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平本 俊郎  Hiramoto Toshiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20192718
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度 – 2023年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授
2002年度 – 2009年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授
2007年度: 東大, 生産技術研究所, 教授
1996年度 – 2001年度: 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助教授
1998年度: 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センサー, 助教授
1997年度: 東京大学, 大規模集積システム設計教育センター, 助教授
1994年度 – 1996年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電気電子工学およびその関連分野 / マイクロ・ナノデバイス / 極微細構造工学
研究代表者以外
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
MOSFET / SOI / 特性ばらつき / 量子効果 / 大規模集積回路 / クーロンブロッケード / しきい値電圧 / 半導体物性 / 単電子トランジスタ / CMOS … もっと見る / MOSトランジスタ / ナノワイヤトランジスタ / 低消費電力 / VLSI / 量子ドット / 揺らぎ / LSI / シリコン / 単一電子 / Single-Electron Transistor / Coulomb Blockade / ナノテクノロジー / SET / Threshold Voltage / シリコンナノワイヤトランジスタ / 電子デバイス・機器 / Beyond CMOS / 不純物揺らぎ / 半導体 / SRAM / 保持時間 / 異方性エッチング / VLSIデバイス / 共鳴トンネル / 微細化 / スケーリング / MOS / 三次元集積化 / シリコン量子ドット / 量子コンピュータ / シリコン量子ビット / 低電圧 / 規模集積回路 / しきい値電圧自己調整 / Analog Pattern Matching Circuit / Functional Device / Quantum Effect Device / Nanoelectronics / 室温動作 / CMOS回路 / 量子效果デバイス / アナログパターンマッチング回路 / 新機能デバイス / 量子効果デバイス / ナノエレクトロニクス / Nanotechnology / Resonant Tunneling / Quantum Dot / Quantum Effect / Silicon MOSFET / Semiconductor / 量子輸送現象 / 移動度 / 不揮発性メモリ / シリコンMOSFET / Scaling / Finite Element Method / Quantum Confinement / Characteristics Fluctuations / Quantum Effects / 完全空乏型SOI / 二次元閉じこめ / 反転層容量 / 薄膜SOI / 量子閉じ込め / 有限要素法 / anisotropic etching / silicon dot / Coulomb blockade / single electron / silicon nanodevice / 自己形成 / ナノデバイス / シリコンドット / シリコンナノデバイス / Silicon Oxide / Interface Traps / Oxidation / Charge Pumping / Si / 拡散 / 酸化膜界面 / 酸化 / チャージポンピング / 界面準位 / VLSI devices / Stochastic Fluctuations of Dopant Atoms / Fully Depleted SOI devices / Fluctuations / Thin Film SOI MOSFET / 薄膜SOIMOS / デバイスシミュレーション / 薄膜SOI MOS / LSIデバイス / 0.1ミクロンMOSFET / SIMOX / 不純物数の統計的揺らぎ / 完全空乏型SOI MOSFET / サブ0.1ミクロンMOSFET / 薄膜SOI MOSFET / 統計分布 / 単一不純物 / 離散不純物ゆらぎ / サブスレッショルド / 超低消費電力 / 超低エネルギー / 電子デバイス・集積回路 / ナノワイヤ / クーロンブロッケード振動 / 集積回路 / 不純物ゆらぎ / 基板バイアス効果 / 半導体超微細化 / 正規分布 / ランダムテレグラフノイズ / 不揮発生SRAM回路 / 基板バイパス / 強誘電体SPICEモデル / 不揮発性SRAM回路 / 強誘電体ゲートFET / 基板バイアス / 低スタンバイ消費電力 / FeRAM / 不揮発性ラッチ回路 / 強誘電体FET / しきい値 / 基盤バイアス / 半導体MOSFET / 双方安定状態 / メモリ / 単電子 / 薄膜 / カンチレバ- / ドライエッチング / クチュエータ / スパッタリング / シリコンVLSIプロセス / マイクロマシンシステム / 磁気歪み効果 / 単電子デバイス / 不純物の統計的揺らぎ / レトログレードチャネルMOSFET / デルタドープMOSFET / ホッピング / 短チャネル効果 / 統計的揺らぎ / 不純物 / LST / デルタドープ / 極微細構造 / スプリットゲート … もっと見る
研究代表者以外
Super Connect / LSI / 量子ドット / 量子リザバー計算 / シリコンナノワイヤー / 量子セキュリティ / PUF / スピン量子ビット / 量子指紋 / トランジスタ / HfO2 / 強誘電性 / IoT / 負性容量 / 酸化ハフニウム / 強誘電体 / 不揮発性メモリ / 負性容量トランジスタ / 低消費電力 / Simulated Diffusion / Repeater / Wiring Delay / Scaling / simulated diffusion / Simulated diffusion / リピータ / 配線遅延 / 微細化 / micromachining / plastic deformation of Si / mill wave / electropolishing / semiconductor process / atomic force microscope / optical system / fine machining / micromachine / マイクロマシニング / シリコンの塑性変形 / ミリ波 / 電解研磨 / 半導体プロセス / 原子間力顕微鏡 / 光学システム / 微細加工 / マイクロマシン / Semiconductor / One-Dimensional Structures / Single electron / Resonant Tunneling / Super lattice / Quantum Dot / Quantum Nano-Structures / Mesoscopic / 半導体 / 一次元構造 / 単一電子 / 共鳴トンネル / 超格子 / 量子ナノ構造 / メソスコピック / 超薄膜 / デバイス設計・製造プロセス / 特性ばらつき / ナノデバイスインテグリティ / ナノCMOS / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス・超薄膜 / 半導体超微細化 / 電子デバイス / ポストスケーリング技術 / スケーリング則 / MOSFET / シリコンULSI / 量子ドットレーザ / 量子ドット検出器 / 量子ドットメモリー / 量子ドットレーザー / 単電子効果 / 零次元電子 / 電子の波動性 / ナノ構造 / ドライエッチング / 電気化学走査型トンネル顕微鏡 / 金属ショットキーゲート / 電子波方向性結合デバイス / コヒーレンス長 / 共鳴トンネルダイオード / クーロンブロッケード振動 / 細線MOSFET / Si量子細線 / エッジ量子細線 / 電子波コヒーレンス長 / 電解液中STM / 集束イオンビーム注入 / InAs量子箱 / 一次元励起子 / T字形量子細線 / シリコン量子構造 / 走査ホットエレクトロン顕微鏡 / 電子波回折 隠す
  • 研究課題

    (30件)
  • 研究成果

    (303件)
  • 共同研究者

    (61人)
  •  スピン量子性に基づくデバイス指紋(量子指紋)の生成と抽出

    • 研究代表者
      棚本 哲史
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
    • 研究機関
      帝京大学
  •  三次元集積化に向けたスケーラブルな積層構造シリコン量子ビットに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  電源電圧0.1V動作に向けたトランジスタの特性ばらつきの自己収束機構に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2018
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 研究分野
      電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      東京大学
  •  強誘電HfO2による急峻スロープFETの低消費電力回路と混載FeRAMの設計実証

    • 研究代表者
      小林 正治
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  しきい値電圧自己調整機構を有する超低電圧動作シリコンナノワイヤトランジスタ研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  室温動作シリコン単電子トランジスタとナノワイヤCMOSによる新機能回路の低電圧化研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  単一不純物が微細トランジスタ特性の統計的性質に与える影響に関する基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2014
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  サブ100mV動作を目指した超低電圧MOSトランジスタの基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2013
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  室温動作集積単電子トランジスタと大規模CMOS回路との融合による新機能創出研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  ナノMOSFETの揺らぎとデバイスインテグリティ研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  完全室温動作シリコン単電子・量子・CMOS融合集積回路ナノデバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      東京大学
  •  高・強誘電体膜を用いた極低電圧・超低消費電力FET,及び高性能新機能素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  揺らぎを排した量子スケールMOSFETにおける物理現象の探究と集積化応用の研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  量子ドット構造による電子の制御と次世代エレクトロニクスへの応用

    • 研究代表者
      榊 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2004
    • 研究種目
      特別推進研究(COE)
    • 研究機関
      東京大学
  •  量子ドットにおけるクローン閉塞現象を利用した双安定状態の発現に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  リソグラフィ限界を超えた制御性の良いシリコンナノデバイスの作製に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ディープサブミクロン配線のタイミング特性の研究

    • 研究代表者
      櫻井 貴康
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  不純物揺らぎによる特性ばらつきを抑えたデルタドープ型MOSデバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  MOS構造を有する単一電子デバイスの作成とそのCMOSチップへの集積化の研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  磁気歪み効果もつ薄膜材料を利用したマイクロマシンシステムの基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  不純物揺らぎによる特性ばらつきを抑えたデルタドープ型MOSデバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  MOS構造を有する単一電子デバイスの作製とそのCMOSチップへの集積化の研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  SOI構造における酸化メカニズムの解明に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  二重ゲートを有するシリコン超微細構造デバイスの作製とその量子輸送現象に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      極微細構造工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  メソスコピック・エレクトロニクス

    • 研究代表者
      荒川 泰彦
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  マイクロメカトロニクス・システムの製作プロセス統合に関する研究

    • 研究代表者
      増沢 隆久
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  サブ0.1ミクロン薄膜SOI CMOS LSIデバイスの揺らぎに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平本 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  半導体量子位相デバイス

    • 研究代表者
      古屋 一仁
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 集積ナノデバイス2009

    • 著者名/発表者名
      平本俊郎, 内田建, 竹内潔, 杉井信之
    • 出版者
      丸善
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [図書] "Integration of Silicon Single-Electron Transistors Operating at Room Tem perature", NATO Science for Peace and Security Series-B : Physics and Biophysics "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 総ページ数
      16
    • 出版者
      NATO
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [図書] Chapter 4 : Quantum Effects in Silicon Nanodevices", Silicon Nanoelectronics2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 総ページ数
      20
    • 出版者
      Taylor & Francis
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [図書] "Chapter 6. Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors, " in Handbook of Semiconductor Nanostructures and Devices2006

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 総ページ数
      41
    • 出版者
      American Scientific Publishers
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [図書] 「6.1. 電子1個でもトランジスタは動く? 」「6.2. シリコン単電子トランジスタの室温動作」, 科学立国日本を築く : 極限に挑む気鋭の研究者たち2006

    • 著者名/発表者名
      平本俊郎
    • 総ページ数
      10
    • 出版者
      (財)丸文研究交流財団選考委員会
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Subthreshold Swing in Silicon Gate-All-Around Nanowire and Fully Depleted SOI MOSFETs at Cryogenic Temperature2021

    • 著者名/発表者名
      Sekiguchi Shohei、Ahn Min-Ju、Mizutani Tomoko、Saraya Takuya、Kobayashi Masaharu、Hiramoto Toshiro
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 9 ページ: 1151-1154

    • DOI

      10.1109/jeds.2021.3108854

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H00754
  • [雑誌論文] Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application2018

    • 著者名/発表者名
      Mizutani Tomoko、Takeuchi Kiyoshi、Saraya Takuya、Kobayashi Masaharu、Hiramoto Toshiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FD08-04FD08

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fd08

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18866
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM with Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application2018

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of the Electron Devices Society

      巻: 6 ページ: 280-285

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2800090

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] Experimental Observation and Simulation Model for Transient Characteristics of Negative-Capacitance in Ferroelectric HfZrO2 Capacitor2018

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of the Electron Devices Society

      巻: 6 ページ: 346-353

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2806920

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] On gate stack scalability of double-gate negative-capacitance FET with ferroelectric HfO2 for energy efficient sub-0.2V operation2017

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Takuya Sayara, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 136 号: 2 ページ: 60-67

    • DOI

      10.7567/jjap.57.024201

    • NAID

      210000148597

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] Negative Capacitance for Boosting Tunnel FET Performance”, IEEE Transactions on Nanotechnology2017

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology

      巻: 16 号: 2 ページ: 253-258

    • DOI

      10.1109/tnano.2017.2658688

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] I on /I off ratio enhancement and scalability of gate-all-around nanowire negative-capacitance FET with ferroelectric HfO22017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin, Saraya Takuya, Kobayashi Masaharu, Hiramoto Toshiro
    • 雑誌名

      Solid State Electronics

      巻: 136 ページ: 60-67

    • DOI

      10.1016/j.sse.2017.06.011

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [雑誌論文] Peak Position Control of Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature2014

    • 著者名/発表者名
      Yuma Tanahashi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 4S ページ: 04EJ08-04EJ08

    • DOI

      10.7567/jjap.53.04ej08

    • NAID

      210000143664

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [雑誌論文] Integration of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 1-Bit Analog Selectors and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2013

    • 著者名/発表者名
      Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 4S ページ: 04CJ05-04CJ05

    • DOI

      10.7567/jjap.52.04cj05

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-10J07824, KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [雑誌論文] Experimental Observation of Quantum Confinement Effect in (110) and (100) Silicon Nanowire Field-Effect Transistors and Single-Electron/Hole Transistors Operating at Room Temperature2013

    • 著者名/発表者名
      Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 10R ページ: 104001-104001

    • DOI

      10.7567/jjap.52.104001

    • NAID

      40022765823

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [雑誌論文] Threshold Voltage Dependence of Threshold Voltage Variability in Intrinsic Channel Silicon-on-Insulator2010

    • 著者名/発表者名
      C.Lee, A.T.Putra, K.Shimizu, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      No.4, Issue 2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Random Threshold Voltage Variability Induced by Gate-Edge Fluctuations in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, A.Nishida, S.Kamohara, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol.2, No.2

      ページ: 24501-24501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Random Threshold Voltage Variability Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect-Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      A. T. Putra, A. Nishida, S. Kamohara, and T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol. 2, No. 2

      ページ: 24501-24501

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Consideration of Random Dopant Fluctuation Models for Accurate Prediction of Threshold Voltage Variation of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in 45nm Technology and Beyond2009

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, A.Nishida, S.Kamohara, T.Tsunomura, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.4

      ページ: 44502-44502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき2009

    • 著者名/発表者名
      平本俊郎, 竹内潔, 西田彰男
    • 雑誌名

      電子情報通信学会会誌 Vol.92, No.6

      ページ: 416-426

    • NAID

      110007227367

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Impact of Oxide Thickness Fluctuation and Local Gate Depletion on Threshold Voltage Variation in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, T.Tsunomura, A.Nishida, S.Kamohara, K.Takeuchi, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.6

      ページ: 64504-64504

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Random Threshold Voltage Variability Induced by Gate-Edge Fluctuations in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      Arifin Tamsir Putra, Akio Nishida, Shim Kamohara, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

      ページ: 24501-24501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Experimental Study on Quantum Confinement Effects in Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors and Single-Electron Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 103

      ページ: 53709-53709

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008

    • 著者名/発表者名
      Tetsu Ohtou, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices 54

      ページ: 40-46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Extremely high flexibilities of Coulomb blockade and negative differential conductance oscillations in room-temperature-operating silicon single hole transistor2008

    • 著者名/発表者名
      Sejoon Lee, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters vol. 92. no. 7, 073502

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Strong dependence of tunneling transport properties on over-driving voltage for room-temperature-operating single electron/hole transistors formed with ultra narrow [100] silicon nanowire channel2008

    • 著者名/発表者名
      Sejoon Lee, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters vol. 93, No. 4

      ページ: 43508-43508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] On the Origin of Negative Differential Conductance in Ultranarrow Wire Channel Silicon Single-Electron and Single-Hole Transistor2008

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 47, no. 3

      ページ: 1813-1817

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Strong dependence of tunneling transport properties on over-driving voltage for room-temperature-operating single electron/hole transistors formed with ultra narrow [100] silicon nanowire channel2008

    • 著者名/発表者名
      Sejoon Lee, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters vol. 93, No. 4. 043508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Extremely high flexibilities of Coulomb blockade and negative differential conductance oscillations in room-temperature-operating silicon single hole transistor2008

    • 著者名/発表者名
      Sejoon Lee, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 73502-73502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on Quantum Confinement Effects in Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors and Single-Electron Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics vol. 103, no. 5

      ページ: 53709-53709

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき:現状と対策2008

    • 著者名/発表者名
      平本俊郎, 竹内潔, 西田彰男
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C Vol.128, No.6

      ページ: 820-824

    • NAID

      10021132489

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Experimental Study on Quantum Confinement Effects in Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors and Single-Electron Transistors2008

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics vol. 103. no. 5, 053709

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohtou, T. Saraya, and T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices(Invited) vol. 54, no. 1

      ページ: 40-46

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Variable Body-Factor SOI MOSFET with Ultrathin Buried Oxide for Adaptive Threshold Voltage and Leakage Control2008

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, T.Saraya, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices vol.54, no.1

      ページ: 40-46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Extremely high flexibilities of Coulomb blockade and negative differential conductance oscillations in room-temperature-operating silicon single hole transistor2008

    • 著者名/発表者名
      Sejoon Lee, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters vol. 92, no. 7

      ページ: 73502-73502

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Impact of Parameter Variations and Random Dopant Fluctuations on Short-Channel Fully Depleted SOI MOSFETs With Extremely Thin BOX2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohtou, N. Sugii, and T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol. 28, No. 8

      ページ: 740-742

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-directed (110)-oriented pMOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shimizu, G Tsutsui, D. Januar, T. Saraya, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 6, No. 3

      ページ: 358-361

    • NAID

      10018234140

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Impact of Parameter Variations and Random Dopant Fluctuations on Short-Channel Fully Depleted SOI MOSFETs With Extremely Thin BOX2007

    • 著者名/発表者名
      Tetsu Ohtou, Nobuyuki Sugii, and Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters 28

      ページ: 740-742

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Threshold-Voltage Control of AC Performance Degradation-Free FD SOI MOSFET With Extremely Thin BOX Using Variable Body-Factor Scheme2007

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, K.Yokoyama, K.Shimizu, T.Nagumo, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol.54, No.2

      ページ: 301-307

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Device Design of Nanoscale MOSFETs Considering the Suppression of Short Channel Effects and Characteristics Variations2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, T. Nagumo, T. Ohtou, and K. Yokoyama
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics(Invited) Vol. E90-C, No. 4

      ページ: 836-841

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Large Coulomb-Blockade Oscillations and Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors with [100]- and [110]- Directed Channels at Room Temperature2007

    • 著者名/発表者名
      M. Kobayashi, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 1

      ページ: 24-27

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Threshold-Voltage Control of AC Performance Degradation-Free FD SOI MOSFET With Extremely Thin BOX Using Variable Body-Factor Scheme2007

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, K.Yokoyama, K.Shimizu, T.Nagumo, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 54, No. 2

      ページ: 301-307

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Experimental Study on Mobility Universality in (100) Ultra Thin Body nMOSFET with SOI Thickness of 5nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 20

    • NAID

      110006391851

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Impact of Parameter Variations and Random Dopant Fluctuations on Short-Channel Fully Depleted SOI MOSFETs With Extremely Thin BOX2007

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, N.Sugii, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol.28, No.8

      ページ: 740-742

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Large Coulomb-Blockade Oscillations and Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors with [100]-and [110]-Directed Channels at Room Temperature2007

    • 著者名/発表者名
      M. Kobayashi, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 1

      ページ: 24-27

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on Mobility Universality in (100) Ultra Thin Body nMOSFET with SOI Thickness of 5nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46. No. 20

    • NAID

      110006391851

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-directed (110)-oriented pMOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shimizu, G. Tsutsui, D. Januar, T. Saraya, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 6, No. 3

      ページ: 358-361

    • NAID

      10018234140

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Control of full width at half maximum of Coulomb oscillation in silicon single-hole transistors at room temperature2007

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

      ページ: 53509-53509

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Threshold- Voltage Control of AC Performance Degradation-Free FD SOI MOSFET With Extremely Thin BOX Using Variable Body-Factor Scheme2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohtou, K. Yokoyama, K. Shimizu, T. Nagumo, and T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 54, No. 2

      ページ: 301-307

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Experimental Study on Mobility in (110)-Oriented Ultrathin-Body Silicon-on-Insulator n-Type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor with Single-and Double-Gate Operations2007

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 9A

      ページ: 5686-5690

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on Mobility in (110)-Oriented Ultrathin-Body Silicon-on-Insulator n-Type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor with Singleand Double-Gate Operations2007

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 9A

      ページ: 5686-5690

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Control of full width at half maximum of Coulomb oscillation in silicon single-hole transistors at room temperature2007

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 91, No. 5

      ページ: 53509-53509

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Large Coulomb-Blockade Oscillations and Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors with [100]- and [110]- Directed Channels at Room Temperature2007

    • 著者名/発表者名
      M.Kobayashi, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.46, No.1

      ページ: 24-27

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Control of full width at half maximum of Coulomb oscillation in silicon single-hole transistors at room temperature2007

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 91, No. 5, 053509

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Device Design of Nanoscale MOSFETs Considering the Suppression of Short Channel Effects and Characteristics Variations2007

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto, T.Nagumo, T.Ohtou, K.Yokoyama
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics Vol.E90-C, No.4

      ページ: 836-841

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Transport in Ultrathin SOI MOSFETs and Silicon Nanowire Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol. 11, No. 6

      ページ: 403-411

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Threshold-Voltage Control of AC Performance Degradation-Free FD SOI MOSFET With Extremely Thin BOX Using Variable Body-Factor Scheme2007

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, K.Yokoyama, K.Shimizu, T.Nagumo, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 54, No. 2

      ページ: 301-307

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [雑誌論文] Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Bulk Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors in Short-Channel Regime2006

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, M.Saitoh, G.Tsutsui, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45, No.8A

      ページ: 6173-6176

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Compact Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistros with Discrete Quantum Energy Levels2006

    • 著者名/発表者名
      K.Miyaji, M.Saitoh, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol.5, No.3

      ページ: 167-173

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Design Guideline of Multi-Gate MOSFETs With Substrate-Bias Control2006

    • 著者名/発表者名
      T.Nagumo, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 53, No. 12

      ページ: 3025-3031

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Bulk Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors in Short-Channel Regime2006

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, M.Saitoh, G.Tsutsui, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 8A

      ページ: 6173-6176

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Emerging nanoscale silicon devices taking advantage of nanostructure physics2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, M. Saitoh, G. Tsutsui
    • 雑誌名

      IBM Journal of Research and Development Vol. 50, No. 4/5

      ページ: 411-418

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)- and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      G. Tsutsui, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 53, No. 10

      ページ: 2582-2588

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Voltage gain dependence of the negative differential conductance width in silicon single-hole transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K. Miyaji, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 88, No. 14

      ページ: 143505-143505

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Compact Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels2006

    • 著者名/発表者名
      K.Miyaji, M.Saitoh, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nanotechnology (発表予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Emerging nanoscale silicon devices taking advantage of nanostructure physics2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, M. Saitoh, G Tsutsui
    • 雑誌名

      IBM Journal of Research and Development Vol. 50, No. 4/5

      ページ: 411-418

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature-Operating Silicon Single-Hole Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      M.Kobayashi, M.Saitoh, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45, No.8A

      ページ: 6157-6161

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)- and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      G Tsutsui, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 53, No. 10

      ページ: 2582-2588

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Full Width of Half Maximum of Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor Controlled by Voltage Gain2006

    • 著者名/発表者名
      K.Miyaji, M.Saitoh, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      APL (発表予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Design Guideline of Multi-Gate MOSFETs with Substrate-Bias Control2006

    • 著者名/発表者名
      T. Nagumo and T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 53, No. 12

      ページ: 3025-3031

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Compact Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels2006

    • 著者名/発表者名
      K. Miyaji, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 5, No. 3

      ページ: 167-173

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Design Guideline of Multi-Gate MOSFETs With Substrate-Bias Control2006

    • 著者名/発表者名
      T.Nagumo, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol.53, No.12

      ページ: 3025-3031

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Mobility and Threshold-Voltage Comparison Between (110)-and (100)-Oriented Ultrathin-Body Silicon MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      G.Tsutsui, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 53, No. 10

      ページ: 2582-2588

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [雑誌論文] Emergiing nanoscale silicon devices taking advantage of nanostructure physics2006

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto, M.Saitoh, G.Tsutsui
    • 雑誌名

      IBM Journal of Research and Development Vol.50, No.4/5

      ページ: 441-418

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Voltage gain dependence of the negative differential conductance width in silicon single-hole transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K.Miyaji, M.Saitoh, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.88, No.14

      ページ: 143505-143505

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Voltage gain dependence of the negative differential conductance width in silicon single-hole transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K. Miyaji, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 88, No. 14, 143505.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Impact of Drain Induced Barrier Lowering on Read Scheme in Silicon Nanocrystal Memory with Two-Bit-per-Cell Operation2006

    • 著者名/発表者名
      S. Park, H. Im, I. Kim, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 2A

      ページ: 638-642

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature-Operating Silicon Single-Hole Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      M. Kobayashi, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 8A

      ページ: 6157-6161

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol. 26, No. 11

      ページ: 836-838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Silicon Single-Hole Transistor with Large Coulomb Blockade Oscillations and High Voltage Gain at Room Temperature2005

    • 著者名/発表者名
      H. Harata, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, Part 2, No. 20

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on the Universality of Mobility Behavior in Ultra Thin Body SOI pMOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, No. 6A

      ページ: 3889-3892

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Silicon Single-Hole Transistor with Large Coulomb Blockade Oscillations and High Voltage Gain at Room Temperature2005

    • 著者名/発表者名
      Hidehiro Harata, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, Part 2, No.20

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-Temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Silicon Single-Hole Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      M. Saitoh, H. Harata, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, No. 11

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on the Universality of Mobility Behavior in Ultra Thin Body SOI pMOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      G Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 44, No. 6A

      ページ: 3889-3892

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Impact of SOI Thickness Fluctuation on Threshold Voltage Variation in Ultra Thin Body SOI MOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      G Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 4, No. 3

      ページ: 369-373

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Enhancement of Charge Storage Performance in Double-Gate Silicon Nanocrystal Memories With Ultrathin Body Structure2005

    • 著者名/発表者名
      K. Yanagidaira, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol. 26, No. 7

      ページ: 473-475

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      G Tsutsui, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol. 26, No. 11

      ページ: 836-838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Impact of SOI Thickness Fluctuation on Threshold Voltage Variation in Ultra Thin Body SOI MOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 4, No. 3

      ページ: 369-373

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Channel Width and Length Dependence in Si NanoCrystal Memories with Ultra-NanoScale Channel2005

    • 著者名/発表者名
      J. Brault, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology Vol. 4, No. 3

      ページ: 349-354

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Effects of Channel Thinning on Threshold Voltage Shift in Ultrathin Body Silicon Nanocrystal Memories2005

    • 著者名/発表者名
      K. Yanagidaira, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, Part 1, No. 4B.

      ページ: 2608-2611

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Enhancement of Charge Storage Performance in Double-Gate Silicon Nanocrystal Memories With Ultrath in Body Structure2005

    • 著者名/発表者名
      K. Yanagidaira, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol. 26, No. 7

      ページ: 473-475

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-Temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Silicon Single-Hole Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Masimi Saitoh, Hidehiro Harata, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12CE2004
  • [雑誌論文] Effects of Channel Thinning on Threshold Voltage Shift in Ultrathin Body Silicon Nanocrystal Memories2005

    • 著者名/発表者名
      K. Yanagidaira, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, Part 1, No. 4B

      ページ: 2608-2611

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-temperature demonstration of highly-functional single-hole transistor logic based on quantum mechanical effect2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Toshihiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.85, No.25

      ページ: 6233-6235

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-temperature demonstration of highly-functional single-hole transistor logic based on quantum mechanical effect2004

    • 著者名/発表者名
      M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEE Electronics Letters Vol. 40, No. 13

      ページ: 837-838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Dot in a Single-Hole Transistor at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.84, No.16

      ページ: 3172-3174

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12CE2004
  • [雑誌論文] Extension of Coulomb Blockade Region by Quantum Confinement in the Ultrasmall Silicon Dot in a Single-Hole Transistor at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 84, No. 16

      ページ: 3172-3174

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-Temperature Demonstration of Low-Voltage and Tunable Static Memory Based on Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors2004

    • 著者名/発表者名
      M. Saitoh, H. Harata, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 85, No. 25

      ページ: 6233-6235

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Scaling of Nano-Crystal Memory Cell by Direct Tungsten Bitline on Self-Aligned Landing Plug Polysilicon Contact2004

    • 著者名/発表者名
      I.Kim, K.Yanagidaira, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol.25, No.5

      ページ: 265-267

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12CE2004
  • [雑誌論文] Scaling of Nano-Crystal Memory Cell by Direct Tungsten Bitline on Self-Aligned Landing Plug Polysilicon Contact2004

    • 著者名/発表者名
      I.Kim, K.Yanagidaira, T.Hiramoto
    • 雑誌名

      IEEE Electron Devices Letters Vol.25, No.5

      ページ: 265-267

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-temper ature demonstration of highly-functional single-hole transistor logic based on quantum mechanical effect2004

    • 著者名/発表者名
      M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 雑誌名

      IEE Electronics Letters Vol. 40, No. 13

      ページ: 837-838

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Extension of Coulomb Blockade Region by Quantum Confinement in the Ultrasmall Silicon Dot in a Single-Hole Transistor at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.84 No.16

      ページ: 3172-3174

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Sillcon Single-Hole Transistors2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Hidehiro Harata, Toshihiro Hiramoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [雑誌論文] Room-temperature demonstration of highly-functional single-hole transistor logic based on quantum mechanical effect2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 雑誌名

      IEE Electronics Letters Vol.40, No.13

      ページ: 837-838

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12CE2004
  • [雑誌論文] Transport in Ultrathin SOI MOSFETs and Silicon Nanowire Transistors

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol. 11, No. 6, ULSI Process Integration 5

      ページ: 403-411

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [産業財産権] ラッチ回路の電圧特性調整方法および半導体装置の電圧特性調整方法2009

    • 発明者名
      平本俊郎, 鈴木誠, 桜井貴康
    • 権利者名
      東京大学
    • 産業財産権番号
      2009-141510
    • 出願年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [産業財産権] ラッチ回路の電圧特性調整方法および半導体装置の電圧特性調整方法2009

    • 発明者名
      平本俊郎
    • 権利者名
      東京大学
    • 産業財産権番号
      2009-141510
    • 出願年月日
      2009-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [産業財産権] 半導体装置2005

    • 発明者名
      平本俊郎, 筒井元, 齋藤真澄
    • 権利者名
      (財)生産技術研究奨励会
    • 産業財産権番号
      2005-170676
    • 出願年月日
      2005-06-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [産業財産権] 不揮発性メモリ2004

    • 発明者名
      平本俊郎, 柳平康輔, 齋藤真澄
    • 権利者名
      (財)生産技術研究奨励会
    • 産業財産権番号
      2004-267143
    • 出願年月日
      2004-09-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Drain-Induced Variability Due to Quantum Confinement Effect in Extremely Narrow Silicon Nanowire Transistors with Width down to 2nm2018

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics Strategy (INS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] Statistics of Random Telegraph Noise Amplitude in Extremely Narrow Silicon Nanowire Transistors with Width down to 2nm2018

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics Strategy (INS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] 複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法によるSRAMデータ保持電圧の最小化2018

    • 著者名/発表者名
      水谷朋子,竹内 潔,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18866
  • [学会発表] 負性容量トランジスタに向けた強誘電性HfZrO2膜における負性容量の直接観測2017

    • 著者名/発表者名
      上山 望,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM2017

    • 著者名/発表者名
      小林正治,上山望,平本俊郎
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] A nonvolatile SRAM integrated with ferroelectric HfO2 capacitor for normally-off and ultralow power IoT application2017

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      VLSI symposium 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証2017

    • 著者名/発表者名
      小林正治,上山望,平本俊郎
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Investigations on dynamic characteristics of ferroelectric HfO2 based on multi-domain interaction model2017

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nano Workshop (SNW) 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 強誘電体HfO2を用いたGate-All-Aroundナノワイヤ負性容量FETにおけるIon/Ioff比の向上とそのスケーラビリティ2017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 強誘電性マルチドメイン相互作用モデルを用いた強誘電体HfO2の動特性に関する考察2017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin, 上山望,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Lowering Minimum Operation Voltage (Vmin) in SRAM Array by Post-Fabrication Self-Improvement of Cell Stability by Multiple Stress Application2017

    • 著者名/発表者名
      Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K18866
  • [学会発表] 強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETの動特性に関する考察2017

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin、上山 望、小林正治、平本俊郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Enhanced Variability by Quantum Confinement Effects in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Nanowire Width down to 2nm2016

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      12th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC12)
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] Ultra-Low Power and Ultra-Low Voltage Devices and Circuits for IoT Applications2016

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Kiyoshi Takeuchi, and Masaharu Kobayashi
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき2016

    • 著者名/発表者名
      水谷朋子,竹内 潔,鈴木龍太,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      中央電気倶楽部(大阪府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] On Gate Stack Scalability of Double-Gate Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO2 for Energy-Efficient Sub-0.2V Operation2016

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Ion/Ioff Ratio Enhancement of Gate-All-Around Nanowire Negative-Capacitance FET with Ferroelectric HfO22016

    • 著者名/発表者名
      Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
    • 発表場所
      Hyatt Regency Bethesda, Bethesda, MD, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO22016

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] Negative Capacitance as a Performance Booster for Tunnel FET2016

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 負性容量によるトンネルFETの性能向上負性容量によるトンネルFETの性能向上2016

    • 著者名/発表者名
      小林正治,チャン キュンミン,上山 望,平本俊郎
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] サブ0.2Vの高エネルギー効率動作に向けた強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETにおけるゲートスタックのスケーラビリティ2016

    • 著者名/発表者名
      Jang Kyungmin,更屋拓哉,小林正治,平本 俊郎
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18085
  • [学会発表] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるドレイン電圧に起因する特性ばらつき2016

    • 著者名/発表者名
      水谷朋子,竹内 潔,鈴木龍太,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] Increased Drain-Induced Variability and Within-Device Variability in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm2016

    • 著者名/発表者名
      Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおける量子閉じ込め効果によるしきい値電圧および電流ばらつき2015

    • 著者名/発表者名
      水谷朋子,棚橋裕麻,鈴木龍太,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき2015

    • 著者名/発表者名
      水谷朋子,棚橋裕麻,鈴木龍太,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      熊本市民会館崇城大学ホール(熊本県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] Characteristics of Silicon Nanowire Transistors for Integration with Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors2015

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto
    • 学会等名
      Sweden-Japan QNANO Workshop
    • 発表場所
      Hindas, Sweden
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] Threshold Voltage and Current Variability of Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm2015

    • 著者名/発表者名
      T. Mizutani, Y. Tanahashi, R. Suzuki, T. Saraya, M. Kobayashi, and T. Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H02247
  • [学会発表] 浮遊ゲートを有する室温動作シリコン単電子トランジスタにおけるクーロンブロッケード振動のピーク位置制御2014

    • 著者名/発表者名
      棚橋裕麻,鈴木龍太,更屋拓哉,平本俊郎
    • 学会等名
      2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Ultra-Low Voltage (0.1V) Operation of Vth Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell2014

    • 著者名/発表者名
      Akitsugu Ueda, Seung-Min Jung, Tomoko Mizutani, Anil Kumar, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      VLSI Symposium on Technology
    • 発表場所
      Honolulu, HI. USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25630135
  • [学会発表] Ultra-Low Voltage (0.1V) Operation of Vth Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell2014

    • 著者名/発表者名
      Akitsugu Ueda, Seung-Min Jung, Tomoko Mizutani, Anil Kumar, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      VLSI Symposium on Technology
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA
    • 年月日
      2014-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25630135
  • [学会発表] Peak Position Control of Coulomb Oscillations in Silicon Single-Electron Transistors with Floating Gate Operating at Room Temperature2013

    • 著者名/発表者名
      Yuma Tanahashi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Integration of Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors and CMOS Circuits for Novel Information Processing2013

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Ryota Suzuki, and Takuya Saraya
    • 学会等名
      9th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC9)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2013-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] 室温動作単電子トランジスタとCMOS 1-bitアナログセレクタの集積化2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコンデバイス・材料(SDM)研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Integration of Room-Temperature Operating Single-Electron Transistors with CMOS Circuits2013

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Ryota Suzuki, and Takuya Saraya
    • 学会等名
      Sweden-Japan Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics (QNANO2013)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] 単電子トランジスタとCMOS回路の集積化に関する研究2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎
    • 学会等名
      固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] 室温動作シリコン単電子トランジスタとCMOSアナログセレクタ回路の集積化2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎
    • 学会等名
      2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Reinvestigation of Dot Formation Mechanisms in Silicon Nanowire Channel Single-Electron/Hole Transistors Operating at Room Temperature2012

    • 著者名/発表者名
      Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu, HI. USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Integration of 1-bit CMOS Address Decoders and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2012

    • 著者名/発表者名
      Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] シリコンナノワイヤチャネルを有する室温動作単電子/単正孔トランジスタにおけるドット形成メカニズム2012

    • 著者名/発表者名
      鈴木龍太,野末喬城,更屋拓哉,平本俊郎
    • 学会等名
      2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Fully CMOS-Compatible Fabrication Process of Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors2012

    • 著者名/発表者名
      Ryota Suzuki, Motoki Nozue, Takuya Saraya, and Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      8th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC8)
    • 発表場所
      Tsukuba
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23246064
  • [学会発表] Statistical Comparison of Random Telegraph Noise (RTN) in Bulk and Fully Depleted SOI MOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      J.Nishimura, T.Saraya, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Ultimate Integration of Silicon (ULIS)
    • 発表場所
      Cork, Ireland
    • 年月日
      2011-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Measurements and characterization of statistical variability2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto
    • 学会等名
      Workshop on Simulation and Characterization of Statistical CMOS Variability and Reliability, The International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    • 発表場所
      Royal Hotel Carlton, Bologna, Italy
    • 年月日
      2010-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Suppression of DIBL and Current-Onset Voltage Variability in Intrinsic Channnel Fully Depleted SOI MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International SOI Conference
    • 発表場所
      米国・サンディエゴ
    • 年月日
      2010-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Effect of Back Bias on Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto, T.Saraya, C.Lee
    • 学会等名
      International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
    • 発表場所
      Tokyo Institute of Technology
    • 年月日
      2010-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Simultaneously improvement of Write and Static Noise Margins in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique2010

    • 著者名/発表者名
      M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Workshop "The Fruits of Variability Research in Europe", Design, Automation & Test in Europe (DATE)
    • 発表場所
      International Congress Centre in Dresden, Dresden, Germany
    • 年月日
      2010-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Variability research : accomplishments and future directions-a Japanese perspective2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto
    • 学会等名
      Workshop "The Fruits of Variability Research in Europe", Design, Automation & Test in Europe (DATE)
    • 発表場所
      International Congress Centre in Dresden, Dresden, Germany
    • 年月日
      2010-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Silicon Nanowire FETs and Single-Electron/Hole Transistors under Uniaxial Strain at Room Temperature2009

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Jiezhi Chen, YeonJoo Jeong, Takuya Saraya (Invited)
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (NTT2009) (p. 99)
    • 発表場所
      NTT Atsugi R&C Center, Kanagawa
    • 年月日
      2009-01-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Silicon Nanowire Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      International Semiconductor Technology Conference and China Semiconductor Technology International Conference (ISTC/CSTIC 2009) (p. 56)
    • 発表場所
      Sheraton Shanghai. Shanghai, China
    • 年月日
      2009-03-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nanowire FETs and Single-Electron/Hole Transistors under Uniaxial Strain at Room Temperature2009

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Jiezhi Chen, Yeon Joo Jeong, Takuya Saraya (Invited)
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and, Technology (NTT2009)
    • 発表場所
      厚木
    • 年月日
      2009-01-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Vth Dependence of Vth Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs with Ultra-Thin BOX2009

    • 著者名/発表者名
      C.Lee, A.T.Putra, K.Shimizu, T.Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Impact of Lateral Dopant Profile on Threshold Voltage Variability in Scaled MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      I.Yamato, A.T.Putra, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop, pp.35-36
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2009-06-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] A New Methodology for Evaluating VT Variability Considering Dopant Depth Profile2009

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, T.Tsunomura, A.Nishida, S.Kamohara, K.Takeuchi, S.Inaba, K.Terada, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology, pp.116-117
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2009-06-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Transport in Silicon Nanowire Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      International Semiconductor Technology Conference and China Semiconductor Technology International Conference (ISTC/CSTIC 2009)
    • 発表場所
      中国上海
    • 年月日
      2009-03-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Anomalous Back-Bias Dependence of Threshold Voltage Variability in NMOSFETs Due to High Concentration Regions near Source and Drain2009

    • 著者名/発表者名
      I.Yamato, T.Mama, T.Tsunomura, A.Nishida, T.Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), WP5-04
    • 発表場所
      University of Maryland, MD, USA
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Improvement of Static Noise Margin in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique2009

    • 著者名/発表者名
      M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), TP7-03
    • 発表場所
      University of Maryland, MD, USA
    • 年月日
      2009-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Post-Fabrication Self-Convergence Scheme for Suppressing Variability in SRAM Cells and Logic Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M.Suzuki, T.Saraya, K.Shimizu, T.Sakurai, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology, pp.148-149
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2009-06-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Evolutionary Trend of Silicon Nanoelectronics and Beyond CMOS Devices2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      Dry Process Symposium (DPS 2008) (pp. 109 - 110)
    • 発表場所
      Kokuyo Hall (Tokyo)
    • 年月日
      2008-11-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Fixed Charge at MOSFETs' SiO2/Si Interface on Vth Variation2008

    • 著者名/発表者名
      A.T. Putra, T. Tsunomura, A. Nishida, S. Kamohara, K. Takeuchi, and T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes
    • 発表場所
      神奈川県箱根町
    • 年月日
      2008-04-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Nanowire Channel Nanocrystal Memory with P-Doped Silicon Nanocrystals2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Yuji Takahashi, Kousuke Miyaji, Takuya Saraya
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2008-10-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Hole Mobility Enhancement by [110] Uniaxial Compressive Strain in (110) Oriented Ultra-Thin Body pFETs with SOI Thickness of Less Than 4nm2008

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ハワイ
    • 年月日
      2008-06-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      MRS International Material Research Conference
    • 発表場所
      中国
    • 年月日
      2008-06-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Hole Mobility Enhancement by [110] Uniaxial Compressive Strain in (110) Oriented Ultra-Thin Body pFETs with SOI Thickness of Less Than 4 nm2008

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon NanoelectronicsWorkshop, SI 135.
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, HI, USA
    • 年月日
      2008-06-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Advanced Ultra-Thin-Body SOI and Silicon Nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Gen Tsutsui, Masaharu Kobayashi, Ken Shimizu
    • 学会等名
      International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society- (pp. 539 - 544)
    • 発表場所
      University of Tokyo
    • 年月日
      2008-03-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Electron Mobility in Multiple Silicon Nanowires GAA nMOSFETs on (110) and (100) SOI at Room and Low Temperature2008

    • 著者名/発表者名
      Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 757 - 760)
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 年月日
      2008-12-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Atomic Oxide Roughness and Local Gate Depletion on Vth Variation in MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, T.Tsunomura, A.Nishida , S.Kamohara, K.Takeuchi, T.Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, S1205
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, HI, USA
    • 年月日
      2008-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Electron Mobility in Multiple Silicon Nanowires GAA nMOSFETs on (110) and (100) SOI at Room and Low Temperature2008

    • 著者名/発表者名
      Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国サンフランシスコ
    • 年月日
      2008-12-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility and Variability in Silicon Nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi, Jiezhi Chen (Invited)
    • 学会等名
      14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2008) (p. 192)
    • 発表場所
      Korea, Ramada Plaza Jeju Hotel. Jeju
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study of Mobility in [110]- and[100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI2008

    • 著者名/発表者名
      Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology
    • 発表場所
      米国ハワイ
    • 年月日
      2008-06-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Nanowire Channel Nanocrystal Memory with P-Doped Silicon Nanocrystals2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Yuji Takahashi, Kousuke Miyaji, Takuya Saraya
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (p. 57)
    • 発表場所
      Kyoto University
    • 年月日
      2008-10-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature2008

    • 著者名/発表者名
      Yeon Joo Jeong, Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国サンフランシスコ
    • 年月日
      2008-12-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Characterization of CMOS Variability Utilizing 1M-DMA and Takeuchi Plot2008

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto
    • 学会等名
      Workshop on Test Structure Design for Variability Characterization
    • 発表場所
      DoulbleTree Hotel, San Jose, CA, USA
    • 年月日
      2008-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Measuring and Understanding Device Variability2008

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto
    • 学会等名
      ESSDER/ ESSIRC Variability Workshop
    • 発表場所
      Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh, UK
    • 年月日
      2008-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si (110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 67 - 70)
    • 発表場所
      San Francisco. CA, USA
    • 年月日
      2008-12-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Fixed Charge at MOSFETs' SiO2/Si Interface on Vth Variation2008

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, T.Tsunomura, A.Nishida, S.Kamohara, K.Takeuchi, T.Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISPAD)
    • 発表場所
      Hakone Prince Hotel, Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2008-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Experimental Study on Silicon Nanowire nMOSFET and Single-Electron Transistor at Room Temperature under Uniaxial Tensile Strain2008

    • 著者名/発表者名
      Yeon Joo Jeong, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ハワイ
    • 年月日
      2008-06-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Investigation on the Origin of Direction Dependence of Si (110) Hole Mobility Utilizing Ultra-Thin Body pMOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国サンフランシスコ
    • 年月日
      2008-12-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study of Mobility in [110]- and [100]-Directed Multiple Silicon Nanowire GAA MOSFETs on (100) SOI2008

    • 著者名/発表者名
      Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Kousuke Miyaji, Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology (pp. 32 - 33)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village. HI. USA
    • 年月日
      2008-06-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study on Silicon Nanowire nMOSFET and Single-Electron Transistor at Room Temperature under Uniaxial Tensile Strain2008

    • 著者名/発表者名
      Yeon Joo Jeong, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, M0930
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village. HI, USA
    • 年月日
      2008-06-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility and Variability in Silicon Nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto, M.Kobayashi, J.Chen
    • 学会等名
      14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2008), p.192
    • 発表場所
      Korea, Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju
    • 年月日
      2008-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Silicon Nanoelectronics2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      MRS International Material Research Conference, Symposium D: Electronic Materials (p. 140)
    • 発表場所
      Chongqing International Convention & Exhibition Center, Chongqing, China
    • 年月日
      2008-06-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Uniaxial Strain Effects on Silicon Nanowire pMOSFET and Single-Hole Transistor at Room Temperature2008

    • 著者名/発表者名
      YeonJoo Jeong, Jiezhi Chen, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 761 - 764)
    • 発表場所
      San Francisco, CA. USA
    • 年月日
      2008-12-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Advanced Ultra-Thin-Body SOI and Silicon Nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Gen Tsutsui, Masaharu Kobayashi, Ken Shimizu
    • 学会等名
      Interntional Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2008-03-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Evolutionary Trend of Silicon Nanoelectronics and Beyond CMOS Devices2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      Dry Process Symposium (DPS 2008)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2008-11-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility and variability in Silicon Nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi, Jiezhi Chen (Invited)
    • 学会等名
      14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2008)
    • 発表場所
      韓国
    • 年月日
      2008-08-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Novel Long-Range-Extension of Coulomb Blockade Region in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      S. Lee, K. Miyaji, M. Kobayashi, T. Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-06-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Single-Electron Transistor operating at Room Temperature2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro, Hiramoto
    • 学会等名
      The 1st NNL-IIS Workshop on Nanotechnology, Institute of Industrial Science
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-05-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Local Poly-Si Gate Depletion on Vth Variation in Nanoscale MOSFETs Investigated by 3D Device Simulation2007

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, A.Nishida, S.Kamohara, T.Tsunomura, T.Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), WP8-03
    • 発表場所
      University of Maryland, MD, USA
    • 年月日
      2007-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Robust Design of Transistors : Present Status and Measures to Characteristic Variations2007

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto
    • 学会等名
      2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2007), pp.5-8
    • 発表場所
      Commodore Hotel Gyeongju Chosun, Korea
    • 年月日
      2007-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Nanoscale Silicon Devices Using Nanostructure Physics for VLSI Applications2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      Fifth Hiroshima International Workshop on Nanoelectronics for Tera-Bit Information Processing
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-01-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Characteristics Variation in Silicon Nanowire Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masanaru Kobayashi
    • 学会等名
      3rd International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Brussels. Belgium
    • 年月日
      2007-04-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Silicon Nanowire and Single-Electron Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISPAD) (pp. 209-215)
    • 発表場所
      Vienna University of Technology, Vienna, Austria
    • 年月日
      2007-09-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Characteristics Variation in Silicon Nanowire Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro, Hiramoto, Masanaru Kobayashi
    • 学会等名
      3rd International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      ベルギー
    • 年月日
      2007-04-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Ultra-Thin-Body SOI and Silicon Nanowire MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Gen Tsutsui, Ken Shimizu, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
    • 発表場所
      米国メリーランド
    • 年月日
      2007-12-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Suppression of Electron Mobility Degradation in (100)-Oriented Double-Gate Ultra-Thin Body nMOSFETs with SOI Thickness of Less Than 2 nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International SOI Conference, Miramonte Resort & Spa (pp. 145 - 146)
    • 発表場所
      Indian Wells, CA, USA
    • 年月日
      2007-10-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Enhancement in Uniaxially Strained (110) oriented Ultra-Thin Body Single- and Double-Gate MOSFETs with SOI Thickness of less than 4 nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 715 - 718)
    • 発表場所
      Washington Hilton, Washington D. C, USA
    • 年月日
      2007-12-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] FinFETs with Both Large Body Factor and High Drive-Current2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takahashi, A.T.Putra, T.Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), WP9-01-11
    • 発表場所
      University of Maryland, MD, USA
    • 年月日
      2007-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Silicon Single-Electron Transistor Operating at Room Temperature2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      The 1st NNL-IIS Workshop on Nanotechnology (p. 10)
    • 発表場所
      Institute of Industrial Science, University of Tokyo
    • 年月日
      2007-05-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Enhancement in Uniaxially Strained (110) oriented Ultra-Thin Body Single- and Double-Gate MOSFETs with SOI Thickness of less than 4 nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国ワシントンDC
    • 年月日
      2007-12-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Silicon Nanowire and Single-Electron Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi (invited)
    • 学会等名
      International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISPAD)
    • 発表場所
      オーストリア
    • 年月日
      2007-09-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Ultrathin SOI MOSFETs and Silicon Nanowire Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      The Electrochemical Society (ECS) Fall Meeting, Symposium on ULSI Integration 5
    • 発表場所
      Washington Hilton. Washington D. C, USA
    • 年月日
      2007-10-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Body Factor and Leakage Current Reduction in Bulk FinFETs2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takahashi, T.Ohtou, A.T.Putra, K.Shimizu, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop, pp.95-97
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto
    • 年月日
      2007-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Silicon VLSI Device Technology and Nanoe 1 ectron i cs2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Plenary)
    • 学会等名
      20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) (p. 6 - 7)
    • 発表場所
      Kyoto International Conference Center
    • 年月日
      2007-11-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Degradation 'in (HO)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (pp. 732-733)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Ultra-Thin-Body SOI and Silicon Nanowire MOSFRTs (TA6-02)2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Gen Tsutsui, Ken Shimizu, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)
    • 発表場所
      University of Maryland. College Park, MD, USA
    • 年月日
      2007-12-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      筑波
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Novel Long-Range-Extension of Coulomb Blockade Region in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      S. Lee, K. Miyaji, M. Kobayashi, T. Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Nanoscale Silicon Devices Using Nanostructure Physics for VLSI Applications2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      Fifth Hiroshima International Workshop on Nanoelectronics for Tera-Bit Information Processing (pp. 32 - 35)
    • 発表場所
      Campus Innovation Center (Tokyo)
    • 年月日
      2007-01-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Suppression of Electron Mobility Degradation in (100)-Oriented Double-Gate Ultra-Thin Body nMOSFETs with SOI Thickness of Less Than 2 nm2007

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International SOI Conference
    • 発表場所
      米国インディアンウェルズ
    • 年月日
      2007-10-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Random Vth Variation Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, A.Nishida, S.Kamohara, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop, pp.73-74
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto
    • 年月日
      2007-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Silicon VLSI Device Technology and Nanoelectronics2007

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Plenary)
    • 学会等名
      20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-11-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Novel Long-Range-Extension of Coulomb Blockade Region in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      S. Lee, K. Miyaji, M. Kobayashi, T. Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 115 - 116)
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto
    • 年月日
      2007-06-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Transport in Ultrathin SOI MOSFETs and Silicon Nanowire Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      The Electrochemical Society (ECS) Fall Meeting
    • 発表場所
      米国ワシントンDC
    • 年月日
      2007-10-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Characteristics Variation in Silicon Nanowire Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto, M.Kobayashi
    • 学会等名
      3rd International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Brussels, Bergium
    • 年月日
      2007-04-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Room Temperature Demonstration of Variable Full Width at Half Maximum of Coulomb Oscillation in Silicon Single-Hole Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (pp. 836 - 837)
    • 発表場所
      Pacificko Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study on Quantum Structure of Silicon Nano Wire and Its Impact on Nano Wire MOSFET and Single-Electron Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      Masaharu, Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国サンフランシスコ
    • 年月日
      2006-12-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Enhancement in (110)-Oriented Ulta-Thin-Body Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Saraya
    • 学会等名
      International Workshop on Nano CMOS
    • 発表場所
      静岡
    • 年月日
      2006-01-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-Directed (110)-Oriented pMOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      K. Shimizu, G. Tsutsui, D. Januar. T. Saraya, T. Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 11-12)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Demonstrations of Superior Characteristics of Variable Body-Factor (γ) Fully-Depleted SOI MOSFETs with Extremely Thin BOX of 10nm2006

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, T.Saraya, K.Shimokawa, Y.Doumae, Y.Nagatomo, J.Ida, T.Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp.877-880
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 年月日
      2006-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Integrated single-electron transistor circuits on SOI basis2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiro, Hiramoto, (Invited)
    • 学会等名
      NATO Advanced Research Workshop "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices"
    • 発表場所
      ウクライナ
    • 年月日
      2006-10-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Enhancement in (110)-Oriented Ulta-Thin-Body Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, G. Tsutsui, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Saraya
    • 学会等名
      International Workshop on Nano CMOS (pp. 14-15)
    • 発表場所
      Toray Sougou Kensyu Center, Mishima, Shizuoka
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Charge Polarity Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Charge Transistors2006

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaii, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2006-09-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Multi-Gate MOSFETs with Back-Gate Control2006

    • 著者名/発表者名
      T.Hiramoto, T.Nagumo
    • 学会等名
      2006 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology (ICICDT), pp.80-81
    • 発表場所
      Padova University, Padova, Italy
    • 年月日
      2006-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Critical Substrate Bias in Variable-Threshold Voltage CMOS with Short Channel FD SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      A.T.Putra, T.Ohtou, T.Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, pp.159-160
    • 発表場所
      Honolulu, HI, USA
    • 年月日
      2006-06-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Experimental Study on Quantum Structure of Silicon Nano Wire and Its Impact on Nano Wire MOSFET and Single-Electron Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 1007 - 1009)
    • 発表場所
      San Francisco. CA, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study on Quantum Structure of Silicon Nano Wire and Its Impact on Nano Wire MOSFET and Single-Electron Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      M.Kobayashi, T.Hiramoto
    • 学会等名
      Technical Digests of IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp.1007-1009
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 年月日
      2006-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Integrated single-electron transistor circuits on SOI basis2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      NATO Advanced Research Workshop "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices" (pp. 93 - 94)
    • 発表場所
      Sudak, Crimea, Ukraine
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in <100>-Directed (110)-Oriented pMOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      K. Shimizu, G. Tsutsui, D. Januar, T. Saraya, T. Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ホノルル
    • 年月日
      2006-06-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Charge Polarity Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Charge Transistors2006

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (pp. 806 - 807)
    • 発表場所
      Pacificko Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Parameter Variations and Random Dopant Fluctuations on Short-Channel Fully-Depleted SOI MOSFETs with Extremely Thin BOX2006

    • 著者名/発表者名
      T.Ohtou, N.Sugii, T.Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, pp.15-16
    • 発表場所
      Honolulu, HI, USA
    • 年月日
      2006-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063006
  • [学会発表] Experimental Study on Mobility Universality in (100) Ultra Thin Body nMOSFET with SOI Thickness of 5nm"2006

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      2006 IEEE International SOI Conference
    • 発表場所
      米国ニューヨーク
    • 年月日
      2006-10-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room-temperature operating Silicon Single-Electron/Hole Transistors and Their Modeling2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masumi Saitoh, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      IEEE Conference on Emerging Technologies -Nanoelectronics (NanoSingapore 2006)
    • 発表場所
      シンガポール
    • 年月日
      2006-01-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Experimental Study on Mobility Universality in (100) Ultra Thin Body nMOSFET with SOI Thickness of 5nm2006

    • 著者名/発表者名
      Ken Shimizu, Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      2006 IEEE International SOI Conference (pp. 159-160)
    • 発表場所
      Niagara Falls, NY, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room-temperature Operating Silicon Single-Electron/Hole Transistors and Their Modeling2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masumi Saitoh, Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi (Invited)
    • 学会等名
      IEEE Conference on Emerging Technologies - Nanoelectronics (NanoSingapore 2006) (pp. 324 - 326)
    • 発表場所
      Meritus Mandarin Singapore, Singapore
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room Temperature Demonstration of Variable Full Width at Half Maximum of Coulomb Oscillation in Silicon Single-Hole Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      Kousuke, Miyaji, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2006-09-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Large Temperature Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron/Single-Hole Transistor (TP3-O3)2005

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium
    • 発表場所
      Bethesda. MD. USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Emerging Devices for Post-Classical CMOS - from Memory, Logic to Architectures2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Plenary)
    • 学会等名
      2005 International Symposium on VLSI Technology (VLSI-TSA-TECH)
    • 発表場所
      台湾
    • 年月日
      2005-04-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2005-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels2005

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2005-06-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Superior Mobility Characteristics in (110)-Oriented Ultra Thin Body pMOSFETs with SOI Thickness less than 6 nm2005

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2005-06-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Room-Temperature Operating Silicon Single Electron/Hole Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto
    • 学会等名
      JSPS-AF Nano Science and Nano Technology Workshop
    • 発表場所
      JSPS Head Office, Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Non-Classical and Nanoscale Silicon Devices for Future VLSI Applications2005

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masumi Saitoh, Gen Tsutsui, Toshiharu Nagumo, Tetsu Ohtou
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Electronics for Future Generations-"Secure-Li fe Electronics'" for Quality Life and Society - (pp. 87 - 91)
    • 発表場所
      University of Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Emerging Devices for Post-Classical CMOS -from Memory, Logic to Architectures2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Plenary)
    • 学会等名
      2005 International Symposium on VLSI Technology (VLSI-TSA-TECH) (pp. 1 -4)
    • 発表場所
      Ambassador Hotel, Hsinchu. Taiwan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nano Devices : Taking Full Advantage of Physics in Silicon Nanostructures2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      First International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC1)
    • 発表場所
      米国サンフランシスコ
    • 年月日
      2005-06-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain2005

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2005-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Enhancement due to Volume Inversion in (110)-oriented Ultra-thin Body Double-gate nMOSFETs with Body Thickness less than 5 nm2005

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Takuya Saraya, Toshiharu Nagumo, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国ワシントン
    • 年月日
      2005-12-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nano Devices: Taking Full Advantage of Physics in Silicon Nanostructures2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      First International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC1)
    • 発表場所
      Marriott Hotel, San Francisco, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (pp. 164 - 165)
    • 発表場所
      International Conference Center Kobe, Hyogo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Silicon Single Hole Transistors Operating at Room Temperature2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, M. Saitoh
    • 学会等名
      International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals, (ISQDPC) (p. 10)
    • 発表場所
      Toranomon Pastoral. Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Large Temperature Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron/Single-Hole Transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Masaharu Kobayashi, Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium
    • 発表場所
      米国ベセスダ
    • 年月日
      2005-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels2005

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 82 - 83)
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] FinFETType Silicon Nanocrystal Memories with Ultranarrow Channel2005

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Yanagidaira, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 100 - 101)
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Room-Temperature Operating Silicon Single Electron/Hole Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto
    • 学会等名
      2005 Sweden - Japan International Workshopon Quantum Nano-Physics and Electronics (p. 22)
    • 発表場所
      Campus Plaza, Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nanocrystal Memories and Single Electron Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) (pp. 24 - 25)
    • 発表場所
      Awaji Island. Hyogo. Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Silicon Single Hole Transistors Operating at Room Temperature2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, M. Saitoh
    • 学会等名
      International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals, (ISQDPC)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2005-03-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] FinFET-Type Silicon Nanocrystal Memories with Ultranarrow Channel2005

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Yanagidaira, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2005-06-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Room-Temperature Operating Silicon Single Electron/Hole Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto
    • 学会等名
      JSPS-AF Nano Science and Nano Technology Workshop
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2005-05-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Superior Mobility Characteristics in (110)-Oriented Ultra Thin Body pMOSFETs with SOI Thickness less than 6nm2005

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology (pp. 76 - 77)
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Increase in High-Ns Region in (110)-Oriented UTB pMOSFET Through Surface Roughness Improvement2005

    • 著者名/発表者名
      Doni Januar, Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      神戸
    • 年月日
      2005-09-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Enhancement due to Volume Inversion in (110)-oriented Ultra-thin Body Double-gate nMOSFETs with Body Thickness less than 5 nm2005

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Takuya Saraya, Toshiharu Nagumo, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting (1EDM) (pp. 747-750)
    • 発表場所
      Washington D. C., USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nanocrystal Memories and Single Electron Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)
    • 発表場所
      淡路島
    • 年月日
      2005-05-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Mobility Increase in High-Ns Region in (110)-Oriented UTB pMOSFET Through Surface Roughness Improvement2005

    • 著者名/発表者名
      Doni Januar, Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (pp. 264 - 265)
    • 発表場所
      International Conference Center Kobe, Hyogo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nano Devices -Nano-CMOS and Single-Electron Transistors-2005

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Symposium on Quantum Dots and Nanoelectronics
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2005-11-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Room-Temperature Operating Silicon Single Electron/Hole Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      2005 Sweden-Japan International Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2005-04-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Non-Classical and Nanoscale Silicon Devices for Future VLSI Applications2005

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto, Masumi Saitoh, Gen Tsutsui, Toshiharu Nagumo, Tetsu Ohtou
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Electronics for Future Generations-"Secure-Life Electronics"for Quality Life and Society-
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2005-10-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] On the Accuracy of Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels (WP7-07-06)2005

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi, Tetsu Ohtou., Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium
    • 発表場所
      Bethesda, MD. USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Nano Devices -Nano-CMOS and Single-Electron Transistors-2005

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Symposium on Quantum Dots and Nanoelectronics
    • 発表場所
      Tokyo Garden Palace, Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] On the Accuracy of Analytical Model for Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors with Discrete Quantum Energy Levels2005

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Masaharu Kobayashi, Tetsu Ohtou, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Semiconductor Device Research Symposium
    • 発表場所
      米国ベセスダ
    • 年月日
      2005-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain2005

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Miyaji, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (pp. 166 - 167)
    • 発表場所
      International Conference Center Kobe, Hyogo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room-Temperature Demonstration of Integrated Silicon Single-Electron Transistor Circuits for Current Switching and Analog Pattern Matching2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Hidehiro Harata, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      米国サンフランシスコ
    • 年月日
      2004-12-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Silicon Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, M. Saitoh, H. Harata, T. Sakurai
    • 学会等名
      Frontiers in Nanoscale Science and Technology
    • 発表場所
      米国ボストン
    • 年月日
      2004-10-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Circuit Applications of Silicon Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, M. Saitoh, H. Harata, T. Sakurai
    • 学会等名
      Frontiers in Nanoscale Science and Technology
    • 発表場所
      Harvard University, Boston, MA, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Performance Improvements in Silicon Nanocrystal Memories with Ultra-Thin-Body Double-Gate Structure2004

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Yanagidaira, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ホノルル
    • 年月日
      2004-06-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and FD SOI MOSFETs2004

    • 著者名/発表者名
      K. Miyaji, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (pp. 236 - 237)
    • 発表場所
      Tower Hall Funabori, Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Drain Induced Barrier Lowering on Read Scheme in Silicon Nanocrystal Memory with Two-Bit-per-Cell Operation2004

    • 著者名/発表者名
      S. Park, H. Im, I. Kim, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (pp. 610 - 611)
    • 発表場所
      Tower Hall Funabori, Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Large Threshold Voltage Shift and Narrow Threshold Voltage Distribution in Ultra Thin Body Silicon Nanocrystal Memories2004

    • 著者名/発表者名
      K. Yanagidaira, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (pp. 130 - 131)
    • 発表場所
      Tower Hall Funabori, Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of SOI Thickness Fluctuation on Threshold Voltage Variation in Ultra Thin Body SOI MOSFETs2004

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Toshiharu Nagumo, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ホノルル
    • 年月日
      2004-06-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Single-Hole Transistor with Large Coulomb Blockade Oscillations and High Voltage Gain at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      Hidehiro Harata, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 81- 82)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village. Honolulu, HI, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room Temperature Demonstration of Low-Voltage Static Memory Based on Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistors2004

    • 著者名/発表者名
      M. Saitoh, H. Harata, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (pp. 124 - 125)
    • 発表場所
      Tower Hall Funabori, Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] High Functionality in Room-Temperature Operating Single-Electron Transistors and Silicon Nanocrystal Memories2004

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2004) (p. 15)
    • 発表場所
      The University of Queensland, Brisbane, Australia
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Silicon Single-Hole Transistor with Large Coulomb Blockade Oscillations and High Voltage Gain at Room Temperature2004

    • 著者名/発表者名
      Hidehiro Harata, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ホノルル
    • 年月日
      2004-06-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Si Nanoelectronics - Single-Electron Transistors and Other Nano Devices -2004

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Symposium on Frontier of Nanometer Electronics and Optoelectronics
    • 発表場所
      National Chiao Tung University, Taiwan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Si Nanoelectronics - Single-Electron Transistors and Other Nano Devices-2004

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Symposium on Frontier of Nanometer Electronics and Optoelectronics
    • 発表場所
      台湾
    • 年月日
      2004-12-03
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room Temperature Demonstration of Low-Voltage Static Memory Based on Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistors2004

    • 著者名/発表者名
      M. Saitoh, H. Harata, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2004-09-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Integration and Performance Improvements of Silicon Nanocrystal Memories2004

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, I. Kim, M. Saitoh, K. Yanagidaira (Invited)
    • 学会等名
      Material Research Symposium
    • 発表場所
      米国ボストン
    • 年月日
      2004-11-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] High Functionality in Room-Temperature Operating Single-Electron Transistors and Silicon Nanocrystal Memories2004

    • 著者名/発表者名
      Toshiro Hiramoto (Invited)
    • 学会等名
      Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD2004)
    • 発表場所
      オーストラリア
    • 年月日
      2004-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Performance Improvements in Silicon Nanocrystal Memories with Ultra-Thin-Body Double-Gate Structure2004

    • 著者名/発表者名
      Kousuke Yanagidaira, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      (pp. 141-142)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village. Honolulu. HI. USA.
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of SOI Thickness Fluctuation on Threshold Voltage Variation in Ultra Thin Body SOI MOSFETs2004

    • 著者名/発表者名
      Gen Tsutsui, Masumi Saitoh, Toshiharu Nagumo, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 25 - 26)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu. HI, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Large Threshold Voltage Shift and Narrow Threshold Voltage Distribution in Ultra Thin Body Silicon Nanocrystal Memories2004

    • 著者名/発表者名
      K. Yanagidaira, M. Saitoh, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2004-09-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Integration and Performance Improvements of Silicon Nanocrystal Memories2004

    • 著者名/発表者名
      T. Hiramoto, I. Kim, M. Saitoh, K. Yanagidaira (Invited)
    • 学会等名
      Symposium D "Materials and Processes for Nonvolatile Memories", Material Research Symposium ( p. 81)
    • 発表場所
      Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, MA, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Impact of Drain Induced Barrier Lowering on Read Scheme in Silicon Nanocrystal Memory with Two-Bit-per-Cell Operation2004

    • 著者名/発表者名
      S. Park, H. Im, I. Kim, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2004-09-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Channel Width and Length Dependence in Si Nano-Crystal Memories with Ultra Nano-Scale Channel2004

    • 著者名/発表者名
      Julien Brault, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (pp. 103 - 104)
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village. Honolulu, HI, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and FD SOI MOSFETs2004

    • 著者名/発表者名
      K. Miyaji, M. Saitoh, T. Nagumo, T. Hiramoto
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2004-09-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Channel Width and Length Dependence in Si Nano-Crystal Memories with Ultra Nano-Scale Channel2004

    • 著者名/発表者名
      Julien Brault, Masumi Saitoh, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      米国ホノルル
    • 年月日
      2004-06-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • [学会発表] Room-Temperature Demonstration of Integrated Silicon Single-Electron Transistor Circuits for Current Switching and Analog Pattern Matching2004

    • 著者名/発表者名
      Masumi Saitoh, Hidehiro Harata, Toshiro Hiramoto
    • 学会等名
      IEEE Electron Devices Meeting (IEDM) (pp. 187 - 190)
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201029
  • 1.  更屋 拓哉 (90334367)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 44件
  • 2.  平川 一彦 (10183097)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  藤田 博之 (90134642)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  桜井 貴康 (90282590)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 2件
  • 5.  榊 裕之 (90013226)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  斎藤 敏夫 (90170513)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  小林 正治 (40740147)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 20件
  • 8.  荒川 泰彦 (30134638)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  安藤 恒也 (90011725)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  高木 信一 (30372402)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  益 一哉 (20157192)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  宮崎 誠一 (70190759)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  藤島 実 (60251352)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  池田 隆英
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  財満 鎭明 (70158947)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  堀 勝 (80242824)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  田畑 仁 (00263319)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  三浦 登 (70010949)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  浜口 智尋 (40029004)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  増沢 隆久 (60013215)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  橋本 秀樹 (30183908)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  原島 文雄 (60013116)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  藤野 正俊 (90242130)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  年吉 洋 (50282603)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  鳳 紘一郎 (60211538)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  柴田 直 (00187402)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  古屋 一仁 (40092572)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  奥村 次徳 (00117699)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  蒲生 健次 (70029445)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  石原 宏 (60016657)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  ファーソル G (10251472)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  川勝 英樹 (30224728)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  川口 博 (00361642)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  棚本 哲史 (80393875)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  大野 圭司 (00302802)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  PORTE Henri
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  DUCROQUET Fr
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  PLANA Robert
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  CAMON Henri
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  MOLLIER Pasc
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  MINOTTI Part
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  GORECKI Chri
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  PIERALLI Chr
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 44.  HAESE Nahtal
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  ROLLAND Paul
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 46.  HOUDEN Danie
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 47.  生駒 俊明
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 48.  THORNTON T.J
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 49.  JOYCE B.A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 50.  JOYCE B.A
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 51.  GREEN M
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 52.  STRADLING R.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 53.  EAVES L
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 54.  BARKER J.R
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 55.  AHMED H
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 56.  DECARPIGNY J
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 57.  GAGNEPAIN Je
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 58.  DECARPIGNY Jean-Noel
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 59.  GAGNEPAIN Jean-Jaeques
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 60.  HAUDEN Danie
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 61.  JEANーJAEQUES ガニュパン
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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