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岡 博史  Oka Hiroshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 10828007
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員
2018年度 – 2021年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 0302:電気電子工学およびその関連分野
キーワード
研究代表者
ゲルマニウムスズ / キャリア散乱 / Si MOSFET / キャリア捕獲 / 界面準位評価 / 極低温 / クライオCMOS / Si-MOSトランジスタ / ナノワイヤトランジスタ / 溶融結晶化 … もっと見る / トランジスタ / 固相結晶化 / CMOS / MOSFET / フラッシュランプアニール / 固相成長 / MEMS / フォトディテクター / 中赤外センサ / 固相エピタキシー 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (6件)
  •  極低温環境下におけるSi-MOS界面散乱体の起源解明に向けた定量化手法の確立研究代表者

    • 研究代表者
      岡 博史
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2024
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  急速溶融結晶化によるSn濃縮添加法を用いた直接遷移型IV族混晶創製と電子物性評価研究代表者

    • 研究代表者
      岡 博史
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  高精度歪み制御による直接遷移型IV族混晶半導体の創出と発光特性評価研究代表者

    • 研究代表者
      岡 博史
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2019
    • 研究種目
      研究活動スタート支援
    • 審査区分
      0302:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2021 2020 2019

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs2021

    • 著者名/発表者名
      Oka Hiroshi、Mizubayashi Wataru、Ishikawa Yuki、Uchida Noriyuki、Mori Takahiro、Endo Kazuhiko
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 9 ページ: 096501-096501

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac1a47

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15035
  • [雑誌論文] Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Oka Hiroshi、Mizubayashi Wataru、Ishikawa Yuki、Uchida Noriyuki、Mori Takahiro、Endo Kazuhiko
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 2 ページ: 025505-025505

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abdac4

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15035
  • [学会発表] Solid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing2020

    • 著者名/発表者名
      H. Oka, W. Mizubayashi, T. Mori, Y. Ishikawa, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Endo
    • 学会等名
      第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15035
  • [学会発表] 近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発2019

    • 著者名/発表者名
      岡 博史, 井上 慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    • 学会等名
      電気化学会第86回大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H05912
  • [学会発表] Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      H. Oka, W. Mizubayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Maeda, N. Uchida, K. Endo
    • 学会等名
      JST-MOST Joint Workshop on "Nanoelectronics and System Integration for AI"
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K15035
  • [学会発表] 固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製2019

    • 著者名/発表者名
      岡 博史, 水林 亘, 石川 由紀, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司, 前田 辰郎, 内田 紀行, 遠藤 和彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H05912

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