ＡＳＵＢＡＲＪＯＥＬ Joel T. Asubar

… 別表記

ASUBAR JOEL アスバルジョエル

研究者番号	10574220
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 2019年度 – 2021年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 2015年度 – 2018年度: 福井大学, テニュアトラック推進本部, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 GaN / MIS / HEMT / AlGaN / Hi-K dielectric / Normally-off / AlGaN/GaN / AlGaN/GaN HEMT / semiconductor / power device … もっと見る / Gallium nitride / Insulated-Gate / MIS-HEMT / リセスゲート / エンハンスメントモード / ノーマリーオフ / ドライエッチング / 再成長 / 窒化ガリウム / Insulated Gate / normally-off operation / 酸素プラズマ処理 / 多重台形チャネル / 自己発熱 / パワーデバイス / 電流コラプス / 窒化物半導体 / AlGaN-GaN / Stability / Breakdown Voltage / Current Collapse / current collapse … もっと見る研究代表者以外高電子移動度トランジスタ / 窒化物半導体 / トランジスタ / HEMT / 窒化ガリウム / 表面パッシベーション / ゲート絶縁膜 / ミストCVD / パワーデバイス / 破壊電界 / GaN / 耐圧 / 界面準位密度 / 非線形最小二乗法 / 界面準位 / ミストCVD法 / モンテカルロシミュレーション / ドレイン電流密度 / 二次元電子ガス / 電力増幅 / 高出力 / 電力利得 / 無線電力伝送 / 電力増幅器 / AlGaN/GaN / 準ミリ波 / 電子準位 / 高周波デバイス / 電子デバイス・機器 / 基板 / 漏れ電流 / 半絶縁性 / 抵抗率 / バッファ層 / 半絶縁性基板 / リーク電流 / 絶縁破壊隠す

高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  関西学院大学
Study on high-K dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors研究代表者
- 研究代表者
  
  ASUBAR JOEL
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  福井大学
ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用
- 研究代表者
  
  谷田部然治
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  熊本大学
ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発
- 研究代表者
  
  谷田部然治
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  熊本大学
Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process研究代表者
- 研究代表者
  
  ASUBAR JOEL
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  福井大学
準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  関西学院大学
   福井大学
窒化物半導体トランジスタの横方向破壊電界強度の向上に関する研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学
自立GaN基板・MMC構造を利用したGaN HEMTの信頼性向上へのアプローチ研究代表者
- 研究代表者
  
  ASUBAR JOEL
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Improved Performance of Normally-off GaN-based MIS-HEMTs with Recessed-gate and Ultrathin Regrown AlGaN Barrier2024
- 著者名/発表者名
  Shogo Maeda, Shinsaku Kawabata, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Masaki Ishiguro, Toi Nezu, Takahiro Igarashi, Kishi Sekiyama, Keito Shinohara, Melvin John F. Empizo, Nobuhiko Sarukura, Masaaki Kuzuhara, Akio Yamamoto, and Joel T. Asubar
- 雑誌名
  
  Journal of Semiconductor Technology and Science
  
  巻: 24 号: 1 ページ: 25-32
- DOI
  10.5573/jsts.2024.24.1.25
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[雑誌論文] Effect of Ultra-Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO2/AlGaN/GaN Structures2024
- 著者名/発表者名
  Toi Nezu, Shogo Maeda, Ali Baratov, Suguru Terai, Kishi Sekiyama, Itsuki Nagase, Masaaki Kuzuhara, Akio Yamamoto, and Joel T. Asubar
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi A
  
  巻: 2024 号: 21
- DOI
  10.1002/pssa.202400073
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[雑誌論文] High performance normally-off recessed-gate GaN-based MIS-HEMTs achieved by oxygen plasma treatment2023
- 著者名/発表者名
  M Ishiguro, S Terai, K Sekiyama, S Urano, A Baratov, JT Asubar, M Kuzuhara
- 雑誌名
  
  2023 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2023 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/imfedk60983.2023.10366337
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[雑誌論文] MOVPE growth of AlGaN on RIE-treated GaN surfaces and its application to AlGaN/GaN electron devices (INVITED)2023
- 著者名/発表者名
  Akio Yamamoto, Ali Baratov, Masaaki Kuzuhara, and Joel T Asubar
- 雑誌名
  
  2023 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2023 ページ: 1-5
- DOI
  10.1109/imfedk60983.2023.10366345
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[雑誌論文] Low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts for improved performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs2023
- 著者名/発表者名
  Ali Baratov, Takahiro Igarashi, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Terai Suguru, Masaaki Kuzuhara, Joel T Asubar
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physic
  
  巻: 62 号: 11 ページ: 110905-110905
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad057a
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[雑誌論文] AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs with low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts2023
- 著者名/発表者名
  T Igarashi, S Maeda, A Baratov, JT Asubar, M Kuzuhara
- 雑誌名
  
  2023 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2023 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/imfedk60983.2023.10366331
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[雑誌論文] Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation2021
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 129 号: 12 ページ: 121102-121102
- DOI
  10.1063/5.0039564
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473, KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Stoichiometric imbalances in Mg-implanted GaN2021
- 著者名/発表者名
  Kai C Herbert, Kazuki Shibata, Joel T Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 6 ページ: 066504-066504
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac0248
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Yoshio Honda, Sourajeet Roy, Hiroshi Amano, Biplab Sarkar
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of Electron Devices
  
  巻: 9 ページ: 570-581
- DOI
  10.1109/jeds.2021.3081463
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] 1. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions2021
- 著者名/発表者名
  Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Sourajeet Roy, Biplab Sarkar
- 雑誌名
  
  EEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 68 号: 12 ページ: 6059-6064
- DOI
  10.1109/ted.2021.3119528
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  2021 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2021 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/imfedk53601.2021.9637625
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[雑誌論文] GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique2021
- 著者名/発表者名
  Rui Shan Low, Joel T. Asubar, Ali Baratov, Shunsuke Kamiya, Itsuki Nagase, Shun Urano, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Yusui Nakamura, Kenta Naito, Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 3 ページ: 031004-031004
- DOI
  10.35848/1882-0786/abe19e
- NAID
  120007160996
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473, KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] 5. Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques2021
- 著者名/発表者名
  S Urano, RS Low, M Faris, M Ishiguro, I Nagase, A Baratov, JT Asubar, T Motoyama, Y Nakamura, Z Yatabe, M Kuzuhara
- 雑誌名
  
  2021 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2021 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/imfedk53601.2021.9637639
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN Layer2021
- 著者名/発表者名
  S Maeda, I Nagase, A Baratov, S Urano, JT Asubar, A Yamamoto, M Kuzuhara
- 雑誌名
  
  2021 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2021 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/imfedk53601.2021.9637576
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[雑誌論文] Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method2021
- 著者名/発表者名
  M Ishiguro, S Urano, RS Low, M Faris, I Nagase, A Baratov, JT Asubar, T Motoyama, Y Nakamura, Z Yatabe, M Kuzuhara
- 雑誌名
  
  2021 IEEE IMFEDK Tech. Dig.
  
  巻: 2021 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/imfedk53601.2021.9637518
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[雑誌論文] Enhancement‐Mode AlGaN/GaN Vertical Trench Metal-Insulator-Semiconductor High‐Electron‐Mobility Transistors with a High Drain Current Fabricated Using the AlGaN Regrowth Technique2020
- 著者名/発表者名
  Akio Yamamoto, Keito Kanatani, Norifumi Yoneda, Joel, T. Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 217 号: 7 ページ: 19006221-7
- DOI
  10.1002/pssa.201900622
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Enhancement-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs With High VTH and High IDmax Using Recessed-Structure With Regrown AlGaN Barrier2020
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, and Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 41 号: 5 ページ: 693-696
- DOI
  10.1109/led.2020.2985091
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Design considerations for normally-off operation in Schottky gate p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs2020
- 著者名/発表者名
  Hirokuni Tokuda, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 8 ページ: 084002-084002
- DOI
  10.35848/1347-4065/aba329
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Influence of reactive-ion-etching depth on interface properties in Al2O3/n-GaN MOS diodes2019
- 著者名/発表者名
  Hirokuni Tokuda, Sayaka Harada, Joel T. Asubar, and Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 10 ページ: 1065031-6
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab3d11
- NAID
  210000156988
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors2018
- 著者名/発表者名
  Taisei Yamazaki, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 5 ページ: 0541021-0541025
- DOI
  10.7567/apex.11.054102
- NAID
  210000136205
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-16H04347
[雑誌論文] Electron concentration in highly resistive GaN substrates co-doped with Si, C, and Fe2018
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, K. Suzuki, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57 号: 7 ページ: 071001-071001
- DOI
  10.7567/jjap.57.071001
- NAID
  210000149247
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[雑誌論文] Correlation of AlGaN/GaN HEMTs electroluminescence characteristics with current collapse2018
- 著者名/発表者名
  S. Ohi, T. Yamazaki, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 11 号: 2 ページ: 024101-024101
- DOI
  10.7567/apex.11.024101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347, KAKENHI-PROJECT-15K06013
[雑誌論文] Analytical derivation of interface state density from sub-threshold swing in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors2017
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56 号: 10 ページ: 104101-104101
- DOI
  10.7567/jjap.56.104101
- NAID
  210000148328
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347, KAKENHI-PROJECT-15K06013
[雑誌論文] AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology for high-voltage and low-on-resistance operation2016
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 7 ページ: 0701011-12
- DOI
  10.7567/jjap.55.070101
- NAID
  210000146739
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347, KAKENHI-PROJECT-15K06013
[雑誌論文] Highly Reduced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs by Combined Application of Oxygen Plasma Treatment and Field-plate Structures2016
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, S. Yoshida, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EG07-04EG07
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eg07
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[雑誌論文] Pushing the GaN HEMT towards its theoretical limit2016
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, J. Ng, H. Tokuda, M, Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Compound Semiconductor Magazine
  
  巻: 22 ページ: 26-31
- オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[雑誌論文] AlGaN/GaN MIS-HEMTs with high on/off current ratio of over 5 × 1010 achieved by ozone pretreatment and using ozone oxidant for Al2O3 gate insulator2016
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 120305-120305
- DOI
  10.7567/jjap.55.120305
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[雑誌論文] Highly-stable and low-state-density Al2O3/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Kaneki, J. Ohira, S. Toiya, Z. Yatabe, J. T. Asubar and T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109 号: 16
- DOI
  10.1063/1.4965296
- NAID
  120006360059
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-15K18034
[雑誌論文] Impact of oxygen plasma treatment on the dynamic on-resistance of AlGaN/GaN high-electron-mobility2015
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Yoshiki Sakaida, Satoshi Yoshidai, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 11 ページ: 1110011-4
- DOI
  10.7567/apex.8.111001
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-25420328
[雑誌論文] Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing2015
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Yohei Kobayashi, Koji Yoshitsugu, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Masahiro Horita; Yukiharu Uraoka, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 62 号: 8 ページ: 2423-2428
- DOI
  10.1109/ted.2015.2440442
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Interface characterization of regrown-AlGaN/ZrO2 interfaces for Normally-off GaN-based MIS-HEMTs2024
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Toi Nezu, Takahiro Igarashi, Kishi Sekiyama, Suguru Terai, Masaaki Kuzuhara, and Akio Yamamoto
- 学会等名
  WOCSDICE-EXMATEC 2024, Crete, Greece
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] Innovation Technologies for Highly Safe and Energy-efficient GaN Devices (invited talk)2023
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar
- 学会等名
  IEEE R10 Webinar Series IEEE R10 Talk
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] Effect of ultra-thin AlGaN regrown layer on the electrical properties of ZrO2/AlGaN/GaN heterostructures2023
- 著者名/発表者名
  T. Nezu, S. Maeda, A. Baratov, I. Nagase, K. Sekiyama, S. Terai, M. Kuzuhara, A. Yamamoto, and J. T. Asubar
- 学会等名
  14th international Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] Threshold voltage control in GaN-based MIS-HEMTs with recessed structure and regrown AlGaN barrier layers2023
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Shinsaku Kawabata, Shun Urano, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Toi Nezu, Takahiro Igarashi, Kishi Sekiyama, Masaaki Kuzuhara, and Akio Yamamoto
- 学会等名
  WOCSDICE-EXMATEC 2023, Palermo (Italy)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] High performance normally-off recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with oxygen plasma treatment2023
- 著者名/発表者名
  M. Ishiguro, K. Sekiyama, S. Urano, A. Baratov, J. T. Asubar and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices ,Kansai (IMFEDK 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] MOVPE growth of AlGaN on RIE-treated GaN surfaces and its application to AlGaN/GaN electron devices (INVITED)2023
- 著者名/発表者名
  Akio Yamamoto, Ali Baratov, Masaaki Kuzuhara, and Joel T. Asubar
- 学会等名
  2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices ,Kansai (IMFEDK 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] Effects of low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts on the performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs2023
- 著者名/発表者名
  Ali Baratov, Takahiro Igarashi, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Masaaki Kuzuhara, and Joel T. Asubar
- 学会等名
  2023 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] ミストCVD法によるアモルファスAl2O3薄膜とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MISキャパシタの界面評価2023
- 著者名/発表者名
  廣重輝, 尾藤圭悟, 橋本蓮, 石黒真輝, アスバルジョエル, 中村有水, 谷田部然治
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] Comparative studies of electron state distribution in Al2O3/AlGaN/GaN and ZrO2/AlGaN/GaN structures2023
- 著者名/発表者名
  Nur Syazwani B. A. T., S. Maeda, A. Baratov, J. T. Asubar and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices ,Kansai (IMFEDK 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs with low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts2023
- 著者名/発表者名
  T. Igarashi, S. Maeda, A. Baratov, J. T. Asubar and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices ,Kansai (IMFEDK 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] ZrO2/Al2O3多層nano‐laminate絶縁体を有するAlGaN/GaN MIS‐HEMTsと従来のAl2O3およびZrO2 AlGaN/GaN MIS‐HEMTsの電気的特性の比較2023
- 著者名/発表者名
  Suguru Terai, Ali Baratov, Shogo Maeda, Masaki Ishiguro, Masaaki Kuzuhara, Joel T. Asubar
- 学会等名
  令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] GaN-based MOS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Gate Insulator2023
- 著者名/発表者名
  Keigo Bito, Hikaru Hiroshige, Ren Hashimoto, Masaki Ishiguro, Joel T. Asubar, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03973
[学会発表] Improved Performance of Normally-off GaNbased MIS-HEMTs with recessed-gate and ultrathin regrown AlGaN barrier2023
- 著者名/発表者名
  Shogo Maeda, Shinsaku Kawabata, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Masaki Ishiguro, Toi Nezu, Takahiro Igarashi, Kishi Sekiyama, Keito Shinohara, Melvin John F. Empizo, Nobuhiko Sarukura, Masaaki Kuzuhara, Akio Yamamoto, and Joel T. Asubar
- 学会等名
  2023 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] GaN-based MOS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Insulator2023
- 著者名/発表者名
  K. Bito, H. Hiroshige, R. Hashimoto, M. Ishiguro, J. T. Asubar, Y. Nakamura, and Z. Yatabe
- 学会等名
  14th international Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] Cu/Al/Mo/Au電極を用いたGaN系デバイスにおけるRTA温度と電気的特性の関係2023
- 著者名/発表者名
  Kensei Sumida, Ali Baratov, Shogo Maeda, Terai Suguru, Masaaki Kuzuhara, Joel T. Asubar
- 学会等名
  令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03971
[学会発表] ミストCVD法により堆積したAl2O3絶縁膜の評価とmist-Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTへの応用2022
- 著者名/発表者名
  本山智洋, 浦野駿, バラトフアリ, 中村有水, 葛原正明, アスバルジョエル, 谷田部然治
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Mist-Al2O3とALD-Al2O3を絶縁膜としたAlGaN/GaN MIS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  浦野駿, アスバルジョエル, ロウルイシャン, ムハンマドファリス, 石黒真輝, 永瀬樹, バラトフアリ, 本山智洋, 中村有水, 葛原正明, 谷田部然治
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Characterization of mist-Al2O3 gate insulator and its applications in mist-Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  T. Motoyama, S. Urano, A. Baratov, Y. Nakamura, M. Kuzuhara, J. T. Asubar, Z. Yatabe
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] AlGaN/GaN MIS-HEMTs with mist- and ALD Al2O3 gate dielectric2022
- 著者名/発表者名
  Shun Urano, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Faris Muhammad, Masaki Ishiguro, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Tomohiro Motoyama, Yusui Nakamura, Masaaki Kuzuhara, and Zenji Yatabe
- 学会等名
  The 69th Japan Society of Applied Physics Spring Meeting 2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Characterization of mist-Al2O3 gate insulator and its applications in mist-Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Shun Urano, Ali Baratov, Yusui Nakamura, Masaaki Kuzuhara, Joel T. Asubar, and Zenji Yatabe
- 学会等名
  The 69th Japan Society of Applied Physics Spring Meeting 2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] AlGaN/GaN MIS-HEMTs with mist- and ALD Al2O3 gate dielectric2022
- 著者名/発表者名
  S. Urano, J. T. Asubar, R. S. Low, F. Muhammad, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, T. Motoyama, Y. Nakamura, M. Kuzuhara, Z. Yatabe
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques2021
- 著者名/発表者名
  S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] ミストCVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  本山智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野駿, 中村有水, 葛原正明, 谷田部然治, Joel T. Asubar
- 学会等名
  第10回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Enhanced gain characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric2021
- 著者名/発表者名
  K. Shibata, K. C. Herbert, A. Baratov, J. T. Asubar, A. Wakejima, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques2021
- 著者名/発表者名
  S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices ,Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Fabrication and Characterization of ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN Layer2021
- 著者名/発表者名
  S. Maeda, I. Nagase, A. Baratov, S. Urano,J. T. Asubar, A. Yamamoto, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] GaNへのMgイオン注入におけるN原子の影響2021
- 著者名/発表者名
  ハーバート甲斐, 柴田和樹, ジョエル・アスバル, 葛原正明
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Fabrication and Characterization of ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN Layer2021
- 著者名/発表者名
  S. Maeda, I. Nagase, A. Baratov, S. Urano,J. T. Asubar, A. Yamamoto, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用2021
- 著者名/発表者名
  本山智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野駿, 中村有水, 葛原正明, Joel T. Asubar, 谷田部然治
- 学会等名
  2021年日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  T. Motoyama, Z. Yatabe, Y. Nakamura, A. Baratov, R. S. Low, S. Urano, J. T. Asubar, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices ,Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method2021
- 著者名/発表者名
  M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method2021
- 著者名/発表者名
  M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Electrical properties of GaN-based MISHEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques2021
- 著者名/発表者名
  S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method2021
- 著者名/発表者名
  M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al2O32020
- 著者名/発表者名
  Low Rui Shan, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Joel Tacla Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenta Naito, Motoyama Tomohiro, Yusui Nakamura
- 学会等名
  IEICE Electron Device 2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Improved interfaces of high-k ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth2020
- 著者名/発表者名
  Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Shunsuke Kamiya, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Effect of Post-Metallization Annealing on Properties of ZrO2/regrown-AlGaN/GaN structures2020
- 著者名/発表者名
  Shun Urano, Joel T. Asubar, Itsuki Nagase, Rui Shan Low, Shunsuke Kamiya, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  The IEEE 2020 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Effect of recoil-implanted N atoms on defect formation in Mg-implanted GaN2020
- 著者名/発表者名
  Kai C. Herbert, Kazuki Shibata, Joel. T. Asubar, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Improved performance in GaN-based HEMTs with insulated gate structures2020
- 著者名/発表者名
  Ali Baratov, Takashi Ozawa, Shunpei Yamashita, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  IEICE Electron Device 2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Normally-off recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN barrier2020
- 著者名/発表者名
  Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Characterization of mist-CVD deposited Al2O3 films on AlGaN/GaN heterostructures2020
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Kenta Naito, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe, Rui Shan Low, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Joel T. Asubar
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Enhanced Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs by Oxygen Plasma Treatment2020
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Kamiya, Takashi Nishitani, Yu Matsuda, Nozomu Takano, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  IEICE Electron Device 2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Characterization of mist-CVD deposited Al2O3 films on AlGaN/GaN heterostructures2020
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Motoyama, Kenta Naito, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe, Rui Shan Low, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Joel T. Asubar
- 学会等名
  The IEEE 2020 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] AlGaN/GaN SG-HEMT と比べてMIS-HEMT の優れた高周波特性に関する研究2020
- 著者名/発表者名
  バラトフアリ, 小澤渉至, 山下隼平, Joel T. Asubar, 徳田博邦, 葛原正明
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Effect of post-metallization annealing on properties of ZrO2/regrown-AlGaN/GaN structures2020
- 著者名/発表者名
  Shun Urano, Joel T. Asubar, Itsuki Nagase, Rui Shan Low, Shunsuke Kamiya, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性2020
- 著者名/発表者名
  ロールイシャン, 永瀬樹, バラトフアリ, アスバルジョエルタクラ, 徳田博邦, 葛原正明, 谷田部然治, 内藤健太, 本山智洋, 中村有水
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Normally-off Recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Regrown AlGaN Barrier2020
- 著者名/発表者名
  Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Improved Interfaces of high-K ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth2020
- 著者名/発表者名
  Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Shunsuke Kamiya, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  The IEEE 2020 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] ミストCVD法による4-nm Al2O3ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性2020
- 著者名/発表者名
  Low Rui Shan, 河端晋作, Joel T. Asubar, 徳田博邦, 葛原正明, 谷田部然治, 内藤健太, 西村和樹, 中村有水
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Impact of regrown AlGaN layer on the properties of Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structures2019
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, S. Kawabata, L. R. Shan, H. Tokuda, A. Yamamoto, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Recent progress in Normally-off GaN-based transistors2019
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  日本表面真空学会関西支部合同セミナー2019
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Threshold voltage control in normally-off Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs through Al2O3 thickness variation2019
- 著者名/発表者名
  Shinsaku Kawabata, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  The 80th JSAP Autumn Meeting 2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] GaN-on-GaN HEMTs with high breakdown critical fields2019
- 著者名/発表者名
  A. Aoai, K. Suzuki, A. Tamamoto, J. T. Asubar, H. Tokuda, N. Okada, K. Tadatomo, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Impact of SiN capping during ohmic annealing on performance of GaN-based MIS HEMTs2019
- 著者名/発表者名
  L. S. Low, S. Kawabata, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Improved insulator/semiconductor interfaces in Al2O3/AlGaN/GaN structures by AlGaN layer regrowth2019
- 著者名/発表者名
  Shinsaku Kawabata, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Improved insulator/semiconductor interfaces in Al2O3/AlGaN/GaN structures by AlGaN layer regrowth2019
- 著者名/発表者名
  S. Kawabata, J. T. Asubar, H. Tokuda, A. Yamamoto, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Improved on-state breakdown characteristics in AlGaN/GaN MOS-HEMTs with a gate field plate2019
- 著者名/発表者名
  T. Nishitani, R. Yamaguchi, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhata
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Sub-micron gate fabrication process for AlGaN/GaN HEMTs2019
- 著者名/発表者名
  A. Baratov, T. Ozawa, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Study on luminescence and leakage current of AlGaN/GaN HEMTs biased near off-state breakdown2019
- 著者名/発表者名
  S. Kamiya, T. Nishitani, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] High-breakdown voltage GaN HEMTs fabricated on semi-insulating GaN substrates2019
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  Proc. SSLCHINA & IFWS 2019
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761
[学会発表] Al2O3 thin films deposited by mist-CVD for gate insulator application in GaN-based devices2019
- 著者名/発表者名
  Kenta Naito, Kazuki Nishimura, Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Yusui Nakamura
- 学会等名
  The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04473
[学会発表] Impact of regrown AlGaN layer on the properties of Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structures2019
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Shinsaku Kawabata, Low Rui Shan, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528
[学会発表] Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価2018
- 著者名/発表者名
  青合充樹、鈴木孝介、J.T.Asubar、徳田博邦、岡田成仁、只友一行、葛原正明
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季講演会、21a-331-1、　名古屋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Characterization of resistivity and breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates2018
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, A. Aoai, J. T. Asubar, H. Tokuda, K. Nojima, N. Ishibashi, N. Okada, K. Tadatomo, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  WOCSDICE 2018, Bucharest, Romania
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Study on breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates2018
- 著者名/発表者名
  A. Aoai, K. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, N. Okada, K. Tadatomo, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IWN-2018, ThP-ED-2
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Characterization of AlGaN/GaN recessed MIS-HEMTs using sputtered SiN as gate dielectric2018
- 著者名/発表者名
  Wataru Gamachi, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  2018-nendo Shunki Dai-65-kai Ouyou Butsuri Gakku Kankei Rengou Koenkai (Japan Society of Applied Physics 65th Spring Meeting)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Characterization of resistivity and breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates2018
- 著者名/発表者名
  A. Aoai, K. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, M. Kuzuhara, K. Nojima, N. Ishibashi, N. Okada, and K. Tadatomo
- 学会等名
  IMFEDK 2018, Kyoto
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Investigation of dynamic on-resistance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, H. Tokuda, T. Hashizume, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  EM-NANO2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Effect of Substrate Thermal Resistivity on Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  Taisei Yamazaki, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMTs Fabricated on Semi-ins2017
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  Mallorca, Spain
- 年月日
  2017-03-05
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Effect of reverse bias annealing on the properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed-gate structure2017
- 著者名/発表者名
  S. Gamachi, K. Ishii, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IMFEDK2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Investigation of Dynamic On-Resistance of Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Tamotsu Hashizume, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Enhancement mode AlGaN/GaN MISHEMTs with recessed-gate structures exhibiting high threshold voltage2017
- 著者名/発表者名
  W. Gamachi, K. Ishii, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  EM-NANO2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Effective Suppression of Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  35th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference (SPP 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Effect of Reverse Bias Annealing on the Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Recessed-gate Structure2017
- 著者名/発表者名
  W. Gamachi, K. Ishii, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2017 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Enhancement-Mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Recessed-Gate Structures Exhibiting High Threshold Voltage2017
- 著者名/発表者名
  W. Gamachi, K. Ishii, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Reduced current collapse in multi-fingered AlGaN/GaN MOS-HEMTs with dual field plate2017
- 著者名/発表者名
  R. Yamaguchi, Y. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IMFEDK2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Effect of substrate thermal resistivity on breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs2017
- 著者名/発表者名
  T. Yamazaki, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  EM-NANO2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] GaN HEMTs on highly-resistive GaN substrates2017
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. -H. Ng., T. Yamazaki, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  TWHM2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs2016
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, H. Tokuda, M, Kuzuhara, Z. Yatabe, K. Nishiguchi, and T. Hashizume
- 学会等名
  34th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference
- 発表場所
  University of the Philippines Visayas, Iloilo, Philippines
- 年月日
  2016-08-18
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] High on/off ratio AlGaN/GaN MIS-HEMTs with ALD deposited Al2O3 gate dielectric using ozone as an oxidant2016
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, J. T. Asubar, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Hakodate, Japan
- 年月日
  2016-07-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Effect of Metal Electrode Shape Irregularities on AlGaN/GaN HEMTs Breakdown Voltage Revealed by Electroluminescence2016
- 著者名/発表者名
  S. Makino, T. Yamazaki, S. Ohi, H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE) 2016
- 発表場所
  Aveiro, Portugal
- 年月日
  2016-06-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN substrate with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm2016
- 著者名/発表者名
  J. H. Ng, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2016 International Conf. on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
- 発表場所
  Miami, FL, USA
- 年月日
  2016-05-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN Substrates with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm2016
- 著者名/発表者名
  J. H. Ng, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2016 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS Mantech 2016)
- 発表場所
  Miami, Florida, USA
- 年月日
  2016-06-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Impact of Drain Electrode Shape Irregularities on Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMTs2016
- 著者名/発表者名
  S. Ohi, S. Makino, T. Yamazaki, H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2016 Compound Semiconductor Week
- 発表場所
  Toyama International Conference Center, Toyama, Japan
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] 24.Characterization of Insulators/(Al)GaN Interfaces for Improved Insulated Gate and Surface Passivation Structures of GaN-based Transistors2016
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, Y. Hori, W.C. Ma, J. T. Asubar, M. Akazawa, T. Sato, and T. Hashizume
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  Toki Messe, Niigata, Japan
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Effect of Passivation on breakdown voltage and dynamic on-resistance in AlGaN/GaN HEMTs2016
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  E-MRS, Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2016-09-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04347
[学会発表] Effects of Electronic States at Insulator/AlGaN Interfaces on Threshold Voltage Instability of Al2O3/AlGaN/GaN Structures2016
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, J. T. Asubar, Y. Nakamura, and T. Hashizume
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Breakdown Voltages of AlGaN/GaN HEMTs Breakdown degradation of AlGaN/GaN HEMTs with multi-finger gate patterns2016
- 著者名/発表者名
  S. Makino, S. Ohi, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  2016 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK 2016)
- 発表場所
  Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan
- 年月日
  2016-06-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Highly Reduced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs by Combined Application of Oxygen Plasma Treatment and Field-plate Structures2015
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Satoshi Yoshida, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
- 発表場所
  Sapporo, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2015-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Correlation between Electroluminescence and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  Shintaro Ohi, Yoshiki Sakaida, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  2016 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH 2015)
- 発表場所
  Scottsdale, Arizona, USA
- 年月日
  2015-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Suppressed Current Collapse in High Pressure Water Vapor Annealed AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  Yohei Kobayashi, Joel T. Asubar, Koji Yoshitsugu, Hirokuni Tokuda, and Masahiro Horita, Yukiharu Uraoka, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  2016 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH 2015)
- 発表場所
  Scottsdale, Arizona, USA
- 年月日
  2015-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Comparative study of oxygen plasma treatment and GaN cap layer effects on the current collapse of AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Yoshiki Sakaida, Satoshi Yoshida, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Tamotsu Hashizume, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Takayama, Japan
- 年月日
  2015-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013
[学会発表] Electrical Characterization of stepped AlGaN/GaN Heterostructures2015
- 著者名/発表者名
  Shintaro Kodama, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, S, Nakazawa, M. Ishida, T. Ueda, and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  The 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
- 発表場所
  Smolenice castle, Slovakia
- 年月日
  2015-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013

1. 葛原正明 (20377469)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 105件
2. 谷田部然治 (00621773)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 16件
3. 只友一行 (10379927)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
4. 中村有水 (00381004)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 14件
5. 分島彰男 (80588575)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
6. 山本あき勇 (90210517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 末吉哲郎 (20315287)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 橋詰保

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

ＡＳＵＢＡＲ ＪＯＥＬ Joel T. Asubar

ASUBAR JOEL アスバル ジョエル

研究課題

研究成果

共同研究者

高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Study on high-K dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体トランジスタの横方向破壊電界強度の向上に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

自立GaN基板・MMC構造を利用したGaN HEMTの信頼性向上へのアプローチ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Improved Performance of Normally-off GaN-based MIS-HEMTs with Recessed-gate and Ultrathin Regrown AlGaN Barrier2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of Ultra-Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO2/AlGaN/GaN Structures2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High performance normally-off recessed-gate GaN-based MIS-HEMTs achieved by oxygen plasma treatment2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] MOVPE growth of AlGaN on RIE-treated GaN surfaces and its application to AlGaN/GaN electron devices (INVITED)2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts for improved performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs with low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts2023

著者名/発表者名

ＡＳＵＢＡＲＪＯＥＬ Joel T. Asubar

ASUBAR JOEL アスバルジョエル