岡田直也 OKADA NAOYA

研究者番号	10717234
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-0512-8324
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究チーム長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分28020:ナノ構造物理関連
キーワード	研究代表者シリコン / 遷移金属内包シリコンクラスター / クラスター / トランジスタ / シリサイド / CVD / 仕事関数 / MOS / 二次元 / ヘテロ接合 … もっと見る / TMDC / 二次元物質 / 磁性半導体 / 磁性 / エピタキシャル成長 / 遷移金属 / スピン / デバイス / Cu / 半導体 / 拡散バリア / 金属接合 / 拡散 / 信頼性隠す

二次元物質とシリコンを用いたヘテロエレクトロニクスの創出研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田直也
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
単一Ｗ原子を磁性ドーパントとする単結晶Siスピングラスの創出と磁気特性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田直也
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分28020:ナノ構造物理関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
遷移金属内包シリコンクラスター薄膜における銅の拡散防止機構解明と拡散係数制御研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田直也
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2024 2023 2019 2018

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Electrical properties and band alignments of Sb2Te3/Si heterojunctions, low-barrier Sb2Te3/n-Si and high-barrier Sb2Te3/p-Si junctions2024
- 著者名/発表者名
  Okada Naoya、Chang Wen Hsin、Hatayama Shogo、Saito Yuta、Irisawa Toshifumi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 3 ページ: 036503-036503
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad2d75
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26151
[雑誌論文] Fermi-level depinning in Mo/Si junctions by insertion of amorphous Si-rich Mo silicide film formed via gas-phase reactions of MoF6 with SiH42024
- 著者名/発表者名
  Okada Naoya、Uchida Noriyuki、Kanayama Toshihiko
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 02SP28-02SP28
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad0c93
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26151
[雑誌論文] Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation2019
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBA09-SBBA09
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab01d4
- NAID
  210000135447
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[雑誌論文] Cluster-Preforming-Deposited Si-rich W Silicide: A New Contact Material for Advanced CMOS2019
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 89 号: 3 ページ: 155-164
- DOI
  10.1149/08903.0155ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[産業財産権] 半導体装置2023
- 発明者名
  岡田直也、張文馨、齊藤雄太、畑山祥吾、入沢寿史
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2023-125852
- 出願年月日
  2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26151
[産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2018
- 発明者名
  岡田直也、内田紀行、金山敏彦
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[産業財産権] 導電性積層体及び電子素子2018
- 発明者名
  岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2018
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] Amorphous Si-rich Mo silicide films for advanced source/drain contacts2023
- 著者名/発表者名
  Okada Naoya、Uchida Noriyuki、Kanayama Toshihiko
- 学会等名
  SSDM2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26151
[学会発表] アモルファスMoSin挿入層によるMo/n-Si接合のショットキー障壁高さ低減2023
- 著者名/発表者名
  岡田直也、内田紀行、金山敏彦
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26151
[学会発表] Low-barrier heterojunction Sb2Te3/n-Si for source/drain contacts2023
- 著者名/発表者名
  Okada Naoya、Chang Wen Hsin、Hatayama Shogo、Saito Yuta、Irisawa Toshifumi
- 学会等名
  2023 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26151
[学会発表] Cu Barrier Properties of Cluster-Preforming-Deposited Amorphous WSin Films Depending on Composition n2019
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 学会等名
  International interconnect technology conference (IEEE-IITC) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] New Contact Material for Advanced CMOS: Cluster-Preforming-Deposited Amorphous Si-rich W Silicide Film2019
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 学会等名
  235th ECS Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] Cluster-Preforming-Deposited Si-rich W Silicide: A New Contact Material in CMOS for Edge AI Systems2019
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 学会等名
  JST-MOST Joint Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] アモルファスWSin膜の実効仕事関数2019
- 著者名/発表者名
  岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] 微細CMOS向け新コンタクト材料：クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜2019
- 著者名/発表者名
  岡田直也
- 学会等名
  Siテクノロジ分科会配線研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] A New Cobalt Contact Structure Using Amorphous Si-Rich W Silicide Films2019
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 学会等名
  IEEE-IITC
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド薄膜による微細CMOS向けコンタクト形成技術2018
- 著者名/発表者名
  岡田直也
- 学会等名
  電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] アモルファスWSinバリア膜とCuの反応性：組成比n依存性2018
- 著者名/発表者名
  岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] Identification of different gas-phase reaction modes of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films: powder formation and WSin cluster synthesis2018
- 著者名/発表者名
  Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Shinichi Ogawa, and Toshihiko Kanayama
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794
[学会発表] 微細CMOS向け新コンタクト材料：クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)膜2018
- 著者名/発表者名
  岡田直也
- 学会等名
  第８２回半導体集積回路技術シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13794

1. 内田紀行 (60400636)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

岡田 直也 OKADA NAOYA

研究課題

研究成果

共同研究者

二次元物質とシリコンを用いたヘテロエレクトロニクスの創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

単一Ｗ原子を磁性ドーパントとする単結晶Siスピングラスの創出と磁気特性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

遷移金属内包シリコンクラスター薄膜における銅の拡散防止機構解明と拡散係数制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Electrical properties and band alignments of Sb2Te3/Si heterojunctions, low-barrier Sb2Te3/n-Si and high-barrier Sb2Te3/p-Si junctions2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fermi-level depinning in Mo/Si junctions by insertion of amorphous Si-rich Mo silicide film formed via gas-phase reactions of MoF6 with SiH42024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Cluster-Preforming-Deposited Si-rich W Silicide: A New Contact Material for Advanced CMOS2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[産業財産権] 半導体装置2023

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2018

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 導電性積層体及び電子素子2018

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[学会発表] Amorphous Si-rich Mo silicide films for advanced source/drain contacts2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] アモルファスMoSin挿入層によるMo/n-Si接合のショットキー障壁高さ低減2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Low-barrier heterojunction Sb2Te3/n-Si for source/drain contacts2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Cu Barrier Properties of Cluster-Preforming-Deposited Amorphous WSin Films Depending on Composition n2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] New Contact Material for Advanced CMOS: Cluster-Preforming-Deposited Amorphous Si-rich W Silicide Film2019

著者名/発表者名

岡田直也 OKADA NAOYA