著者名/発表者名
  J. Wu, K. Makihara, H. Zhang, H. Furuhata, N. Taoka, A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2021(AWAD 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] リモート H2 プラズマ支援による高密度 Fe 系シリサイドナノドットの高密度一括形成2021
- 著者名/発表者名
  何智雪, 武嘉麟, 牧原克典, 張海, 古幡裕志，田岡紀之, 大田晃生, 宮崎誠一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響2021
- 著者名/発表者名
  安田航, 田岡紀之, 大田晃生, 牧原克典, 宮﨑誠一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Remote Hydrogen Plasma-Assisted Formation and Characterization of High-Density Fe-Silicide Nanodots2021
- 著者名/発表者名
  J. Wu、Z. He、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki
- 学会等名
  2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御2021
- 著者名/発表者名
  古幡裕志、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Influence of Substrate Temperature on Plsma-Enhaced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot2021
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Honda, Katsunori Makihara, Hiroshi Furuhata, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Impact of Substrate Heating on Surface Flattening and Ge Segregation of Al/Ge(111)2021
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] FeナノドットへのSiH4照射による Feシリサイドナノドットの高密度・一括形成と室温PL特性評価2021
- 著者名/発表者名
  斎藤陽斗、古幡裕志、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一
- 学会等名
  第21回日本表面真空学会中部支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma2021
- 著者名/発表者名
  Wu Jialin, Hai Zhang, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価2021
- 著者名/発表者名
  尾林秀治、牧原克典、竹本竜也、田岡紀之、大田晃夫、宮﨑誠一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Impact of Substrate Heating on Surface Flattening and Ge Segregation of Al/Ge(111)2021
- 著者名/発表者名
  K. Matsushita, A. Ohta, N. Taoka, S. Hayashi, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] Study on Electron Emission from Phosphorus delta-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures2021
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, T. Takemoto, S. Obayashi, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価2021
- 著者名/発表者名
  尾林秀治、牧原克典、竹本竜也、田岡紀之、大田晃夫、宮﨑誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷分布計測2021
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第21回日本表面真空学会中部支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] High Density Formation of Fe-based Silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma2021
- 著者名/発表者名
  Z. He、J. Wu、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki
- 学会等名
  42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Roles for Si, Oxygen atoms and Oxygen Vacancy in Crystalline Phase Stabilization of HfZr-oxide Layer2021
- 著者名/発表者名
  N. Taoka, R. Hasegawa, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2021 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Remote Hydrogen Plasma-Assisted Formation and Characterization of High-Density Fe-Silicide Nanodots2021
- 著者名/発表者名
  J. Wu、Z. He、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki
- 学会等名
  2nd International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2021 (IWAN2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響2021
- 著者名/発表者名
  安田航, 田岡紀之, 大田晃生, 牧原克典, 宮﨑誠一
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04559
[学会発表] 高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御2021
- 著者名/発表者名
  古幡裕志、牧原克典、大田晃生、田岡紀之、宮﨑誠一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御2021
- 著者名/発表者名
  大田晃生、松下圭吾、田岡紀之、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142
[学会発表] AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測2021
- 著者名/発表者名
  今井友貴、牧原克典、田岡紀之、大田晃生、宮﨑誠一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響2021
- 著者名/発表者名
  松下圭吾、大田晃夫、田岡紀之、林将平、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure2020
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成2020
- 著者名/発表者名
  小林征登、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] 光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価2020
- 著者名/発表者名
  大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] 磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価2020
- 著者名/発表者名
  武嘉麟、張海、古幡裕志、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode2020
- 著者名/発表者名
  T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyaaki
- 学会等名
  PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] XPSによるSi系材料の複素誘電関数・光学定数の評価2020
- 著者名/発表者名
  大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第25回）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価2020
- 著者名/発表者名
  新林智文、竹本竜也、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Evaluation of Valence Band Top of Si Surface by Vacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy with Variable Incident Photon Energy2020
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure2020
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K21142
[学会発表] Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing2020
- 著者名/発表者名
  H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出2020
- 著者名/発表者名
  新林智文、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots By Using a Magnetic AFM Probe2020
- 著者名/発表者名
  J. Wu, H. Zhang , H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing2020
- 著者名/発表者名
  H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] 金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御2020
- 著者名/発表者名
  長谷川遼介、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮﨑誠一
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化2020
- 著者名/発表者名
  須川響、大田晃生、小林征登、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene2019
- 著者名/発表者名
  M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
- 学会等名
  2019 International Conference of Solid State of Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] リモート水素プラズマ支援による磁性合金FeSiナノドットの高密度・一括形成2019
- 著者名/発表者名
  橋本靖司、牧原克典、大田晃生、池田弥央、香野淳、宮崎誠一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Characterization of Electron Field Emission of Multiply-Stacked Si-QDs/SiO2 Structures2019
- 著者名/発表者名
  T. Takemoto, Y. Futamura, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing2019
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] Characterization of Electron Field Emission from Si Quantum Dots with Ge Core/Si Quantum Dots Hybrid Stacked Structures2019
- 著者名/発表者名
  T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
- 学会等名
  2019 International Conference of Solid State of Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  永井僚, 藤森俊太郎, 前原拓哉, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 宮崎誠一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties2019
- 著者名/発表者名
  S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析2019
- 著者名/発表者名
  小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 - 積層数依存性2019
- 著者名/発表者名
  竹本竜也, 二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements2019
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] Electron Field Emission from MultiplyStacked Structures consisting of Ge-Core Si Quantum Dots and Si Quantum Dots2019
- 著者名/発表者名
  Yuto Futamura, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials /12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  前原拓哉、藤森俊太郎、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface2019
- 著者名/発表者名
  M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2019 International Conference of Solid State of Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成2019
- 著者名/発表者名
  小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] Effect of B-doping on Photoluminescence Properties of Si-QDs with Ge Core2019
- 著者名/発表者名
  S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference; 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/ 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties2019
- 著者名/発表者名
  J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots2019
- 著者名/発表者名
  H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価2019
- 著者名/発表者名
  大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core2019
- 著者名/発表者名
  T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure2019
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  41st International Symposium on Dry Process
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Al/Ge(111)構造で生じる表面偏析を利用した極薄Ge結晶形成2019
- 著者名/発表者名
  小林征登、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  第19回日本表面科学会中部支部・学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] Complex Dielectric Function of Si Oxide as Evaluated from Photoemission Measurements2019
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2019 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02169
[学会発表] GeコアSi 量子ドット/Si 量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性および電子放出エネルギー評価2019
- 著者名/発表者名
  二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Formation of high density Fe-silicide nanodots induced by remote H2 plasma and their magnetic properties2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, S. Miyazaki
- 学会等名
  The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties2019
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Electroluminescent Devices2019
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00762
[学会発表] 光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測2018
- 著者名/発表者名
  大田晃生、今川拓哉、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core2018
- 著者名/発表者名
  R. Nagai, K. Yamada, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価2018
- 著者名/発表者名
  永井僚、山田健太郎、藤森俊太郎、池田弥央、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Characterization of Electron Charging and Local Electron Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core2018
- 著者名/発表者名
  Ryo Nagai, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  Japan Student Chapter Meeting 2018 in Osaka
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] 光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測2018
- 著者名/発表者名
  大田晃生、今川拓哉、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Electroluminescence from Multiply Stacked Si Quantum Dots with Ge Core by Alternate Carrier Injection2018
- 著者名/発表者名
  Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  9th International SiGe Technology and Device Meeting/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] XPSによる極薄high-k／SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価2018
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si Quantum Dots with Ge Core2018
- 著者名/発表者名
  Yuto Futamura, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Two Dimensional Ge Crystal Growth by Annealing of Metal/Ge Stack2018
- 著者名/発表者名
  大田晃生
- 学会等名
  第2回「ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacked Ge Core Si-QDs2018
- 著者名/発表者名
  Yuto Futamura, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] P添加GeコアSi量子ドットの帯電および局所電気特性評価2018
- 著者名/発表者名
  永井僚, 藤森俊太郎, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 宮崎誠一
- 学会等名
  第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] 電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス2018
- 著者名/発表者名
  牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] XPS Study on High-k/SiO2 Interface -Correlation between Electrical Dipole and Oxygen Density-2018
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Photoemission Study of Gate Dielectrics and Stack Interfaces2018
- 著者名/発表者名
  S. Miyazaki, and A. Ohta
- 学会等名
  2018 International Conference of Solid State of Device and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析2018
- 著者名/発表者名
  今川拓哉、大田晃生、田岡紀之、藤村信幸、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出2018
- 著者名/発表者名
  小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene2018
- 著者名/発表者名
  M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
- 学会等名
  14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの弾道電子放出2018
- 著者名/発表者名
  二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価2018
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Characterization of Electron Charging and Transport Properties of Si-QDs with Phosphorus Doped Ge Core2018
- 著者名/発表者名
  Ryo Nagai, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  9th International SiGe Technology and Device Meeting/11th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Evaluation of Potential Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Y. Futamura, Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
- 学会等名
  11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] 真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長2018
- 著者名/発表者名
  小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮﨑誠一
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Y. Nakashima, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  10th Anniversary International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing2018
- 著者名/発表者名
  A. Ohta K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19020
[学会発表] GeコアSi量子トドット/Si量子トドット多重集積構造からの電界電子放出2018
- 著者名/発表者名
  二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Tiナノドットを埋め込んだSiOx膜の電気抵抗変化特性－定電圧および定電流印加による特性制御－2017
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Characterization of Field Electron Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots2017
- 著者名/発表者名
  Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara , A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
- 学会等名
  10th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] 絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術：二次元物質への展開2017
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志、大田晃生、洗平昌晃、財満鎭明
- 学会等名
  第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会
- 発表場所
  科学技術交流財団研究交流センター, 愛知
- 年月日
  2017-02-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関2017
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Direct Observation of Electrical Dipole and Atomic Density at High-k Dielectrics/SiO2 Interface2017
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2017 International Conference of Solid State of Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態2017
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  日本物理学会第72回年次大会
- 発表場所
  大阪大学, 大阪
- 年月日
  2017-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Potential Change and Electrical Dipole at Ultrathin Oxide/Semiconductor Interfaces as Evaluated by XPS2017
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] GeコアSi量子ドットの発光特性評価2017
- 著者名/発表者名
  山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] XPS Study on Evaluation of Electrical Dipole and Atomic Density Ratio at Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Interface2017
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron patterned Si Substrates2017
- 著者名/発表者名
  M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  10th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, T. Yamamoto, N. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  0th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 年月日
  2017-02-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
- 学会等名
  The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core2017
- 著者名/発表者名
  K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
- 学会等名
  The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価2017
- 著者名/発表者名
  伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] 硬X線光電子分光法によるSi量子ドット多重集積構造のオペランド分析2017
- 著者名/発表者名
  中島裕太、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第５回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
- 発表場所
  Chubu University,Aichi
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Si細線構造への高密度Si量子ドット形成と発光特性2017
- 著者名/発表者名
  高磊、池田弥央、山田健太郎、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors2017
- 著者名/発表者名
  K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Evaluation of Resistive Switching Properties of Si-rich Oxide Embedded with Ti Nanodots by Applying Constant Voltage and Constant Current2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, Y. Kato, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
- 学会等名
  The 10th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Coventry, UK
- 年月日
  2017-05-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] GeコアSi量子ドットのEL特性評価2017
- 著者名/発表者名
  山田健太郎、池田弥生、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第５回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Electroluminescence of Super-atom-like Si-Ge based Quantum Dots Floating Gate2017
- 著者名/発表者名
  K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, A. Ohta, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core2017
- 著者名/発表者名
  K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki
- 学会等名
  The 10th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Coventry, UK
- 年月日
  2017-05-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価2017
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回)
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価2017
- 著者名/発表者名
  中島裕太、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価2017
- 著者名/発表者名
  大田晃生、加藤祐介、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係2017
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第17回日本表面科学会中部支部・学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価2017
- 著者名/発表者名
  山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第17回日本表面科学会中部支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements2017
- 著者名/発表者名
  T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 年月日
  2017-02-13
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算2017
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会
- 発表場所
  科学技術交流財団研究交流センター, 愛知
- 年月日
  2017-01-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111)2017
- 著者名/発表者名
  K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
- 発表場所
  Chubu University, Aichi
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  20th Conference on Insulating Films on Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Evaluation of Filled Electronic States of Epitaxial GaN(0001) Surface by Total Photoelectron Yield Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
- 学会等名
  2017 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2 との界面で生じる電位変化の定量2017
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2017 年真空・表面科学合同講演会第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価2017
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Determination of Electron Affinity of Si-based Materials using by X-ray Photoelectron Spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Sendai, Miyagi, Japan
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性2016
- 著者名/発表者名
  中島裕太、大田晃生、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  2016真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2016-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method2016
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)
- 発表場所
  Nagoya, Aichi, Japan
- 年月日
  2016-03-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Evaluation of Dielectric Function of Thermally-Grown SiO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-Line Photoelectrons2016
- 著者名/発表者名
  T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  PRiME 2016/230th ECS Meeting
- 発表場所
  Hawaii Convention Center, Hawai
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Ti薄膜およびナノドットを埋め込んだSiOx-MIMダイオードの抵抗変化特性2016
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2016
- 発表場所
  名古屋大学, 愛知
- 年月日
  2016-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態2016
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  日本物理学会 2016年秋季大会
- 発表場所
  金沢大学, 石川
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] SiおよびSiGe上に形成したAg表面の化学分析2016
- 著者名/発表者名
  伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2016
- 発表場所
  名古屋大学, 愛知
- 年月日
  2016-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第21回)
- 発表場所
  静岡県三島市
- 年月日
  2016-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Si細線構造への高密度Si量子ドット形成2016
- 著者名/発表者名
  高磊、竹内大智、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  2016真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2016-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価2016
- 著者名/発表者名
  山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Study of Electron Field Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots2016
- 著者名/発表者名
  D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成2016
- 著者名/発表者名
  グェンスァンチュン、藤村信幸、竹内大智、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- 発表場所
  キャンパス・イノベーションセンター東京, 東京
- 年月日
  2016-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価2016
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  年真空・表面科学合同講演会 (第36 回表面科学学術講演会、第57 回真空に関する連合講演会)
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知
- 年月日
  2016-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] First-Principles Study on Germanene and Stanene on a-Alumina2016
- 著者名/発表者名
  M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
- 学会等名
  24rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
- 発表場所
  Hawaii Convention Center, Hawai
- 年月日
  2016-12-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on a-Al2O3(0001) surfaces2016
- 著者名/発表者名
  M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
- 学会等名
  13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  Rome, Italy
- 年月日
  2016-10-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Effect of Ge Stacked Layer on Ti Nanodots Formation From Metal Thin Films by Remote Hydrogen Plasma Exposure2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)
- 発表場所
  Nagoya, Aichi, Japan
- 年月日
  2016-03-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性2016
- 著者名/発表者名
  竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] IV 族半導体上に蒸着したAg 薄膜の化学構造評価と反応制御2016
- 著者名/発表者名
  伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2016 年真空・表面科学合同講演会 (第36 回表面科学学術講演会、第57 回真空に関する連合講演会)
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知
- 年月日
  2016-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Hakodate Kokusai Hotel, Hokkaido
- 年月日
  2016-07-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots2016
- 著者名/発表者名
  S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda
- 学会等名
  Int. Electron Devices Meeting 2016
- 発表場所
  San Francisco, CA
- 年月日
  2016-11-03
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Ti 系薄膜および Ti ナノドットを埋め込んだ SiOx膜の抵抗変化特性評価2016
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価2016
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- (第21回)
- 発表場所
  静岡県三島市
- 年月日
  2016-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討2016
- 著者名/発表者名
  山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2016
- 発表場所
  名古屋大学, 愛知
- 年月日
  2016-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Evaluation of Potential Change and Electrical Dipole in HfO2/SiO2/Si Structure2016
- 著者名/発表者名
  N.Fujimura, A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki
- 学会等名
  2016 International Conference of Solid State of Device and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Ibaraki
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量2016
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、渡辺浩成、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- 発表場所
  キャンパス・イノベーションセンター東京, 東京
- 年月日
  2016-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties2016
- 著者名/発表者名
  D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
- 学会等名
  7th Int. Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th Int. SiGe Technology and Device Meeting joint meeting
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2016-06-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] High Density Ti Nanodots Formation and Improvement of ReRAM Characteristics by Embedding Ti Nanodots2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”
- 発表場所
  Sendai, Miyagi, Japan
- 年月日
  2016-01-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] 絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析2016
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  日本物理学会第71回年次大会
- 発表場所
  仙台市, 宮城県
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価2015
- 著者名/発表者名
  竹内大智、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性2015
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film2015
- 著者名/発表者名
  M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
- 学会等名
  23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
- 発表場所
  Niseko, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2015-12-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] KFMによるFePtナノドットスタック構造の局所帯電評価2015
- 著者名/発表者名
  満行優介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02239
[学会発表] 絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算2015
- 著者名/発表者名
  洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二
- 学会等名
  第35回表面科学学術講演会
- 発表場所
  仙台市, 宮城県
- 年月日
  2015-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Photoemission Study of the Electronic Structure of Si-based Materials2015
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, N. Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  The first International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)
- 発表場所
  Nagoya, Aichi, Japan
- 年月日
  2015-11-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Si量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価2015
- 著者名/発表者名
  竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一
- 学会等名
  第15回日本表面科学会中部支部研究会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価2015
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討2015
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Effect of P-doping on Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core2015
- 著者名/発表者名
  K. Kondo, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成2015
- 著者名/発表者名
  黒澤昌志、大田晃生、洗平昌晃、財満鎭明
- 学会等名
  第35回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば市, 茨城県
- 年月日
  2015-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Characterization of Field Emission Properties from Multiply-Stacking Si Quantum Dots2015
- 著者名/発表者名
  D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki
- 学会等名
  JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
- 発表場所
  Marseille, France
- 年月日
  2015-07-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05762
[学会発表] 外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響2015
- 著者名/発表者名
  河瀬平雅、満行優介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02239
[学会発表] X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定2015
- 著者名/発表者名
  藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, A. Ohta, T. Arai, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2015 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2015)
- 発表場所
  koto-ku, Tokyo, Japan,
- 年月日
  2015-11-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS2015
- 著者名/発表者名
  N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2015 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF 2015)
- 発表場所
  koto-ku, Tokyo, Japan
- 年月日
  2015-11-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth2015
- 著者名/発表者名
  M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
- 学会等名
  23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
- 発表場所
  Niseko, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2015-12-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13943
[学会発表] Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  226th The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Tiナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上2015
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2015
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05520
[学会発表] Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistive Switching in TiOx/SiOx Stack in Ti Electrode MIM Diodes2014
- 著者名/発表者名
  T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性2014
- 著者名/発表者名
  荒井崇、劉沖、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Mnナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性2014
- 著者名/発表者名
  荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス, 愛知県
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Mnナノドット埋め込んだSiOx-Ni電極 MIMダイオードの抵抗変化特性2014
- 著者名/発表者名
  荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第14回日本表面科学会中部支部・学術講演会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス, 愛知県
- 年月日
  2014-12-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価2014
- 著者名/発表者名
  大田晃生、劉沖、荒井崇、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス, 愛知県
- 年月日
  2014-06-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Niナノドットを電極に用いたSiOx-ReRAMの抵抗変化特性2014
- 著者名/発表者名
  加藤祐介、劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス, 愛知県
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性2014
- 著者名/発表者名
  荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス, 愛知県
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Mnナノドットを埋め込んだSiOx MIM構造の局所電気伝導解析2014
- 著者名/発表者名
  荒井崇、劉沖、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性2014
- 著者名/発表者名
  劉沖、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学、神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-Electrode Mim Diodes2013
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, and S Miyazaki
- 学会等名
  224th The Electrochemical Scociety Meeting
- 発表場所
  The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, California , USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Impact of Y_2O_3 Addition of Chemical Bonding Features and Resistance Switching of TiO_22011
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] Ru添加したTiY_x O_yの抵抗変化特性評価2011
- 著者名/発表者名
  大田晃生
- 学会等名
  平成23年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川,厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] Impact of Y_2O_3 Addition of Chemical Bonding Features and Resistance Switching of TiO_22011
- 著者名/発表者名
  Akio Ohta, Yuta Goto, Guobin Wei, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki
- 学会等名
  2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF), P-40, pp. 113-114
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] Ru添加したTiY_xO_yの抵抗変化特性評価2011
- 著者名/発表者名
  大田晃生, 後藤優太, 三嶋健斗, Goubin Wei, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
- 学会等名
  平成23年春季第58回応用物理学関係連合講演会,25a-BZ-6,06-119
- 発表場所
  神奈川,厚木,神奈川工科大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] TiY_xO_y膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価2010
- 著者名/発表者名
  大田晃生
- 学会等名
  平成31年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] The Impact of Y_O_3 Addition into TiO_2 On Electronic States and Resistive Switching Characteristics2010
- 著者名/発表者名
  A.Ohta, Y.Goto, G.Wei, K.Makihara, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
- 学会等名
  23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2010), 11B-6-2
- 発表場所
  Rihga Royal Hotel Kokura, Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] The Impact of Y_2 O_3 Addition into TiO_2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics2010
- 著者名/発表者名
  A.Ohta
- 学会等名
  23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2010)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  大田晃生
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM)シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- 発表場所
  目黒、東京
- 年月日
  2010-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] TiO_2/Pt界面における化学結合状態分析と抵抗変化特性評価2010
- 著者名/発表者名
  後藤優太, 貫目大介, 大田晃生,尉国浜, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
- 学会等名
  ゲートスタック研究会第15回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性,P-26, pp.209-213
- 発表場所
  静岡、三島、東レ総合研修センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] Chemical Bonding Features at TiO_2/Pt Interface and Their Impact on Resistance-Switching Properties2010
- 著者名/発表者名
  後藤優太, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
- 学会等名
  The 2010 (International Meeting for Future of Electror Devices, Kansai (IMFEDK), PB-4 p. 114
- 発表場所
  Kansai University Centenary Memorial Hall, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  大田晃生, 後藤優太, モハマドファイルズカマルザン, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM)[シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会6月度合同研究会SDM2010-38 pp.27-32
- 発表場所
  東京、東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所
- 年月日
  2010-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] TiY_xO_y膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価2010
- 著者名/発表者名
  大田晃生, モハマドファイルズカマルザン, 後藤優太, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
- 学会等名
  平成21年春季第57回応用物理学関係連合講演会,20a-TQ-40,6-221
- 発表場所
  神奈川、平塚、東海大学湘南キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価2009
- 著者名/発表者名
  後藤優太、大田晃生、貫目大介、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM)[シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会6月度合同研究会,SDM2009-44,pp.99-103
- 発表場所
  東京、東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所
- 年月日
  2009-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] X線光電子分光法によるTiO_2/Pt界面の化学結合状態分析2009
- 著者名/発表者名
  後藤優太, 貫目大介, 大田晃生, 尉国浜, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
- 学会等名
  2009年第70回秋季応用物理学会学術講演会,9a-H-4, p.550
- 発表場所
  富山、富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21860062
[学会発表] Characterization of Resistance-Switching of Ni Nano-dot/SiOx/Ni Diodes
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies - The IUMRS International Conference in Asia 2016 (IUMRS-ICA)
- 発表場所
  Fukuoka University, Fukuoka, Japan
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide as Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements
- 著者名/発表者名
  A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014)
- 発表場所
  Kanazawa Bunka Hall, Ishikawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Local Electrical Properties of Si-rich Oxides with Embedding Mn-nanodots by Atomic Force Microscopy Using Conducting-Probe
- 著者名/発表者名
  T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies - The IUMRS International Conference in Asia 2016 (IUMRS-ICA)
- 発表場所
  Fukuoka University, Fukuoka, Japan
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Impact of Embedded Mn-Nanodots on Resistive Switching in Si-rich Oxide
- 著者名/発表者名
  T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki
- 学会等名
  5th The international SiGeTechnology and Device Meeting (ISTDM2014)
- 発表場所
  Swissotel Merchant Court, Singapore
- 年月日
  2014-06-02 – 2014-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
- 著者名/発表者名
  荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス, 北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗スイッチング
- 著者名/発表者名
  荒井崇、大田晃生、福嶋太紀、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  第13回日本表面科学会中部支部学術講演会
- 発表場所
  名古屋工業大学、愛知県名古屋市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
- 著者名/発表者名
  大田晃生、福嶋太紀、牧原克典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一
- 学会等名
  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
- 発表場所
  機械振興会館、東京都港区
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058
[学会発表] Si-rich 酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響
- 著者名/発表者名
  荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第20回研究会)
- 発表場所
  東レ総合研修センター, 静岡県
- 年月日
  2015-01-30 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790058

1. 牧原克典 (90553561)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 268件
2. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 30件
3. 宮崎誠一 (70190759)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 97件
4. 黒澤昌志 (40715439)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 29件
5. 田岡紀之 (50626009)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 21件
6. 柚原淳司 (10273294)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
7. 池田弥央

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 52件

大田 晃生 Ohta Akio

研究課題

研究成果

共同研究者

14族ナノシートの合成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

絶縁性基板上のゲルマニウム二次元結晶の創製と電子物性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゲルマニウム系二次元ハニカム結晶の自己組織化形成と結晶構造・電子状態制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコン系二次元ハニカム結晶の創製と電子物性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si系酸化薄膜抵抗変化材料における欠陥分布の高感度計測および精密制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン酸化薄膜を用いた微細抵抗変化型メモリの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ti系酸化膜を用いた抵抗変化型メモリの化学結合状態と抵抗変化現象の相関の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

大田晃生 Ohta Akio

[図書] 「共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術」、ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線 -二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術-2020