大澤潤 OHSAWA Jun

… 別表記

大沢潤オオサワジュン

研究者番号	20176861
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2005年度: 豊田工業大学, 工学部, 助教授 1993年度 – 1996年度: 豊田工業大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学研究代表者以外応用物理学一般
キーワード	研究代表者 MSM photodiode / Schottky photodiode / high-speed operation / visible light / nitride semiconductor / indium gallium nitride / photodetector / MSMディテクタ / MSM形ディテクタ / ショットキー形ディテクタ … もっと見る / 高速動作 / 可視光 / 窒化物半導体 / 窒化インジウムガリウム / 光検出素子 / PN Junction / Diffusion of Iron / Gallium Arsenide / Charge Storage / Optically-Controlled Variable Resistor / 応用範囲を広げるには、漏れ電流をさらに低減して高抵抗化の持続時間を延ばす必要がある。また、本素子の構造は高速光検出器として応用できる可能性があり、今後高速応答特性や感度について検討する予定である。 / pn接合 / 鉄拡散 / ガリウム砒素 / 電荷蓄積 / 光可変抵抗素子 … もっと見る研究代表者以外 EHD / イオンドラグ力 / マイクロマシン / マイクロアクチュエータ / Ion drag Force / Micro actuator / Micro pump / Micro machine / EHD流 / マイクロポンプ / gallium arsenide / solar cell / micro-actuator / micromachine / ion drag force / ガリウムひ素 / 太陽電池 / イオンドラッグ力隠す

窒化インジウムガリウムを用いた可視光高速光検出素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大澤潤
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
電気流体力学的流動を応用したマイクロポンプの研究
- 研究代表者
  
  土田縫夫
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  豊田工業大学
鉄ドープガリウム砒素の光可変抵抗素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  大澤潤
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  豊田工業大学
イオンドラグ力を応用したマイクロソ-ラボ-トの開発
- 研究代表者
  
  土田縫夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  豊田工業大学

すべて 2006 2005

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.3(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Selective Detection of Blue and Ultraviolet Light by An InGaN/GaN Schottky Barrier Photodiode2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.46 No.24 (in press)
- NAID
  10017653133
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Different Bias-Voltage Dependences of Photocurrent in Pt/InGaN/GaN and Pt/GaN Schottky Photodetectors on Sapphire2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45 No.16
- NAID
  10018158016
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他3名
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) Vol.3 Issue 6
  
  ページ: 2278-2282
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Selective Detection of Blue and Ultraviolet Light by An InGaN/GaN Schottky barrier Photodiode2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他3名
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.46 No.24(印刷中)
- NAID
  10017653133
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA et al.
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) Vol.3 No.6
  
  ページ: 2278-2282
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Different Bias-Voltage Dependences of Photocurrent in Pt/InGaN/GaN and Pt/GaN Schottky photodetectors on Sapphire2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他3名
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45 No.16
- NAID
  10018158016
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Different Bias-Voltage Dependences of Photocurrent in Pt/InGaN/GaN and Pt/GaN Schottky Photodetectors on Sapphire2006
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44 No.16
- NAID
  10018158016
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Comparison of Spectral Responses between Front- and Back-Incidence Configurations in a GaN MSM Photodetector on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44 No.12
  
  ページ: 8441-8444
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Comparison of Spectral Responses between Front- and Back-Incidence Configurations in a GaN MSM Photodetector on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44 No.12
  
  ページ: 8441-8444
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Low-Dark-Current Large-Area Narrow-Band Photodetector Using InGaN/GaN Layers on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44 No.20
- NAID
  10016150582
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Low-Dark-Current Large-Area Narrow-Band Photodetector Using InGaN/GaN Layers on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.Part2 Vol.44No.20(印刷中)
- NAID
  10016150582
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Low-Dark-Current Large-Area Narrow-Band Photodetector Using InGaN/GaN Layers on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.44 No.20
- NAID
  10016150582
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Low-Dark-Current Large-Area Narrow-Band Photodetector Using InGaN/GaN Layers on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44 No.20
- NAID
  10016150582
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[雑誌論文] Comparison of Spectral Responses between Front-and Back-Incidence Configurations in a GaN MSM Photodetector on Sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Jun OHSAWA 他4名
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.44 No.12
  
  ページ: 8441-8444
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313
[産業財産権] 光電変換装置2005
- 発明者名
  小澤隆弘, 大澤潤, 千田昌伸
- 権利者名
  (株)豊田中央研究所トヨタ学園豊田合成(株)
- 産業財産権番号
  2005-103127
- 出願年月日
  2005-03-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560313

1. 土田縫夫 (40023246)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. 右高正俊 (90165994)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 今井孝二 (30231161)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 山田陽滋 (90166744)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

大澤 潤 OHSAWA Jun

大沢 潤 オオサワ ジュン

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化インジウムガリウムを用いた可視光高速光検出素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電気流体力学的流動を応用したマイクロポンプの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

鉄ドープガリウム砒素の光可変抵抗素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンドラグ力を応用したマイクロソ-ラボ-トの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Selective Detection of Blue and Ultraviolet Light by An InGaN/GaN Schottky Barrier Photodiode2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Different Bias-Voltage Dependences of Photocurrent in Pt/InGaN/GaN and Pt/GaN Schottky Photodetectors on Sapphire2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Selective Detection of Blue and Ultraviolet Light by An InGaN/GaN Schottky barrier Photodiode2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Narrow-Band 400nm MSM Photodetectors Using A Thin InGaN Layer on A GaN/sapphire Structure2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Different Bias-Voltage Dependences of Photocurrent in Pt/InGaN/GaN and Pt/GaN Schottky photodetectors on Sapphire2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Different Bias-Voltage Dependences of Photocurrent in Pt/InGaN/GaN and Pt/GaN Schottky Photodetectors on Sapphire2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Comparison of Spectral Responses between Front- and Back-Incidence Configurations in a GaN MSM Photodetector on Sapphire2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Comparison of Spectral Responses between Front- and Back-Incidence Configurations in a GaN MSM Photodetector on Sapphire2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

大澤潤 OHSAWA Jun

大沢潤オオサワジュン