佐藤勝 Sato Masaru

研究者番号	10636682
所属 (現在)	2025年度: 北見工業大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 北見工業大学, 工学部, 准教授 2019年度 – 2021年度: 北見工業大学, 工学部, 准教授 2015年度 – 2018年度: 北見工業大学, 工学部, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者トランジスタ / 配線 / 低消費電力 / LSI / 誘電体物性 / ナノ材料 / 表面・界面物性 / HfNx膜 / ZrNx膜 / TiNx膜 … もっと見る / 絶縁バリヤ / 拡散バリヤ / シリコン貫通ビア / 3次元集積回路 … もっと見る研究代表者以外 3次元集積回路 / LSI / 拡散バリヤ / 配向制御 / 集積回路 / Cu配向性 / 銅配線 / 3次元デバイス / 拡散バリア / エレクトロマイグレーション / 熱的安定性 / 構造解析 / 信頼性 / 下地材料 / Cu配線 / 拡散 / 表面・界面物性 / SiNx膜 / バリア絶縁膜 / シリコン貫通ビア / バリヤレス / 低温作製 / シリコン貫通ビア配線 / 絶縁膜隠す

次世代3次元LSIのための低消費電力を可能とする高機能裏面配線構造の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤勝
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北見工業大学
極薄バリヤの構造解析における革新的解明とCu配線の配向制御
- 研究代表者
  
  武山眞弓
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北見工業大学
最先端3次元デバイス及び3D-LSIに適用可能なCu配線における革新的配向制御
- 研究代表者
  
  武山眞弓
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北見工業大学
極微細TSVのための界面層フリーな新規バリヤ材料の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤勝
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
- 研究代表者
  
  武山眞弓
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学

すべて 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Structural analysis of TaWN ternary alloy film applicable to Cu orientation control2021
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Yasuda, and M. Sato
- 雑誌名
  
  J. J. A. P.
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBC04-SBBC04
- DOI
  10.35848/1347-4065/abebbd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04223
[雑誌論文] XRD and EBSD analysis of Cu film on randomly oriented ZrN x film as the underlying materials2020
- 著者名/発表者名
  Sato Masaru、Yasuda Mitsunobu、Takeyama Mayumi B.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SL ページ: SLLD01-SLLD01
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7f57
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[雑誌論文] Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties2018
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57
- NAID
  210000149379
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[雑誌論文] Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties2018
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 雑誌名
  
  J. Jpn. Appl. Phys
  
  巻: 57
- NAID
  210000149379
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] Growth of (111)-oriented Cu layer on thin TaWN films2017
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama and Masaru Sato
- 雑誌名
  
  J. Jpn. Appl. Phys
  
  巻: 56 号: 7S2 ページ: 07KC03-07KC03
- DOI
  10.7567/jjap.56.07kc03
- NAID
  210000148102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] Room-temperature deposition of HfNx barrier by radical-assisted surface reaction for through-silicon-via in three-dimensional LSI2016
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 2S ページ: 02BC21-02BC21
- DOI
  10.7567/jjap.55.02bc21
- NAID
  210000146090
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Yoshihiro Nakata, Yasushi Kobayashi, Tomoji Nakamura, and Atsushi Noya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146285
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, Y. Nakata, Y. Kobayashi, T. Nakamura, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55
- NAID
  210000146285
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Barrier Properties of thin TaWN films in Cu(111)/TaWN/Si systems2020
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, and M. Yasuda
- 学会等名
  The 2020 International Conference on Solid StateDevices and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04223
[学会発表] ZrN 膜上に成膜したCu(111)優先配向2020
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、安田　光伸、武山　真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] Cu(111)高配向制御が可能な極薄TaWNバリヤの構造解析2020
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤　勝，安田光伸
- 学会等名
  応用物理学会秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04223
[学会発表] Cu(111)配向制御のための極薄バリヤの構造評価2020
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤　勝，安田光伸
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04223
[学会発表] 極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム2020
- 著者名/発表者名
  武山真弓，安田光伸，佐藤勝
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子部品材料研究会(CPM)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04223
[学会発表] RFスパッタ法によって室温成膜されたZrNx 膜の特性2019
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山　真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] RFスパッタ法によるTi 膜の低温作製2019
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山　真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] 反応性スパッタ法によって得られたZrN 膜上のCu(111)高配向化2019
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山　真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] Properties of barrierless Cu/ZrNx/Si structure deposited at room temperature2019
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] Cu(111) preferential orientation on ZrNx films2019
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] 低温作製されたTiNx膜の特性2018
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] 反応性スパッタ法によるTiNx膜の低温作2017
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 低温作製されたTiNx 膜の特性2017
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Characterization of TiHfN ternary alloy films as a new barrier2017
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama and Masaru Sato
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 組成の違いによるTiHfN合金膜のキャラクタリゼーション2017
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  電気学会会　電子・情報・システム部門大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Relation between TiN films with different texture and its barrier properties2017
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 反応性スパッタ法によるTiNx膜の低温作製2017
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] 組成の違いによるTiHfN合金膜のキャラクタリゼーション2017
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] Relation between TiN films with different texture and its barrier properties2017
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato and Mayumi B. Takeyama
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] Characterization of TiHfN ternary alloy films as a new barrier2017
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama and Masaru Sato
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06337
[学会発表] 低温SiNx膜における表面ラジカル処理の効果2016
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤勝
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  北見工業大学（北海道北見市）
- 年月日
  2016-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Barrierproperties of TiHfN ternary alloy films against Cu diffusion in Cu/Si contact system2016
- 著者名/発表者名
  M. Sato, E. Aoyagi, and M. B. Takeyama
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2016: 26th Asian Session
- 発表場所
  東京大学（東京都）
- 年月日
  2016-10-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 薄いHfNx膜上のCu(111)面高配向成長2016
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、青柳英二、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  愛媛大学（愛媛県松山市）
- 年月日
  2016-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] The effect of the HfNx barrier thickness on the Cu grain orientation control2016
- 著者名/発表者名
  M. Sato, E. Aoyagi, and M. B. Takeyam
- 学会等名
  2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center(茨城県つくば市）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 低温作製されたSiNx膜の安定性2016
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤勝
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  愛媛大学（愛媛県松山市）
- 年月日
  2016-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ナノ結晶HfNx膜上のCu膜の組織観察2016
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、青柳英二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  福岡県福岡市
- 年月日
  2016-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Cuプラグに適用可能なTiHfN合金膜のバリヤ特性2016
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、青柳英二、野矢厚、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  金沢工業大学（石川県野々市市）
- 年月日
  2016-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 低温作製された窒化物薄膜の特性2016
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2016-01-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル処理によって得られた薄いHfNx膜のバリヤ特性2016
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  北見工業大学（北海道北見市）
- 年月日
  2016-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価2016
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2016-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  青森県弘前市
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル処理によるHfNx膜の室温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- 発表場所
  北海道北見市
- 年月日
  2015-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカルを用いた表面窒化反応によるHfNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  青森県弘前市
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 室温成膜したSiNx膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  新潟県長岡市
- 年月日
  2015-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、青柳英二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  新潟県長岡市
- 年月日
  2015-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 室温堆積によるSiNx膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Preparation of high performance SiNx films deposited by reactive sputtering and PECVD at low temperatures2015
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, Y. Nakata, Y. Kobayashi, t. Nakamura, A. Noya
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、野矢　厚
- 学会等名
  化学工学会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2015-09-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975

1. 武山眞弓 (80236512)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 野矢厚 (60133807)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 横川慎二 (40718532)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 武山真弓

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 46件

佐藤 勝 Sato Masaru

研究課題

研究成果

共同研究者

次世代3次元LSIのための低消費電力を可能とする高機能裏面配線構造の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極薄バリヤの構造解析における革新的解明とCu配線の配向制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

最先端3次元デバイス及び3D-LSIに適用可能なCu配線における革新的配向制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極微細TSVのための界面層フリーな新規バリヤ材料の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Structural analysis of TaWN ternary alloy film applicable to Cu orientation control2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] XRD and EBSD analysis of Cu film on randomly oriented ZrN x film as the underlying materials2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties2018

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Relationship between TiN films with different orientations and their barrier properties2018

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Growth of (111)-oriented Cu layer on thin TaWN films2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Room-temperature deposition of HfNx barrier by radical-assisted surface reaction for through-silicon-via in three-dimensional LSI2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[学会発表] Barrier Properties of thin TaWN films in Cu(111)/TaWN/Si systems2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

佐藤勝 Sato Masaru