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斎藤 博  SAITO Hiroshi

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斉藤 博  SAITO Hiroshi

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研究者番号 20013526
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度: 岡山理科大学, 名誉教授
2000年度 – 2001年度: 岡山理科大学, 理学部, 教授
1995年度 – 1996年度: 岡山理科大学, 理学部, 教授
1987年度 – 1991年度: 岡山理科大学, 理学部, 教授
1988年度: 岡山理科大学, 理 学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
物理計測・光学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 応用物性 / ナノ構造科学
キーワード
研究代表者
Jet nozzle / Fringe-resolved SHG autocorrelator / Liquid Nd Laser / 連続発振液体レーザー / 超短時間分光 / ジェットノズル / 広範囲掃引SHG自己相関計 / ピコ秒レーザー / ジェット・ノズル / 高速・広範囲掃引SH G自己相関計 … もっと見る / フリンジ分解SHG自己相関計 / 液体Ndレーザー / Ionized cluster beam / Light emitting devices in blue region / II-VI thin layrs / Elements with high vapor pressure / Molecular beam epitaxy / クラスタイオンビーム / 高蒸気圧元素 / II-VI族薄膜 / クラスターイオンビーム / 青色発光素子 / II‐VI族薄膜 / 高飽和蒸気圧元素 / 分子線エピタキシ / Luminescence Correlation Method / Mode-Locked Laser / Femtosecond Light Pulses / フェムト秒光パルス / 発光相関法 / モ-ド同期レ-ザ- / フェトム秒光パルス / 広禁止帯II-VI族化合物 / 薄膜 / エピタキシ成長 / 界面 / 低温成長 / エピタキシャル成長 … もっと見る
研究代表者以外
RHEED / MOLECULAR BEAM EPITAXY / ALLOYING / CdSe / II-VI COMPOUNDS / GROWTH MECHANISM / 分子線エピタキシ成長 / Pyloritic Boron Nitride / Boron Nitride / Bridgman method / Melt grown under inert gas pressure / Zinc Selenide single crystal / パイロリティックボロンナイトライド / ボロンナイトライド / ブリッジマン法 / 高圧溶融法 / セレン化亜鉛単結晶 / PHOTOLUMINESCE / QUANTUM DOT / セレン化カドミウム / 自己組織化 / 量子ドット / PHOTOLUMINESCENCE / CdSE / PHOTQLUMINESCENCE / OUANTUM DOT / Luminescence / Surface / Growth rate / Doping / Crystal Growth / Molecular Beam Epitaxy / Zincsulfide / 硫化亜鉛薄膜 / 低温成長 / 分子線ユピタキシ- / MBE成長 / ルミネッセンス / 反射高速電子線回折 / 表面構造 / 成長速度 / ド-ピング / 結晶成長 / 硫化亜鉛 / CdSの高密度電子正孔系と非線形緩和 / ホットウォール法 / 巨大ファラデー効果 / 半磁性半導体のピコ少発光分光とラマン分光 / 篠塚ー豊沢理論 / IIaVIb族結晶の着色中心 / 鉄イオンの赤外発光 / IーIIIーVI_2族化合物半導体 / ダイヤモンド炭素系 / HOPG / HOPG/ダイヤモンド炭素系 / 低速イオンビーム / 近接場効果 / 表面改質 / コヒーレントフォノン / 電子・フォノン相互作用 / 計算機シミュレーション / HCI(多価イオン) / 発光中心の電子状態 / II_AーVI_B族化合物半導体 / 残留歪 / 光MBE成長 / ピコ秒レーザー分光 / 半磁性半導体 / 時間分解発光分光 / マンガン添加二硫化銅アルミニウム 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  低速多価冷イオンの電子的励起過程による表面変形機構の解明

    • 研究代表者
      中川 幸子
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      ナノ構造科学
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  II-VI族化合物量子ドットの成長過程と基礎物性の研究

    • 研究代表者
      大石 正和
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  高飽和蒸気圧をもつII,VI族元素用分子線エピタキシ装置の開発研究代表者

    • 研究代表者
      斉藤 博
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  高温分子線を用いた高品質硫化亜鉛薄膜の低温成長と電導性制御

    • 研究代表者
      大石 正和
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  光物性によるワイドギャップIIーVI族化合物のエピタキシャル成長の研究研究代表者

    • 研究代表者
      斉藤 博
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  発光相関法による短波長領域フェトム秒光パルスの時間幅測定法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      斉藤 博
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      物理計測・光学
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  化合物半導体の光物性の制御

    • 研究代表者
      佐藤 勝昭
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  ホモエピタキシ基板用セレン化亜鉛単結晶の高圧溶融法による育成

    • 研究代表者
      大森 健三
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  光照射分子線エピタキシ法による亜鉛化カルコゲン薄膜結晶の成長研究代表者

    • 研究代表者
      斉藤 博
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      岡山理科大学
  •  化合物半導体の光物性の制御

    • 研究代表者
      佐藤 勝昭
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  連続発振モード同期液体ネオジムレーザーの試作研究代表者

    • 研究代表者
      斉藤 博
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      物理計測・光学
    • 研究機関
      岡山理科大学

すべて 2011 2009

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Molecular Dynamic Simulation for the NV-N Center Formation by Means of N_2 Beam Implantation into a Diamond2011

    • 著者名/発表者名
      S. T. Nakagawa, H. Kanda, T. Sakai, M. Ohishi, H. Saito, S. Nakagawa, Y. Banden, and G. Betz
    • 雑誌名

      Trans. Mater. Res. Soc. Jpn

      巻: 36 ページ: 79-82

    • URL

      http://rs-j.org/home/ja/backnumber

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510108
  • [雑誌論文] What is the significance of Nitrogen-Vacancy centers in the doping into diamond?2009

    • 著者名/発表者名
      S. T. Nakagawa, A. Okamoto, M. Ohishi, H. Saito, H. Hashimoto, and G. Betz
    • 雑誌名

      Nucl. Instr. Meth. B

      巻: 267 号: 8-9 ページ: 1226-1228

    • DOI

      10.1016/j.nimb.2009.01.020

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510108
  • 1.  大石 正和 (40068911)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 2件
  • 2.  大森 健三 (30068895)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  米田 稔 (40240379)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  佐藤 勝昭 (50170733)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  岡 泰夫 (60013520)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  国府田 隆夫 (50010715)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  中川 幸子 (10098585)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  山崎 泰規 (30114903)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  森下 和功 (80282581)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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