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太田 英二  オオタ エイジ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20112675
所属 (現在) 2025年度: 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1990年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性
キーワード
研究代表者
MOCVD / エピタキシャル成長 / ヘテロ接合 / 薄膜太陽電池 / 燐化亜鉛(Zn_3P_2) / エッチング / DLTS / プロセス誘起欠陥 / シリコン
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  燐化亜鉛太陽電池の高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      太田 英二
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  シリコン表面近傍におけるプロセス誘起欠陥準位の発生条件研究代表者

    • 研究代表者
      太田 英二
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  • 1.  柿下 和彦
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  須田 敏和
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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