栗山一男 KURIYAMA Kazuo

研究者番号	20125082
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 法政大学, その他部局等, 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2017年度: 法政大学, 理工学部, 教授 2010年度 – 2012年度: 法政大学, 理工学部, 教授 2000年度 – 2006年度: 法政大学, 工学部, 教授 1995年度 – 1996年度: 法政大学, 工学部, 教授 1989年度 – 1990年度: 法政大学, 工学部, 教授 1987年度: 法政大学, 工学部, 助教授 1986年度: 法政大, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者固体物性 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 機能材料・デバイス研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者リチウム三元化合物 / 原子間力顕微鏡 / Porous glass electrolyte / リチウムコバルト酸化物 / 全固体型マイクロ・リチウム2次電池 / ポーラスガラス電解質 / シリコン基板 / ゾル-ゲル薄膜成長 / リチウムマンガン酸化物 / 原子間力顕微鏡観察 … もっと見る / 格子欠陥 / イオン伝導体 / リチウムガリウム / Fast mixed conductor / Lithium-silicide / 光起電力 / 高速複合伝導体 / リチウムシリサイド / Lithium ternary compounds / Lithium gallium nitride / Lithium Manganese oxide / Atomic force microscopy / Silicon substrates / Sol-gel synthesized thin films / All solid state micro lithium secondary batteries / ホッピング伝導 / 窒化物固体電解質 / リチウムアルミニウム窒化物 / リチウムマンガン酸化 / 全固体型マイクロリチウム2次電池 / ゾル-ゲル薄膜 / リチウムガリウム窒化物 / ゾルーゲル薄膜 / 全固体型マイクロリチウム二次電池 / Solar neutrino / Direct wide gap / Lithium secondary battery / Sol-gel synthesis / Lithium indium oxide / Lithium cobalt oxide / Lithium manganese oxide / スピネル構造 / 窒素イオン注入 / 小さいポーラロン / マンガン3d準位 / 原子間顕微鏡表面観察 / ラマン活性モード / Mott型電気伝導 / 3d準位 / シリコン酸化物固体電解質 / ワイドギャップ / 直接遷移型材料 / リチウムインジウム酸化物 / Impurity level / Photoluminescence / Lithium ternary compound / Wide gap semiconductor / Direct band gap / 多結晶薄膜 / 不純物準位 / フォトルミネッセンス / ワイドギャップ化合物半導体 / 直接遷移型バンド構造 / スピン・オン・グラス電解質 / リチウム窒化物 / 多結晶シリコン負極 / 透過型電子顕微鏡観察 / リチウム２次電池 / シリコンチップ埋め込み / リチウム2次電池 / 超微小電池 / Li_3PO_4添加 / LiPF_6添加 / スピン・オン・グラス / リチウムイオン伝導体 / 伝導度異常 / 比熱異常 … もっと見る研究代表者以外電子状態 / リチウム化合物 / メモリスタ材料隠す

リチウム三元化合物を用いたリチウムイオン挿入脱離型メモリスタの実現
- 研究代表者
  
  串田一雅
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪教育大学
シリコンチップ埋め込み超微小リチウム2次電池の構成と高機能化に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機能材料・デバイス
- 研究機関
  法政大学
リチウムイオン伝導体としてのスピン・オン・グラス:陰イオン添加による伝導度促進研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
シリコン基板埋め込みマイクロ二次電池内リチウムイオンの動的挙動のナノスケール評価研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
シリコン基板上へのリチウムイオン積層伝導薄膜の形成と物性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
リチウム系金属間化合物の欠陥構造とリチウムイオンの動的挙動に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  法政大学
リチウム系金属間化合物高速イオン伝導体の複合伝導機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  法政大学
擬閃亜鉛鉱型構造への軽元素挿入によるバンド構造改質研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  法政大学
半導性イオン伝導体リチウムシリサイドの複合伝導機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  栗山一男
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  法政大学

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すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] 熱刺激電流を用いた材料・デバイス開発の最前線第７章耐環境材料2016
- 著者名/発表者名
  串田一雅、栗山一男
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[雑誌論文] Evaluation of lattice displacement in Mg- Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  N. Nishikata, K. Kushida, T. Nishimura, T. Mishima, K. Kuriyama, T. Nakamura
- 雑誌名
  
  Nuclear Intsrument and Methods in Physics Reserarch B
  
  巻: 409 ページ: 302-304
- DOI
  10.1016/j.nimb.2017.03.125
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[雑誌論文] Persistent photoconductivity in oxygen-ion implanted KNbO3 bulk single crystal2016
- 著者名/発表者名
  R. Tsuruoka, A. Shinkawa, T. Nishimura, C. Tanuma, K. Kuriyama, K. Kushida
- 雑誌名
  
  Solid State Communications
  
  巻: 248 ページ: 120-122
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[雑誌論文] Crystallization mechanism of sol-gel synthesized spinel LiMn2O42015
- 著者名/発表者名
  K. Kushida and K. Kuriyama
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 12 ページ: 549-552
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[雑誌論文] Optical band gap of Li8SiN4 with disordered structure as a cathode material of lithium secondary batteries2015
- 著者名/発表者名
  T. Yamashita, S. Kuwano, K. Kuriyama and K. Kushida
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 12 ページ: 845-848
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[雑誌論文] Synthesis and physical properties of Li7V0.5Mn0.5N42013
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, Y. Inoue, K. Kuriyama, K. Kushida
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 262 ページ: 153-156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Three hundred micron squared all-solid-state Li ion secondary battery fabricated by Si very large scaleintegration technology2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yamada, T. Nozaki, K. Kuriyama, K. Kushida
- 雑誌名
  
  Journal of Alloys and Compounds
  
  巻: 555 ページ: 44-47
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Characterization of the lattice defects in Ge-ion implanted ZnO bulk single crystals by Rutherford Backscattering: Origins of low resistivity2013
- 著者名/発表者名
  K. Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B
  
  巻: 未定
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Three hundred micronsquared all-solid-state Li ionsecondary battery fabricated by Sivery large scale integrationtechnology2013
- 著者名/発表者名
  Y. Yamada, T. Nozaki, K. Kuriyama,K.Kushida
- 雑誌名
  
  J. Alloy Compounds
  
  巻: 551巻ページ: 44-47
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] 髪の毛サイズの超微細リチウム電池の開発とそのマテリアルの性質2012
- 著者名/発表者名
  串田一雅、栗山一男
- 雑誌名
  
  Material Stage
  
  巻: 12巻ページ: 43-46
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Origins of low resistivity in Al ion-implanted ZnO bulk single crystals2011
- 著者名/発表者名
  T.Oga, Y.Izawa, K.Kuriyama, K.Kushida, A.Kinomura
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Origins oflow resistivity in Al ion-implantedZnO bulk single crystals2011
- 著者名/発表者名
  T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K.Kushida, and A. Kinomura
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 109巻
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Evaluation of carbon interstitial in C-ion implanted ZnO bulk single crystals by a Nuclear reaction analysis : An origin of low resistivity2011
- 著者名/発表者名
  Y.Izawa, K.Matsumoto, T.Oga, K.Kuriyama, K.Kushida, A.Kinomura
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1399 ページ: 69-70
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Evaluation of the interface of thin GaN layers on c- and m-plane ZnO substrates by Rutherford backscattering2011
- 著者名/発表者名
  Y.Izawa, T.Oga, T.Ida, K.Kuriyama, A.Hashimoto, H.Kotake, T.Kamijoh
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 99
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Thermally stimulated current studies on electron-irradiated single crystal ZnO bulk : Dual light illumination effect2011
- 著者名/発表者名
  T.Oga, Y.Izawa, K.Kuriyama, K.Kushida, Q.Xu
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1399 ページ: 67-68
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Persistent Photoconductivity in electron-irradiated ZnO bulk single crystals : Evaluation of the metastable conductive state by the dual light illumination2011
- 著者名/発表者名
  T.Oga, Y.Izawa, K.Kuriyama, K.Kushida, Q.Xu
- 雑誌名
  
  Solid State Commun.
  
  巻: 151 ページ: 1700-1703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiMgAs2010
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1199 ページ: 67-68
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Evaluation of zincinterstitial in Si-ion implanted ZnObulk single crystals by a Rutherfordbackscattering study: An origin of lowResistivity2010
- 著者名/発表者名
  Y. Izawa, K. Matsumoto, K. Kuriyama,K.Kushida
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B
  
  巻: 268巻ページ: 2104-2106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Ramanscattering from the filled tetrahedralsemiconductor LiMgAs2010
- 著者名/発表者名
  K. Kuriyama, Y. Yamashita, Y. Suzuki,K.Matsumoto, K. Kushida
- 雑誌名
  
  29thInternational Conference on thePhysics of Semiconductors, AIPConference Proceedings
  
  巻: 1199巻ページ: 67-68
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Electronic structuraldifference between Li7VN4and Li7MnN4due to the replacement of V with Mn: Asimulation by a discrete variational Xα method2010
- 著者名/発表者名
  K. Kushida,Y. Ichihashi, Y. Suzuki, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Physica B
  
  巻: 405巻ページ: 2305-2310
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Persistent photoconductivity and photo-responsible defect in 30 MeV-electron irradiated single crystal ZnO2010
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1199 ページ: 89-90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Persistent photoconductivityand photo-responsible defect in 30MeV-electron irradiated singlecrystal ZnO2010
- 著者名/発表者名
  K. Kuriyama, K. Matsumoto, K. Kushida,Q. Xu
- 雑誌名
  
  29th InternationalConference on the Physics ofSemiconductors, AIP ConferenceProceedings
  
  巻: 1199巻ページ: 89-90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[雑誌論文] Atomic force microscopy study of surface morphology change in spinel LiMn_2O_4 : Possibility of direct observation of Jahn-Teller instability2007
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, A.Onoue, Y.Yuasa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Surface Science (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Optical band gap and bonding character of Li_3GaN_22007
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, T.Ishikawa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Proc. 28th International Conference on the Physics of Semiconductor (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Li^+ ionic diffusion and vacancy ordering in β-LiGa2007
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, K.Motoki, Y.Michihiro, T.Kanashiro, M.Yahagi, H.Hamanaka, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Farady Discuss. 134
  
  ページ: 343-352
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Atomic force microscopy observation of the Jahn-Teller instability in spinel LiMn_2O_4 embedded in silicon substrates2007
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, A.Onoue, Y.Yuasa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Proc. 28th International Conference on the Physics of Semiconductor (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Band gap of LiInO_2 synthesized by a sol-gel method2006
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) 3
  
  ページ: 2800-2083
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Optical Band Gap of a New Filled Tetrahedral Semiconductor Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Proc.27th Int.Conf.Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings (American Institute of Physics, New York) Vol.772
  
  ページ: 289-290
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Synthesis and characterization of AIN-like Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, Y.Kaneko, K.Kushida
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs2005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, T.Ishikawa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Physical Review B 72・23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Optical band gap of a new filled tetrahedral semiconductor Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Proc. 27th Int. Conf. Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 772
  
  ページ: 289-290
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Optical Band Gap of a New Filled Tetrahedral Semiconductor Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, Y.Kaneko, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Physics of Semiconductors, 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 772
  
  ページ: 289-290
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Raman scattering from the filled tetrahadral semiconductor LiZnAs2005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, T.Ishikawa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 72
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Synthesis and characterization of AlN-like Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, Y.Kaneko, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 275・
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Optical Band Gap of a New Filled Tetrahedral Semiconductor Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, Y.Kaneko, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Physics of Semiconductors, 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 722・
  
  ページ: 289-290
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656007
[雑誌論文] Synthesis and characterization of AlN-like Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, Y.Kaneko, K.Kushida
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs2005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, T.Ishikawa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Physical Review B 73
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Raman scattering from the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs2005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, T.Ishikawa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Physical Review B 72・23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Synthesis and characterization of AlN-like Li_3AlN_22005
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, Y.Kaneko, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 275
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Cyclic surface morphology change related to Li ion movement in Li secondary microbattery embedded in Si substrate : Atomic force microscopy studies2004
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84
  
  ページ: 3456-3458
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Filled tetrahedral semiconductor Li_3AlN_2 studied with optical absorption : Application of the interstitial insertion rule2004
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, Y.Kaneko, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 70
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Mott-type hopping conduction in the ordered and disordered phases of LiCoO_22004
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Solid State Communications 129
  
  ページ: 525-528
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Cyclic surface morphology change related to Li ion movement in Li secondary microbattery embedded in Si substrate : Atomic force microscopy studies2004
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 3456-3458
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Filled tetrahedral semiconductor Li_3AlN_2 studied with optical absorption : Application of the interstitial insertion rule2004
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, Y.Kaneko, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Physical Review B 70
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Mott-type hopping conduction in the ordred and disordered phases of LiCoO_22004
- 著者名/発表者名
  K.Kushida, K.Kuriyama
- 雑誌名
  
  Solid State Commun. 129
  
  ページ: 525-528
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Atomic force microscopy observation of the Jahn-Teller instability in spinel LiMn_2O_4 embedded in silicon in silicon substrates
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, A.Onoue, Y.Yuasa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Proc.28th Int.Conf.Phys.Semicond.Austria, Vienna (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[雑誌論文] Optical band gap and bonding character of Li_3GaN_2
- 著者名/発表者名
  K.Kuriyama, T.Ishikawa, K.Kushida
- 雑誌名
  
  Proc.28th Int.Conf.Phys.Semicond.Austria, Vienna (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360014
[学会発表] ラザフォード後方散乱法及び弾性反跳法によるGaN単結晶の格子変位と残留水素の評価2017
- 著者名/発表者名
  佐藤一樹、串田一雅、西村智朗、栗山一男、中村徹
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[学会発表] Li2CN2の結晶作成と物性評価2017
- 著者名/発表者名
  小室貴之、栗山一男、加藤仁和、串田一雅
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[学会発表] Lattice displacement and electrical property of Li-ion implanted GaN single crystal2017
- 著者名/発表者名
  Y. Torita, K. Kushida, T. Nishimura, K. Kuriyama, T. Nakamura
- 学会等名
  10th International Conference on Materials for Advanced Technologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05984
[学会発表] リチウム二次電池正極材料Li8SiN4の結晶作成と物性評価2013
- 著者名/発表者名
  山下大輝、桑野慎一、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  60回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] リチウム二次電池正極材料Li8SiN4の結晶作成と物性評価2013
- 著者名/発表者名
  山下大輝、桑野慎一、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学（神奈川県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Neutron-transmuted carbon-14 in neutron-irradiated GaN: Compensation of DX-like center2012
- 著者名/発表者名
  T. Ida, T. Oga. Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida,
- 学会等名
  第３１回半導体物理学国際会議
- 発表場所
  スイス・チューリヒ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] LiMg_<0.9>Zn_<0.1>Nの結晶作成と物性評価2012
- 著者名/発表者名
  井上裕輔、桑野慎一、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] リチウム2次電池正極材料L8GeN4の結晶作成と物性評価2012
- 著者名/発表者名
  桑野慎一、青山晴宣、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] LiMg0.9Zn0.1Nの結晶作成と物性評価2012
- 著者名/発表者名
  井上裕輔、桑野慎一、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Characterization of the lattice defects in Ge-ion implanted ZnO bulk single crystals by Rutherford Backscattering: Origins of low resistivity2012
- 著者名/発表者名
  K. Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida
- 学会等名
  第１８回イオンビームによる物質改質国際会議
- 発表場所
  中国・青島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] リチウム2次電池正極材料Li_8GeN_4の結晶作成と物性評価2012
- 著者名/発表者名
  桑野慎一、青山晴宣、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Origins of low resistivity and Ge donor level in Ge ion- implanted ZnO bulk single crystals2012
- 著者名/発表者名
  K. Kamioka, T. Oga, Y. Izawa, K. Kuriyama, K. Kushida
- 学会等名
  第３１回半導体物理学国際会議
- 発表場所
  スイス・チューリヒ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Li7V0.5Mn0.5N4の結晶作成と物性評価、2011
- 著者名/発表者名
  井上裕輔、鈴木優平、栗山一男、串田一雅
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会、
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Synthesis and some physicalproperties of Li7V0.5Mn0.5N4、Int.2011
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, Y. Inoue, K. Kuriyama, K.Kushida
- 学会等名
  Conf.Materials for Advanced Technology(ICMAT 2011)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Synthesis and some physical properties of Li_7V_<0.5>Mn_<0.5>N_42011
- 著者名/発表者名
  Y.Suzuki, Y.Inoue, K.Kuriyama, K.Kushida
- 学会等名
  Int.Conf.Materials for Advanced Technology (ICMAT 2011)
- 発表場所
  Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Growth and some physical properties ofβandγ-Li7VN4containing isolated VN4tetrahedra2010
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, K. Kuriyama, K. Kushida
- 学会等名
  第16回結晶成長国際会議
- 発表場所
  中国・北京
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167
[学会発表] Growth and Raman scattering ofdisordered Li8GeN4、2010
- 著者名/発表者名
  H. Aoyama, Y. Suzuki, K. Kuriyama, K.Kushida
- 学会等名
  第16回結晶成長国際会議
- 発表場所
  中国・北京
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22550167

1. 串田一雅 (80372639)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 60件
2. 矢萩正人 (20244890)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 浜中廣見 (10061235)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 林伸行 (30318612)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

栗山 一男 KURIYAMA Kazuo

研究課題

研究成果

共同研究者

リチウム三元化合物を用いたリチウムイオン挿入脱離型メモリスタの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンチップ埋め込み超微小リチウム2次電池の構成と高機能化に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リチウムイオン伝導体としてのスピン・オン・グラス:陰イオン添加による伝導度促進研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板埋め込みマイクロ二次電池内リチウムイオンの動的挙動のナノスケール評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン基板上へのリチウムイオン積層伝導薄膜の形成と物性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リチウム系金属間化合物の欠陥構造とリチウムイオンの動的挙動に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

リチウム系金属間化合物高速イオン伝導体の複合伝導機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

擬閃亜鉛鉱型構造への軽元素挿入によるバンド構造改質研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導性イオン伝導体リチウムシリサイドの複合伝導機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 熱刺激電流を用いた材料・デバイス開発の最前線第７章耐環境材料2016

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Evaluation of lattice displacement in Mg- Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Persistent photoconductivity in oxygen-ion implanted KNbO3 bulk single crystal2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Crystallization mechanism of sol-gel synthesized spinel LiMn2O42015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optical band gap of Li8SiN4 with disordered structure as a cathode material of lithium secondary batteries2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Synthesis and physical properties of Li7V0.5Mn0.5N42013

著者名/発表者名

雑誌名

栗山一男 KURIYAMA Kazuo