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吉本 昌広  Yoshimoto Masahiro

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

吉本 昌宏  YOSHIMOTO Masahiro

吉本 昌弘  ヨシモト マサヒロ

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研究者番号 20210776
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 京都工芸繊維大学, その他部局等, 学長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度: 京都工芸繊維大学, その他部局等, 理事・副学長
2016年度 – 2017年度: 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 教授
2007年度 – 2014年度: 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授
2004年度 – 2006年度: 京都工芸繊維大学, 地域共同研究センター, 教授
2003年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 … もっと見る
1997年度 – 2000年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授
1995年度 – 1996年度: 京都大学, 工学研究科, 講師
1988年度 – 1993年度: 京都大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 結晶工学 / 表面界面物性 / 電子材料工学
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物性 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学 / 物理系 … もっと見る / 応用物理学一般 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / エネルギー学一般・原始力学 隠す
キーワード
研究代表者
結晶成長 / 分子線エピタキシー / レーザダイオード / 半金属半導体合金 / 半金属 / III-V族半導体 / ビスマス / 電子・電気材料 / 超格子 / 光物性 … もっと見る / 半導体物性 / シリコン / 窒化シリコン / 半導体 / molecular beam epitaxy / silicon nitride / X-ray photoemission spectroscopy / band-offset / crystal growth / silicon / heterojunction / indium nitride / 窒化イリジウム / 分子線ユピタキシー / 光電子分光法 / バンドオフセット / ヘテロ接合 / 窒化インジウム / 局在準位 / レーザ / インジウムリン / ホトルミネセンス / 多重量子井戸 / 発光波長温度無依存 / 半導体半金属混晶 / MIS構造 / 界面電気特性 / 時間分解質量分析法 / 選択光励起 / 直接光CVD法 / 量子界面構造 / 表面反応 / 二次イオン質量分析法 / 有機金属分子線エピタキシャル成長法 / 反射高速電子線回折法 / その場観測 / ガリウムリン / 原子層エピタキシャル成長 / レーザ誘起反応 / 高速反射電子線回析 / 有機アミン / 可視発光材料 / 超高真空 / 窒化ガリウム / 有機金属分子線成長法 … もっと見る
研究代表者以外
シリコンカーバイド / 広禁制帯幅半導体 / シリコンカ-バイド / MOSFET / 太陽電池 / 原子層エピタキシ- / pn接合ダイオード / 熱酸化 / イオン注入 / パワーデバイス / silicon carbide / 価電子制御 / 表面超構造 / 格子整合 / シリコン / プラズマの有効長 / プラズマの時定数 / マイクロ波放電 / エチレンの分解 / ECRプラズマ / 複合プラズマ / 表面超格子 / フォトルミネセンス / photoluminescence / Schottky Barrier Diode / pn Junction Diode / Thermal Oxidation / Silicon Carbide / シリコンカーバイド(SiC) / step-flow growth / power device / ステップフロ-成長 / 結晶成長 / 青色発光ダイオード / 原子層エピタキシー / ホローカソード / パルスプロセス / 高効率太陽電池 / エピタキシャル成長 / 反射電子線回折法 / isoelectronic trap / doping / blue LED / 原子ステップ制御 / 気相エピタキシャル法 / 注入効率 / 原子ステップ制御エピタキシ- / 等電子トラップ / ド-ピング / 青色発光ダイオ-ド / superstructure / amorphous silicon carbon / amorphous silicon / tunneling conduction / hot-electron / heterojunction / amorphous semiconductor / 光電子分光法 / 膜内水素 / キャリア輸送過程 / アモルファスシリコンカーボン / 熱電子放出伝導 / 超格子 / 超構造 / アモルファスシリコンカ-ボン / アモルファスシリコン / トンネル伝導 / ホットエレクトロン / 異種接合 / アモルファス半導体 / Waveleneth Division Multinlexing / Molecular Beam Enitaxy / GaNAsBi Alloy / Temnerature-insensitive / Semiconductor Laser / GaNABi結晶 / 波長多重通信 / 波長多重光通信 / 分子線エピタキシャル法 / GaNAsBi混晶 / 温度無依存波長 / 半導体レーザ / circuit simulation / silicon nitride / interference exposure system / optical add-drop multiplexing / grating couplers / optical waveguides / integrated optics / optical interconnects / 波長多重 / 光集積回路 / 回折光学 / 屈折率制御 / 光電子集積回路 / 回路シミュレーション / 窒化シリコン膜 / 干渉露光 / 光アドドロップ / グレーティングカップラ / 光導波路 / 集積光学 / 光インターコネクト / thermal oxidation / ion implantation / pn diode / 不純物ド-ピング / 深い準位 / nano structure / photoluminescence image / piezo actuator / electronic structure / confocal microscope / low temperature / high spatial resolution / 半導体特性マッピング / ピエゾアクチュエータ / 半導体極微構造 / レーザー顕微鏡 / 極微領域電子構造 / 極低温測定 / 極微領域ホトルミネセンス像 / Ion Implantation / Power Device- / Schottkyダイオード / Saturated adsorption / GaP / RHEED / In-situ observation / Photo-induced ALE / Surface reaction / Photo-chemical reaction / MOMBE / III-V族半導体 / 反射電子線回析 / 質量分析 / 光励起プロセス / 反射高速電子線回折法 / 飽和吸着 / ガリウムリン / 反射高速電子回折法 / その場観察 / 光励起原子層エピタキシ- / 表面反応 / 光励起反応 / 有機金属分子線エピタキシ- / Growth Mechanism / Vapor Phase Epitaxy / Power Device / 不純物ドーピング / Schottky障壁ダイオード / 成長機構 / 気相エピタキシ- / polytype control / low-temperature growth / breakdown field / 低温結晶成長 / ポリタイプ制御 / 低温成長 / 絶縁破壊電界 / パワ-デバイス / 積層プラズマ / 窒化シリコン / 表面再結合 / 電位障壁 / キャリア閉じ込め効果 / 長寿命化 / 電子顕微鏡 / 転位 / 格子欠陥 / 劣化 / 信頼性 / 量子ドット / 発光デバイス / ヘテロエピタキシャル成長 / ガスソース分子線 / メチルラジカル / ヘテロエピタキシ- / タンデム型太陽電池 / 有機金属気相成長法 / しきい値イオン化質量分析法 / ガスソース分子線成長法 / メゾスコピック構造 / ステップ制御エピタキシ- / 局在中心 / 反射電子回線折法 / ホロ-カソ-ド / 発光中心 / 活性種 / 水素結合構造 / 赤外吸収分光法 / 光化学反応 / 一定生電流法 / 内部光電子放出法 / 化学的気相堆積法 / 局在準位密度 / 極紫外光 / 光CVD / 非晶質シリコン / 薄膜太陽電池 / 電位井戸 / ヘテロ接合 / 高速反射電子線回折法 / 自己制限機構 / 原子層制御成長 隠す
  • 研究課題

    (35件)
  • 研究成果

    (195件)
  • 共同研究者

    (27人)
  •  ビスマス含有狭バンドギャップ半金属半導体混晶の創製とフォトニックデバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  発振波長が温度に依存しない希釈ビスマスⅢ‐Ⅴ族半導体レーザの実現研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究

    • 研究代表者
      上田 修
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      金沢工業大学
  •  発振波長が温度に依存しないレーザ用希釈ビスマスIII-V族半導体超格子に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  希釈ビスマスIII-V族半金属半導体混晶GaInAsBiの創製と物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  発振波長が温度に依存しないレーザ用GaNAsBi新半導体混晶の研究

    • 研究代表者
      尾江 邦重
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  超広帯域光配線を用いた光・電子融合回路に関する基礎研究

    • 研究代表者
      裏 升吾
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  超高速デバイス用低干渉型III-V族半導体・シリコンヘテロ接合の製作と電子物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  ワイドギャップ半導体の電子物性制御とエネルギーエレクトロニクスへの展開

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 2000
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      物理系
    • 研究機関
      京都大学
  •  半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司, 吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
      京都大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  原料ガスの選択光励起による高品質窒化シリコンの推積と量子界面構造の形成研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  広禁制帯幅半導体との複合による極限高効率シリコン太陽電池の開発

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      エネルギー学一般・原始力学
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシ-への応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体SiCのパワーデバイスへの応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ誘起原子層エピタキシーによる純正III-V族半導体結晶の製作研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御原子層エピタキシー法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作研究代表者

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御原子層エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  複合プラズマの生成と反応の制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  原子ステップ制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶製作とパワ-デバイスへの応用

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面超格子を用いた単結晶シリコンカ-バイドの原子層制御エピタキシ-

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  複合プラズマの生成と反応の制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  極紫外域高エネルギ-光子を用いた安定構造非晶質シリコン系薄膜の形成

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  複合プラズマの生成と反応の制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  アモルファス半導体超構造におけるキャリアのダイナミックスの研究

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  原子ステップ制御エピタキシ-法による高輝度SiC青色発光ダイオ-ドの開発

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Molecular Beam Epitaxy: Materials and Device Applications2020

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto(分担執筆) (Hajime Asahi, Yoshiji Horikoshi編)
    • 総ページ数
      354
    • 出版者
      Wiley
    • ISBN
      9781119355014
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [図書] Bismuth-Containing Alloys and Nanostructures2019

    • 著者名/発表者名
      Pallavi Kisan Patil1, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa, Esperanza Luna and Masahiro Yoshimoto (分担執筆)Shumin Wang, Pengfei Lu(編集)
    • 総ページ数
      471
    • 出版者
      Springer
    • ISBN
      9789811380785
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [図書] Molecular Beam Epitaxy 2nd Edition From Research to Mass Production2018

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe (分担執筆) Mohamed Henini(編集)
    • 総ページ数
      788
    • 出版者
      Elsevier
    • ISBN
      9780128121368
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [図書] Bismuth-Containing Compounds2013

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Takuma Fuyuki
    • 総ページ数
      23
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [図書] Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related quaternary alloys" Chapter 8 in "Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production"2012

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
    • 総ページ数
      12
    • 出版者
      Elsevier Inc.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [図書] Molecular beam epitaxy of GaAs and related quaternary alloys Molecular Beam Epitaxy : From Quantum Wells to Quantum Dots ; From Research to Mass Production

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto and K. Oe
    • 出版者
      Elsevier(印刷中)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] PEDOT:PSS/GaAs<sub>1-x</sub>Bi<sub>x</sub> organic-inorganic solar cells2019

    • 著者名/発表者名
      Hasegawa Sho、Kakuyama Kyohei、NISHINAKA Hiroyuki、YOSHIMOTO Masahiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 印刷中 号: 6 ページ: 060907-060907

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1e97

    • NAID

      210000155900

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [雑誌論文] Electrically pumped room-temperature operation of GaAs1-xBix laser diodes with low-temperature dependence of oscillation wavelength2014

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, K. Yoshida, R. Yoshioka, M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 7 号: 8 ページ: 082101-082101

    • DOI

      10.7567/apex.7.082101

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [雑誌論文] Long-wavelength emission in photo-pumped GaAs_<1-x>Bi_x laser with low temperature dependence of lasing wavelength2013

    • 著者名/発表者名
      Takuma Fuyuki, Ryo Yoshi oka, Kenji Yoshida and Masahiro Yoshimoto
    • 雑誌名

      Applied of Physics Letters

      巻: 103 号: 20 ページ: 202105-202105

    • DOI

      10.1063/1.4830273

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J09525, KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [雑誌論文] Quantitative estimation of density of Bi-induced localized states in GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, and Kunishige Oe
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: available online ページ: 73-76

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.12.157

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [雑誌論文] GaAs1-xBixおよびGaAs/GaAs1-xBixヘテロ界面における局在準位2013

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真、伊藤瑞記、角 浩輔、吉本昌広
    • 雑誌名

      材料

      巻: 62 ページ: 672-678

    • NAID

      130003384103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [雑誌論文] Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs_1-xBixHeterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, S. Kashiyama, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1432 ページ: 27-32

    • DOI

      10.1557/opl.2012.904

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J09525, KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [雑誌論文] High hole mobility in GaAs_<1-x> Bi_x alloys2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kado, T. Fuyuki, K. Yamada, K. Oe, and M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51 号: 4R ページ: 040204-040204

    • DOI

      10.1143/jjap.51.040204

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Interface States in p-Type GaAs/GaAs_1-xBix Heterostructure2012

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki. S. Kashiyama, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      The Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 11S ページ: 11PC02-11PC02

    • DOI

      10.1143/jjap.51.11pc02

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J09525, KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [雑誌論文] Photo-pumped GaAs_<1-x>Bi_x lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength2012

    • 著者名/発表者名
      Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE, Novel In-Plane Semiconductor Lasers XI

      巻: 8277 ページ: 827702-827702

    • DOI

      10.1117/12.907098

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09J09138, KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Study of deep levels of GaAs/p-GaAs_<1-x> Bi_x heterostructure grown by molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, S. Kashiyama, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Materials Research Society Proceedings, Reliability and Materials Issues of III-V and II-VI Semiconductor Optical and Electron Devices and Materials II

      巻: (印刷中)

    • URL

      http://www.mrs.org/

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Structural evaluation of GaAs_<1-x>Bi_x mixed crystals by TEM2012

    • 著者名/発表者名
      O.Ueda, Y.Tominaga, N.Ikenaga, M.Yoshimoto, K.Oe
    • 雑誌名

      Proceedings of Compound Semiconductor Week (CSW/IPRM), 2011 and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

      ページ: 1-4

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Structural evaluation of GaAs_<1-x> Bi_x mixed crystals by TEM, Proceedings of Compound Semiconductor Week(CSW/IPRM)2012

    • 著者名/発表者名
      O. Ueda, Y. Tominaga, N. Ikenaga, M. Yoshimoto, K. Oe
    • 雑誌名

      2011 and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

      ページ: 1-4

    • URL

      http://www.ieee.org/INSPECAccessionNumber:12172587

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Deep-Hole traps in p-Type GaAs_<1-x>Bi_x Grown by Molecular Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 8R ページ: 080203-080203

    • DOI

      10.1143/jjap.50.080203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09J09138, KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Temperature-insensitive photoluminescence emission wavelength in GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multiquantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 8 ページ: 260-262

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Structural evaluation of GaAs_<1-x>Bi_<x> mixed crystals by TEM2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
    • 雑誌名

      Extended Abstract of International Conference on InP and Related Material (IPRM 2011)

      巻: IPRM 2011 ページ: 248-251

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [雑誌論文] TEM evaluation of MBE-grown GaAs_<1-x>Bi_<x> crystals2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
    • 雑誌名

      Extended Abstract of 30^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-30)

      巻: EMS-30 ページ: 155-156

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [雑誌論文] TEM observation of MBE-grown GaAs1-xBix crystals2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, NoriakiIkenaga, Masahiro Yoshimoto, and Kunishige Oe
    • 雑誌名

      Extended Abstract of 30th Electronic Materials Symposium

      巻: EMS-30 ページ: 155-156

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [雑誌論文] Temperature-insensitive photoluminescence emission wavelength in GaAs_<1-x> Bi_x/GaAs multiquantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol.8 号: 2 ページ: 260-262

    • DOI

      10.1002/pssc.201000520

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Structural evaluationof GaAs1-xBix mixed crystals by TEM, Extended Abstract of International2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, and Kunishige Oe
    • 雑誌名

      Conference on InP and Related Materials (IPRM2011)

      巻: IPRM2011 ページ: 248-251

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [雑誌論文] Low Temperature Dependence of Oscillation Wavelength in GaAs_<1-x>Bi_x Laser by Photo-Pumping2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fuyuki, Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2

    • NAID

      10027015196

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Low Temperature Dependence of Oscillation Wavelength in GaAs_<1-x> Bi_x Laser by Photo-Pumping2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.3 号: 6 ページ: 062201-062201

    • DOI

      10.1143/apex.3.062201

    • NAID

      10027015196

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Growth of GaAs_<1-x> Bi_x/Al_yGa_<1-y> As multi-quantum-well structures2010

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.49 号: 7R ページ: 070211-070211

    • DOI

      10.1143/jjap.49.070211

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/AlyGa_<1-y>As Multi-Quantum-Well structures2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fuyuki, Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [雑誌論文] Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multi-quantumwells by molecular beam epitaxy, phys2008

    • 著者名/発表者名
      Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita,Gan Feng, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 雑誌名

      stat.sol.(c) 5

      ページ: 2719-2721

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [雑誌論文] Structural investigation of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAsmultiquantum wells, App12008

    • 著者名/発表者名
      Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 雑誌名

      Phys. Lett 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [雑誌論文] Structural investigation of GaAs1-xBix/GaAs multiquantum wells2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, Y. Kinoshita, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [雑誌論文] Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multi-quantum wells by molecular beam epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, Y. Kinoshita, G. Fene. K. Oe, M. Yoshimoto
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 5

      ページ: 2719-2721

    • NAID

      10025650132

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [雑誌論文] Annealing effects of diluted GaAs nitrideand bismide on photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Gan Feng, Kunishige Oe
    • 雑誌名

      ECS Transaction 6

      ページ: 45-51

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [雑誌論文] Molecular-beam epitaxy of GaNAsBi layer for temperature-insensitive wavelength emission2007

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto,.,
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 975-978

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Molecular-beam epitaxy of GaNAsBi layer for temperature-insensitive wavelength emission2007

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, Y., Tanaka, K., Oe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth(SPEC. ISS.) 301-302

      ページ: 975-978

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Influence of thermal annealing treatment on the luminescence properties of dilute GaNAs-bismide alloy2007

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 雑誌名

      Jpn. Appl. Phys., Part 2 46(29-32)

    • NAID

      40015553279

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Bi behavior in MBE growth of InGaAs/InP2007

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth(SPEC. ISS.) 301-302

      ページ: 121-124

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Molecular-beam epitaxy of GaNAsBi layer for temperature-insensitive wavelength emission2007

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 975-978

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, G., Feng, K., Oe
    • 雑誌名

      ECS Transaction 6

      ページ: 45-51

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Gan Feng, Kunishige Oe
    • 雑誌名

      ECS Transaction 6

      ページ: 45-51

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [雑誌論文] Lattice Distortion of GaAsBi Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Y., Takehara, M., Yoshimoto, W., Huang, J., Saraie, K., Oe, A., Chayahara, Y., Horino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 Vol.45

      ページ: 67-69

    • NAID

      40007102777

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Lattice Distortion of GaAsBi Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Takehara, M.Yoshimoto, W.Huang, J.Saraie, K.Oe, et al.
    • 雑誌名

      Jpn J.Appl.Phys Part 1, Vol.45

      ページ: 67-69

    • NAID

      40007102777

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-Insensitive Wavelength Emission and Absorption Characteristics of GaNAsBi/GaAs DH Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      K., Oe, Y., Tanaka, W., Huang, G., Feng, K., Yamashita, M., Yoshimoto, Y., Kondo, S., Tsuji
    • 雑誌名

      Proc. 32nd European Conference on Optical Communication, Sep. 2006, Cannes, France We3

      ページ: 39-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-Insensitive Wavelength Emission and Absorption Characteristics of GaNAsBi/GaAs DH Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      K.Oe, Y.Tanaka, W.Huang, G.Feng, K.Yamashita, M.Yoshimoto, Y.Kondo, S.Tsuji
    • 雑誌名

      32nd European Conference on Optical Communication Cannes, France

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yamashita, M.Yoshimoto, K, Oe
    • 雑誌名

      phys. stat. solidi (c)3

      ページ: 693-696

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy of GaNAsBi Layer for Temperature-insensitive Wavelength Emission2006

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimoto, W.Huang, G.Feng, Y.Tanaka, K.Oe
    • 雑誌名

      14^<th> International Conference on Molecular Beam Epitaxy Tokyo, Japan

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature-insensitive bandgap2006

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimoto, W.Huang, G.Feng, K.Oe
    • 雑誌名

      phys. stat. solidi (b)243

      ページ: 1421-1425

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication2006

    • 著者名/発表者名
      K.Yamashita, M.Yoshimoto, K.Oe
    • 雑誌名

      phys.stat.sol. (c)3

      ページ: 693-696

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Bi behaviors in MBE growth of InGaAs2006

    • 著者名/発表者名
      G.Feng, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 雑誌名

      14^<th> International Conference on Molecular Beam Epitaxy Tokyo, Japan

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-Insensitive Wavelength Electroluminescent Emission from GaNAsBi/GaAs DH Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      K.Oe, Y.Tanaka, W.Huang, G.Feng, K.Yamashita, M.Yoshimoto, Y.Kondo
    • 雑誌名

      Northern Optics 2006 Bergen, Norway

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication2006

    • 著者名/発表者名
      K., Yamashita, M., Yoshimoto, K., Oe
    • 雑誌名

      phys. stat. sol (c)3

      ページ: 693-696

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Bi containing III-V quatemary alloy InGaAsBi grown by MBE2006

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 雑誌名

      phys. stat. sol (a)203 No.11

      ページ: 2670-2673

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature- insensitive bandgap2006

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, K., Oe
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (b)243(7)

      ページ: 1421-1425

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] GaNyAsl-x-yBix Semiconductor Alloy for Temperature-insensitive-wavelength Lasers in WDM Optical Communication2005

    • 著者名/発表者名
      K.Oe, W.Huang, G.Feng, M.Yoshimoto.
    • 雑誌名

      18th Annual Meeting IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS'05), Sydney, Australia 23-27 October

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] New III-V semiconductor InGaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      G.Feng, M.Yoshimoto, K.Oe, A.Chayahara, Y.Horino
    • 雑誌名

      Jpn J.Appl.Phys Vol.44

    • NAID

      130004533539

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication2005

    • 著者名/発表者名
      K.Yamashita, M.Yoshimoto, K.Oe
    • 雑誌名

      32nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2005)、 Rust, Germany September 18-22

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Molecular-beam epitaxy and characteristics of GaNyAsl-x-yBix2005

    • 著者名/発表者名
      W.Huang, K.Oe, G.Feng, M.Yoshimoto
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.98

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] GaNAsBi Semiconductor Alloy with Temperature-Insensitive Bandgap (INVITED TALK)2005

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimoto, W.Huang, G.Feng, K.Oe;
    • 雑誌名

      Materials Research Society 2005 Fall Meeting, Boston, USA, Nov.28 Dec.1

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Radical Beam Deposition of Silicon Nitride towards Passivation for Organic Devices2005

    • 著者名/発表者名
      Kohshi Taguchi, Masamichi Yamashita, Mitsuo Yamazaki, Akiyoshi Chayahara, Yuji Horino, Takashi Iwade, Masahiro Yoshimoto
    • 雑誌名

      2005 Materials Research Society Fall Meeting, Symposium D : Organic and Nanostructured Composite Photovoltaics and Solid-State Lighting, Boston, November 27 - December 2

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] MBE-grown GaNAsBi- matched to GaAs with 1.3-um emission wavelength2005

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, J., Saraie, K., Oe
    • 雑誌名

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc Proc.829

      ページ: 523-528

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] New III-V semiconductor InGaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, M., Yoshimoto, K., Oe, A., Chayahara, Y., Horino
    • 雑誌名

      Jpn J. Appl. Phys Vol.44

    • NAID

      130004533539

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature insensitive bandgap2005

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimoto, W.Huang, G.Feng, K.Oe
    • 雑誌名

      International Conference on Nitride Semiconductors, Bremen, Germany August28-September 2

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Molecular-beam epitaxy and characteristics of GaNyAsl-x-yBix2005

    • 著者名/発表者名
      W., Huang, K., Oe, G., Feng, M., Yoshimoto
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys Vol.98

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [雑誌論文] Radical Beam Deposition of Silicon Nitride towards Passivation for Organic Devices2005

    • 著者名/発表者名
      K.Taguchi, M.Yamashita, M.Yamazaki, A.Chayahara, Y.Horino, T.Iwade, M.Yoshimoto
    • 雑誌名

      2005 Materials Research Society Fall Meeting, Symposium D : Organic and Nanostructured Composite Photovoltaics and Solid-State Lighting, Boston, November 27-December 2

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] 有機液体原料を用いたラジカルビーム堆積法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積2004

    • 著者名/発表者名
      田口貢士, 吉本昌広, 更家淳司
    • 雑誌名

      材料 53

      ページ: 1318-1322

    • NAID

      110006266191

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Dense Structure of SiN_x films fabricated by radical beam deposition method using hexamethyldisilazane2004

    • 著者名/発表者名
      K.Taguchi, M.Yoshimoto, J.Saraie
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

    • NAID

      10013787251

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Reduction of carbon impurity in silicon nitride films deposited from metalorganic source2004

    • 著者名/発表者名
      K.Taguchi, M.Yoshimoto, J.Saraie
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43

    • NAID

      10012038860

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Dense Structure of SiN_X films fabricated by radical beam deposition method using hexamethyldisilazane2004

    • 著者名/発表者名
      K.Taguchi, M.Yoshimoto, J.Saraie
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 43

    • NAID

      10013787251

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Potential of SiN_X films fabricated by radical-beam deposition technique for passivation of organic devices2004

    • 著者名/発表者名
      T.Yamao, K.Taguchi, M.Yoshimoto, S.Fujita
    • 雑誌名

      Extended Abstracts 23rd Electronic Materials Sympo.

      ページ: 53-54

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Potential of SiN_x films fabricated by radical-beam deposition technique for passivation of organic devices2004

    • 著者名/発表者名
      T.Yamao, K.Taguchi, M.Yoshimoto, S.Fujita
    • 雑誌名

      Extended Abstracts 23rd Electronic Materials Sympo., Izu-Nagaoka

      ページ: 53-54

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Dense Structure of SiN_x films fabricated by radical beam deposition method using hexamethyldisilazane2004

    • 著者名/発表者名
      K.Taguchi, M.Yoshimoto, J.Saraie
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43, No11A

    • NAID

      10013787251

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Reduction of carbon impurity in silicon nitride films deposited from metalorganic source2004

    • 著者名/発表者名
      Kohshi Taguchi, Masahiro Yoshimoto, Junji Saraie
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43, No.2A

    • NAID

      10012038860

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [雑誌論文] Silicon nitride with low carbon concentration deposited by radical beam deposition technique with organic liquid sources (in Japanese)2004

    • 著者名/発表者名
      K.Taguchi, M.Yoshimoto, J.Saraie
    • 雑誌名

      J.Soc.Mat.Sci., Japan Vo.53, No.12

      ページ: 1318-1322

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206008
  • [産業財産権] 半導体材料、基体、基体の製造方法および半導体レーザ2016

    • 発明者名
      西中浩之、吉本昌広、来馬英樹、芝田 悠将
    • 権利者名
      西中浩之、吉本昌広、来馬英樹、芝田 悠将
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-142023
    • 出願年月日
      2016-07-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] Growth temperature dependence of GaAsBi tail states probed by sub-band absorption and photoluminescence characteristics2019

    • 著者名/発表者名
      Sho Hasegawa, Kyohei Kakuyama, Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] PEDOT:PSS/GaAsBi太陽電池の製作と評価2018

    • 著者名/発表者名
      長谷川将,岳山恭平,西中浩之,吉本昌広
    • 学会等名
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成30年度第1回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] Fabrication of PEDOT:PSS/GaAs1-xBix solar cells2018

    • 著者名/発表者名
      ho Hasegawa, Kyohei Kakuyama, Pallavi Patil, Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] PEDOT:PSS/GaAs1-xBix;有機無機ハイブリッド太陽電池の製作2018

    • 著者名/発表者名
      長谷川 将, 岳山恭平,鈴木耕作, 西中浩之, 吉本昌広
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] GaAsBiフォトダイオードの分光感度特性2018

    • 著者名/発表者名
      岳山恭平,鈴木耕作,長谷川将,西中浩之,吉本昌広
    • 学会等名
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第1回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] PEDOT:PSS/GaAs1-xBix有機無機ハイブリッド太陽電池の製作2018

    • 著者名/発表者名
      長谷川将,岳山恭平,鈴木耕作,西中浩之,吉本昌広
    • 学会等名
      第65回春季応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] MBE growth of GaAsBi/GaAs on (100) and (411) GaAs Substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] GaAsBi フォトダイオードの分光感度特性2017

    • 著者名/発表者名
      岳山恭平、鈴木耕作、長谷川将、西中浩之、吉本昌広
    • 学会等名
      平成29年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] Characterizing tail states of GaAsBi photodiodes by threir spectral response2017

    • 著者名/発表者名
      K. Kakuyama, K. Suzuki, S. Hasegawa, H. Nishinaka, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] GaAs1-xBix フォトダイオードの分光感度特性2017

    • 著者名/発表者名
      岳山恭平、鈴木耕作、長谷川将、西中浩之、吉本昌広
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] Fabrication of GaAsBi photodiodes and their spectral response2017

    • 著者名/発表者名
      K. Kakuyama, K. Suzuki, H. Nishinaka, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] 高含有率GaAs1-xBixの特異なPL特性2016

    • 著者名/発表者名
      芝田悠将, 来馬英樹, 吉岡諒, 西中浩之, 吉本昌広
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟市
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] Fabrication of GaAsBi laser diodes with 1.1-μm emission wavelength2016

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto, R. Yoshioka, H. Kuruma, H. Nishinaka
    • 学会等名
      7th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 発表場所
      上海、中国
    • 年月日
      2016-07-24
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02105
  • [学会発表] レーザ発振を示すGaAs1-xBixのMBE成長と特性2014

    • 著者名/発表者名
      吉岡諒,冬木琢真,吉本昌広
    • 学会等名
      2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] MBE成長GaAs1-xBixレーザダイオードの室温発振2014

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真、吉田憲司、吉岡諒、吉本昌広
    • 学会等名
      2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      相模原市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Wavelength Extension of GaAs1-xBix Laser with Low Temperature Coefficient of Lasing Wavelength2013

    • 著者名/発表者名
      Takuma Fuyuki, and Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      4th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices
    • 発表場所
      Arkansas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] 発振波長の低温度依存性を有する光励起GaAs1-xBixレーザの長波長化2013

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真,吉本昌広
    • 学会等名
      2013年春季 第60回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] 発振波長の低温度依存性を有する光励起GaAsBiレーザの長波長化2013

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真、 吉本昌広
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      守山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Long wavelength emission of GaAs1-xBix laser with low-temperature coefficient of lasing wavelength2013

    • 著者名/発表者名
      Takuma Fuyuki, and Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, Japan
    • 発表場所
      神戸
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Localized states in GaAsBi and GaAs/GaAsBi heterostructures2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto and T. Fuyuki
    • 学会等名
      4th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices
    • 発表場所
      Arkansas, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] アドミタンス法によるGaAs/pGaAsBiヘテロ界面評価2012

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真、柏山祥太, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      守山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] アドミタンス法によるGaAs/pGaAs_<1-x>Bi_x界面評価2012

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真, 柏山祥太, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] High Hole Mobility in GaAs1-xBix Alloys2012

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Kado, Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, Takuma Fuyuki, Kazuya Yamada, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      3rd International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices
    • 発表場所
      Victoria, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Photo-pumped GaAs_<1-x>Bi_x lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      SPIE 2012 Photonic West
    • 発表場所
      Moscone Center (San Francisco, USA)(招待講演)
    • 年月日
      2012-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Photo-pumped GaAs_<1-x> Bi_x lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      SPIE 2012 Photonic West
    • 発表場所
      Moscone Center(San Francisco, USA)
    • 年月日
      2012-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Interface States in GaAs/p-GaAsBi Heterointerface Using Admittance Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      3rd International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices
    • 発表場所
      Victoria, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Study of deep levels of GaAs/p-GaAs_<1-x> Bi_x heterostructure grown by molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, S. Kashiyama, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      Materials Research Society 2012 Spring meeting, Symposium G
    • 発表場所
      Moscone Center(San Francisco, USA)
    • 年月日
      2012-04-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs1-xBix Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      2012 Materials Reserch Society (MRS) Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Quantitative estimation of the density of Bi-induced localized states in GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      奈良
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] DLTS法によるp型GaAsBi結晶中の点欠陥評価2011

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真, 柏山祥太, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bix/GaAsヘテロ接合界面の急峻性の熱処理による変化2011

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Structural evaluation of GaAs1-xBix mixed crystals by TEM2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, NoriakiIkenaga, Masahiro Yoshimoto, andKunishige Oe
    • 学会等名
      International Conference on InP and Related Materials (IPRM2011)
    • 発表場所
      Berlin、Germany
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bi_xのp形ドーピング特性2011

    • 著者名/発表者名
      角浩輔, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bi_x/GaAsヘテロ接合界面の急峻性の熱処理による変化2011

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合大会
    • 発表場所
      東海大学(厚木市)
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Variations in the abruptness at GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs heterointerfaces caused by thermal annealing2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
    • 発表場所
      Maritim proArte Hotel (Berlin, Germany)
    • 年月日
      2011-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Lasing in GaAsBi with low temperature dependence of oscillation wavelength2011

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Y.Tominaga, Kunishige Oe
    • 学会等名
      2nd International workshop on Bismuth-Containing Semiconductors : Theory, Simulation, and Experiment
    • 発表場所
      Univ.of Surrey (Guildford, UK)
    • 年月日
      2011-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Deep level transient spectroscopy study of p-type GaAs_<1-x> Bi_x mixed crystals2011

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, S. Kashiyama, Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2011)
    • 発表場所
      Maritim proArte Hotel(Berlin, Germany)
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Stractural evaluation of GaAs_<1-x>Bi_x mixed crystals by TEM2011

    • 著者名/発表者名
      O.Ueda, Y.Tominaga, N.Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, K.Oe
    • 学会等名
      23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
    • 発表場所
      Maritim proArte Hotel (Berlin, Germany)
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] p形GaAsBiの電気的特性2011

    • 著者名/発表者名
      角浩輔, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Structural evaluation of GaAs_<1-x>Bi_<x> mixed crystals by TEM2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
    • 学会等名
      International Conference on InP and Related Material (IPRM 2011)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [学会発表] (100)GaAs基板上In_<1-y>Ga_yAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(II)2011

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] TEM evaluation of MBE-grown GaAs_<1-x>Bi_<x> crystals2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
    • 学会等名
      30^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-30)
    • 発表場所
      滋賀県守山市、ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [学会発表] DLTS法によるGaAs_<1-x>Bi_x結晶中の点欠陥評価(II)2011

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真, 柏山祥太, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] 光励起によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振-その発振波長の低温度依存性-2011

    • 著者名/発表者名
      富永依里子、尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2011-12-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] MBE成長GaAs_<1-x>Bi_x結晶のTEM評価2011

    • 著者名/発表者名
      上田修, 富永依里子, 池永訓昭, 吉本昌広, 尾江邦重
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Deep level transient spectroscopy study of p-type GaAs_<1-x>Bi_x mixed crystals2011

    • 著者名/発表者名
      T.Fuyuki, S.Kashiyama, Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
    • 発表場所
      Maritim proArte Hotel (Berlin, Germany)
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] TEM evaluation of MBE-grown GaAs1-xBix crystals2011

    • 著者名/発表者名
      Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, and Kunishige Oe
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
    • 発表場所
      滋賀県守山市、ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560012
  • [学会発表] DLTS法によるGaAs_<1-x>Bi_x結晶中の点欠陥評価2011

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真, 柏山祥太, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合大会
    • 発表場所
      東海大学(厚木市)
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Stractural evaluation of GaAs_<1-x> Bi_x mixed crystals by TEM2011

    • 著者名/発表者名
      O. Ueda, Y. Tominaga, N. Ikenaga, M. Yoshimoto, K. Oe
    • 学会等名
      23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2011)
    • 発表場所
      Maritim proArte Hotel(Berlin, Germany)
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Lasing in GaAsBi with low temperature dependence of oscillation wavelength2011

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto, Y. Tominaga, K. Oe
    • 学会等名
      2nd International workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 発表場所
      Univ. of Surrey(Guildford, UK)
    • 年月日
      2011-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Variations in the abruptness at GaAs_<1-x> Bi_x/GaAs heterointerfaces caused by thermal annealing2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2011)
    • 発表場所
      Maritim proArte Hotel(Berlin, Germany)
    • 年月日
      2011-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] GaAs基板上GaAs_<1-x>Bi_x/Al_yGa_<1-y>As多重量子井戸構造の製作2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fuyuki, Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(伊豆市)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Present status and future prospects of Bi-containing semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto, K. Oe
    • 学会等名
      1st International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 発表場所
      ミシガン大学(米国)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Lasing in GaAs_<1-x> Bi_x/GaAs thin film cavity with low-temperature-dependent oscillation wavelength2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      2010 IEEE International Semiconductor Laser Conference
    • 発表場所
      全日空ホテル(京都市)
    • 年月日
      2010-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bi_xファブリ・ペローレーザの発振波長の低温度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合大会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] TEMによるMBE成長GaAs_<1-x>Bi_x混晶の構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      上田修, 富永依里子, 池永訓昭, 吉本昌広, 尾江邦重
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Temperature insensitive Photoluminescence Emission Wavelength in GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs Multiquantum Wells2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      高松シンボルタワー(高松市)
    • 年月日
      2010-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Present status and future prospects of Bi-containing semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimoto, K.Oe
    • 学会等名
      1st International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 発表場所
      ミシガン大学(米国)(招待講演)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] (100)GaAs基板上GaAs_<1-x>Bi_x/Al_yGa_<1-y>As多重量子井戸構造の製作2010

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真, 富永依里子, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合大会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bi_xファブリ・ペローレーザの発振波長の低温度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)(受賞記念講演)
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] 光励起によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振・その発振波長の低温度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      機械振興会館(東京都)
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Lasing in GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs Thin Film Cavity with Low-Temperature-Dependent Oscillation Wavelength2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      2010 IEEE International Semiconductor Laser Conference
    • 発表場所
      全日空ホテル(京都市)
    • 年月日
      2010-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Temperature-insensitive photoluminescence emission wavelength in GaAs_<1-x> Bi_x/GaAs multiquantum Wells2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      高松シンボルタワー(高松市)
    • 年月日
      2010-05-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Growth of GaAs_<1-x> Bi_x/Al_yGa_<1-y> As multi-quantum well structures on GaAs2010

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, Y. Tominaga, K. Yamada, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      ノートルダム大学(米国)
    • 年月日
      2010-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/Al_yGa_<1-y>As Multi-Quantum Well Structures on GaAs2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fuyuki, Y Tominaga, K.Yamada, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference 2010
    • 発表場所
      ノートルダム大学(米国)
    • 年月日
      2010-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bi_xレーザの発振波長の低温度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, K.Oe, M.Yoshimoto
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(伊豆市)
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Structural investigation of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multiquantum well structures fabricated by molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖 (守山市)
    • 年月日
      2009-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法を用いて成長したGaAs_<1-x>Bi_xGaAs多重量子井戸の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
    • 発表場所
      学習院 (東京)
    • 年月日
      2009-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] (100) GaAs基板上In_<1-y>Ga_yAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作2009

    • 著者名/発表者名
      山田和弥, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第56回応用物理関係連合講演会
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Growth of InGaAsBi/GaAs Multi-Quantum Wells on (100) GaAs2009

    • 著者名/発表者名
      K.Yamada, Y.Tominaga,, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      関西大学 (吹田市)
    • 年月日
      2009-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Fabrication of Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multiquantum well structure without distinct segregation for application to laser diodes with the temperature-insensitive wavelength2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      2nd HOPE meeting
    • 発表場所
      箱根プリンスホテル (箱根町)
    • 年月日
      2009-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Growth of InGaAsBi/GaAs multi-quantum wells on (100)GaAs substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Kazuya Yamada, Yoriko Tominaga,Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      The 2009 InternationalMeeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      吹田市
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第56回応用物理関係連合講演会
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Growth of InGaAsBi/GaAs multi-quantum wells on(100) GaAs2009

    • 著者名/発表者名
      K. Yamada, Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      関西大学(吹田市)
    • 年月日
      2009-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] (100)GaAs基板上In_<1-y>Ga_yAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作2009

    • 著者名/発表者名
      山田和弥, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第56回応用物理関係連合講演会
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] X線回折を用いたGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の評価2009

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      応用物理学会 第70回学術講演会
    • 発表場所
      富山大学 (富山市)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360008
  • [学会発表] Growth of InGaAsBi/GaAs Multi-Quantum Wells on (100) GaAs Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K, Yamada, Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      吹田市
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] MBE Growth of GaAsBi/GaAs Multiple Quantum Well Structures2008

    • 著者名/発表者名
      Y., Kinoshita, Y., Tominaga, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      TECHNICAL REPORT OF IEICE
    • 発表場所
      LQE OSAKADENKITUSHIN U. NEYAGAWA-SHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Growth of GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs multi-quantum wells with 1.3 μm photoluminescence emission2008

    • 著者名/発表者名
      Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      50th Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Santa Barbara, CA, USA
    • 年月日
      2008-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multi-quantum wells with 1.3μm photoluminescence emission2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, Y. Kinoshita, K. Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      50th Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Santa Barbara, CA, USA
    • 年月日
      2008-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] 1.3μmでのホトルミネセンス発光を有するGaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs多重量子井戸構造の製作2008

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 木下雄介, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第33回結晶成長討論会
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2008-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Fabrication of GaAsBi/GaAs multi-Quantum well structures with 1.3μm2008

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 木下雄介, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第27回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      伊豆市
    • 年月日
      2008-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] GaAsBi/GaAs multi-quantum wells with well-defined multi-layered structures2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Tominaga, Y. Kinoshita, K. Oe. M. Yoshimoto
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008
    • 発表場所
      京都市
    • 年月日
      2008-10-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Fabrication of GaAsBi/GaAs multi-quantum well structures with 1.3μm2008

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 木下雄介, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第27回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      伊豆市
    • 年月日
      2008-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] 1.3μmでのホトルミネセンス発光を有するGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作2008

    • 著者名/発表者名
      富永依里子, 木下雄介, 尾江邦重, 吉本昌広
    • 学会等名
      第33回結晶成長討論会
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2008-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] GaAsBi/GaAs multi-quantum wells with well-defined multi-layered structures2008

    • 著者名/発表者名
      Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
    • 学会等名
      IEEE Nanotechnology Materials and DevicesConference 2008
    • 発表場所
      京都市
    • 年月日
      2008-10-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] MBE Growth of GaAsBi/GaAs Multi-Quantum-Well Structure emitting 1.3 um wavelength2008

    • 著者名/発表者名
      Y., Tominaga, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      55th OYOBUTURIGAKUKANKEI RENGO KOUENKAI(29p-ZT-7)
    • 発表場所
      NIHON U. HUNABASHISHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] MBE Growth of GaAsBi/GaAs Multiple Quantum Well Stmctures2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Kinoshita, Y., Tominaga, G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      54th OYOBUTURIGAKUKANKEI RENGO KOUENKAI(29p-Q-2)
    • 発表場所
      AOYAMAGAKUIN U. SAGAMIHARASHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Gan Feng, Kunishige Oe
    • 学会等名
      211th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      米国シカゴ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, G., Feng, K., Oe
    • 学会等名
      211th Electro Chemical Sosiety Meeting
    • 発表場所
      Chicago, IL, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Fabrication of GaAsBi/GaAs multi-quantum-well structures and their thermal stability2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Tominaga, Y., Kinoshita, G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Sympo.(EMS-26), Shiga
    • 発表場所
      A8
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Annealing Effects of Diluted GaAs Nitride and Bismide on Photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto,.,
    • 学会等名
      211th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Chicago, Illinois, USA,
    • 年月日
      2007-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] MBE Growth of GaAsBi/GaAs Multi-Quantum-Well Structures(II)2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Tominaga, Y., Kinoshita, G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      68th OYOBUTURIGAKKAI GAKUJYUTU KOUENKAI(7p-E-7)
    • 発表場所
      HOKKAIDOKOGYOU U. SAPPOROSHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Yoshimoto, Gan Feng, Kunishige Oe
    • 学会等名
      211th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Chicago, IL, USA
    • 年月日
      2007-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360008
  • [学会発表] Influence of thermal annealing treatment on 'the luminescence properties of dilute GaNAsBi alloy2007

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      54th OYOBUTURIGAKUKANKEI RENGO KOUENKAI(29p-Q-3)
    • 発表場所
      AOYAMAGAKUIN U. SAGAMIHARASHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] GaAsBi/GaAs Multiple Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Kinoshita, Y., Tominaga, G., Feng, K., Oe, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 2007 Intemational Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] GaN_yAs_<i-x-y>Bi_x Alloy for Temperature-insensitive Wavelength Semiconductor Lasers2007

    • 著者名/発表者名
      K., Oe, G., Feng, Y., Kinoshita, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      European Materials Reserch Society Spring Meeting, 57
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Growth of GaAsBi/GaAs Multi-Quantum-Wells by Molecular Beam Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Tominaga, Y., Kinoshita, G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      The 34 th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy of GaNAsBi Layer for Temperature-insensitive Wavelength Emission2006

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, Y., Tanaka, K., Oe
    • 学会等名
      14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Tokyo, Japan, FrB3-4
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Temperature dependence of Bi behaviors in MBE growth of InGaAs2006

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Tokyo, Japan, TuA2-2
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Temperature-Insensitive Wavelength Electroluminescent Emission from GaNAsBi/GaAs DH Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      K., Oe, Y., Tanaka, W., Huang, G., Feng, K., Yamashita, M., Yoshimoto, Y., Kondo
    • 学会等名
      Northern Optics 2006
    • 発表場所
      Bergen, Norway, W39
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Low temperature dependence of light emission and absorption of GaNAsBi/GaAs DH diodes2006

    • 著者名/発表者名
      H., Kazama, Y., Tanaka, M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, K., Yamashita, Y., Kondo, S., Tsuji, K., Oe
    • 学会等名
      67th OYOBUTURIGAKKAI GAKUJYUTU KOUENKAI(29a-B-8)
    • 発表場所
      RITSUMEIKAN U. KUSATSUSHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of GaNAsBi layer for temperature-insensitive wavelength emission2006

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, Y., Tanaka, K., Oe
    • 学会等名
      25th Electronic Materials Sympo. (EMS-25), Izu-no-kuni
    • 発表場所
      I5
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Temperature-Insensitive Wavelength Emission and Absorption Characteristics of GaNAsBi/GaAs DH Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      K., Oe, Y., Tanaka, W., Huang, G., Feng, K., Yamashita, M., Yoshimoto, Y., Kondo, S., Tsuji
    • 学会等名
      32nd European Conference on Optical Communication
    • 発表場所
      Cannes, France, We3.P.39
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Temperature dependence of Bi behaviors in MBE growth of InGaAs2006

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, K., Oe, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      53th OYOBUTURIGAKUKANKEI RENGO KOUENKAI(25a-T-11)
    • 発表場所
      MUSASHIKOUGYOU U. TOUKYOUTO
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] GaNAsBi Semiconductor Alloy with Temperature-Insensitive Bandgap2005

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, K., Oe
    • 学会等名
      (INVITED) Materials Research Society 2005 Fall Meeting, Symposium EE
    • 発表場所
      Boston, USA, EE 11.6
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] MBE growth of quatemary InGaAsBi alloy", Jpn. J. Appl. Phys., Part I, Vol.45, pp.67-69, 20062005

    • 著者名/発表者名
      G., Feng, M., Yoshimoto, K., Oe, A.m, Chayahara, Y.m, Horino
    • 学会等名
      66th OYOBUTURIGAKKAI GAKUJYUTU KOUENKAI(10p-ZA-1)
    • 発表場所
      TOKUSHIMA U. TOKUSHIMASHL
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication2005

    • 著者名/発表者名
      K., Yamashita, M., Yoshimoto, K., Oe
    • 学会等名
      32nd International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS-2005), WE P16, Rust, Germany
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature insensitive bandgap2005

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, K., Oe
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Bremen, Germany, Tu-G2-6
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy2005

    • 著者名/発表者名
      K., Yamashita, M., Yoshimoto, K., Oe
    • 学会等名
      66th OYOBUTURIGAKKAI GAKUJYUTU KOUENKAI(10p-ZA-2)
    • 発表場所
      TOKUSHIMA U. TOKUSHIMASHI
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] New semiconductor alloy GaNAsBi wit] ; temperature-insensitive bandgap2005

    • 著者名/発表者名
      M., Yoshimoto, W., Huang, G., Feng, K., Oe
    • 学会等名
      24th Electronic Materials Sympq.(EMS-24), Matsuyama
    • 発表場所
      D1
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] GaNyAsl-x-yBix Semiconductor Alloy for Temperature-insensitive-wavelength Lasers in WDM Optical Communication2005

    • 著者名/発表者名
      K., Oe, W., Huang, G., Feng, M., Yoshimoto
    • 学会等名
      18th Annual Meeting IEEE Lasers & Electro-Optics Society(LEOS)
    • 発表場所
      Sydney, ThP2
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360140
  • [学会発表] 発振波長の低い温度依存性を有するGaAs1-xBixレーザダイオードの実現

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真,吉田憲司,吉岡諒,吉本昌広
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy of Laser-quality GaAsBi

    • 著者名/発表者名
      R. Yoshioka, T. Fuyuki, K. Yoshida, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2014)
    • 発表場所
      Flagstaff, Arizona, USA
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength

    • 著者名/発表者名
      T. Fuyuki, R. Yoshioka, K. Yoshida, M. Yoshimoto
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2014
    • 発表場所
      San Jose, CA , USA
    • 年月日
      2014-06-08 – 2014-06-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現

    • 著者名/発表者名
      冬木琢真、吉田憲司、吉岡 諒、吉本昌広
    • 学会等名
      電子情報通信学会 信頼性/機構デバイス/電子部品・材料/光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス合同研究会
    • 発表場所
      小樽経済センター
    • 年月日
      2014-08-21 – 2014-08-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of GaAsBi and its lasing chracteristics

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto
    • 学会等名
      6th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA)
    • 発表場所
      Leeds, UK
    • 年月日
      2014-07-27 – 2014-08-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of GaAsBi and its application to laser diodes with low-temperature dependence of oscillation wavelength

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto
    • 学会等名
      18th European Molecular Beam Epitaxy workshop
    • 発表場所
      Canazei, Italy
    • 年月日
      2015-03-15 – 2015-03-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] GaAsBi laser diodes fabricated by molecular beam epitaxy

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto, R. Yoshioka, K. Yoshida, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      5th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 発表場所
      Cork, Ireland
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • [学会発表] GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimoto
    • 学会等名
      6th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors
    • 発表場所
      Madison, Wisconsin, USA
    • 年月日
      2015-07-19 – 2015-07-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246008
  • 1.  松波 弘之 (50026035)
    共同の研究課題数: 26件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  冬木 隆 (10165459)
    共同の研究課題数: 23件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  木本 恒暢 (80225078)
    共同の研究課題数: 15件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  尾江 邦重 (20303927)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 132件
  • 5.  板谷 良平 (90025833)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  池畑 隆 (00159641)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  真瀬 寛 (30007611)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  更家 淳司 (90026154)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  松村 信男 (60107357)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  山下 兼一 (00346115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件
  • 11.  久保 寔 (80089127)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  上田 修 (50418076)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 13.  山口 敦史 (60449428)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  佐久間 芳樹 (60354346)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  五神 真 (70161809)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  池永 訓昭 (30512371)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 18.  裏 升吾 (10193955)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  廣木 彰 (80346113)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  金高 健二 (50356911)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  八坂 保能 (30109037)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  西中 浩之 (70754399)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 14件
  • 23.  上田 大助 (60540424)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  石田 秀俊 (00572009)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  富永 依里子
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 17件
  • 26.  山田 和弥
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 27.  安達 伸雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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