徳田博邦 TOKUDA Hirokuni

研究者番号	10625932
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度: 福井大学, 大学院工学研究科, 特命助教 2014年度 – 2015年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), その他 2012年度 – 2014年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 特命助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 Hall effect measurement / mobility / sheet electron density / barrier height / heterostructure / AlGaN/GaN 研究代表者以外ヘテロ接合 / ゲート電流 / ＭＩＳ / トランジスタ … もっと見る / 表面保護膜 / パワーデバイス / 電流コラプス / 耐圧 / パッシベーション / ゲート絶縁膜 / MOSFET / HEMT / 窒化物半導体隠す

MIS構造窒化物半導体トランジスタの低損失高耐圧化に関する研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学
Ⅲ族窒化物半導体における表面界面障壁高さの制御に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  徳田博邦
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学

すべて 2015 2014 2013 2012 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性2015
- 著者名/発表者名
  樹神真太郎、徳田博邦、葛原正明
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会　和文論文誌C
  
  巻: Vol. J98-C ページ: 27-33
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[雑誌論文] Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications2015
- 著者名/発表者名
  1.M. Kuzuhara, and H. Tokuda
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: 62 号: 2 ページ: 405-413
- DOI
  10.1109/ted.2014.2359055
- NAID
  120005541053
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399, KAKENHI-PROJECT-25420328
[雑誌論文] Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing2015
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Yohei Kobayashi, Koji Yoshitsugu, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Masahiro Horita; Yukiharu Uraoka, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 62 号: 8 ページ: 2423-2428
- DOI
  10.1109/ted.2015.2440442
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-25420328
[雑誌論文] Impact of oxygen plasma treatment on the dynamic on-resistance of AlGaN/GaN high-electron-mobility2015
- 著者名/発表者名
  Joel T. Asubar, Yoshiki Sakaida, Satoshi Yoshidai, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 11 ページ: 1110011-4
- DOI
  10.7567/apex.8.111001
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06013, KAKENHI-PROJECT-25420328
[雑誌論文] Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2/Al2O3 gate dielectric stack2014
- 著者名/発表者名
  2. M. Hatano, Y. Taniguchi, S. Kodama, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 4 ページ: 44101-44101
- DOI
  10.7567/apex.7.044101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[雑誌論文] Over 3000 cm2/Vs room temperature two-dimensional electron gas mobility by annealing Ni/Al deposited on AlGaN/GaN heterostructures2014
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, T. Kojima, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 4 ページ: 41001-41001
- DOI
  10.7567/apex.7.041001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[雑誌論文] Comparison of 2DEG density and mobility increase by annealing AlGaN/ GaN heterostructures deposited with Ti/Al, Ti/Au, V/Au, and Ni/Au2013
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi C
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 14051408-14051408
- DOI
  10.1002/pssc.201300221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[雑誌論文] Role of Al and Ti for ohmic contact formation in AlGaN/GaN heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, T. Kojima, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 号: 26
- DOI
  10.1063/1.4773511
- NAID
  120005254370
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[雑誌論文] A method to increase sheet electron density and mobility by vacuum annealing for Ti/Al depositede AlGaN/GaN heterostructures2012
- 著者名/発表者名
  H. Tokuda, T. Kojima, and M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 号: 8 ページ: 082111-082111
- DOI
  10.1063/1.4748169
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[学会発表] Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs with a GaN Cap Layer2015
- 著者名/発表者名
  S. Yoshida, Y. Sakaida, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IEEE IMFEDK 2015
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] GaN-based Power Devices2015
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  EM-NANO 2015
- 発表場所
  Niigata, Japan
- 年月日
  2015-06-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Correlation between Luminescence and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  S. Ohi, Y. Sakaida, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  CS-MANTECH 2015
- 発表場所
  Arizona, USA
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Suppressed Current Collapse in High Pressure Water Vapor Annealed AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, J. T. Asubar, K. Yoshitsugu, H. Tokuda, M. Horita, Y. Uraoka, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  CS-MANTECH 2015
- 発表場所
  Arizona, USA
- 年月日
  2015-05-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Electrical characterization of stepped AlGaN/GaN heterostructures2015
- 著者名/発表者名
  S. Kodama, J. T. Asubar, H. Tokuda, S. Nakazawa, M. Ishida, T. Ueda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  WOCSDICE 2015
- 発表場所
  Smolenice, Slovakia
- 年月日
  2015-06-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Characterization and Reduction of Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs2015
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-07-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] GaN-based HEMTs for High-voltage and Low-loss Power Applications2015
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda
- 学会等名
  46 th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- 年月日
  2015-12-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Highly Reduced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs by Combined2015
- 著者名/発表者名
  J. T. Asubar, S. Yoshida, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  SSDM 2015
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Improved current collapse in AlGaN/GaN HEMTs by O2 plasma treatment2014
- 著者名/発表者名
  Y. Sakaida, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  CS-MANTECH
- 発表場所
  米国、コロラド
- 年月日
  2014-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Challenges of GaN-based transistors for power electronics applications2014
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, and H. Tokuda
- 学会等名
  AWAD 2014
- 発表場所
  金沢
- 年月日
  2014-07-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] 熱処理により導入されるAlGaN/GaN界面歪による2DEG移動度の増加2014
- 著者名/発表者名
  川口、徳田、葛原
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[学会発表] Analysis of time dependent current collapse in AlGaN/GaN HEMTs2014
- 著者名/発表者名
  R. Maeta, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  ASDAM 2014
- 発表場所
  スロバキア
- 年月日
  2014-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Challenges of GaN-based transistors for power electronics applications2014
- 著者名/発表者名
  M. Kuzuhara, and H. Tokuda
- 学会等名
  2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[学会発表] Enhanced 2DEG mobility by thermally induced strain between deposited metals and AlGaN/GaN heterostructures2014
- 著者名/発表者名
  G. Kawaguchi, T. Kojima, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  Int'l Symposium on Compound Semiconductors 2014
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399
[学会発表] Interface Properties of n-GaN MIS Diodes with ZrO2/Al2O3 Laminated Films as a Gate Insulator2014
- 著者名/発表者名
  S. Kodama, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  IMFEDK2014
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420328
[学会発表] Remarkable increase in 2DEG density by annealing AlGaN/GaN heterostructures deposited with Ti/Al
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
- 学会等名
  Int'l Symposium on Compound Semiconductors 2013
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560399

1. 葛原正明 (20377469)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 25件
2. ASUBAR JOEL

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

徳田 博邦 TOKUDA Hirokuni

研究課題

研究成果

共同研究者

MIS構造窒化物半導体トランジスタの低損失高耐圧化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ⅲ族窒化物半導体における表面界面障壁高さの制御に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of oxygen plasma treatment on the dynamic on-resistance of AlGaN/GaN high-electron-mobility2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2/Al2O3 gate dielectric stack2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Over 3000 cm2/Vs room temperature two-dimensional electron gas mobility by annealing Ni/Al deposited on AlGaN/GaN heterostructures2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Comparison of 2DEG density and mobility increase by annealing AlGaN/ GaN heterostructures deposited with Ti/Al, Ti/Au, V/Au, and Ni/Au2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Role of Al and Ti for ohmic contact formation in AlGaN/GaN heterostructures2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] A method to increase sheet electron density and mobility by vacuum annealing for Ti/Al depositede AlGaN/GaN heterostructures2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs with a GaN Cap Layer2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] GaN-based Power Devices2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Correlation between Luminescence and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

徳田博邦 TOKUDA Hirokuni