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西村 高志  Nishimura Takashi

研究者番号 10757248
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-0435-0046
所属 (現在) 2025年度: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授
2025年度: 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2025年度: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授
2021年度 – 2022年度: 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授
2018年度 – 2019年度: 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
キーワード
研究代表者
液相エピタキシャル結晶成長 / 表面融液 / ナノニードル結晶 / 局所静電プロセッシング / 電子ビーム溶融 / 高電界印加 / 強磁場印加 / その場観察 / 表面微細パターニング / エレクトロマイグレーション … もっと見る / 溶融凝固 / 半導体微細加工法 / 鉄シリサイド / 液相エピタキシャル成長 / 準溶融状態 / シリコン / 表面結晶アレイ / シリサイド微小結晶 / 表面融液エピタキシャル結晶成長 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (9件)
  •  局所静電プロセッシングによる材料凸融液の一軸引上成長法の開拓と自己修復結晶の創製研究代表者

    • 研究代表者
      西村 高志
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      鈴鹿工業高等専門学校
  •  質量輸送過程におけるシリコン表面融液局所エピタキシャル結晶成長の精密制御研究代表者

    • 研究代表者
      西村 高志
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      鈴鹿工業高等専門学校
  •  表面融液エピタキシャル結晶成長の機構解明とナノ構造形成への応用研究代表者

    • 研究代表者
      西村 高志
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2019
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
    • 研究機関
      鈴鹿工業高等専門学校

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Effect of a magnetic field on fabrication of Si protrusions by local surface melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating2023

    • 著者名/発表者名
      Nishimura Takashi、Tomitori Masahiko
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: 3 ページ: 035503-035503

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acbff7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04912
  • [雑誌論文] Fabrication of Si protrusions by local melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating2021

    • 著者名/発表者名
      Nishimura Takashi、Tomitori Masahiko
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: 12 ページ: 126506-126506

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac37ef

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04912
  • [雑誌論文] Microanalysis of silicon protrusions with a titanium cap formed via surface melting and solidification under applied tensile stress2019

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nishimura1 and Masahiko Tomitori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 8 号: 2 ページ: 025501-1

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaf46c

    • NAID

      210000135275

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14129
  • [雑誌論文] Formation of Silicon Protrusions via Surface Melting and Solidification Under Applied Tensile Stress2018

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura
    • 雑誌名

      ANNUAL REPORT OF THE MURATA SCIENCE FOUNDATION

      巻: 33 ページ: 412-418

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14129
  • [学会発表] 通電加熱表面融解相から成長させた突起状シリコンの強磁場印加による先鋭化2022

    • 著者名/発表者名
      西村高志, 富取正彦
    • 学会等名
      第51回結晶成長国内会議(JCCG-51)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04912
  • [学会発表] 金属蒸着シリコン細路部の局所溶融による突起構造の液相エピタキシャル結晶成長2021

    • 著者名/発表者名
      西村 高志, 富取 正彦
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04912
  • [学会発表] 応力印加場での局所表面融液エピタキシャル結晶成長による突起構造形成過程の熱画像解析2020

    • 著者名/発表者名
      西村 高志,磯部 文哉,富取 正彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14129
  • [学会発表] 局所応力印加下での金属蒸着表面液相エピタキシャル成長による突起構造形成2019

    • 著者名/発表者名
      西村高志, 富取正彦
    • 学会等名
      2019年日本表面真空学会学術講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14129
  • [学会発表] 局所応力印加下での表面液相エピタキシャル成長で形成した表面突起構造の断面構造解析2018

    • 著者名/発表者名
      西村高志, 富取正彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14129

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